câu hỏi trắc nghiệm vật liệu điện tử có đáp án

tổng hợp những câu hỏi liên quan tới vật liệu điện1 Lưỡng kim là:Select one: A.2 kim loại có hệ số giãn nở khác nhau ghép chung để đo lường và điều khiển nhiệt độ B.2 kim loại có độ dẫn điện khác nhau ghép chung thành một khối C.2 kim loại khác nhau được ghép chung thành 1 khối thống nhất D.2 kim loại có thế điện hóa khác nhau ghép chung thành một khối 2.Phân biệt tính dẫn điện, bán dẫn hay cách điện của vật liệu dựa trên:Select one: A.Cấu tạo nguyên tử và sự phân bố các vùng năng lượng của electron đặc biệt electron tầng ngoài cùng. B.Gía trị về khả năng dẫn điện biểu hiện qua tham số điện trở suất C. Các câu trả lời trên đều đúng D. Tính chất vật lý của vật liệu khi đặt vật liệu dưới tác động của điện trường ngoài 3. Ngẫu nhiệt điện hay cặp nhiệt được dùng để:Select one: a.Tất cả đều đúng b. Ngẫu nhiệt điện được dùng làm cảm biến nhiệt để đo lường và điều khiển tự động trong các thiết bi cung cấp nhiệt c.Ngẫu nhiệt điện được cấu tạo từ 2 thanh dẫn kim lọai khác nhau đặt tiếp xúc nhau tại 2 đầu nối, các đầu nối tiếp xúc này được đặt trong 2 môi trường nhiệt độ khác nhau d.Ngẫu nhiệt điện làm việc dựa trên nguyên lý sức điện động tiếp xúc sinh ra khi 2 vật dẫn có mật độ e khác nhau đặt tiếp xúc và định luật Kirrchoff trong vòng kín4. Mật độ nguyên tử của bạc có Z = 47 (2,8,18,18,1) mạng A1, a = 0.4525nm là:Select one: A. 6,07×1027 B. 4.317×1028 C. 5,07×1027 D. 6,02×10285. Bo, Silic, Giecmani, Phốtpho, Asen, Lưu huỳnh, Sêlen, Têlua, Iốt.Select one: A.Là phi kim loại B. Là bán dẫn thuần chất C. Là bán dẫn đơn chất D. Là chất bán dẫn6.Ngẫu nhiệt điện bằng Platin và rodiplatin thường dùng đo và điều khiển nhiệt độ trong khoảng nhiệt độ từ:Select one: A.Từ 2000C đến +30000C B.Từ 2000C đến +2000C C.Từ 2000C đến 10000C D.Từ 200C đến gần 20000C 7. Đưa vào nguyên tố hóa trị IV (ví dụ: Silic ), nếu Silic thay thế As thì GaAs là VLBD loại:Select one: A. N B. Tinh khiết C. P D. Hỗn hợp8. Dây cáp đồng thau dẫn dòng định mức 500A với mật độ dòng 2,5Amm2, đoạn dây dẫn treo qua 2 cột cách nhau 200m. Biết  = 8,7 kgkm.mm2,  = 18,75 kmmm2, Ứng suất cho phép của đồng thau cpCu = 42 kgmm2, của cột cpcột = 22 kgmm2, của sứ cách điện cpsứ = 20 kgmm2. Hãy tính độ võng tối thiểu của dây Select one: A.2,175 m B.1,03 m C.1,98 m D.2,03 m9. Mật độ nguyên tử của Mg có Z = 12 (2,8,2) mạng A3, a = 0.3209nm, c = 0,531nm là:Select one: A. 8,61×1027 B. 4.305×1028 C. 2,16×1027 D. 8,61×102810. GaAs ứng dụng để làm vi mạch chất lượng cao có thể làm việc đến 3000C (Silic2000C, Giecmani1000C) vì:Select one: A. Các câu trả lời trên đều đúng B. Electron chuyển động từ vùng dẫn trở về vùng hóa trị trong tinh thể GaAs có thể phát ra ánh sángNhìn thấy C. Độ linh động của electron của GaAs lớn hơn độ linh động của electron của Si,Ge D. Vì năng lượng vùng cấm lớn hơn so với Si,Ge. 11. Phân biệt các cấu trúc khác nhau của mạng tinh thể nhờSelect one: A. Sự sắp xếp của các nguyên tử B. Bản ghi nhớ C. Ô cơ bản D. Ô cơ sở

1 Lưỡng kim là:

Select one:

A.

2 kim loại có hệ số giãn nở khác nhau ghép chung để đo lường và điều khiển nhiệt độ

B.

