tổng hợp những câu hỏi liên quan tới vật liệu điện1 Lưỡng kim là:Select one: A.2 kim loại có hệ số giãn nở khác nhau ghép chung để đo lường và điều khiển nhiệt độ B.2 kim loại có độ dẫn điện khác nhau ghép chung thành một khối C.2 kim loại khác nhau được ghép chung thành 1 khối thống nhất D.2 kim loại có thế điện hóa khác nhau ghép chung thành một khối 2.Phân biệt tính dẫn điện, bán dẫn hay cách điện của vật liệu dựa trên:Select one: A.Cấu tạo nguyên tử và sự phân bố các vùng năng lượng của electron đặc biệt electron tầng ngoài cùng. B.Gía trị về khả năng dẫn điện biểu hiện qua tham số điện trở suất C. Các câu trả lời trên đều đúng D. Tính chất vật lý của vật liệu khi đặt vật liệu dưới tác động của điện trường ngoài 3. Ngẫu nhiệt điện hay cặp nhiệt được dùng để:Select one: a.Tất cả đều đúng b. Ngẫu nhiệt điện được dùng làm cảm biến nhiệt để đo lường và điều khiển tự động trong các thiết bi cung cấp nhiệt c.Ngẫu nhiệt điện được cấu tạo từ 2 thanh dẫn kim lọai khác nhau đặt tiếp xúc nhau tại 2 đầu nối, các đầu nối tiếp xúc này được đặt trong 2 môi trường nhiệt độ khác nhau d.Ngẫu nhiệt điện làm việc dựa trên nguyên lý sức điện động tiếp xúc sinh ra khi 2 vật dẫn có mật độ e khác nhau đặt tiếp xúc và định luật Kirrchoff trong vòng kín4. Mật độ nguyên tử của bạc có Z = 47 (2,8,18,18,1) mạng A1, a = 0.4525nm là:Select one: A. 6,07×1027 B. 4.317×1028 C. 5,07×1027 D. 6,02×10285. Bo, Silic, Giecmani, Phốtpho, Asen, Lưu huỳnh, Sêlen, Têlua, Iốt.Select one: A.Là phi kim loại B. Là bán dẫn thuần chất C. Là bán dẫn đơn chất D. Là chất bán dẫn6.Ngẫu nhiệt điện bằng Platin và rodiplatin thường dùng đo và điều khiển nhiệt độ trong khoảng nhiệt độ từ:Select one: A.Từ 2000C đến +30000C B.Từ 2000C đến +2000C C.Từ 2000C đến 10000C D.Từ 200C đến gần 20000C 7. Đưa vào nguyên tố hóa trị IV (ví dụ: Silic ), nếu Silic thay thế As thì GaAs là VLBD loại:Select one: A. N B. Tinh khiết C. P D. Hỗn hợp8. Dây cáp đồng thau dẫn dòng định mức 500A với mật độ dòng 2,5Amm2, đoạn dây dẫn treo qua 2 cột cách nhau 200m. Biết = 8,7 kgkm.mm2, = 18,75 kmmm2, Ứng suất cho phép của đồng thau cpCu = 42 kgmm2, của cột cpcột = 22 kgmm2, của sứ cách điện cpsứ = 20 kgmm2. Hãy tính độ võng tối thiểu của dây Select one: A.2,175 m B.1,03 m C.1,98 m D.2,03 m9. Mật độ nguyên tử của Mg có Z = 12 (2,8,2) mạng A3, a = 0.3209nm, c = 0,531nm là:Select one: A. 8,61×1027 B. 4.305×1028 C. 2,16×1027 D. 8,61×102810. GaAs ứng dụng để làm vi mạch chất lượng cao có thể làm việc đến 3000C (Silic2000C, Giecmani1000C) vì:Select one: A. Các câu trả lời trên đều đúng B. Electron chuyển động từ vùng dẫn trở về vùng hóa trị trong tinh thể GaAs có thể phát ra ánh sángNhìn thấy C. Độ linh động của electron của GaAs lớn hơn độ linh động của electron của Si,Ge D. Vì năng lượng vùng cấm lớn hơn so với Si,Ge. 11. Phân biệt các cấu trúc khác nhau của mạng tinh thể nhờSelect one: A. Sự sắp xếp của các nguyên tử B. Bản ghi nhớ C. Ô cơ bản D. Ô cơ sở
