MÔ PHỎNG PHÚN XẠ MAGNETRON − MÔ PHỎNG PHỔ UVVIS VÀ TẠO MẪU MÀNG Al2O3 .

Header Page of 133 i MỤC LỤC PHẦN MỞ ĐẦU PHẦN I: TỔNG QUAN .7 CHƯƠNG 1: VẬT LIỆU Al2O3 1.1 Khái quát ôxit nhôm (Al2O3) .7 1.2 Tính đa hình ôxit nhôm .7 1.3 Các pha Al2O3 1.4 Màng mỏng Al2O3 15 1.5 Các hoạt động IR Raman Al2O3 16 CHƯƠNG 2: CÁC PHƯƠNG PHÁP TẠO MÀNG MỎNG 21 2.1 Phương pháp ngưng tụ từ dung dịch 21 2.2 Phương pháp phún xạ magnetron .22 2.3 Phương pháp điện hóa 25 2.4 Một số tính chất màng mỏng ứng dụng 27 CHƯƠNG 3: MÔ PHỎNG TRONG VẬT LÝ 30 3.1 Tổng quan 30 3.2 Cơ sở mô 30 3.3 Hệ thống – mô hình – giải pháp 31 3.4 Ưu khuyết điểm phương pháp mô 33 3.5 Một số phương pháp mô 34 3.6 Các kỹ thuật mô 35 3.7 Một số mô hình mô vật lý màng mỏng 35 3.8 Kết luận 42 PHẦN II: THỰC NGHIỆM 43 CHƯƠNG 4: MÔ PHỎNG PHÚN XẠ MAGNETRON − MÔ PHỎNG PHỔ UVVIS VÀ TẠO MẪU MÀNG Al2O3 .43 4.1 Mô phún xạ 43 4.2 Một số thông tin ban đầu chuẩn bị cho mô .44 4.3 Thực mô phún xạ 49 4.4 Mô phổ UVVIS 61 4.5 Tạo mẫu màng, đo phổ xử lý phổ đo 72 CHƯƠNG 5: KHẢO SÁT MÀNG MỎNG Al2O3 THỰC HIỆN BẰNG PHÚN XẠ RF 75 5.1 Tạo màng mỏng Al2O3 phún xạ RF 75 Footer Page of 133 Header Page of 133 ii 5.2 Khảo sát chuyển pha 81 5.3 Kết luận chương .101 CHƯƠNG 6: KHẢO SÁT MÀNG MỎNG Al2O3 THỰC HIỆN BẰNG SOL– GEL 103 6.1 Tạo màng SOL–GEL 103 6.2 Khảo sát màng quang phổ 105 6.3 Màng Al2O3 Sol gel đế thạch anh 119 6.4 Kết luận chương .122 CHƯƠNG : KHẢO SÁT MÀNG MỎNG Al2O3 THỰC HIỆN BẰNG ĐIỆN HÓA .125 7.1 Tạo màng điện hóa 125 7.2 Khảo sát màng điện hóa phổ hồng ngoại 127 7.3 Khảo sát màng điện hóa phổ XRD 129 7.4 Ứng dụng .130 7.5 Kết luận chương .133 PHẦN III: KẾT LUẬN 135 CÁC KẾT QUẢ NGHIÊN CỨU 135 CÁC GIÁ TRỊ KHOA HỌC 137 CÁC GIÁ TRỊ THỰC TIỄN 138 NHỮNG VẤN ĐỀ CẦN TIẾP TỤC NGHIÊN CỨU 139 TÀI LIỆU THAM KHẢO .141 DANH MỤC CÁC CÔNG TRÌNH CÔNG BỐ CỦA TÁC GIẢ .147 PHỤ LỤC 1: BẢNG PHỔ XRD THAM KHẢO 148 PHỤ LỤC 2: CÁC BẢNG PHỔ IR VÀ RAMAN .155 PHỤ LỤC 3: CÁC BẢNG WYCKOFF 160 PHỤ LỤC 4: CÁC PHẦN MỀM (Đính kèm đĩa CD) 164 Hình Giao diện phần mềm 164 Hình Giao diện phần mềm .166 Hình Kết mô hiển thị trực quan 166 Hình Giao diện phần mềm 167 Footer Page of 133 iii Header Page of 133 DANH MỤC HÌNH Hình 1.1 Sự chuyển pha Al2O3 theo nhiệt độ nung .9 Hình 1.2 Cấu trúc α−Al2O3 [24] 11 Hình 1.3 Ô đơn vị hexagonal α−Al2O3 12 Hình 1.4 Cấu trúc spinel .12 Hình 1.5 Mô hình không gian γ – Al2O3 .13 Hình 1.6 Mô hình không gian θ – Al2O3 .14 Hình 1.7 Ô đơn vị θ−ôxit nhôm dạng đơn tà .14 Hình 1.8 a Cảm biến dấu vân tay có phủ màng bảo vệ Al2O3 16 Hình 1.8 b Dấu vân tay bề mặt cảm biến: không phủ (a) có phủ màng Al2O3 (b) 16 Hình 2.1 Hệ phún xạ magnetron 23 Hình 2.2 Sự oanh tạc ion Ar+ phún xạ hạt vật liệu bề mặt bia 23 Hình 2.3 Sự lắng đọng vật liệu lên đế 24 Hình 2.4 Quan hệ nhiệt độ đế, động ion tốc độ lắng đọng 24 Hinh 2.5 Sơ đồ nguyên lý tạo màng điện hóa 25 Hinh 2.6 Sự tạo thành lớp oxit xốp đế kim loại 25 Hình 2.7 Mô hình ôxit nhôm xốp lý tưởng 26 Hình 2.8 Đường cong phản xạ màng hai lớp (trái) ba lớp (phải) 29 Hình 3.1 Sơ đồ chung trình mô .31 Hình 3.2 Sơ đồ hệ thống phương pháp nghiên cứu 31 Hình 3.3 Sơ đồ chung trinh mô .32 Hình 3.4 Mô hình toán học cho mô va chạm 37 Hình 3.5 Mô hình hình học miền không gian phún xạ .38 Hình 3.6 (a) phân bố số hạt Ti phún xạ đến đế theo lượng 39 Hình 3.6 (b) phân bố số hạt Ti phún xạ theo góc tới đến đế 39 Hình 3.7 (a) phân bố số hạt Al phún xạ đến đế theo lượng 39 Hình 3.7 (b) phân bố số hạt Al phún xạ theo góc tới đến đế 39 Hình 4.1 Hình minh họa trình phún xạ vật liệu bia 45 Hình 4.2 Tương quan lượng ion oanh tạc công suất phún xạ RF .49 Hình 4.3 Sơ đồ mô phún xạ vật liệu bia 50 Hình 4.4 (a) Phân bố số hạt phún xạ theo động ban đầu Al Ti 52 Hình 4.4 (b) Phân bố số hạt phún xạ theo động ban đầu Ti theo [49] 52 Hình 4.5 (a) Phân bố số hạt phún xạ theo động ban đầu Al,và Cu 52 Hình 4.5 (b) Phân bố số hạt phún xạ theo động ban đầu Cu Y theo [50] 52 Hình 4.6 (a) Phân bố mô số hạt phún xạ theo góc 000 000 hạt Ti phún xạ, Ar+, 350 eV 53 Hình 4.6 (b) Phân bố mô số hạt phún xạ theo góc hạt phún xạ Ti (Ar+,441eV, hướng va chạm vuông góc) theo [49] .53 Hình 4.7 Phổ phân bố số hạt phún xạ theo góc 000 000 hạt Al phún xạ, Ar+, 350 eV Số lần lặp 05 có tính đến yếu tố thớ bề mặt (surface texture) .53 Hình 4.8 Sơ đồ trình mô truyền hạt phún xạ đến bia 54 Hình 4.9 Mô quỹ đạo hạt phún xạ Al (a) Al2O3 (b) .55 Hình 4.9 Mô quỹ đạo hạt phún xạ Al (c) Al2O3 (d) .55 Hình 4.9 Mô quỹ đạo hạt phún xạ Al (e) Al2O3 (f) 55 Hình 4.10 Phân bố số hạt theo quãng đường tự Al Al2O3 .56 Hình 4.11 Mô phân bố số hạt theo góc tới đế tính 5000 hạt .56 Hình 4.12 Mô phân bố số hạt theo lượng tới đế 50000 hạt 