Tài liệu hạn chế xem trước, để xem đầy đủ mời bạn chọn Tải xuống
1
/ 59 trang
THÔNG TIN TÀI LIỆU
Thông tin cơ bản
Định dạng
Số trang
59
Dung lượng
2,4 MB
Nội dung
ỜI Tôi xin cam đoan nội dung luận văn nghiêncứu suốt thời gian học thạc sĩ hướng dẫn PGS.TS Vũ Đình Lãm số liệu kết trung thực chưa công bố công trình sở khác dạng luận văn GƢỜI PHẠM HẢI ỜI Ả Ơ Trước tiên, xin gửi lời cảm ơn chân thành sâu sắc tới PGS TS Vũ Đình Lãm, người thầy dành nhiều thời gian, tâm huyết để hướng dẫn nghiêncứu hoàn thành luận văn tốt nghiệp Tôi xin chân thành cảm ơn CN.Vũ Đình Quý, CN Lê Đình Hải, CN Trịnh Thị Giang, NCS Đặng Hồng Lưu, TS Nguyễn Thị Hiền, NCS Phạm Thị Trang, TS Nguyễn Thanh Tùng…và thành viên nhóm nghiêncứu Metamaterial Phòng Vật lý VậtliệuTừ Siêu dẫn - Viện Khoa học Vậtliệu - Viện Hàn lâm KH&CN Việt Nam giúp đỡ, tương trợ suốt thời gian thực đề tài nghiêncứu nhóm Tôi xin chân thành cảm ơn thầy cô giáo Viện ITIMS tận tình giảng dạy, đào tạotạo điều kiện trình học tập nghiêncứu luận văn Luận văn thực hỗ trợ kinh phí từ đề tài cấp Viện Hàn lâm KH&CN Việt Nam mã số VAST 03.02(15-16) Cuối cùng, xin cảm ơn bạn bè người thân tạo điều kiện giúp đỡ trình học tập nghiêncứu Hà nội, ngày 27 tháng năm 2016 HỌC VIÊN PHẠM HẢI Ụ Ụ ỜI ỜI Ả Ơ Ụ Ụ D H Ụ Á KÝ HIỆU VIẾT TẮT D H Ụ Á HÌ H VẼ Ở ẦU HƢƠ G I: TỔ G QU 1.1 Giới thiệu chung vậtliệubiếnhóa 1.2 Khái niệm vậtliệubiếnhóa 1.3 Các hướng nghiêncứuvậtliệubiếnhóa 1.3.1.Vật liệu có chiết suất âm 1.3.2 Vậtliệubiếnhóahấpthụ tuyệt đối sóngđiệntừ 1.4 Mô hình giải thích tương tác sóngđiệntừ với vậtliệubiếnhóa 11 1.5 Cơ chếhấpthụsóngđiệntừ 13 1.6 Một số ứng dụng vậtliệubiếnhóa 15 HƢƠ G II: PHƢƠ G PHÁP GHIÊ ỨU 18 2.1 Lựa chọn cấutrúcvậtliệu 18 2.2 Phương pháp mô 20 2.3 Phương pháp thực nghiệm 21 2.3.1 Xây dựng hệ thiết bị chếtạo mẫu 21 2.3.2 Quy trình chếtạo mẫu 22 2.3.3 Phương pháp đo 24 HƢƠ G III KẾT QUẢ VÀ THẢ UẬ 25 3.1 Vậtliệubiếnhóahấpthụsóngđiệntừdựacấutrúcđĩatròn 25 3.1.1 Cấutrúcđĩatròn 25 3.1.1.1 Phổ hấpthụvậtliệubiếnhóa có cấutrúcđĩatròn 25 3.1.1.2 Ảnh hưởng phân cực sóngđiệntừ lên tính chất hấpthụcấutrúcđĩatròn 29 3.1.2 Cấutrúc nhẫn tròn 33 3.2 Cấutrúc kết hợp Đĩa-Nhẫn tròn (Dish-ring) 34 3.3 Cấutrúc Đĩa-Nhẫn tròn có rãnh (Dish-split ring) 37 3.4 Hấpthụ dải rộng 42 KẾT UẬ 47 Ô G TRÌ H Ã Ô G BỐ IÊ QU Ế HƢỚ G GHIÊ ỨU Ủ UẬ VĂ 48 TÀI IỆU TH KHẢ 49 D H Ụ Á KÝ HIỆU VIẾT TẮT Ký hiệu viết tắt Tên đầy đủ MMs Metamaterials MPAs Metamaterial perfect absorber MA Metamaterial absorber CW Cut-wire CWP Cut-wire pair SRR Split-ring resonator CST Computer simulation technology D H Ụ Á HÌ H VẼ Hình 1.1 Sự tương tự mặt cấutạovậtliệubiếnhóavậtliệu truyền thống Hình 1.2 Giản đồ biểu diễn mối liên hệ ε μ, vậtliệu có chiết