1 Lưỡng kim là: Select one: A kim loại có hệ số giãn nở khác ghép chung để đo lường điều khiển nhiệt độ B kim loại có độ dẫn điện khác ghép chung thành khối C kim loại khác ghép chung thành khối thống D kim loại điện hóa khác ghép chung thành khối 2.Phân biệt tính dẫn điện, bán dẫn hay cách điện vật liệu dựa trên: Select one: A Cấu tạo nguyên tử phân bố vùng lượng electron đặc biệt electron tầng B Gía trị khả dẫn điện biểu qua tham số điện trở suất C Các câu trả lời D Tính chất vật lý vật liệu đặt vật liệu tác động điện trường Ngẫu nhiệt điện hay cặp nhiệt dùng để: Select one: a Tất b Ngẫu nhiệt điện dùng làm cảm biến nhiệt để đo lường điều khiển tự động thiết bi cung cấp nhiệt c Ngẫu nhiệt điện cấu tạo từ dẫn kim lọai khác đặt tiếp xúc đầu nối, đầu nối tiếp xúc đặt môi trường nhiệt độ khác d Ngẫu nhiệt điện làm việc dựa nguyên lý sức điện động tiếp xúc sinh vật dẫn có mật độ e- khác đặt tiếp xúc định luật Kirrchoff vòng kín Mật độ nguyên tử bạc có Z = 47 (2,8,18,18,1) mạng A1, a = 0.4525nm là: Select one: A 6,07×1027 B 4.317×1028 C 5,07×1027 D 6,02×1028 Bo, Silic, Giecmani, Phốtpho, Asen, Lưu huỳnh, Sêlen, Têlua, Iốt Select one: A Là phi kim loại B Là bán dẫn chất C Là bán dẫn đơn chất D Là chất bán dẫn 6.Ngẫu nhiệt điện Platin rodi-platin thường dùng đo điều khiển nhiệt độ khoảng nhiệt độ từ: Select one: A Từ -2000C đến +30000C B Từ -2000C đến +2000C C Từ 2000C đến 10000C D Từ 200C đến gần 20000C Đưa vào nguyên tố hóa trị IV (ví dụ: Silic ), Silic thay As GaAs VLBD loại: Select one: A N B Tinh khiết C P D Hỗn hợp Dây cáp đồng thau dẫn dòng định mức 500A với mật độ dòng 2,5A/mm 2, đoạn dây dẫn treo qua cột cách 200m Biết γ = 8,7 kg/km.mm2, ρ = 18,75 Ω/km/mm2, Ứng suất cho phép đồng thau σcpCu = 42 kg/mm2, cột σcpcột = 22 kg/mm2, sứ cách điện σcpsứ = 20 kg/mm2 Hãy tính độ võng tối thiểu dây Select one: A 2,175 m B 1,03 m C 1,98 m D 2,03 m Mật độ nguyên tử Mg có Z = 12 (2,8,2) mạng A3, a = 0.3209nm, c = 0,531nm là: Select one: A 8,61×1027 B 4.305×1028 C 2,16×1027 D 8,61×10 28 10 GaAs ứng dụng để làm vi mạch chất lượng cao làm việc đến 300 C (Silic0 200 C, Giecmani-100 C) vì: 0 Select one: A Các câu trả lời B Electron chuyển động từ vùng dẫn trở vùng hóa trị tinh thể GaAs phát ánh sáng Nhìn thấy C Độ linh động electron GaAs lớn độ linh động electron Si,Ge D Vì lượng vùng cấm lớn so với Si,Ge 11 Phân biệt cấu trúc khác mạng tinh thể nhờ Select one: A Sự xếp nguyên tử B Bản ghi nhớ C Ô D Ô