trắc nghiệm vật liệu điện tử có đáp án chi tiết

Câu 1: Thanh Silic tinh khiết có kích thước (2×1´1)mm3.Cho biết: ni = 5,12 .1015m3 ở 3000K ; mN =0,13m2Vs ; mP = 0,05m2Vs;Wg không đổi Wg =1,13eV. Pha Ga với mật độ bao nhiêu để R thanh còn 136W1,84. 1021Câu 2: Ngẫu nhiệt điện hay cặp nhiệt là Cảm biến nhiệt dựa vào sự phụ thuộc sức điện động tiếp xúc với nhiệt độCâu 3: Dòng điện dịch và dòng dung là:Dòng để phân cực điện môi Câu 4: Dây cáp nhôm lõi thép dẫn dòng định mức 300A với mật độ dòng 2Amm2, đoạn dây dẫn treo qua 2 cột cách nhau 200m. Biết g = 3,55 kgkm.mm2,r = 29,00 Wkmmm2, Ứng suất cho phép của nhôm scpAl = 14 kgmm2, của cột scpcột = 22 kgmm2, của sứ cách điện scpsứ = 18 kgmm2. Hãy tính độ võng tối thiểu của dây1,27 m Câu 5: Sứ xuyên hình trụ có lõi nhôm đường kính 18mm, đường kính ngoài sứ là 80mm, chiều dài sứ là 50cm. Biết er của sứ là 6 và tgd = 0,001, điện áp làm việc 22KV, f = 50Hz. Tính tổn hao của sứ 17 mWCâu 6: Góc Hall H là góc lệch giữa:Điện trường tổng hợp trong vật dẫn và điện trường nguồn dòng ExCâu 7: Điện dẫn suất của Ni có Z = 28 (2,8,16,2) mạng A1, a = 0.3524nm, l = 133A0 là: 5,85×108Câu 8: Bán dẫn quang làCác bán dẫn có mức năng lượng vùng cấm trong khoảng 1,75eV đến 3,1eVCâu 9: Dây dẫn đồng tròn có đường kính 4mm bọc cách điện dày 2 mm thì có điện trường được tính lúc này cho cách điện là 52 KVcm. Hỏi điện áp làm việc danh định là? 7,2 KVCâu 10: Các thiết bị điện mùa nóng dễ bị hư hỏng cháy nổ đó là.... Sự phá hủy nhiệt điệnCâu 11: Số nguyên tử Si trong 1 m3 là N = 5.1028 (m3), số nguyên tử Ga chỉ bằng 1106 số nguyên tử Si. Ở nhiệt độ phòng: niSi = 5,12.1015 (m3). Biết N = 0,13m2Vs ; P = 0,05m2Vs; Wg không đổi Wg = 1,13eV. Bán dẫn loại gì? Điện dẫn suất bán dẫn tạp chất là:Loại P. 400 (Wm)1Câu 12: Siêu dẫn có R = 0 vì:Cặp điện tử tự do di chuyển không va chạm dưới điện trườngCâu 13: Một tiếp xúc PN phía P có Na = 1024 (m)3 và phía N cóNd = 1020 (m)3 Hằng số điện môi er = 12. Cho biết ở 3000K: ni = 5,12.1015m3, mN =0,13m2Vs , mP = 0,05m2Vs ; kTe = 0,026V. Hãy tính điện áp tiếp xúc U0. 0,75 VCâu 14: Băng từ đĩa từ lưu trữ dữ liệu là ứng dụng của vật liệu Từ cứng Câu 15: Ngày nay người ta dùng cáp quang thay cáp thông tin kim loại cũ vì:An toàn, bảo mật, ổn định, tốc độ cao, dung lượng truyền lớn, dễ nâng cấp băng thông và kỹ thuật truyền.Câu 16: Mật độ nguyên tử của nhôm có Z = 13 (2,8,3) mạng A1, a = 0.4049nm là:6,03×1028Câu 17: Linh kiện điện tử nano là linh kiện: Tất cả Đáp án trên đều đúng (MOSCNTFET VÀ SBCNTFET, Sử dụng các ống CNT bán dẫn điều khiển dòng dẫn khá lớn, Có kích thước nhỏ cỡ nanomet)Câu 18: Mật độ e của nhôm có Z = 13 (2,8,3) mạng A1, a = 0.4049nm là: 18,09×1028 Câu 19: Một tiếp xúc PN phía P có Na = 1024 (m)3 và phía N có Nd = 1020 (m)3 Hằng số điện môi er = 12. Cho biết ở 3000K: ni = 5,12 .1015m3, mN =0,13m2Vs , mP = 0,05m2Vs; kTe = 0,026V. Hãy tính điện áp nguồn phân cực để dòng thuận 100 mA, biết dòng ngược I0 = 10mA1,17 VCâu 20: Từ trường của vật liệu là doTổng các moment từ nguyên tử của vật liệuCâu 21: Các khối điện môi có cùng kích thước và hình dạng thì khối có điện dung lớn là Khối nào có hệ số điện môi e càng lớn Câu 22: Dẫn điện là gì: Là sự dịch chuyển có hướng của các hạt mang điện dưới tác dụng của điện trường ngoài, hình thành dòng điện, có chiều cùng chiều hạt mang điện tích dương và ngược chiều các hạt mang điện tích âm.Câu 23: Tính R của thanh Silic tinh khiết có kích thước (3×3´2)mm3.Cho biết: ni = 5,12 .1015m3 ở 3000K ; mN =0,13m2Vs ; mP = 0,05m2Vs;Wg không đổi Wg =1,13eV 3,4 M Câu 24: Dùng Al thay thế cho Ga thì bán dẫn có mức năng lượng vùng cấm là : Wg(AlXGa1xAs) = 1,424+1,247x. Nếu bước sóng ánh sáng phát xạ cho LED là 500nm. Phải thay thế tỷ lệ Al bao nhiêu ? x = 0,85