56 Footer Page of 133 Header Page of 133 iv Hình 4.13 Mô số hạt đến đế theo áp suất điện áp phún xạ 57 Hình 4.14 Sơ đồ trình mô lắng đọng màng đế 58 Hình 4.15 Kết mô bề mặt màng lắng đọng ma trận 100 x 100 x 20, lắng đọng ngẫu nhiên (trái) lắng đọng có khuếch tán (phải) 59 Hình 4.16 Kết mô lớp cắt thứ màng gồm 20 lớp vật liệu lắng đọng ma trận 100 x 100 x 20, lắng đọng ngẫu nhiên (trái) lắng đọng có khuếch tán (phải) 59 Hình 4.17 Kết mô lượng dư lớp thứ màng gồm 11 lớp 60 Hình 4.18 Phổ UVVIS màng Al2O3 có độ dày vào cỡ 200 nm, có cực đại cực tiểu, không tính bắng giải tích số 62 Hình 4.19 Các dạng gồ ghề tiêu biểu, a nghiêng, b tam giác, c gợn chữ nhật, d gợn sóng 63 Hình 4.20 Phổ truyền qua lý thuyết màng mỏng đế thủy tinh bị điều chế 63 Hình 4.21 Phổ truyền qua lý thuyết màng mỏng bị điều chế đế thủy tinh 63 Hình 4.22 Lưu đồ chương trình mô phổ UVVIS 66 Hình 4.23 Giao diện chương trình mô phổ UVVIS 66 Hình 4.24 Đồ thị mô phổ truyền qua UVVIS .68 Hình 4.25 Đồ thị đo độ dày máy đo stylus Dektak 6M 69 Hình 4.26 Phổ UVVis mô màng ôxit nhôm vô định hình đế thủy tinh .70 Hình 4.27 Sự trùng khít mô phổ UVVVis với hệ số tắt khác 70 Hình 4.28 Sự trùng khít tốt phổ mô với phổ thực .71 Hình 4.29 Phổ XRD xử lý loại nhiễu làm trơn phần mềm Jasco32 74 Hình 4.30 Phổ XRD sau xử lý tách đỉnh Match1.9d 74 Hình 5.1 Hệ phún xạ Univex 450 76 Hình 5.2 Phổ UV−VIS màng Al2O3 đế thủy tinh 77 Hình 5.3 Đồ thị thực nghiệm tốc độ tạo màng .79 Hình 5.4 (a) ảnh AFM 2D màng Al2O3 đế Si 79 Hình 5.4 (b) ảnh AFM 3D: Độ gồ ghề cỡ 283.4 nm/μm 79 Hình 5.5 Phổ UVVis màng Al2O3 đế thạch anh qua nhiệt độ ủ: 80 Hình 5.6 Phổ UVVis màng Al2O3 đế thạch anh theo lượng xạ 80 Hình 5.7 Phổ XRD Al2O3 dạng bột rắn 81 Hình 5.8 Phổ XRD màng Al2O3 phủ đế thủy tinh 81 Hình 5.9 Phổ IR Al2O3 bột rắn viên nén KBr .82 Hình 5.10 Phổ IR màng Al2O3 đế thủy tinh .82 Hình 5.11 Phổ XRD màng Al2O3 phủ đế Si (111) chưa ủ nhiệt .83 Hình 5.12 Phổ IR màng đế Si màng đế thủy tinh chưa ủ nhiệt 84 Hình 5.13 Ảnh phổ XRD màng Al2O3 đế Si sau ủ nhiệt 6000C 85 Hình 5.14 Phổ IR màng đế Si 111 ủ nhiệt 6000C 86 Hình 5.15 Ảnh phổ XRD màng Al2O3 đế Si sau ủ nhiệt 7000C 87 Hình 5.16 Phổ IR màng đế Si 111 ủ nhiệt đến 700oC 87 Hình 5.17 Phổ XRD màng Al2O3 phủ đế Si ủ nhiệt đến 8000C 88 Hình 5.18 Phổ IR màng đế Si 111 ủ nhiệt đến 800oC 89 