sở 12 Mật độ e- bạc có Z = 47 (2,8,18,18,1) mạng A1, a = 0.4525nm là: Select one: A 2,16×1027 B 4.317×1028 C 12,94×10 27 D 8,63×1028 13 Một Ge loại N có kích thước (6×3×2)mm3 đặt nằm ngang theo chiều dòng điện Ix có Ix = 30mA Từ trường hướng từ xuống thẳng góc với Ge có B = 0,5 Tesla người ta đo UH = 15mV với góc θH = 2,10 Hãy tính điện dẫn suất điện trở suất Select one: A σ = 37 (Ωm)-1; ρ = 0,027 (Ωm) B σ = 137 (Ωm)-1; ρ = 7,3.10-3 (Ωm) C σ = 3,7 (Ωm)-1; ρ = 0, 27 (Ωm) D σ = 1/37 (Ωm)-1; ρ = 37 (Ωm) 14 Dây cáp nhôm lõi thép dẫn dòng định mức 300A với mật độ dòng 2A/mm2, đoạn dây dẫn treo qua cột cách 200m Biết γ = 3,55 kg/km.mm2, ρ = 29,00 Ω/km/mm2, Ứng suất cho phép nhôm σcpAl = 14 kg/mm2, cột σcpcột = 22 kg/mm2, sứ cách điện σcpsứ = 18 kg/mm2 Hãy tính độ võng tối thiểu dây Select one: A 1,47 m B 0,98 m C 1,27 m D 0,81 m 15 Ứng dụng hiệu ứng Hall để: Select one: A Tất B Phát từ trường đo lường giá trị từ trường phương , chiều độ lớn C Làm cảm biến từ trường điều khiển tự động tác động từ trường D Phát từ trường từ cực 16 Dưới tác động điện áp thay đổi đặt vào đầu dẫn Select one: A Dòng điện thay đổi phi tuyến với điện áp B Dòng điện số với điện áp C Dòng điện thay đổi tùy thuộc vào điện trở D Dòng điện thay đổi tuyến tính với điện áp 17 Siêu dẫn nghịch từ vì: Select one: A Tất nguyên nhân B Tính chất nghịch từ vật liệu C Hiệu ứng Meissner D Do dòng xốy siêu dẫn sinh từ trường chống lại từ trường 18 Phương pháp Czochralski dùng để tạo ra: Select one: A Các câu trả lời B Silic đơn tinh thể C Silic tinh khiết D Silic đa tinh thể 19 Hằng số Hall RH đánh giá đánh giá bằng: Select one: A Tỷ lệ lệch hướng điện trường B Chiều giá trị lệch hướng chuyển động C Tỷ số số hạt đa số thiểu số nhân với điện tích eD Tỷ số sức điện động Ey sinh với tích mật độ dòng Jx từ cảm Bz 20 Mật độ e đồng có Z = 29 (2,8,18, 1) mạng A1, a = 0.3615nm là: - Select one: A 8,47×1027 B 8,47×1028 C 4,27×1036 D 4,24×1018 21 Thanh bán dẫn tinh khiết có kích thước (2×2×2)mm3 Cho biết: ni = 1,25 1016/m3 3000K ; µN =0,38m2/Vs ; µP = 0,18m2/Vs; Wg không đổi Wg =0,74eV Pha Indi với mật độ để R 45Ω Select one: A 1,84 1020 B 3,89 1020 C 19,45 1020 D 38,9 10 20 22 Si để thành bán dẫn loại P cần pha thêm tạp chất Select one: A B, Al, In, P B As, Te, Se, P C Ga, As, In, Se D Al, Ga, In, Bo 23 Tính R bán dẫn tinh khiết có kích thước (2×2×2)mm3 Cho biết: ni = 1,25 1016/m3 3000K ; µN =0,38m2/Vs ; µP = 0,18m2/Vs; Wg khơng đổi Wg =0,74eV Select one: A 4,5 MΩ B 2,25 MΩ C 0,9 MΩ D 0,45 MΩ 24 Nguyên tử a-Fe có mạng A2, mật độ xếp chặt mặt (011) là: Select one: A 0,91 B 0,83 C 0,78 D 0,55 25 Số nguyên tử Si m3 N = 5.1028 (m-3), số nguyên tử Ga 1/106 số nguyên tử Si Ở nhiệt độ phòng: niSi = 5,12.1015 (m-3) Biết µN = 0,13m2/Vs ; µP = 0,05m2/Vs; Wg không đổi Wg = 1,13eV Bán dẫn loại gì? Điện dẫn suất bán dẫn tạp chất là: Select one: A Loại P 400 (Ωm)-1 B Loại N 400 (Ωm)-1 C Loại N 1040 (Ωm)-1 D Loại P 1040 (Ωm)-1 26 Vật liệu siêu dẫn là: Select one: A Cả câu B Ở điều kiện nhiệt độ thấp vùng < 00C có xảy tượng R = tượng nghịch từ C Vật liệu bình thường có R = ln nghịch từ D Kim loại có điện trở không 27 Khi kéo tuyến dây qua lộ người ta dùng bên vệ đường cột dựng sát gia cố chân móng, sứ treo song song cho sợi cáp nhằm mục đích Select one: A Tăng khả chịu lực kéo cột B Giảm độ võng dây C Tăng khả chịu lực kéo sứ D Cả 28 Lưỡng kim đồng nhôm dùng để: Select one: A Liên kết chắn mối nối B Xử lý mối nối liên kết kim loại đồng nhôm C Thay đổi khả dẫn điện D Làm rơ-le lưỡng kim 29 Linh kiện điện tử nano linh kiện: Select one: A Tất Đáp án B Sử dụng ống CNT bán dẫn điều khiển dòng dẫn lớn C Có kích thước nhỏ cỡ nanomet D MOS-CNTFET VÀ SB-CNTFET 30 Nguyên tử đồng có mạng A1, mật độ xếp chặt mặt (100) là: Select one: A 0,78 B 0,55 C 0,83 D 0,91 31 Dây dẫn đồng kéo qua trụ cột cách 200m, dẫn dòng 500A Biết ứng suất cho phép dây dẫn σcp= 45kg/mm2, cột quy dây dẫn σcpcột = 20kg/mm, sứ σcpsứ = 18kg/mm2, khối lượng riêng nhôm γ = 8,9 kg/dm3 Hỏi độ võng tối thiểu bao nhiêu? Select one: A 2,225 m B 0,988 m C 2,894 m D 2,47 m 32 Dây dẫn nhôm lõi thép kéo qua trụ cột cách 200m, dẫn dòng 500A Biết ứng suất cho phép dây dẫn σcp= 15kg/mm2, cột quy dây dẫn σcpcột = 20kg/mm2, sứ σcpsứ = 18kg/mm2, khối lượng riêng nhôm γ = 3,55 kg/dm3 Hỏi độ võng tối thiểu bao nhiêu? Select one: A 1,183m B 0,986m C 0,887m D 1,2m 33 Một tiếp xúc P/N phía P có Na = 1024 (m)-3 phía N có Nd = 1020 (m)-3 Hằng số điện mơi εr = 12 Cho biết 3000K: ni = 5,12 1015/m3, µN =0,13m2/Vs , µP = 0,05m2/Vs ; kT/e = 0,026V Hãy tính điện áp tiếp xúc U0 Select one: A 0,79 V B 0,69 V C 0,56 V D 0,75 V 34 Nguyên tử bạc có mạng A1,mật độ xếp chặt mặt (111) là: Select one: A 0,78 B 0,55 C 0,83 D 0,91 35.Bán dẫn quang Select one: A Tất câu B Các bán dẫn phát sáng C Các bán dẫn có mức lượng vùng cấm khoảng 1,75eV đến 3,1eV D Các bán dẫn có mức lượng vùng cấm khoảng 400nm đến 700nm 36 Mật độ khối bạc có mạng A1 là: Select one: A 0,83 B 0,78 C 0,68 D 0,74 37 AlXGa1-XAs có mức lượng vùng cấm Wg = 1,424+1,247x Xác định giá trị x Nhôm Al cần đưa vào thay Ga để linh kiện cho ánh sáng vàng 585nm Select one: A 0.56 B 0.5 C 0,44 D 0.6 38 Điện dẫn suất Au có Z = 79 (2,8,18,32,18,1) mạng A1, a = 0.3818nm, λ = 410A0 là: Select one: A 7,1×109 B 7,85×1018 C 7,09×108 D 8.12×108 39 Mật độ e- Wolfram W có Z = 74 (2,8,18,32,12,2) mạng A2, a = 0.2866nm là: Select one: A 8,49×1029 B 5,07×1027 C 