Câu 1: Thanh Silic tinh khiết có kích thước (2×1´1)mm3.

Cho biết: ni = 5,12 1015/m3 ở 3000K ; mN =0,13m2/Vs ; mP = 0,05m2/Vs;

Wg không đổi Wg =1,13eV Pha Ga với mật độ bao nhiêu để R thanh còn 136W

1,84 1021

Câu 2: Ngẫu nhiệt điện hay cặp nhiệt là

Cảm biến nhiệt dựa vào sự phụ thuộc sức điện động tiếp xúc với nhiệt độ Câu 3: Dòng điện dịch và dòng dung là:

Dòng để phân cực điện môi

Câu 4: Dây cáp nhôm lõi thép dẫn dòng định mức 300A với mật độ dòng 2A/mm2, đoạn dây dẫn treo qua 2 cột cách nhau 200m Biết g = 3,55 kg/ km.mm2,r = 29,00 W/km/mm2, Ứng suất cho phép của nhôm scpAl = 14 kg/mm2, của cột scpcột = 22 kg/mm2, của sứ cách điện scpsứ = 18 kg/

mm2 Hãy tính độ võng tối thiểu của dây

1,27 m

Câu 5: Sứ xuyên hình trụ có lõi nhôm đường kính 18mm, đường kính ngoài sứ là 80mm, chiều dài sứ là 50cm Biết er của sứ là 6 và tgd = 0,001, điện áp làm việc 22KV, f = 50Hz

Tính tổn hao của sứ

17 mW

Câu 6: Góc Hall H là góc lệch giữa:

Điện trường tổng hợp trong vật dẫn và điện trường nguồn dòng Ex

Câu 7: Điện dẫn suất của Ni có Z = 28 (2,8,16,2) mạng A1, a =

0.3524nm, l = 133A0 là:

5,85×10 8

Câu 8: Bán dẫn quang là

Các bán dẫn có mức năng lượng vùng cấm trong khoảng 1,75eV đến 3,1eV

Câu 9: Dây dẫn đồng tròn có đường kính 4mm bọc cách điện dày

2 mm thì có điện trường được tính lúc này cho cách điện là 52 KV/

cm Hỏi điện áp làm việc danh định là?

