Câu hỏi trắc nghiệm kỹ thuật điện tử

Đơn vị đo điện trở của một vật liệu là: A. M1.B. K2.C. 3.D. Tất cả các đáp án trên4.Chất bán dẫn là chất…………..5.A. Dẫn điện.6.B. Vừa có khả năng dẫn điện vừa có khả năng cách điện.7.C. Ở điều kiện thường là chất cách điện còn khi có tác động bên ngoài thì trở thành chất dẫn điện.8.D. Tất cả các trường hợp trên.9.Chất bán dẫn loại N là hợp chất của các nguyên tố thuộc:10.A. Nhóm 2 và nhóm 411.B. Nhóm 3 và nhóm 512.C. Nhóm 3 và nhóm 413.D. Nhóm 4 và nhóm 514.Chất bán dẫn loại P là hợp chất của các nguyên tố thuộc:15.A. Nhóm 2 và nhóm 416.B. Nhóm 3 và nhóm 517.C. Nhóm 3 và nhóm 418.D. Nhóm 4 và nhóm 519.Chất bán dẫn loại N là chất bán dẫn có khả năng........20.A. Cho electron21.B. Nhận electron22.C. Cho lỗ trống23.D. Nhận lỗ trống24.Chất bán dẫn loại P là chất bán dẫn có khả năng........25.A. Cho electron26.B. Nhận electron27.C. Cho lỗ trống28.D. Nhận lỗ trống29.Tính chất vật lý cơ bản của lớp tiếp xúc PN là:30.A. Khả năng dẫn điện tốt khi được phân cực thuận và phân cực ngược.31.B. Khả năng dẫn điện tốt khi được phân cực ngược.32.C. Khả năng dẫn điện tốt khi được phân cực thuận.33.D. Không có trường hợp nào34.Khi tiếp xúc PN phân cực thuận thì:35.A. Hàng rào thế năng giảm, bề dày lớp tiếp xúc tăng, điện trở lớp tiếp xúc tăng.36.B. Hàng rào thế năng tăng, bề dày lớp tiếp xúc giảm, điện trở lớp tiếp xúc giảm.37.C. Hàng rào thế năng giảm, bề dày lớp tiếp xúc giảm, điện trở lớp tiếp xúc giảm.38.D. Hàng rào thế năng tăng, bề dày lớp tiếp xúc tăng, điện trở lớp tiếp xúc tăng.39.Nguyên lý hoạt động của Điốt bán dẫn dựa trên tính dẫn điện ...... của tiếp xúc PN.40.A. Một chiều41.B. Hai chiều42.C. Cả một chiều và hai chiều43.D. Cả ba đáp án trên.44.Trên thực tế Điốt được phân cực thuận khi điện áp đặt lên điốt phải:45.A. UAK = UD46.B. UAK  UD47.C. UAK  UD48.D. UAK > 0V49.Một Điốt có điện áp là 0,7V và dòng điện chạy qua nó là 50mA. Hỏi công suất của nó là bao nhiêu?50.A. 3,5W51.B. 50mW52.C. 35mW53.D. 35W54.Cho mạch điện như hình vẽ. Hãy cho biết giá trị điện trở là bao nhiêu để có dòng điện qua điốt xấp xỉ 10mA?55. 56.A. 430K57.B. 1K58.C. 43059.D. 500Mũi tên trong ký hiệu mạch của BJT luôn luôn chỉ từ ………..A. Bán dẫn P sang NB. Bán dẫn N sang PC. Cực E sang cực B D. Cực E sang cực BCó bao nhiêu lớp bán dẫn PN trong BJT?A. 1B. 2C. 3D. 4Vùng base của transistor NPN được cấu tạo bởi chất bán dẫn loại nào?A. Loại PN.B. Loại NC. Loại base. D. Loại P.So sánh độ dày 3 vùng collector, emitter và base của BJT?A. Emitor > Base > Collector B. Vùng Base mỏng nhấtC. (Emitor = Collector) >> Base.D. Cả ba đáp án trênTrong một BJT, dòng Ib là . . . . .A. Dòng bão hòaB. Dòng cực gốc. C. Dòng đầu vào.D. Cả 3 đáp án trên.Trong hoạt động thông thường của transistor NPN, phần lớn điện tử di chuyển vào cực emitter.A. Ra khỏi transistor thông qua cực collectorB. Ra khỏi transistor thông qua cực baseC. Rẽ được hấp thụ bởi transistorD. Không phải các trường hợp trên.Tỷ số của dòng emitor và dòng collector được gọi là . . . A. alpha.B. pi C. omega D. betaTransistor BJT có ....... cách mắc.A. 2B. 3C. 4D. 560.Hệ số khuêch đại dòng của BJT khi