Hình 5.19 Phổ IR màng Al2O3 đế Silic qua nhiệt độ ủ 800 – 900 0C 90 Hình 5.20 Phổ XRD màng Al2O3 phủ đế Si ủ nhiệt đến 9000C 91 Hình 5.21 Phổ XRD màng Al2O3 phủ đế Si ủ nhiệt đến 10000C .92 Hình 5.22 Phổ IR màng đế Si ủ nhiệt 10000C, pha α hỗn hợpvới γ, κ η 93 Hình 5.23 Phổ XRD màng Al2O3 phủ đế Si ủ nhiệt 11000C 95 Hình 5.24 Phổ IR màng đế Si ủ nhiệt 11000C, pha α chiếm ưu rõ rệt 95 Footer Page of 133 Header Page of 133 v Hình 5.25 Phổ XRD màng Al2O3 phủ đế Si ủ nhiệt 12000C 96 Hình 5.26 Phổ IR màng đế Si ủ nhiệt 12000C 97 Hình 5.27 Phổ Raman màng phún xạ đế Silic 100 Hình 5.28 Phổ XRD màng Al2O3 phủ đế Si ủ nhiệt qua dãy 600– 12000C 101 Hình 5.29 Phổ XRD pha trung gian corundum 102 Hình 6.1 Sơ đồ trình tạo Sol 103 Hình 6.2(a) Phổ UVVIS màng phủ lớp 500oC 105 Hình 6.2(b) Phổ UVVIS màng phủ lớp 300oC 500oC 105 Hình 6.3 Ảnh AFM màng đế Si (1 lớp) 500oC 105 Hình 6.4 (a) Phổ hồng ngoại màng đế thủy tinh nhiệt độ phòng (xanh) sau nhiệt phân 500oC (đỏ), miền số sóng 1000 – 6000cm −1 106 Hình 6.4 (b) Phổ hồng ngoại màng đế thủy tinh nhiệt độ phòng (xanh) sau nhiệt phân 500oC (đỏ), miền số sóng 400 – 1000 cm–1 106 Hình 6.5 Ảnh phổ XRD màng sol gel đế Si ủ nhiệt đến 500oC .107 Hình 6.6 Phổ IR màng đế Si với nhiều hợp thức ABS:H2O 107 Hình 6.7 Phổ IR màng đế Si ủ nhiệt 6000C 109 Hình 6.8 Phổ IR màng đế Si ủ nhiệt 7000C 110 Hình 6.9 Phổ IR màng đế Si ủ nhiệt 8000C 110 Hình 6.10 Ảnh phổ XRD màng sol gel đế Si ủ nhiệt đến 900oC 112 Hình 6.11 Phổ IR màng đế Si ủ nhiệt 9000C 112 Hình 6.12 Phổ IR màng đế Si ủ nhiệt qua nhiệt độ 700 – 9000C 113 Hình 6.13 Ảnh phổ XRD màng sol gel đế Si ủ nhiệt đến 1000oC 113 Hình 6.14 Ảnh phổ XRD màng sol gel đế Si ủ nhiệt đến 1100oC 115 Hình 6.15 Ảnh phổ XRD màng sol gel đế Si ủ nhiệt đến 1200oC 115 Hình 6.16 Phổ IR màng đế Si ủ nhiệt qua nhiệt độ 900 – 12000C 117 Hình 6.17 Phổ Raman màng solgel đế Si qua ủ nhiệt với nhiệt độ 900, 1100 12000C miền số sóng thấp 118 Hình 6.18 Phổ Raman màng solgel đế Si qua ủ nhiệt với nhiệt độ 900, 1100 12000C miền số sóng cao .118 Hình 6.19 Phổ XRD màng Sol gel đế thạch anh nhiệt độ ủ 6000C .119 Hình 6.20 Phổ XRD màng Sol gel đế thạch anh nhiệt độ ủ 8000C .120 Hình 6.21 Phổ XRD màng Sol gel đế thạch anh nhiệt độ ủ 10000C 120 Hình 6.22 Phổ XRD màng Sol gel đế thạch anh nhiệt độ ủ 12000C 121 Hình 6.23 Phổ XRD màng