7,2 KV

Câu 10: Các thiết bị điện mùa nóng dễ bị hư hỏng cháy nổ đó là

Sự phá hủy nhiệt điện

Câu 11: Số nguyên tử Si trong 1 m3 là N = 5.1028 (m-3), số nguyên tử Ga chỉ bằng 1/106 số nguyên tử Si Ở nhiệt độ phòng: niSi = 5,12.1015 (m-3) Biết N = 0,13m2/Vs

; P = 0,05m2/Vs; Wg không đổi Wg = 1,13eV Bán dẫn loại gì? Điện dẫn suất bán dẫn tạp chất là:

Loại P 400 (Wm) -1

Câu 12: Siêu dẫn có R = 0 vì:

Cặp điện tử tự do di chuyển không va chạm dưới điện trường

Câu 13: Một tiếp xúc P/N phía P có Na = 1024 (m)-3 và phía N có

Nd = 1020 (m)-3 Hằng số điện môi er = 12 Cho biết ở 3000K: ni = 5,12.1015/

m3, mN =0,13m2/Vs , mP = 0,05m2/Vs ; kT/e = 0,026V Hãy tính điện áp tiếp xúc U0

0,75 V

Câu 14: Băng từ đĩa từ lưu trữ dữ liệu là ứng dụng của vật liệu

Từ cứng

Câu 15: Ngày nay người ta dùng cáp quang thay cáp thông tin kim loại cũ vì:

An toàn, bảo mật, ổn định, tốc độ cao, dung lượng truyền lớn, dễ nâng cấp băng thông và kỹ thuật truyền

Câu 16: Mật độ nguyên tử của nhôm có Z = 13 (2,8,3) mạng A1, a =

0.4049nm là:

6,03×1028

Câu 17: Linh kiện điện tử nano là linh kiện:

Tất cả Đáp án trên đều đúng (MOS-CNTFET VÀ SB-CNTFET, Sử dụng các ống CNT bán dẫn điều khiển dòng dẫn khá lớn, Có kích thước nhỏ cỡ nanomet)

Câu 18: Mật độ e- của nhôm có Z = 13 (2,8,3) mạng A1, a = 0.4049nm là: 18,09×1028

Câu 19: Một tiếp xúc P/N phía P có Na = 1024 (m)-3 và phía N có Nd =

1020 (m)-3

Hằng số điện môi er = 12 Cho biết ở 3000K: ni = 5,12 1015/m3, mN =0,13m2/

Vs ,

mP = 0,05m2/Vs; kT/e = 0,026V Hãy tính điện áp nguồn phân cực để dòng thuận 100 mA, biết dòng ngược I0 = 10mA

1,17 V

Câu 20: Từ trường của vật liệu là do

Tổng các moment từ nguyên tử của vật liệu

Câu 21: Các khối điện môi có cùng kích thước và hình dạng thì khối có điện dung lớn là

Khối nào có hệ số điện môi e càng lớn

Câu 22: Dẫn điện là gì:

Là sự dịch chuyển có hướng của các hạt mang điện dưới tác dụng của điện trường ngoài, hình thành dòng điện, có chiều cùng chiều hạt mang điện tích dương và ngược chiều các hạt mang điện tích âm

Câu 23: Tính R của thanh Silic tinh khiết có kích thước (3×3´2)mm3

Cho biết: ni = 5,12 1015/m3 ở 3000K ; mN =0,13m2/Vs ; mP = 0,05m2/Vs;

Wg không đổi Wg =1,13eV

3,4 M 

Câu 24: Dùng Al thay thế cho Ga thì bán dẫn có mức năng lượng vùng cấm là :

Wg(AlXGa1-xAs) = 1,424+1,247x Nếu bước sóng ánh sáng phát xạ cho LED là 500nm Phải thay thế tỷ lệ Al bao nhiêu ?

x = 0,85

Câu 25: Tính tổn hao trung bình trong 1 đơn vị thể tích (W/cm3) của verni cánh kiến khi đặt trong điện trường E = 25 KV/mm ; f= 50 Hz ; e = 3,56 ; hệ

số tổn hao tgd = 0,01

62 mW/cm 3

Câu 26: Một thanh Ge loại P có kích thước (6´3´2)mm3 có Na = 7.1023đặt nằm ngang theo chiều dòng điện Ix có Ix = 30mA Từ trường hướng từ trên xuống thẳng góc với thanh Ge có B = 0,5 Tesla Hãy tính điện áp Hall thu được