suất âm (n < 0) góc phần tưthứ .7 Hình 1.3 (a) Vậtliệu có chiết suất âm hoạt động tần số GHz; (b) Phổ phản xạ truyền qua vậtliệu có cấutrúc SRR Hình 1.4 (a) Ô sở vậtliệubiếnhóa có cấutrúc cặp dây bị cắt, gồm lớp: hai lớp kim loại hai bên lớp điện môi giữa, (b) mạch tương đương LC 11 Hình 1.5 Vậtliệubiếnhóa hoạt động tần số THz 16 Hình 1.6 Hình minh họa sử dụng vậtliệubiếnhóa làm vậtliệu tàng hình 16 Hình 2.1 Sơ đồ tiến trình nghiêncứu .18 Hình 2.2 Sơ đồ tối ưu hóacấutrúctừcấutrúc vòng cộng hưởng 19 Hình 2.3 Giao diện chương trình mô – CST Microwave Studio 2015 21 Hình 2.4 Hệ thiết bị chếtạovậtliệubiếnhóa 22 Hình 2.5 Quy trình chếtạovậtliệubiếnhóa hoạt động vùng GHz 22 Hình 2.6 (a) Cấutrúc ô sở có tham số cấu trúc: a = 15 mm, R=2.4 mm, độ dày lớp điện môi td = 0.8 mm, độ dày lớp đồng tm = 0.036 mm; (b) Mẫu chếtạo .23 Hình 2.7 Hệ thiết bị Vector Network Analyzer đặt Viện Khoa học kỹ thuật Quân - Việt Nam .24 Hình 3.1.Cấu trúcđĩa tròn, (a) Ô sở, phân cực sóngđiện từ, (b) Mẫu chế tạo, có tham số cấutrúc a = 15 mm, R = 2.4 mm, độ dày lớp điện môi td = 0.8 mm, độ dày lớp đồng tm = 0.036 mm 25 Hình 3.2 (a) Phổ hấpthụvậtliệubiếnhóa có cấutrúcđĩatròn (b) So sánh kết mô thực nghiệm 26 Hình 3.3 Sự phân bố dòng bề mặt cấutrúcđĩa tròn, (a) Sự phân bố dòng mặt trước, (b) Sự phân bố dòng mặt sau .27 Hình 3.4 (a) Mặt cắt cấutrúc theo phương H-k; (b)Mặt cắt cấutrúc theo phương E-H; (c) Mạch điện tương đương cấutrúcđĩatròn .27 Hình 3.5 (a) Ảnh hưởng góc phân cực , (b) Ảnh hưởng góc tới θ, (c) Ảnh hưởng góc tới ψ 30 Hình 3.6 Cấutrúcđĩatròn có tham số cấu trúc: R = 2.4 mm, td = 0.8 mm, a = 15 mm: (a) Sự phân cực sóngđiện từ; (b) Kết mô phụ thuộc độ hấpthụ vào góc phân cực 30 Hình 3.7 (a) Sự phân cực sóngđiện từ; (b) Kết mô phụ thuộc phổ hấpthụ vào góc tới θ 31 Hình 3.8 (a) Sự phân cực sóngđiện từ; (b) Kết mô phụ thuộc phổ hấpthụ vào góc tới ψ .33 Hình 3.9 Cấutrúc nhẫn tròn, (a) Các tham số cấu trúc: a = 15 mm, Ro = 3.3 mm, Ri =3 mm, td = 0.8 mm, tm = 0.036 mm; (b) Sơ đồ mạch điện tương đương hiệu dụng cấutrúc nhẫn tròn, (c) Kết mô .33 Hình 3.10 (a) Ô sở cấutrúc Dish-ring có tham số cấutrúc a = 15 mm, R = 2.4 mm, Ro = 3.3 mm, Ri =3 mm; (b) Mẫu chếtạo (c), (d) Kết mô thực nghiệm phổ hấpthụcấutrúc Dish-ring 35 Hình 3.11 Sự phân bố dòng bề mặt cấutrúc Dish-ring 8.9 GHz, (a), (b) Sự phân bố dòng mặt trước mặt sau cấutrúc Dish-ring .36 Hình 3.12 Sự phân bố dòng điệncấutrúc Dish-ring 15.8 GHz, (a), (b) Sự phân bố dòng mặt trước mặt sau cấutrúc Dish-ring .37 Hình 3.13 (a), Ô sở cấutrúc Dish-split ring với tham số a = 15 mm, 38 R = 2.4 mm, Ro = 3.3 mm, Ri =3 mm,g=0.8 mm, (b) Mẫu chế tao, (c) Sơ đồ mạch điện tương đương hiệu dụng cấutrúc Dish- Split ring, (d) kết