16,992×1028 D 8,5×1028 40 Thanh Silic tinh khiết có kích thước (2×1×1)mm3 Cho biết: ni = 5,12 1015/m3 3000K ; µN =0,13m2/Vs ; µP = 0,05m2/Vs; Wg không đổi Wg =1,13eV Pha Ga với mật độ để R 136Ω Select one: A 7,07 1021 B 1,84 1021 C 7,07 1020 D 1,84 1020 41 Những chất sau không siêu dẫn Select one: A Kim loại dẫn điện tốt Vàng, bạc, đồng, nhôm B Hợp kim C Kim loại dẫn điện dẫn từ tốt D Hỗn hợp gốm cách điện 42 Ngày người ta dùng cáp quang thay cáp thơng tin kim loại cũ vì: Select one: a An tồn, bảo mật, dễ nâng cấp băng thơng kỹ thuật truyền, tiện lợi kinh tế giá thành b An toàn, bảo mật, ổn định, tốc độ cao, dung lượng truyền lớn, dễ nâng cấp băng thông kỹ thuật truyền c An toàn, tốc độ cao, dung lượng truyền lớn, dễ nâng cấp băng thông, phát huy tiện ích rẻ tiền d Tất 43 Thanh Silic tinh khiết có kích thước (2×1×1)mm3.Wg khơng đổi Wg = 1,13eV Cho biết 3000K: ni = 5,12 1015/m3; µN =0,13m2/Vs ; µP = 0,05m2/Vs; Ở 5000K R bao nhiêu? Select one: A 1077 Ω B 730 Ω C 1140 Ω D 538 Ω 44 Số nguyên tử Germani m3 N = 1028 (m-3), Ở nhiệt độ phòng: n iGermani =10 (m ) 19 -3 Biết µN =0,38m2/Vs ; µP = 0,18m2/Vs; Wg không đổi Wg =0,74eV Điện dẫn suất bán dẫn tinh khiết là: Select one: A 0,89 (Ωm)-1 B 8,9 (Ωm)-1 C 8,9 (Ωcm)-1 D 1,8 (Ωm)-1 45 Mật độ nguyên tử α-Fe có Z = 26 (2,8,14,2) mạng A2, a = 0.3165nm là: Select one: A 6,3×1028 B 5,07×1027 C 6,07×1027 D 8,37×1028 46 Các chất dẫn điện, bán dẫn, cách điện khác Select one: A Cách bố trí vùng lượng B Cấu tạo nguyên tử phân tử C Do cấu tạo vùng lượng D Phân bố vùng lượng vùng hóa trị vùng dẫn 47 Điện áp Hall đo ở: Select one: A Bản cực mặt thẳng góc với dòng dẫn thẳng góc với từ trường B Bản cực mặt bên thẳng góc với dòng dẫn song song với từ trường C Bản cực mặt bên song song với dòng dẫn song song với từ trường D Bản cực mặt bên song song với dòng dẫn thẳng góc từ trường 48 Một Ge loại N có kích thước (6×3×2)mm3 đặt nằm ngang theo chiều dòng điện Ix có Ix = 30mA Từ trường hướng từ xuống thẳng góc với Ge có B = 0,5 Tesla người ta đo UH = 15mV với góc θH = 2,10 Hãy tính mật độ hạt điện dẫn Select one: A Nd = 1,84.1021(m) -3 B NN = 1,56.1022 (m) -3 C Na = 3,69.1020 (m) -3 D NN = 3,125.1021(m) -3 49 Đưa vào nguyên tố hóa trị II (ví dụ: Zn) GaAs trở thành VLBD loại Select one: A Tinh khiết B hỗn hợp C P D N 50 Cấu trúc lớp bán dẫn N/P nối điện cực kim loại có đặc tính sau, đưa linh kiện bán dẫn đến nguồn sáng phù hợp ( bước sóng cường độ sáng) bên linh kiện electron di chuyển bám điện cực lớp P lỗ trống bám điện cực lớp N, phía ngồi linh kiện khép kín qua vật dẫn có R dòng electron chảy từ P N Linh kiện là: Select one: A Led B Tế bào quang điện (Photo cell) C Pin mặt trời ( Solar cell) D Photo diode