2 kim loại có độ dẫn điện khác nhau ghép chung thành một khối

C.

2 kim loại khác nhau được ghép chung thành 1 khối thống nhất

D.

2 kim loại có thế điện hóa khác nhau ghép chung thành một khối

2.Phân biệt tính dẫn điện, bán dẫn hay cách điện của vật liệu dựa trên:

Select one:

A.

Cấu tạo nguyên tử và sự phân bố các vùng năng lượng của electron đặc biệt electron tầng ngoài cùng

B.

Gía trị về khả năng dẫn điện biểu hiện qua tham số điện trở suất

C Các câu trả lời trên đều đúng

D Tính chất vật lý của vật liệu khi đặt vật liệu dưới tác động của điện trường ngoài

3 Ngẫu nhiệt điện hay cặp nhiệt được dùng để:

Select one:

a.

Tất cả đều đúng

b Ngẫu nhiệt điện được dùng làm cảm biến nhiệt để đo lường và điều khiển

tự động trong các thiết bi cung cấp nhiệt

c.

Ngẫu nhiệt điện được cấu tạo từ 2 thanh dẫn kim lọai khác nhau đặt tiếp xúc nhau tại 2 đầu nối, các đầu nối tiếp xúc này được đặt trong 2 môi trường nhiệt độ khác nhau

d.

Ngẫu nhiệt điện làm việc dựa trên nguyên lý sức điện động tiếp xúc sinh ra khi

2 vật dẫn có mật độ e- khác nhau đặt tiếp xúc và định luật Kirrchoff trong vòng kín

4. Mật độ nguyên tử của bạc có Z = 47 (2,8,18,18,1) mạng A1, a = 0.4525nm là:

Select one:

A 6,07×1027

B 4.317×1028

C 5,07×1027

D 6,02×1028

5 Bo, Silic, Giecmani, Phốtpho, Asen, Lưu huỳnh, Sêlen, Têlua, Iốt

Select one:

A.

Là phi kim loại

B Là bán dẫn thuần chất

C Là bán dẫn đơn chất

D Là chất bán dẫn

6.Ngẫu nhiệt điện bằng Platin và rodi-platin thường dùng đo và điều khiển nhiệt độ trong khoảng nhiệt độ từ:

Select one:

A.

Từ -2000C đến +30000C

B.

Từ -2000C đến +2000C

C.

Từ 2000C đến 10000C

D.

Từ 200C đến gần 20000C

7. Đưa vào nguyên tố hóa trị IV (ví dụ: Silic ), nếu Silic thay thế As thì GaAs là VLBD loại:

Select one:

A N

B Tinh khiết

C P

D Hỗn hợp

8 Dây cáp đồng thau dẫn dòng định mức 500A với mật độ dòng 2,5A/mm2, đoạn dây dẫn treo qua 2 cột cách nhau 200m Biết  = 8,7 kg/km.mm2,  = 18,75 /km/mm2,

Ứng suất cho phép của đồng thau cpCu = 42 kg/mm2, của cột cpcột = 22 kg/mm2,

của sứ cách điện cpsứ = 20 kg/mm2 Hãy tính độ võng tối thiểu của dây

Select one:

2,175 m

B.

1,03 m

C.

1,98 m

D.

2,03 m

9 Mật độ nguyên tử của Mg có Z = 12 (2,8,2) mạng A3, a = 0.3209nm, c = 0,531nm là:

Select one:

A 8,61×1027

B 4.305×1028

C.

2,16×1027

D 8,61×1028

10. GaAs ứng dụng để làm vi mạch chất lượng cao có thể làm việc đến 300 0 C

(Silic-200 0 C, Giecmani-100 0 C) vì:

Select one:

A Các câu trả lời trên đều đúng

B Electron chuyển động từ vùng dẫn trở về vùng hóa trị trong tinh thể GaAs có thể phát ra ánh sáng

Nhìn thấy

C Độ linh động của electron của GaAs lớn hơn độ linh động của electron của Si,Ge

D Vì năng lượng vùng cấm lớn hơn so với Si,Ge

11. Phân biệt các cấu trúc khác nhau của mạng tinh thể nhờ

Select one:

A Sự sắp xếp của các nguyên tử

B Bản ghi nhớ

C Ô cơ bản

D Ô cơ sở

12 Mật độ e- của bạc có Z = 47 (2,8,18,18,1) mạng A1, a = 0.4525nm là:

Select one:

A 2,16×1027

B 4.317×1028

C 12,94×1027

D.