Al2O3 đế thạch anh 600oC, 800oC, 1000oC 1200oC 122 Hình 6.24 Phổ XRD màng sol gel đế Si .123 Hình 7.1 Mô tả màng Al2O3điện hóa 126 Hình 7.2 Sơ đồ nguyên lý tạo màng điện hóa 126 Hình 7.3 Màng Al2O3 xốp nhôm kim loại 127 Hình 7.4 Phổ IR màng điện hóa chưa xử lý nhiệt [43] 128 Hình 7.5 Phổ IR màng điện hóa đế nhôm kim loại chưa xử lý nhiệt 128 Hình 7.6 Phổ IR màng đế nhôm kim loại xử lý ủ nhiệt 5000C 30 phút128 Hình 7.7 Phổ IR màng đế thủy tinh xử lý ủ nhiệt 5000C 30 phút 129 Hình 7.8 Ảnh AFM màng đế nhôm kim loại 129 Hình 7.9 Phổ XRD màng đế nhôm xử lý ủ nhiệt 5000C 30 phút 129 Hình 7.10 Cảm biến độ ẩm nhóm chế tạo từ màng điện hóa 131 Hình 7.11 Đồ thị biểu diễn biến thiên điện dung cảm biến theo độ ẩm .131 Footer Page of 133 Header Page of 133 vi Hình 7.12 Đồ thị biểu diễn biến thiên điện dung cảm biến theo nhiệt độ 131 Hình 7.13 Kết nối cảm biến với máy đo điện dung Wellink Model HL – 1230 131 Hình 7.14 Sơ đồ kết nối cảm biến với vi mạch LM555 132 Hình 7.15 Phổ XRD màng điện hóa [43] 133 Footer Page of 133 Header Page of 133 vii DANH MỤC BIỂU BẢNG Bảng 1.1 Các đặc trưng vật lý ôxit nhôm dạng α θ [33] .7 Bảng 1.2 Các đặc tính tinh thể ôxit nhôm [33] .8 Bảng 1.3 Những đặc điểm tinh thể α−Al2O3 [24] .12 Bảng 1.4 Bảng đặc biểu nhóm D3h 17 Bảng 1.5 Bảng tương quan nhóm D3d .18 Bảng 1.6 Sự tương quan dao động nguyên tử Al α − Al2O3 18 Bảng 1.7 Sự tương quan dao động nguyên tử O α − Al2O3 19 Bảng 2.1 Thứ tự độ dày màng chống phản xạ đa lớp thiết kế [46] 28 Bảng 4.1 So sánh kết đo độ dày theo phương pháp khác 67 Bảng 4.2 Độ dày mô ứng với miền bước sóng mẫu X12 .69 Bảng 5.1 điều kiện mô thực nghiệm tạo màng .76 Bảng 5.2 Chiết suất màng Al2O3 với phương pháp tạo màng khác 77 Bảng 5.3 So sánh kết đo độ dày theo phương pháp giải tích, mô tiếp xúc 78 Bảng 5.4 So sánh đỉnh phổ XRD Al2O3 dạng bột rắn cho thấy pha α .81 Bảng 5.5 So sánh phổ IR thu (hình 5.10) với phổ tư liệu (phụ lục 2) .82 Bảng 5.6 Bảng đỉnh phổ XRD màng Al2O3 phủ đế Si (111) chưa ủ nhiệt 83 Bảng 5.7 Bảng danh sách đỉnh phổ XRD sau ủ nhiệt 6000C 85 Bảng 5.8 So sánh phổ IR màng ủ nhiệt 6000C 86 Bảng 5.9 Bảng danh sách đỉnh phổ XRD sau ủ nhiệt 7000C 87 Bảng 5.10 So sánh phổ IR màng ủ nhiệt 7000C .88 Bảng 5.11 Phổ XRD màng Al2O3 đế Si (111) ủ nhiệt 8000C 89 Bảng 5.12 Phổ XRD màng Al2O3 đế Si (111) ủ nhiệt 