mắc Emitor chung được định nghĩa:61.A. 62.B. 63.C. 64.D. Không có trường hợp nào đúng.65.Một Transistor lưỡng cực có dòng điện phát là 10mA, dòng điện góp là 9,95mA. Hỏi dòng điện gốc là bao nhiêu?66.A.  1mA67.B. 0,5mA68.C. 19,95mA69.D. 0,05mA70.Một Transistor lưỡng cực có dòng điện góp là 5mA, dòng điện gốc là 0.02mA. Hỏi  là bao nhiêu?71.A. 25072.B. 10073.C. 5074.D. 25Điôt bán dẫn Silic có:A. Hai lớp tiếp xúc PNB. Một lớp tiếp xúc PNC. Ba lớp tiếp xúc PND. Bốn lớp tiếp xúc PNXác định phương trình đường tải tĩnh của mạch khuếch đại sau: A. B. C. D. Cả ba đáp án trên Transistor BJT làm việc ở miền khuêch đại khi:A. JE phân cực thuận và JC phân cực ngượcB. JE phân cực thuận và JC phân cực thuậnC. JE phân cực ngược và JC phân cực ngượcD. JE phân cực ngược và JC phân cực thuậnMột BJT có cấu tạo để vùng base của nó rất mỏng và ...A. được pha tạp đậm.B. được pha tạp như vùng collector.C. được pha tạp loãng.D. được pha tạp như vùng emitter.Ký hiệu mạch của transistor NPN là: A. hình AB. hình A và hình DC. hình C và hình BD. hình DCác BJT được phân loại thành . . . .A. Các thiết bị SGD và SND.B. Các linh kiện NPN và PNP.C. Các dụng cụ NNP và PPND. Cả 3 đáp án trênTính dẫn điện của chất bán dẫn tạp loại N do:A. Các ion âm quyết định.B. Hạt dẫn điện tử và hạt dẫn lỗ trống quyết định.C. Hạt dẫn lỗ trống quyết định. D. Hạt dẫn điện tử quyết đinh.Tính dẫn điện của chất bán dẫn tạp loại P do:A. Các ion âm quyết định.B. Hạt dẫn điện tử quyết địnhC. Hạt dẫn điện tử và hạt dẫn lỗ trống quyết địnhD. Hạt dẫn lỗ trống quyết địnhKhi tiếp xúc PN phân cực thuận thìA. Hàng rào thế năng giảm, bề dày lớp tiếp xúc tăng, điện trở lớp tiếp xúc tăngB. Hàng rào thế năng tăng, bề dày lớp tiếp xúc giảm, điện trở lớp tiếp xúc giảmC. Hàng rào thế năng giảm, bề dày lớp tiếp xúc giảm, điện trở lớp tiếp xúc giảmD. Hàng rào thế năng tăng, bề dày lớp tiếp xúc tăng, điện trở lớp tiếp xúc tăngTrong tranzito lưỡng cực loại NPN, hạt dẫn đa số trong phần gốc là:A. Cả hai loại hạt dẫn trên. B. Các lỗ trốngC. Các điện tử tự doD. Không phải hai loại hạt dẫn trênKhi tranzito ở chế độ tích cực, lớp tiếp xúc E B: A. Không dẫn điệnB. Phân cực thuận.C. Phân cực ngược.D. Hoạt động ở vùng đánh thủngPhần gốc của các tranzito lưỡng cực rất mỏng và….A. Có độ pha tạp thấpB. Là kim loại.C. Có độ pha tạp cao.D. Pha tạp chất là nguyên tố có hóa trị 5Khi một điện tử tự do tái hợp với một lỗ trống trong phần gốc của tranzito thì điện tử tự do này sẽ trở thành:A. Một điện tử tự do khácB. Một điện tử trong vùng dẫn C. Một điện tử hóa trị.D. Một hạt dẫn đa sốKhi tranzito lưỡng cực hoạt động ở chế độ ngắt thì:A. Tiếp xúc EB phân cực ngược và tiếp xúc CB được phân cực thuậnB. Tiếp xúc EB và tiếp xúc CB được phân cực thuận.C. Tiếp xúc EB và tiếp xúc CB được phân cực ngược.D. Tiếp xúc EB phân cực thuận và tiếp xúc CB được phân cực ngượcKhi tranzito lưỡng cực hoạt động ở chế độ bão hòa thìA. Tiếp xúc EB và tiếp xúc CB được phân cực ngược.B. Tiếp xúc EB phân cực thuận và tiếp xúc CB được phân cực ngược.C. Tiếp xúc EB và tiếp xúc CB được phân cực thuậnD. Tiếp xúc EB phân cực ngược và tiếp xúc CB được phân cực thuận.