UH = 67 mV

Câu 27: Dây dẫn đồng kéo qua 2 trụ cột cách nhau 200m, dẫn dòng 500A Biết ứng suất cho phép của dây dẫn là scp= 45kg/mm2, của cột quy về dây dẫn là scpcột = 20kg/mm, và của sứ là scpsứ = 18kg/mm2, khối lượng riêng của nhôm là g = 8,9 kg/dm3 Hỏi độ võng tối thiểu là bao nhiêu? 2,47 m

Câu 28: Mật độ nguyên tử của bạc có Z = 47 (2,8,18,18,1) mạng A1, a = 0.4525nm là:

4.317×1028

Câu 29: Giữa 2 bản cực 25KV có 3 lớp điện môi dày h1 = h2 = h3 = 1mm,

có hệ số điện môi tuần tự là e1 = 2,2 và e2 = 2,8 e1 = 2,4; Điện trường cho phép tuần tự Ecp1 = 240KV/cm và Ecp2 = 180KV/cm Ecp1 = 220KV/cm Điện trường thực đặt trên lớp thứ 3 là bao nhiêu?

84,8 KV/cm

Câu 30: Một thanh Ge loại N có kích thước (6´3´2)mm3 đặt nằm ngang theo chiều dòng điện Ix có Ix = 30mA Từ trường hướng từ trên xuống thẳng góc với thanh Ge có B = 0,5 Tesla người ta đo được UH = 15mV với góc qH = 2,10 Hãy tính hằng số Hall

RH = 2.10-3 (m 3 /As)

Câu 31: AlXGa1-XAs có mức năng lượng vùng cấm Wg = 1,424+1,247x Xác định giá trị x của Nhôm Al cần đưa vào thay thế Ga để linh kiện cho ra ánh sáng vàng 585nm

0.56

Câu 32: Cấu trúc của 2 lớp bán dẫn N/P nối ra 2 điện cực kim loại có đặc tính như sau, khi đưa linh kiện bán dẫn này đến nguồn sáng phù hợp ( bước sóng và

cường độ sáng) thì bên trong linh kiện electron di chuyển về bám điện cực lớp P

và lỗ trống về bám điện cực lớp N, phía ngoài linh kiện nếu khép kín qua vật dẫn

có R thì dòng electron chảy từ P về N Linh kiện này là:

Tế bào quang điện (Photo cell)

Câu 33: Khắc phục và phòng ngừa sự phá hủy nhiệt điện phải

Tăng diện tích tỏa nhiệt, làm sạch bề mặt và làm tăng khả năng tỏa nhiệt, giảm nhiệt độ môi trường tỏa nhiệt

Câu 34: Số nguyên tử Germani trong 1 m3 là N = 1028 (m-3), số nguyên tử phốtpho chỉ bằng 1/106 số nguyên tử Germani Ở nhiệt độ phòng: niGermani =1019(m-3)

Biết N =0,38m2/Vs ; P = 0,18m2/Vs; Wg không đổi Wg =0,74eV Điện dẫn suất bán dẫn tạp chất là:

0,61×103 (  m) -1

Câu 35: Dùng Al thay thế cho In thì bán dẫn có mức năng lượng vùng cấm là : Wg(AlXIn1-xP) = 1.351 + 2.23x Phải thay thế tỷ lệ Al bao nhiêu nếu bước sóng ánh sáng phát xạ cho LED là 550nm

x = 0,405

Câu 36: Dây dẫn đồng tròn có đường kính 4mm Hỏi bọc cách điện dầy bao nhiêu mm thì có điện áp làm việc danh định là 1 KV, điện trường được tính lúc này cho cách điện là 22 KV/cm

0,52 mm

Câu 37: Dây cáp đồng thau dẫn dòng định mức 500A với mật độ dòng 2,5A/mm2, đoạn dây dẫn treo qua 2 cột cách nhau 200m Biết  = 8,7 kg/km.mm2,  = 18,75 /km/mm2, Ứng suất cho phép của đồng thau cpCu = 42 kg/

mm2, của cột cpcột = 22 kg/mm2, của sứ cách điện cpsứ = 20 kg/mm2 Hãy tính độ võng tối thiểu của dây