mô phổ hấpthụcấutrúc Dish-Split ring 38 Hình 3.14 Sự phân bố dòng bề mặt cấutrúc Dish-split ring 13.04 GHz, (a), (b) Sự phân bố dòng mặt trước mặt sau cấutrúc Dish-split ring 39 Hình 3.15 Sự phân bố điện trường cấutrúc Dish-split ring 13.04 GHz .40 Hình 3.16 (a), Ô sở cấutrúc Dish-split ring, (b) Mẫu chế tạo, (c), (d) Kết mô thực nghiệm phổ hấpthụ khoảng cách (g) thay đổi từ 0.2 đến 1.4 mm 42 Hình 3.17 Cấutrúc có đĩatròn nhẫn tròn: (a) cấutrúc ô sở, (b) mẫu chếtạo 43 Hình 3.18 Phổ hấpthụ dải rộng vậtliệudựacấutrúcĐĩa tròn-Nhẫn tròn .43 Hình 3.19 Từ trường cảm ứng tần số cộng hưởng (f1=12.32 GHz, f2=13.12 GHz, f3=13.8 GHz, f4=14.68 GHz, f5=15.16 GHz, f6=16 GHz, f7=17 GHz f8=17.84) 44 Hình 3.20 Kết mô phổ hấpthụcấutrúc gồm đĩatròn nhẫn tròn .45 Hình 3.21 So sánh kết mô thực nghiệm phổ hấpthụcấutrúc gồm đĩatròn nhẫn tròn 45 Ở ẦU Năm 2008, Landy cộng [35] phát tính chất thú vị vậtliệubiếnhóa Metamaterials (MMs), khả siêu hấpthụ Chính thế, MMs ngày nhà khoa học quan tâm sâu sắc khả ứng dụng to lớn Tấm hấpthụdựa MMs k vọng có khả hấpthụ gần tuyệt đối không bị phản xạ, với công nghệ chếtạo đơn giản, khả điều khiển vùng hấpthụ linh hoạt Với tính chất chất này, MMs ứng dụng ý nghĩa thiết bị khoa học, y tế, pin lượng lĩnh vực quân Mục đích nhà khoa học sớm đưavậtliệu vào ứng dụng thực tế thiết bị hoạt động vùng tần số GHz đồng thời thúc đẩy việc chếtạovậtliệu hoạt động tần số cao THz, hồng ngoại phục vụ cho ứng dụng quang học Tuy nhiên, trước đưavậtliệu vào ứng dụng, tồn đọng nhiều vấn đề cần làm sáng tỏ giải cách thỏa đáng Một vấn đề then chốt tìm kiếm vậtliệubiếnhóahấpthụ có cấutrúc đơn giản để thuận lợi cho việc chế tạo, đặc biệt tìm kiếm vậtliệubiếnhóahấpthụ không phụ thuộc vào phân cực sóngđiệntừ để dễ dàng ứng dụng thực tế Đây lý cho việc chọn đề tài luận văn nghiêncứu Mục đích nghiêncứu luận văn: (i) Tối ưu hóacấutrúcvậtliệubiếnhóahấpthụ có dạng đơn giản dễ dàng chếtạo vùng tần số GHz (ii) Nghiêncứu mở rộng vùng tần số hấpthụvậtliệubiếnhóa Luận văn thực dựa việc kết hợp tính toán lý thuyết, mô hình hóachếtạo phép đo thực nghiệm Với mục tiêu đó, luận văn chia thành chương sau: hƣơng I: Tổng quan vậtliệubiếnhóa (Metamaterial – Meta) hƣơng II: Phương pháp nghiêncứu hƣơng III: Kết thảo luận HƢƠ G I: TỔ G QU 1.1 Giới thiệu chung vậtliệubiếnhóa Xét tương tác ánh sáng với vậtliệu bất k Ánh sáng dạng sóngđiệntừ đặc trưng đại lượng tần số bước sóng Bước sóng ánh sáng thường có kích thước lớn gấp hàng trăm lần kích thước nguyên tửcấu thành vậtliệu khoảng cách chúng Vì thế, ánh sáng phân giải chi tiết hình ảnh nguyên tử độc lập Nhờ đó, ta tính trung bình tất nguyên tử coi vậtliệu khối đồng đặc trưng hai tham số điệntừ ɛ µ Trên thực tế, điều không