NGÂN HÀNG CÂU HỎI TRẮC NGHIỆM

Ngành đào tạo: Công nghệ thông tin Chuyên ngành: Tin học ứng dụng

Mã học phần: 010108114301 Tên học phần: Kỹ thuật điện tử

Hệ đào tạo: Đại học Loại hình đào tạo: Chính quy

chú 1.

I.1

Đơn vị đo điện trở của một vật liệu là:

A M

1. B K

3 D Tất cả các đáp án trên

C

2.

I.2

4 Chất bán dẫn là chất…………

5 A Dẫn điện

6 B Vừa có khả năng dẫn điện vừa có khả năng cách điện

7 C Ở điều kiện thường là chất cách điện còn khi có tác động bên ngoài thì trở thành chất dẫn điện

8 D Tất cả các trường hợp trên

C

3.

I.3

9 Chất bán dẫn loại N là hợp chất của các nguyên tố thuộc:

10 A Nhóm 2 và nhóm 4

11 B Nhóm 3 và nhóm 5

12 C Nhóm 3 và nhóm 4

13 D Nhóm 4 và nhóm 5

D

4.

I.4

14 Chất bán dẫn loại P là hợp chất của các nguyên tố thuộc:

15 A Nhóm 2 và nhóm 4

16 B Nhóm 3 và nhóm 5

17 C Nhóm 3 và nhóm 4

18 D Nhóm 4 và nhóm 5

C

5.

I.5

19 Chất bán dẫn loại N là chất bán dẫn có khả năng

20 A Cho electron

21 B Nhận electron

22 C Cho lỗ trống

23 D Nhận lỗ trống

A

6.

I.6

24 Chất bán dẫn loại P là chất bán dẫn có khả năng

25 A Cho electron

26 B Nhận electron

27 C Cho lỗ trống

28 D Nhận lỗ trống

B

7.