9000C 91 Bảng 5.13 So sánh phổ IR màng ủ nhiệt 9000C .92 Bảng 5.14 Phổ XRD màng Al2O3 đế Si (111) ủ nhiệt 10000C 93 Bảng 5.15 So sánh phổ IR màng ủ nhiệt 10000C 94 Bảng 5.16 Danh sách đỉnh phổ XRD màng Al2O3 đế Si 111 ủ nhiệt 11000C 94 Bảng 5.17 So sánh phổ IR màng ủ nhiệt 11000C 96 Bảng 5.18 Phổ XRD màng Al2O3 đế Si (111) ủ nhiệt 12000C 97 Bảng 5.19 So sánh phổ IR màng ủ nhiệt 12000C 98 Bảng 5.20 Tổng kết dãy chuyển pha màng Al2O3 phún xạ đế Si qua nhiệt độ ủ 102 Bảng 6.1 Phổ XRD màng sol gel đế Si ủ nhiệt đến 500oC 107 Bảng 6.2 Bảng phổ tham khảo ứng với pha màng sol gel nhiều hợp thức 108 Bảng 6.3 Bảng phổ tham khảo ứng với pha màng sol gel ủ nhiệt 6000C 109 Bảng 6.4 Bảng phổ tham khảo ứng với pha màng sol gel ủ nhiệt 7000C 110 Bảng 6.5 Bảng phổ IR tham khảo ứng với pha màng sol gel ủ nhiệt 8000C 111 Bảng 6.6 Phổ XRD màng sol gel đế Si ủ nhiệt đến 900oC 111 Bảng 6.7 Bảng phổ tham khảo ứng với pha màng sol gel ủ nhiệt 9000C 112 Bảng 6.8 Phổ XRD màng sol gel đế Si ủ nhiệt đến 1000oC 114 Bảng 6.9 Phổ XRD màng sol gel đế Si ủ nhiệt đến 1100oC 114 Bảng 6.10 Phổ XRD màng sol gel đế Si ủ nhiệt đến 1200oC .115 Bảng 6.11 Các đỉnh phổ IR ứng với các pha màng sol gel qua nhiệt độ ủ 116 Bảng 6.12 Phổ XRD màng sol gel đế thạch anh nhiệt độ ủ 6000C .119 Bảng 6.13 Phổ XRD màng sol gel đế thạch anh nhiệt độ ủ 8000C .120 Bảng 6.14 Phổ XRD màng sol gel đế thạch anh nhiệt độ ủ 10000C 121 Bảng 6.15 Phổ XRD màng sol gel đế thạch anh nhiệt độ ủ 12000C 121 Bảng 7.1 Phổ XRD màng Al2O3 đế nhôm kim loại xử lý ủ nhiệt 5000C .130 Footer Page of 133 Header Page of 133 viii Bảng 7.2 Bảng tra độ ẩm theo điện dung .132 Bảng 7.3 Các pha ủ nhiệt màng điện hóa [43] .133 Bảng 8.1 So sánh chung màng phún xạ màng solgel 135 Bảng 8.2 Sơ đồ chuyển pha màng ôxit nhôm .136 CÁC TỪ VIẾT TẮT Từ viết tắt AFM ASB CVD fu ITO MD NMR PLD RF TEOS UV-Vis XRD Footer Page of 133 Tiếng Anh Atomic force microscope Aluminum Sec–Butoxide Chemical vapor deposition Formula unit Indium tin oxide Molecular Dynamic Nuclear magnetic resonance Pulse laser deposition Radio frequency Alkoxit tetraethyle orthosilicate Ultra violet- Visible X ray difraction Tiếng Việt Kính hiển vi lực nguyên tử Muối kim nhôm nhóm butane Lắng đọng từ pha hóa học Đơn vị công thức hóa học Oxit thiếc - indium Động lực học phân tử Cộng hưởng từ hạt