8,63×1028

13. Một thanh Ge loại N có kích thước (632)mm3 đặt nằm ngang theo chiều dòng điện Ix có

Ix = 30mA Từ trường hướng từ trên xuống thẳng góc với thanh Ge có B = 0,5 Tesla người ta

đo được UH = 15mV với góc H = 2,10 Hãy tính điện dẫn suất và điện trở suất của thanh

Select one:

A  = 37 (m)-1;  = 0,027 (m)

B  = 137 (m)-1;  = 7,3.10-3 (m)

C  = 3,7 (m)-1;  = 0, 27 (m)

D  = 1/37 (m)-1;  = 37 (m)

14 Dây cáp nhôm lõi thép dẫn dòng định mức 300A với mật độ dòng 2A/mm2,

đoạn dây dẫn treo qua 2 cột cách nhau 200m Biết  = 3,55 kg/km.mm2,

 = 29,00 /km/mm2, Ứng suất cho phép của nhôm cpAl = 14 kg/mm2,

của cột cpcột = 22 kg/mm2, của sứ cách điện cpsứ = 18 kg/mm2

Hãy tính độ võng tối thiểu của dây

Select one:

A.

1,47 m

B.

0,98 m

C 1,27 m

D.

0,81 m

15. Ứng dụng hiệu ứng Hall để:

Select one:

A Tất cả đều đúng

B Phát hiện từ trường và đo lường giá trị từ trường về phương , chiều và độ lớn

C Làm cảm biến từ trường và điều khiển tự động dưới tác động của từ trường

Phát hiện từ trường và từ cực

16 Dưới tác động của điện áp thay đổi đặt vào 2 đầu thanh dẫn

Select one:

A.

Dòng điện thay đổi phi tuyến với điện áp

B.

Dòng điện là hằng số với điện áp

C.

Dòng điện thay đổi tùy thuộc vào điện trở

D.

Dòng điện thay đổi tuyến tính với điện áp

17. Siêu dẫn nghịch từ vì:

Select one:

A Tất cả nguyên nhân trên

B.

Tính chất nghịch từ của vật liệu

C.

Hiệu ứng Meissner

D Do dòng xoáy siêu dẫn sinh từ trường chống lại từ trường ngoài

18. Phương pháp Czochralski được dùng để tạo ra:

Select one:

A Các câu trả lời trên đều đúng

B Silic đơn tinh thể

C Silic tinh khiết

D Silic đa tinh thể

19 Hằng số Hall RH đánh giá được đánh giá bằng:

Select one:

A.

Tỷ lệ lệch hướng điện trường

B.

Chiều và giá trị lệch hướng chuyển động

C.

Tỷ số giữa các số hạt đa số và thiểu số nhân với điện tích e

-D.

Tỷ số giữa sức điện động Ey được sinh ra với tích mật độ dòng Jx và từ cảm Bz

20 Mật độ e- của đồng có Z = 29 (2,8,18, 1) mạng A1, a = 0.3615nm là:

Select one:

A 8,47×1027

B 8,47×1028

C 4,27×1036

D 4,24×1018

21 Thanh bán dẫn tinh khiết có kích thước (2×22)mm3

Cho biết: ni = 1,25 1016/m3 ở 3000K ; N =0,38m2/Vs ; P = 0,18m2/Vs;

Wg không đổi Wg =0,74eV Pha Indi với mật độ bao nhiêu để R thanh còn 45

Select one:

A 1,84 1020

B 3,89 1020

C.

19,45 1020

D 38,9 1020

22 Si để thành bán dẫn loại P cần pha thêm tạp chất

Select one:

A.

B, Al, In, P

B.

As, Te, Se, P

C.

Ga, As, In, Se

D.

Al, Ga, In, Bo

23 Tính R của thanh bán dẫn tinh khiết có kích thước (2×22)mm3.

Cho biết: ni = 1,25 1016/m3 ở 3000K ; N =0,38m2/Vs ; P = 0,18m2/Vs;

Wg không đổi Wg =0,74eV

Select one:

A.

4,5 M

B 2,25 M

C 0,9 M

D.

0,45 M

24. Nguyên tử a-Fe có mạng A2, mật độ xếp chặt trên mặt (011) là: Select one:

A 0,91

B 0,83

C 0,78

D 0,55

25 Số nguyên tử Si trong 1 m3 là N = 5.1028 (m-3),

số nguyên tử Ga chỉ bằng 1/106 số nguyên tử Si

Ở nhiệt độ phòng: niSi = 5,12.1015 (m-3)

Biết N = 0,13m2/Vs ; P = 0,05m2/Vs; Wg không đổi Wg = 1,13eV

Bán dẫn loại gì? Điện dẫn suất bán dẫn tạp chất là:

Select one:

A.

Loại P 400 (m)-1

B Loại N 400 (m)-1

C.