2,175 m

Câu 38: Tính R của thanh bán dẫn tinh khiết có kích thước (2×22)mm3

Cho biết: ni = 1,25 1016/m3 ở 3000K ; N =0,38m2/Vs ; P = 0,18m2/Vs;

Wg không đổi Wg =0,74eV

0,45 M 

Câu 39: Mật độ nguyên tử của -Fe có Z = 26 (2,8,14,2) mạng A2, a = 0.3165nm là:

6,3×1028

Câu 40: Ngẫu nhiệt điện bằng Platin và rodi-platin thường dùng đo và điều khiển nhiệt độ trong khoảng nhiệt độ từ:

Từ 200 C đến gần 20000 C

Câu 41: Khi kéo tuyến dây qua lộ người ta dùng mỗi bên vệ đường 2 cột dựng sát nhau và gia cố chân móng, 2 sứ treo song song cho mỗi sợi cáp nhằm mục đích

Cả 3 đều đúng (Giảm độ võng của dây, Tăng khả năng chịu lực kéo của sứ, Tăng khả năng chịu lực kéo của cột)

Câu 42: Dòng điện gây ra tổn hao trong điện môi dưới tác động của điện áp một chiều là

Dòng điện dẫn

Câu 43: Một tiếp xúc P/N bằng Si phía P có Na = 1026 (m)-3 và phía N có

Nd = 1022 (m)-3 Hằng số điện môi r = 12 Cho biết ở 3000K: ni = 5,2 1016/m3,

N =0,13m2/Vs , P = 0,05m2/Vs ; kT/e = 0,026V Hãy tính điện áp tiếp xúc U0 0,87 V

Câu 44: Dưới tác động của điện áp thay đổi đặt vào 2 đầu thanh dẫn

Dòng điện thay đổi tuyến tính với điện áp

Câu 45: Ở nhiệt độ phòng thanh bán dẫn tinh khiết: niGermani = 1019 (m-3) Biết N = 0,38m2/Vs ; P = 0,18m2/Vs; Wg không đổi Wg = 0,74eV Điện trở thanh bán dẫn tạp chất pha Al (1×1×1) mm3 là 2,2 Tính mật độ nhôm pha vào

1,56 1022

Câu 46: Gọi là điện môi vì:

Vật liệu được đặt dưới tác động của điện trường

Câu 47: Sắt từ dùng làm cực từ máy phát điện thay nam châm tự nhiên vì:

Tất cả yếu tố trên (Tính dẫn từ mạnh của sắt từ, Tính trễ từ của vật liệu, Đường cong từ hóa và sự hồi tiếp dòng điện)

Câu 48: Ứng dụng hiệu ứng Hall để:

Tất cả đều đúng (Phát hiện từ trường và từ cực, Làm cảm biến từ trường và điều khiển tự động dưới tác động của từ trường, Phát hiện từ trường và đo lường giá trị

từ trường về phương , chiều và độ lớn)

Câu 49: Mật độ nguyên tử của Zn có Z = 30 (2,8,18,2) mạng A3, a =

0.2664nm, c = 0,4945nm là:

1,318×1029

Câu 50: Dây dẫn đồng tròn có đường kính 4mm bọc cách điện PVC dày 2,2mm thì có điện áp làm việc danh định là 3,6KV Hỏi điện trường được tính lúc này cho PVC ?

24,26 KV/cm

Câu 51: Dây dẫn nhôm lõi thép kéo qua 2 trụ cột cách nhau 200m, dẫn dòng 500A với mật độ dòng dẫn J = 2A/mm2 Biết ứng suất cho phép của dây dẫn

là cp= 15kg/mm2, của cột quy về dây dẫn là cpcột = 20kg/mm2, và sứ là cpsứ = 18kg/mm2, khối lượng riêng của nhôm là  = 3,55 kg/dm3

Hỏi khối lượng dây dẫn nhôm là bao nhiêu?