nhân Lắng đọng từ phún xạ xung laser Tần số vô tuyến Các muối kim Si nhóm alkane Vùng tử ngoại - khả kiến Nhiễu xạ tia X Header Page of 133 PHẦN MỞ ĐẦU Màng mỏng đồng thời vừa ngành công nghệ cũ, từ trước công nguyên, lại vừa mẽ diện ngày Màng mỏng lớp vật liệu rắn có độ dày cỡ từ nm đến cỡ μm phủ lên đế cứng thủy tinh, kim loại, gốm sứ, polyme,… với chiều dày giới hạn mà hiệu ứng vật lý tính chất thể không giống vật liệu khối Do đó, với giảm lớn lượng đến vậy, tính chất riêng biệt bắt đầu xuất thay đổi chất, thang kích cỡ nano Nhìn chung, chiều dày màng mỏng đề cập công nghệ vật liệu linh kiện điện tử, quang điện tử,… nằm khoảng 10 ÷1000nm Ngày nay, công nghệ chế tạo màng mỏng vô đa dạng phong phú, bao gồm nhiều phương pháp khác nhau, từ đơn giản đến phức tạp Hiện nay, màng mỏng áp dụng nhiều ngành kỹ thuật cao nhờ vào tính chất đặc biệt có vật liệu màng với kích thước mỏng, tiêu biểu màng điện môi, màng bán phản quang, màng chống phản xạ, màng lọc hồng ngoại, lọc tử ngoại, … Đa số ứng dụng màng thang kích thước micro, nhiên, hai thập niên gần bùng nổ nghiên cứu khai thác vật liệu nói chung màng mỏng nói riêng có cấu tạo thang kích thước nano, hứa hẹn nhiều tiềm Hợp chất Al2O3 nghiên cứu nhiều vào thập niên 50 − 60 quan tâm thời gian Gần đây, kể từ năm 2000, hợp chất bắt đầu quan tâm nhiều số lượng nghiên cứu phạm vi nano tăng cao, từ năm 2005 Xem công bố Al2O3, đa số báo nghiên cứu Al2O3 điều chế dạng khối rắn dạng hạt nano, công bố thông tin dạng màng mỏng Màng Al2O3 sử dụng rộng rãi để làm lớp cách điện lớp phủ bảo vệ điện trở cao, cứng trơ hóa học Các pha biết ôxit nhôm gồm pha bền α−Al2O3 pha trung gian (γ, δ, η, θ, β) Trong pha α ứng dụng biết đến nhiều Pha γ dùng chất xúc tác hóa học chuyển hóa hydrocarbon công nghệ hóa dầu Footer Page of 133 Header Page 10 of 133 Sau thời gian dài gần bị quên lãng mà đa số nghiên cứu tập trung vào điều chế nhôm kim loại từ quặng bô xít, thời gian gần đây, hợp chất nhà khoa học nước quan tâm nghiên cứu trở lại Tuy nhiên, nghiên cứu nước loại vật liệu tương đối hạn chế thường tập trung vào dạng rắn mức độ hạt micro nano mà quan tâm đến dạng chuyển tiếp dạng màng mỏng Chúng ta kể đến số công bố nước gần Al2O3 phần trình bày sau Nhóm tác giả M Sridharan cộng (2007) [44] thực phún xạ DC có hỗ trợ xung tần số cao áp suất p