Tài liệu tham khảo |
Loại |
Chi tiết |
[1]. Lê Công Dưỡng (2000), “Vật liệu học”, NXB Khoa học và kỹ thuật, Hà Nội |
Sách, tạp chí |
Tiêu đề: |
“Vật liệu học” |
Tác giả: |
Lê Công Dưỡng |
Nhà XB: |
NXB Khoa học và kỹ thuật |
Năm: |
2000 |
|
[2]. Phùng Hồ, Phan Quốc Phô (2001), “Vật lý bán dẫn”, NXB Khoa học và kỹ thuật, Hà Nội |
Sách, tạp chí |
Tiêu đề: |
Vật lý bán dẫn” |
Tác giả: |
Phùng Hồ, Phan Quốc Phô |
Nhà XB: |
NXB Khoa học và kỹ thuật |
Năm: |
2001 |
|
[4]. Vũ Đình Cự (1997), “Vật lý chất rắn”, NXB Khoa học và kỹ thuật, Hà Nội |
Sách, tạp chí |
Tiêu đề: |
Vật lý chất rắn |
Tác giả: |
Vũ Đình Cự |
Nhà XB: |
NXB Khoa học và kỹ thuật |
Năm: |
1997 |
|
[5]. Vũ Đình Cự, Nguyễn Xuân Chánh (2004), “Công nghệ nano điều khiển đến từng phân tử nguyên tử”, NXB Khoa học và kỹ thuật, Hà Nội |
Sách, tạp chí |
Tiêu đề: |
Công nghệ nano điều khiển đến từng phân tử nguyên tử |
Tác giả: |
Vũ Đình Cự, Nguyễn Xuân Chánh |
Nhà XB: |
NXB Khoa học và kỹ thuật |
Năm: |
2004 |
|
[7]. Vũ Đăng Độ - Triệu Thị Nguyệt (2010), “ Hóa học vô cơ, Quyển 1, Các nguyên tố s và p” NXB Giáo dục Việt Nam.Tiếng Anh |
Sách, tạp chí |
Tiêu đề: |
“ Hóa học vô cơ, Quyển 1, Các nguyên tố s và p” |
Tác giả: |
Vũ Đăng Độ - Triệu Thị Nguyệt |
Nhà XB: |
NXB Giáo dục Việt Nam.Tiếng Anh |
Năm: |
2010 |
|
[8]. N. N. Ha, N. T. Giang, T.T.T. Thuy, N. N. Trung, N. D. Dung, S. Saeed and T. Gregorkiewicz, “Single phase Si 1−x Ge x nanocrystals and the shifting of the E 1direct energy transition”, Nanotechnology 26 (2015) 375701 |
Sách, tạp chí |
Tiêu đề: |
Single phase Si"1−x"Ge"x" nanocrystals and the shifting of the E"1 "direct energy transition |
|
[9]. K. Seeger (1991), “Semiconductor Physics”, 5 the edition, Springer - Verlag |
Sách, tạp chí |
Tiêu đề: |
Semiconductor Physics |
Tác giả: |
K. Seeger |
Năm: |
1991 |
|
[10]. J. I. Pankove (1971), “Optical Properties in Semiconductors”, Dover Publications, New York |
Sách, tạp chí |
Tiêu đề: |
Optical Properties in Semiconductors” |
Tác giả: |
J. I. Pankove |
Năm: |
1971 |
|
[11]. Lorenzo Pavesi (2005), “Photonics applications of nano-silicon”, Dipartimento di Fisica, Universita di Trento, via Sommarive 14, 38050 Povo (Trento), Italy.url: http:\\science.unitn.it\semicon |
Sách, tạp chí |
Tiêu đề: |
Photonics applications of nano-silicon |
Tác giả: |
Lorenzo Pavesi |
Năm: |
2005 |
|
[13]. L. T. Canham (1990), “Si quantum wire arrays fabrication by electrochemical and chemical dissolution of wafers”, Appl., Phys., Lett., Vol 57, pp. 1046 - 1048 |
Sách, tạp chí |
Tiêu đề: |
Si quantum wire arrays fabrication by "electrochemical and chemical dissolution of wafers |
Tác giả: |
L. T. Canham |
Năm: |
1990 |
|
[14]. S. Z. Weisz, R. K. Soni, L. F. Fonseca, O. Resto, M. Buzaianu (1999), “Size - dependent optical properties of silicon nanocrystals”, J. Lumi., Vol 83- 84, pp. 187 – 191 |