Loại N 1040 (m)-1

D.

Loại P 1040 (m)-1

26 Vật liệu siêu dẫn là:

Select one:

A.

Cả 3 câu trên đều đúng.

B Ở điều kiện nhiệt độ thấp trong vùng < 00C có xảy ra hiện tượng R = 0 và hiện tượng nghịch từ

C.

Vật liệu bình thường có R = 0 và luôn nghịch từ

D.

Kim loại có điện trở bằng không

27 Khi kéo tuyến dây qua lộ người ta dùng mỗi bên vệ đường 2 cột dựng sát nhau và gia cố chân móng, 2 sứ treo song song cho mỗi sợi cáp nhằm mục đích

Select one:

A.

Tăng khả năng chịu lực kéo của cột

B.

Giảm độ võng của dây

C

Tăng khả năng chịu lực kéo của sứ

D Cả 3 đều đúng

28 Lưỡng kim đồng nhôm dùng để:

Select one:

A.

Liên kết chắc chắn 2 mối nối

B.

Xử lý mối nối liên kết 2 kim loại đồng và nhôm

C.

Thay đổi khả năng dẫn điện

D Làm rơ-le lưỡng kim

29 Linh kiện điện tử nano là linh kiện:

Select one:

A Tất cả Đáp án trên đều đúng

B.

Sử dụng các ống CNT bán dẫn điều khiển dòng dẫn khá lớn

C Có kích thước nhỏ cỡ nanomet

D MOS-CNTFET VÀ SB-CNTFET

30. Nguyên tử đồng có mạng A1, mật độ xếp chặt trên mặt (100) là:

Select one:

A 0,78

B 0,55

C 0,83

D 0,91

31. Dây dẫn đồng kéo qua 2 trụ cột cách nhau 200m, dẫn dòng 500A Biết ứng suất cho phép của dây dẫn là cp= 45kg/mm2, của cột quy về dây dẫn là cpcột = 20kg/mm, và của sứ

là cpsứ = 18kg/mm2, khối lượng riêng của nhôm là  = 8,9 kg/dm3 Hỏi độ võng tối thiểu là bao nhiêu?

Select one:

A.

2,225 m

B.

0,988 m

C 2,894 m

D 2,47 m

32 Dây dẫn nhôm lõi thép kéo qua 2 trụ cột cách nhau 200m, dẫn dòng 500A

Biết ứng suất cho phép của dây dẫn là cp= 15kg/mm2,

cột quy về dây dẫn là cpcột = 20kg/mm2, và sứ là cpsứ = 18kg/mm2,

khối lượng riêng của nhôm là  = 3,55 kg/dm3 Hỏi độ võng tối thiểu là bao nhiêu?

Select one:

A 1,183m

B 0,986m

C.

0,887m

D 1,2m

33. Một tiếp xúc P/N phía P có Na = 1024 (m)-3 và phía N có Nd = 1020 (m)-3

Hằng số điện môi r = 12 Cho biết ở 3000K: ni = 5,12 1015/m3, N =0,13m2/Vs ,

 P = 0,05m2/Vs ; kT/e = 0,026V Hãy tính điện áp tiếp xúc U0

Select one:

A 0,79 V

B 0,69 V

C 0,56 V

D.

0,75 V

34 Nguyên tử bạc có mạng A1,mật độ xếp chặt trên mặt (111) là:

Select one:

A 0,78

B 0,55

C 0,83

D 0,91

35.Bán dẫn quang là

Select one:

A.

Tất cả các câu trên

B.

Các bán dẫn phát sáng

C.

Các bán dẫn có mức năng lượng vùng cấm trong khoảng 1,75eV đến 3,1eV

D.

Các bán dẫn có mức năng lượng vùng cấm trong khoảng 400nm đến 700nm

36. Mật độ khối của bạc có mạng A1 là:

Select one:

A 0,83

B 0,78

C 0,68

D 0,74

37 AlXGa1-XAs có mức năng lượng vùng cấm Wg = 1,424+1,247x Xác định giá trị x của Nhôm Al cần đưa vào thay thế Ga để linh kiện cho ra ánh sáng vàng 585nm

Select one:

A 0.56

B 0.5

C 0,44

D 0.6

38. Điện dẫn suất của Au có Z = 79 (2,8,18,32,18,1) mạng A1, a = 0.3818nm,  = 410A0 là:

Select one:

A 7,1×109

B 7,85×1018

C 7,09×108

D 8.12×108

39 Mật độ e- của Wolfram W có Z = 74 (2,8,18,32,12,2) mạng A2, a = 0.2866nm là:

Select one:

A 8,49×1029

B 5,07×1027

C 16,992×1028

D 8,5×1028

40 Thanh Silic tinh khiết có kích thước (2×11)mm3

Cho biết: ni = 5,12 1015/m3 ở 3000K ; N =0,13m2/Vs ; P = 0,05m2/Vs;

Wg không đổi Wg =1,13eV

Pha Ga với mật độ bao nhiêu để R thanh còn 136

Select one:

A 7,07 1021

B 1,84 1021

C 7,07 1020

D 1,84 1020

41 Những chất nào sau đây không siêu dẫn

Select one:

A.