I.7

29 Tính chất vật lý cơ bản của lớp tiếp xúc P-N là:

30 A Khả năng dẫn điện tốt khi được phân cực thuận và phân cực ngược

31 B Khả năng dẫn điện tốt khi được phân cực ngược

32 C Khả năng dẫn điện tốt khi được phân cực thuận

33 D Không có trường hợp nào

C

I.8

34 Khi tiếp xúc P-N phân cực thuận thì:

35 A Hàng rào thế năng giảm, bề dày lớp tiếp xúc tăng, điện trở lớp tiếp xúc tăng

36 B Hàng rào thế năng tăng, bề dày lớp tiếp xúc giảm, điện trở lớp tiếp xúc giảm

37 C Hàng rào thế năng giảm, bề dày lớp tiếp xúc giảm, điện trở lớp tiếp xúc giảm

38 D Hàng rào thế năng tăng, bề dày lớp tiếp xúc tăng, điện trở lớp tiếp xúc tăng

C

9.

I.9

39 Nguyên lý hoạt động của Điốt bán dẫn dựa trên tính dẫn điện của tiếp xúc P-N

40 A Một chiều

41 B Hai chiều

42 C Cả một chiều và hai chiều

43 D Cả ba đáp án trên

A

10.

I.10

44 Trên thực tế Điốt được phân cực thuận khi điện áp đặt lên điốt phải:

45.A UAK = UD

46.B UAK  UD

47.C UAK  UD

48.D UAK > 0V

B

11.

I.11

49 Một Điốt có điện áp là 0,7V và dòng điện chạy qua nó là 50mA Hỏi công suất của nó là bao nhiêu?

50 A 3,5W

51 B 50mW

52 C 35mW

53 D 35W

C

12.

I.12

54 Cho mạch điện như hình vẽ Hãy cho biết giá trị điện trở

là bao nhiêu để có dòng điện qua điốt xấp xỉ 10mA?

55 V = +5

V

56.A 430K

57.B 1K

58.C 430

59.D 500

D

13.

I.13

Mũi tên trong ký hiệu mạch của BJT luôn luôn chỉ từ

………

A Bán dẫn P sang N

B Bán dẫn N sang P

C Cực E sang cực B

D Cực E sang cực B

A

A 1

B 2

C 3

D 4

15.

I.15

Vùng base của transistor NPN được cấu tạo bởi chất bán dẫn loại nào?

A Loại PN

B Loại N

C Loại base

D Loại P

D

16.

I.16

So sánh độ dày 3 vùng collector, emitter và base của BJT?

A Emitor > Base > Collector

B Vùng Base mỏng nhất

C (Emitor = Collector) >> Base

D Cả ba đáp án trên

B

17.

I.17

Trong một BJT, dòng Ib là

A Dòng bão hòa

B Dòng cực gốc

C Dòng đầu vào

D Cả 3 đáp án trên

B

18.

I.18

Trong hoạt động thông thường của transistor NPN, phần lớn điện tử di chuyển vào cực emitter

A Ra khỏi transistor thông qua cực collector

B Ra khỏi transistor thông qua cực base

C Rẽ được hấp thụ bởi transistor

D Không phải các trường hợp trên

D

19.

I.19

Tỷ số của dòng emitor và dòng collector được gọi là

A alpha

B pi

C omega

D beta

A

20.

I.20

Transistor BJT có cách mắc

A 2

B 3

C 4

D 5

B

21 I.21 60 Hệ số khuêch đại dòng của BJT khi mắc Emitor chung

được định nghĩa:

61.A

c

e I

I





62.B

e

c I

I





63.C

c

b I

I





D

64 D Không có trường hợp nào đúng.

22.

I.22

65 Một Transistor lưỡng cực có dòng điện phát là 10mA, dòng điện góp là 9,95mA Hỏi dòng điện gốc là bao nhiêu?

66.A  1mA

67 B 0,5mA

68 C 19,95mA

69 D 0,05mA

D

23.

I.23

70.Một Transistor lưỡng cực có dòng điện góp là 5mA, dòng điện gốc là 0.02mA Hỏi  là bao nhiêu?

71 A 250

72 B 100

73 C 50

74 D 25

A

24.