177,5 Kg

Câu 52: Bán dẫn là những vật liệu:

Tất cả các câu trên (Có điện trở suất nằm trong khoảng 10-6  m và 10+6  m, Các chất carbon, silic, gemanium, GaAs, InP, CaS, GaN, SiC, Có cấu trúc mạng tinh thể như mạng kim cương)

Câu 53: Dưới tác động của điện trường ngoài mọi điện môi đều có hiện tượng:

Dẫn điện và phân cực

Câu 54: Một thanh Ge pha AS có kích thước (632)mm3 đặt nằm ngang theo chiều dòng điện Ix có Ix = 30mA Từ trường hướng từ trên xuống thẳng góc với thanh Ge có B = 0,5 Tesla người ta đo được UH = 15mV với góc H = 2,10 Hãy tính độ linh động của các hạt mang điện dẫn trong thanh

 N = 0,074 (m2 /Vs)

Câu 55: Một tiếp xúc P/N bằng Si phía P có Na = 1026 (m)-3 và phía N có Nd =

1022 (m)-3

Hằng số điện môi r = 12 Cho biết ở 3000K: ni = 5,2 1016/m3, N =0,13m2/Vs,

P = 0,05m2/Vs; kT/e = 0,026V

Hãy tính điện dung riêng của tiếp xúc khi bề dày vùng trống d = 5m

21,26  F/m 2

Câu 56: 2 lớp điện môi có hệ số điện môi e khác nhau nối tiếp nhau đặt giữa 2 bản cực có điện áp U

Tất cả đền đúng (Điện áp U này phải nhỏ hơn khả năng chụi đựng riêng rẽ với từng điện môi cùng kích thước, Điện môi có e nhỏ hơn

sẽ chụi tác động điện trường lớn hơn, Cùng cảm ứng điện hay điện dịch D)

Câu 57: Trong bóng đèn néon người ta dùng không khí áp suất thấp và hơi Hg vì:

Đặc tuyến phóng điện hình V của không khí

Câu 58: Dây dẫn đồng tròn có đường kính 4mm bọc cách điện dày 1 mm thì có điện trường được tính lúc này cho cách điện là

52 KV/cm Hỏi điện áp làm việc danh định là?

4,2 KV

Câu 59: Một tiếp xúc P/N bằng Ge có điện dẫn suất phía N: N = 104 (1/m) và phía P:

P = 102 (1/m) Hãy tính điện áp tiếp xúc U0 Cho biết ở 3000K: ni = 1,25 1019/

m3; N =0,38m2/Vs ; P = 0,18m2/Vs; Wg không đổi Wg =0,74eV

U 0 = 0,39 V

Câu 60: Siêu dẫn nghịch từ vì:

Hiệu ứng Meissner

Câu 61: Thanh bán dẫn Si loại N có Nd = 8.1020kích thước (2×22)mm3, đặt vào thanh dòng điện Ix = 50mA Từ trường hướng từ trên xuống thẳng góc với thanh

có B = 0,4 Tesla Hãy tính điện áp Hall thu được

UH = 78 mV

Câu 62: Mật độ e- của -Fe có Z = 26 (2,8,14,2) mạng A2, a = 0.3165nm là:

12,6×1028

Câu 63: Thanh bán dẫn tinh khiết có kích thước (2×22)mm3 Cho biết: ni = 1,25 1016/m3 ở 3000K ; N =0,38m2/Vs ; P = 0,18m2/Vs; Wg không đổi Wg

=0,74eV Pha Indi với mật độ bao nhiêu để R thanh còn 45

3,89 1020

Câu 64: Dây dẫn đồng tròn có tiết điện 12mm2 bọc cách điện PVC dầy 1mm thì có điện áp làm việc danh định là 1,2KV Hỏi điện trường được tính lúc này cho PVC ?