Kim loại dẫn điện tốt Vàng, bạc, đồng, nhôm

B.

Hợp kim

Kim loại dẫn điện và dẫn từ tốt

D.

Hỗn hợp gốm cách điện

42 Ngày nay người ta dùng cáp quang thay cáp thông tin kim loại cũ vì:

Select one:

a.

An toàn, bảo mật, dễ nâng cấp băng thông và kỹ thuật truyền, tiện lợi và kinh tế giá thành

b An toàn, bảo mật, ổn định, tốc độ cao, dung lượng truyền lớn, dễ nâng cấp băng thông và kỹ thuật truyền

c.

An toàn, tốc độ cao, dung lượng truyền lớn, dễ nâng cấp băng thông, phát huy tiện ích và rẻ tiền

d.

Tất cả đều đúng

43 Thanh Silic tinh khiết có kích thước (2×11)mm3.Wg không đổi Wg = 1,13eV

Cho biết ở 3000K: ni = 5,12 1015/m3; N =0,13m2/Vs ; P = 0,05m2/Vs;

Ở 5000K R thanh là bao nhiêu?

Select one:

A 1077 

B.

730 

C 1140 

D.

538 

44 Số nguyên tử Germani trong 1 m3 là N = 1028 (m-3),

Ở nhiệt độ phòng: niGermani =1019 (m-3)

Biết  N =0,38m2/Vs ;  P = 0,18m2/Vs; Wg không đổi Wg =0,74eV

Điện dẫn suất bán dẫn tinh khiết là:

Select one:

A 0,89 (m)-1

B.

8,9 (m)-1

C 8,9 (cm)-1

D 1,8 (m)-1

45. Mật độ nguyên tử của -Fe có Z = 26 (2,8,14,2) mạng A2, a = 0.3165nm là:

Select one:

A 6,3×1028

B 5,07×1027

C.

6,07×1027

D.

8,37×1028

46 Các chất dẫn điện, bán dẫn, cách điện khác nhau do

Select one:

A Cách bố trí các vùng năng lượng

B Cấu tạo nguyên tử và phân tử

C Do cấu tạo vùng năng lượng

D Phân bố vùng năng lượng ở vùng hóa trị và vùng dẫn

47. Điện áp Hall được đo ở:

Select one:

A.

Bản cực 2 mặt thẳng góc với dòng dẫn và thẳng góc với từ trường

B.

Bản cực 2 mặt bên thẳng góc với dòng dẫn và song song với từ trường

C.

Bản cực 2 mặt bên song song với dòng dẫn và song song với từ trường

D.

Bản cực 2 mặt bên song song với dòng dẫn và thẳng góc từ trường

48 Một thanh Ge loại N có kích thước (632)mm3 đặt nằm ngang theo chiều dòng điện Ix có

Ix = 30mA Từ trường hướng từ trên xuống thẳng góc với thanh Ge có B = 0,5 Tesla người

ta đo được UH = 15mV với góc  H = 2,10 Hãy tính mật độ hạt điện dẫn chính

Select one:

A Nd = 1,84.1021(m) -3

B.

NN = 1,56.1022 (m) -3

C.

Na = 3,69.1020 (m) -3

D NN = 3,125.1021(m) -3

49 Đưa vào nguyên tố hóa trị II (ví dụ: Zn) thì GaAs trở thành VLBD loại

Select one:

A Tinh khiết

B hỗn hợp

C P

D N

50 Cấu trúc của 2 lớp bán dẫn N/P nối ra 2 điện cực kim loại có đặc tính như sau, khi đưa linh kiện bán dẫn này đến nguồn sáng phù hợp ( bước sóng và cường độ sáng) thì bên trong linh kiện electron di chuyển về bám điện cực lớp P và lỗ trống về bám điện cực lớp N, phía ngoài linh kiện nếu khép kín qua vật dẫn có R thì dòng electron chảy từ P về N Linh kiện này là:

Select one:

A.

Led

B Tế bào quang điện (Photo cell)

C.

Pin mặt trời ( Solar cell)

D.

Photo diode