I.24

Điôt bán dẫn Silic có:

A Hai lớp tiếp xúc P-N

B Một lớp tiếp xúc P-N

C Ba lớp tiếp xúc P-N

D Bốn lớp tiếp xúc P-N

A

25.

I.25

Xác định phương trình đường tải tĩnh của mạch khuếch đại sau:

U r

R c

R 1

+E cc

R 2

2 1

.

R R

E

BE





B I c0 .I b0

C

c

CE cc c

R

U E

D Cả ba đáp án trên

C

26.

I.26

Transistor BJT làm việc ở miền khuêch đại khi:

A JE phân cực thuận và JC phân cực ngược

B JE phân cực thuận và JC phân cực thuận

C JE phân cực ngược và JC phân cực ngược

D JE phân cực ngược và JC phân cực thuận

A

27 I.27 Một BJT có cấu tạo để vùng base của nó rất mỏng và

A được pha tạp đậm

B được pha tạp như vùng collector

C được pha tạp loãng

C

D được pha tạp như vùng emitter.

28.

I.28

Ký hiệu mạch của transistor NPN là:

A hình A

B hình A và hình D

C hình C và hình B

D hình D

D

29.

I.29

Các BJT được phân loại thành

A Các thiết bị SGD và SND

B Các linh kiện NPN và PNP

C Các dụng cụ NNP và PPN

D Cả 3 đáp án trên

B

30.

I.30

Tính dẫn điện của chất bán dẫn tạp loại N do:

A Các i-on âm quyết định

B Hạt dẫn điện tử và hạt dẫn lỗ trống quyết định

C Hạt dẫn lỗ trống quyết định

D Hạt dẫn điện tử quyết đinh

D

31.

I.31

Tính dẫn điện của chất bán dẫn tạp loại P do:

A Các i-on âm quyết định

B Hạt dẫn điện tử quyết định

C Hạt dẫn điện tử và hạt dẫn lỗ trống quyết định

D Hạt dẫn lỗ trống quyết định

D

32.

I.32

Khi tiếp xúc P-N phân cực thuận thì

A Hàng rào thế năng giảm, bề dày lớp tiếp xúc tăng, điện trở lớp tiếp xúc tăng

B Hàng rào thế năng tăng, bề dày lớp tiếp xúc giảm, điện trở lớp tiếp xúc giảm

C Hàng rào thế năng giảm, bề dày lớp tiếp xúc giảm, điện trở lớp tiếp xúc giảm

D Hàng rào thế năng tăng, bề dày lớp tiếp xúc tăng, điện trở lớp tiếp xúc tăng

C

33.

I.33

Trong tranzito lưỡng cực loại N-P-N, hạt dẫn đa số trong phần gốc là:

A Cả hai loại hạt dẫn trên

B Các lỗ trống

C Các điện tử tự do

D Không phải hai loại hạt dẫn trên

B

34 I.34 Khi tranzito ở chế độ tích cực, lớp tiếp xúc E - B:

A Không dẫn điện

B Phân cực thuận

C Phân cực ngược

B

D Hoạt động ở vùng đánh thủng

35.

I.35

Phần gốc của các tranzito lưỡng cực rất mỏng và…

A Có độ pha tạp thấp

B Là kim loại

C Có độ pha tạp cao

D Pha tạp chất là nguyên tố có hóa trị 5

A

36.

I.36

Khi một điện tử tự do tái hợp với một lỗ trống trong phần gốc của tranzito thì điện tử tự do này sẽ trở thành:

A Một điện tử tự do khác

B Một điện tử trong vùng dẫn

C Một điện tử hóa trị

D Một hạt dẫn đa số

C

37.

I.37

Khi tranzito lưỡng cực hoạt động ở chế độ ngắt thì:

A Tiếp xúc E-B phân cực ngược và tiếp xúc C-B được phân cực thuận

B Tiếp xúc E-B và tiếp xúc C-B được phân cực thuận

C Tiếp xúc E-B và tiếp xúc C-B được phân cực ngược

D Tiếp xúc E-B phân cực thuận và tiếp xúc C-B được phân cực ngược

C

38.