Câu 65: Tính tổn hao trung bình trong 1 đơn vị thể tích (W/cm3) của dầu biến thế khi đặt trong điện trường E = 50 KV/cm ; f= 50 Hz ; e

= 2,3 ; hệ số tổn hao tgd = 0,017

2,7 mW/cm 3

Câu 66: Điện áp Hall được đo ở:

Bản cực 2 mặt bên song song với dòng dẫn và thẳng góc từ trường

Câu 67: Các chất dẫn điện, bán dẫn, cách điện khác nhau do

Phân bố vùng năng lượng ở vùng hóa trị và vùng dẫn

Câu 68: Một tiếp xúc P/N phía P có Na = 1024 (m)-3 và phía N có Nd = 1020 (m)-3

Hằng số điện môi r = 12 Cho biết ở 3000K: ni = 5,12 1015/m3, N =0,13m2/Vs,

P = 0,05m2/Vs; kT/e = 0,026V Hãy tính điện áp nguồn phân cực để dòng thuận

1 A, biết dòng I0 = 1A

1,11 V

Câu 69: Ngẫu nhiệt điện hay cặp nhiệt hoạt động:

Ngẫu nhiệt điện làm việc dựa trên nguyên lý sức điện động tiếp xúc sinh ra khi 2 vật dẫn có mật độ e- khác nhau đặt tiếp xúc và định luật Kirrchoff trong vòng kín

Câu 70: Hiện tượng dòng những hạt mang điện khi chảy trong vật dẫn và đặt dưới tác dụng của từ trường sẽ bị lệch hướng chuyển động, hướng lệch chuyển động phụ thuộc vào chiều của điện trường và chiều từ trường là:

Hiệu ứng Hall

Câu 71: Dòng điện gây ra tổn hao trong điện môi dưới tác động của điện áp xoay chiều là

Dòng dẫn và dòng dung

Câu 72: Trong công thức quan hệ cảm ứng từ với cường độ từ

trường B=u(H); u có ý nghĩa:

Khả năng tạo dòng dẫn cho từ trường

Câu 73: Mật độ nguyên tử của Mg có Z = 12 (2,8,2) mạng A3, a = 0.3209nm, c = 0,531nm là:

4.305×1028

Câu 74: Sét đánh hay quá áp đột ngột sẽ gây ra trong điện môi chất rắn sẽ gây ra trong điện môi chất rắn

Sự phá hủy điện

Câu 75: Một tiếp xúc P/N phía P có Na = 1024 (m)-3 và phía N có Nd = 1020 (m)-3 Hằng số điện môi r = 12 Cho biết ở 3000K: ni = 5,12 1015/

m3, N =0,13m2/Vs , P = 0,05m2/Vs; kT/e = 0,026V Hãy tính Uj phân cực ngược

để bề dày vùng trống d = 8m

4,8 V

Câu 76: Một tiếp xúc P/N phía P có Na = 1024 (m)-3 và phía N có Nd = 1020 (m)-3 Hằng số điện môi r = 12 Cho biết ở 3000K: ni = 5,12 1015/m3, N =0,13m2/Vs ,

P = 0,05m2/Vs; kT/e = 0,026V Hãy tính điện dung riêng của tiếp xúc khi chưa phân cực

33,7  F/m2

Câu 77: Giữa 2 bản cực có 2 lớp điện môi dày h1 = 4mm và h2 = 6mm, có hệ số điện môi tuần tự là e1 = 2,2 và e2 = 2,8 ; Điện

trường cho phép tuần tự Ecp1 = 240KV/cm và Ecp2 =

180KV/cm Điện áp cho phép đặt trên 2 bản cực là bao nhiêu? 199,6 KV

Câu 78: Điện dẫn suất của Ag có Z = 47 (2,8,18,18,1) mạng A1, a = 0.4525nm,  = 570A0 là:

5,93×108

Câu 79: Thép kỹ thuật điện là

Tất cả yếu tố trên ( Đường dẫn từ tập trung và chủ yếu, Vật liệu

từ mềm, Sắt từ được chế tạo thành những lá mỏng song song đường sức từ)

Câu 80: Số nguyên tử Germani trong 1 m3 là N = 1028 (m-3), số nguyên tử phốtpho chỉ bằng 1/106 số nguyên tử Germani Ở nhiệt độ phòng: niGermani =1019 (m-3) Biết N =0,38m2/Vs ; P = 0,18m2/Vs; Wg không đổi Wg =0,74eV Điện dẫn suất bán dẫn tinh khiết là:

0,89 (  m) -1

Câu 81: Linh kiện bán dẫn 3 lớp mô tả từ trái sang phải P/N/P, 2 lớp P nối với nhau bởi 1 chân ra, lớp N có 2 chân ra cách biệt đây là:

JFET