thiết phải bị giới hạn nguyên tử hay phân tử Lý thuyết môi trường hiệu dụng (effective medium theory– EMT), cho phép bất k vật chất không đồng mà kích thước khoảng cách vật chất nhỏ nhiều lần so với bước sóngsóngđiệntừ mô tả thông qua tham số ɛ µ hiệu dụng Trong tự nhiên, tính chất vật lý vậtliệu thường định tính chất nguyên tửcấutrúc mạng tinh thể nguyên tử [37] Một ví dụ đơn giản cho thấy, kim cương than chì cấutạotừ bon xếp cấutrúc mạng tinh thể khác dẫn đến khác biệt tính chất vật lý kim cương than chì Từ kết đó, ý tưởng tồn nguyên tử nhân tạo loại khác loại xếp có chủ ý mạng tinh thể nhân tạo, cho phép người tạo tính chất lạ không tồn tự nhiên, từ lâu thu hút quan tâm nhà khoa học Một ví dụ điển hình thành công việc tạo tính chất vậtliệu cách can thiệp nhân tạo vào mạng tinh thể kể đến ống nano bon [22], gần graphene [25] Tuy nhiên, thú vị đời vậtliệuđiệntừ nhân tạo “vật liệubiến hóa”, khả sở hữu tính chất khác lạ toàn dải tần [50] Vậtliệubiếnhóa xây dựng dựa "giả nguyên tử" mạch cộng hưởng điệntừ nhỏ nhiều lần bước sóng mà tính chất đặc biệt vậtliệubiếnhóa xuất Bằng cách thay đổi tính chất mạng tinh thể (quy luật xếp) "giả nguyên tử" cách đồng thời, nhà khoa học thu tính chất bất thường không tồn vậtliệutự nhiên Hình 1.1 đưa hình ảnh so sánh cấutạovậtliệu truyền thống vậtliệubiếnhóa cho thấy có hoàn toàn tương tự hai cấutrúc coi nguyên tử tương đương mạch cộng hưởng điệntừ LC Hình 1.1 Sự tương tự mặt cấutạovậtliệubiếnhóavậtliệu truyền thống Dựa lý thuyết môi trường hiệu dụng, vậtliệubiếnhóa thường định nghĩa: Vậtliệubiếnhóavậtliệu có cấutrúc nhân tạo, bao gồm cấutrúc xếp cách tuần hoàn (hoặc không tuần hoàn), mà tính chất phụ thuộc vào cấutrúc ô sở vậtliệucấu thành nên Cấutrúcvậtliệubiếnhóa đồng có kích thước nhỏ nhiều lần bước sóng hoạt động nên tính chất điệntừvậtliệubiếnhóa biểu diễn thông qua tham số hiệu dụng ɛ µ Một điểm cần ý mặt cấutạovậtliệubiếnhóa có cấutrúc tương tự loại vậtliệu nhân tạo khác tinh thể photonic Tuy nhiên, nguyên lý hoạt động hai loại vậtliệu hoàn toàn khác chất Cấutrúc sở tinh thể photonic thường có kích thước cỡ bước sóng hoạt động dựa nguyên lý nhiễu xạ Trong đó, cấutrúc sở vậtliệubiếnhóa nhỏ nhiều lần bước sóng (cỡ 1/7 lần bước sóng) nhằm mục đích loại bỏ tượng nhiễu xạ Gần đây, giá trị giới hạn bước sóng dài lý thuyết môi trường hiệu dụng gây nhiều tranh cãi kích thước thật vậtliệubiếnhóa số trường hợp so sánh với bước sóng hoạt động [43] Điều có nghĩa cần thiết điều kiện nhỏ nhiều lần bước sóng lý thuyết môi trường hiệu dụng trở thành chủ đề để tranh luận Hơn nữa, lý thuyết môi trường hiệu dụng vượt khỏi giới hạn bước sóng dài phát triển Wu cộng [50] Lý thuyết phù hợp cho trường hợp sóng tới