I.38

Khi tranzito lưỡng cực hoạt động ở chế độ bão hòa thì

A Tiếp xúc E-B và tiếp xúc C-B được phân cực ngược

B Tiếp xúc E-B phân cực thuận và tiếp xúc C-B được phân cực ngược

C Tiếp xúc E-B và tiếp xúc C-B được phân cực thuận

D Tiếp xúc E-B phân cực ngược và tiếp xúc C-B được phân cực thuận

C

39.

I.39

Nếu hệ số khuếch đại dòng điện β = 200 và dòng điện cực góp là 100mA thì dòng điện cực gốc sẽ là

A 2 mA

B 2 A

C 20A

D 0,5 mA

D

40 I.40 Cho sơ đồ mạch như hình vẽ Hãy xác đinh điện áp UB ?

A 10 V

B 5 V

C

C 7,5 V.

D 6 V

41.

I.41

Cho mạch khuếch đại CE như hình vẽ

Biết VCC = 10V; IC = 5mA; UCE = 5V;

transistor Si có β =100, thiên áp

UBE = 0,6V

Tính các điện trở Rb, RC.

A Rb= 188k; RC= 1k

B Rb= 18,8k; RC= 1k

C Rb= 1,88k; RC= 1k

D Rb= 188k; RC= 10k

B

42.

I.42

Cho mạch khuếch đại CE như hình vẽ Biết VCC=20V;

transistor Si có β =100, Rb = 193 k; RC = 1k Tính giá trị điện áp VCE

A VCE= 10 V

B VCE= 20 V

C VCE= 0 V

D VCE= 0,2 V

A

43.

I.43

Ba điện cực của BJT là gì ?

A phát [emitter], gốc [base], góp [collector]

B T1, T2, T3

C nguồn [source], cổng [gate], máng [drain]

D emitter, gate, collector

A

44.

I.44

Mũi tên trong ký hiệu mạch của BJT luôn luôn chỉ vào loại vật liệu nào?

A Loại P

B Loại N

C Loại base

D Loại PN

B

I.45

Các BJT có bao nhiêu cách mắc:

A 1

B 2

C 3

D 4

C

46.

I.46

Ký hiệu mạch của transistor PNP là

A B C D

A Hình A

B Hình B

C Hình C

D Hình D

A

47.

I.47

Có bao nhiêu tiếp giáp PN trong BJT?

A 0

B 1

C 2

D 3

C

48.

I.48

Loại vật liệu nào là vùng base của transistor PNP?

A Loại P

B Loại N

C Loại base

D Loại PN

B

49.

I.49

So với vùng collector và emitter, vùng base của BJT là:

A rất dày

B rất mỏng

C rất mềm

D rất cứng

B

50.

I.50

Trong một BJT, dòng base là khi được so với hai dòng collector và emitter:

A nhỏ

B lớn

C nhanh

D chậm

A

51.

I.51

Một BJT có cấu tạo để vùng base của nó rất mỏng và …

A Được pha tạp đậm

B Được pha tạp như vùng collector

C Được pha tạp loãng

D Được pha tạp như vùng emitter

C

52 I.52 Dòng collector của BJT luôn luôn

A Nhỏ hơn nhiều so với dòng emitter của BJT

B Nhỏ hơn so với dòng base

D

C Bằng dòng emitter.

D Bằng dòng emitter trừ dòng base

53.

I.53

Trong hoạt động thông thường của transistor NPN, phần lớn điện tử di chuyển vào cực emitter

A Ra khỏi transistor thông qua cực collector

B Ra khỏi transistor thông qua cực base

C Sẽ được hấp thụ bởi transistor

D Không phải các trường hợp trên

A

54.