Sách, tạp chí |
Tiêu đề: |
Size - dependent optical properties of silicon nanocrystals |
Tác giả: |
S. Z. Weisz, R. K. Soni, L. F. Fonseca, O. Resto, M. Buzaianu |
Năm: |
1999 |
|
[15]. B. D. Cullity (1978) “Elements of X-Ray diffraction”, 2 nd edition, Addison - Wesley, Reading, MA |
Sách, tạp chí |
Tiêu đề: |
Elements of X-Ray diffraction |
|
[16]. F. Hippert, E. Geissler, J. L. Hodeau, E. Lelievre, J. R. Regnard (2006), “Neutron and X-Ray Spectroscopy”, Springer |
Sách, tạp chí |
Tiêu đề: |
Neutron and X-Ray Spectroscopy |
Tác giả: |
F. Hippert, E. Geissler, J. L. Hodeau, E. Lelievre, J. R. Regnard |
Năm: |
2006 |
|
[17]. R. Braunstein, A. R. Moore, F. Herman, (1958), “Intrinsic optical absorption in germanium-silicon alloys”, Phys. Rev. 109, 695 |
Sách, tạp chí |
Tiêu đề: |
Intrinsic optical absorption in germanium-silicon alloys |
Tác giả: |
R. Braunstein, A. R. Moore, F. Herman |
Năm: |
1958 |
|
[18]. T. Ebner, K. Thonke, R. Sauer, F. Schaffler, H.-J. Herzog, (1998), “Electroreflectance spectroscopy of strained Si x Ge 1-x layers on silicon”, Phys.Rev. B 57, 15448 |
Sách, tạp chí |
Tiêu đề: |
Electroreflectance spectroscopy of strained Si"x"Ge"1-x" layers on silicon |
Tác giả: |
T. Ebner, K. Thonke, R. Sauer, F. Schaffler, H.-J. Herzog |
Năm: |
1998 |
|
[21]. S. Takeoka, K. Toshikiyo, M. Fujii, S. Hayashi, and K. Yamamoto, (2000), “Photoluminescence from Si 1−x Ge x alloy nanocrystals”, Phys. Rev. B 61, 15988 |
Sách, tạp chí |
Tiêu đề: |
Photoluminescence from Si"1−x"Ge"x" alloy nanocrystals” |
Tác giả: |
S. Takeoka, K. Toshikiyo, M. Fujii, S. Hayashi, and K. Yamamoto |
Năm: |
2000 |
|
[22]. R. Weigand, M. Zacharias, P. Veit, J. Christen, J. Wendler J, (1998), “ On the origin of blue light emission from Ge-nanocrystals containing a-SiO x films”, Superlattices Microstruct. 23, 349 |
Sách, tạp chí |
Tiêu đề: |
On the origin of blue light emission from Ge-nanocrystals containing a-SiO"x" films |
Tác giả: |
R. Weigand, M. Zacharias, P. Veit, J. Christen, J. Wendler J |
Năm: |
1998 |
|
[23]. K. L. Wang, D. Cha, J. Liu, C. Chen, (2007), “Ge/Si self-assembled quantum dots and their optoelectronic device applications”, Proceedings of the IEEE 95, 1866 |
Sách, tạp chí |
Tiêu đề: |
Ge/Si self-assembled quantum dots and their optoelectronic device applications |
Tác giả: |
K. L. Wang, D. Cha, J. Liu, C. Chen |
Năm: |
2007 |
|
[24]. G. Bauer, F. Schọffler, (2006), “Self-assembled Si and SiGe nanostructures: New growth concepts and structural analysis”, Phys. Stat. Sol. (a) 203, 3496 |
Sách, tạp chí |
Tiêu đề: |
Self-assembled Si and SiGe nanostructures: "New growth concepts and structural analysis |
Tác giả: |
G. Bauer, F. Schọffler |
Năm: |
2006 |
|
[12]. A. Irrera, D. Pacifici, M. Miritello, G. Franzu, F. Priolo, F. Iacona, D |
Khác |
|