có bước sóng lớn 1, lần kích thước ô sở vậtliệubiếnhóa Ưu điểm vậtliệubiếnhóatạovậtliệu nhân tạo với tính chất lạ thường vậtliệu truyền thống Để điều khiển tính chất này, dựa việc điều khiển tham số cấutrúc mạch cộng hưởng dẫn đến việc điều khiển sóngđiệntừVậtliệu chiết suất âm đời mở cánh cửa với tính chất khác lạ, mà tiếp cận từ trước đến Từ tảng đó, kiểm soát sóngđiệntừhấpthụ tuyệt đối sóngđiệntừdựa việc điều khiển thành phần vậtliệu đời hứa hẹn ứng dụng mà mang lại Do vậtliệubiếnhóa có kích thước ô sở nhỏ nhiều lần bước sóng hoạt động nên sóngđiệntừchiếu đến vậtliệu tách thành ba thành phần: thành phần phản xạ (reflection - R) không phối hợp trở kháng tốt vậtliệu với môi trường ngoài, thành phần hấpthụ (absorption - A) chất vậtliệu thành phần truyền qua (T), bỏ qua thành phần nhiễu xạ tán xạ Như vậy, ta dễ dàng nhận thấy tổng lượng ba tín hiệu phản xạ, truyền qua hấpthụ phải tổng lượng tín hiệu sóng truyền đến vậtliệu theo công thức: R + T + A = (100%) [36, 6] Như vậy, biết hai ba giá trị Cấutrúc Dish-split ring trình bày hình 3.13 với thành phần nhẫn bị cắt khoảng g = 0.8 mm.Với cấutrúcthu phổ hấpthụ mới, ta thấy đỉnh hấpthụthứ bị dịch chuyển từ tần số 8.9 GHz đến 13.04 GHz, đỉnh hấpthụthứ không thay đổi Điều cho thấy, thay đổi thành phần cấutrúc nhẫn bên làm cho đỉnh cộng hưởng thứ tương ứng với bị dịch chuyển với khoảng tần số đáng kể Để thấy rõ nguyên dịch chuyển đỉnh hấpthụthứ nhất, tiến hành khảo sát mật độ dòng Hình 3.14 trình bày mật độ phân bố dòng mặt trước mặt sau tương ứng tần số 13.04 GHz Ở xuất hiện tượng tách dòng từ dòng thành dòng, lúc dòng điện ban đầu ứng với phần nhẫn bị cắt bị tách làm dòng nối tiếp gây giảm chiều dài thành phần cuộn cảm (a) (b) Hình 3.14 Sự phân bố dòng bề mặt cấutrúc Dish-split ring 13.04 GHz, (a), (b) Sự phân bố dòng mặt trước mặt sau cấutrúc Dish-split ring Để khẳng định điều này, tiếp tục khảo sát điện trường cấutrúc Dish-split ring Kết cho thấy phần điện trường tập trung nhiều phần bị cắt nhẫn, tạotạo cặp lưỡng cực gây tượng dịch đỉnh cấutrúc 39 Hình 3.15 Sự phân bố điện trường cấutrúc Dish-split ring 13.04 GHz Theo Zhang [24], vòng nhẫn bị cắt, điện trường từ trường nhẫn phân bố lại hình thành ba lưỡng cực tương ứng với ba cộng hưởng Do thay tính tần số cộng hưởng cấu trúc, luận văn tính tần số cộng hưởng ứng với 1/3 cấutrúc nhẫn tròn Sơ đồ mạch điện tương đương cấutrúc dish-split ring trình bày hình 3.13(c) Độ tự cảm 1/3 nhẫn xác định dựa độ tự cảm nhẫn mà luận văn đề cấp phần cấutrúc hình tròn: (3.14) Trong bán kính bán kính nhẫn Giá trị điện dung tụ ứng với 1/3 nhẫn xác định qua công thức: (3.15) Ở đây, giá trị c1 phải nhỏ giá trị c1 tính toán điện dung ứng với nhẫn 2/3 lần Vì 0.05