I.54

Phương trình nào biểu diễn quan hệ đúng giữa các dòng base, emitter, và collector ?

A I E = I B +ββ

B I C = I B +β I E

C I E = I B +β I C

D I B = I E +β I C

C

55.

I.55

Tỷ số của dòng collector và dòng base được gọi là

A alpha

B pi

C omega

D beta

D

56.

I.56

Nếu dòng base là 30 µA và dòng collector là 4mA, thì giá trị của dòng emitter là bao nhiêu?

A 0.43 mA

B 0.37 mA

C 0.43µA

D 0.37 µA

A

57.

I.57

Nếu dòng base là 20 µA và dòng collector là 4mA, thì giá trị của β là bao nhiêu?

A 100

B 200

C 220

D 250

B

58.

I.58

Bộ khuếch đại thuật toán có:

A Hai ngõ vào và một ngõ ra

B Một ngõ vào cửa thuận và một ngõ vào cửa đảo

C Một ngõ vào P và một ngõ vào N

D Tất cả đều đúng

D

59.

I.59

Bộ khuếch đại thuật toán lý tưởng có tính chất là:

A Hệ số khuếch đại điện áp lớn vô cùng

B Trở kháng vào bằng 0

C Trở kháng ra bằng ∞

D Tất cả các tính chất trên

D

60 I.60 Bộ khuếch đại thuật toán lý tưởng có:

A UP = UN

B Zv = 0

B

C Zr = ∞

D Cả ba đáp án trên

61.

I.61

Bộ khuếch đại thuật toán khuếch đại hiệu điện áp giữa hai lối vào thuận (không đảo) và đảo Ud = UP – UN với hệ số khuếch đại là K0

A Sai

B Chưa chính xác mà Ud = UP – UN

C Đúng

D Không xác định được

C

62.

I.62

Bộ khuếch đại thuật toán lý tưởng có hệ số khuếch đại K0 = ∞:

A Chưa xác định còn tùy thuộc vào mạch

B Sai

C Đúng

D Không xác định được

C

63.

I.63

Một bộ khuếch đại thuật toán lý tưởng có ZV = ∞

A Sai

B Đúng

C Chưa xác định còn tùy thuộc vào mạch

D Không xác định được

B

64.

I.64

Một bộ khuếch đại thuật toán lý tưởng có Zr = 0

A Không xác định được mà là rất nhỏ

B Chưa xác định còn tùy thuộc vào mạch

C Đúng

D Sai

C

65.

I.65

Mạch cộng đảo là mạch mà các tín hiệu cần cộng đưa vào cửa đảo:

A Chưa xác định còn tùy thuộc điện áp ra

B Đúng

C Sai

D Không xác định được còn tùy theo cách mắc mạch

B

66.

I.66

Mạch cộng thuận là mạch mà các tín hiệu cần cộng đưa vào cửa thuận

A Chưa xác định còn tùy thuộc số điện áp vào

B Sai

C Không xác định được còn tùy theo điện trở hồi tiếp

D Đúng

D

67.

I.67

Đầu vào ký hiệu (+) của bộ khuếch đại thuật toán được gọi là:

A Đầu vào không đảo

B Đầu vào dao động

C Đầu vào đảo

D Đầu vào không

A

68.

I.68

Đầu vào ký hiệu (-) của bộ khuếch đại thuật toán được gọi là:

A Đầu vào không đảo

B Đầu vào dao động

C Đầu vào đảo

D Đầu vào không

C

I.69

Với điện áp ra của mạch điện ở hình vẽ dưới là -2V mà các giá trị của mạch điện như hình vẽ thì điện áp vào của mạch là:

A - 0,4V

B 20V

C 0,2V

D - 0,2V

D

70.

I.70

Với các thông tin trong mạch điện như hình vẽ thì Rht bằng:

A 5kΩ

B 50Ω

C 500Ω

D 50kΩ

D