Sơ lược về qui trình chế tạo một IC đơn tinh thể

Sơ lược qui trình chế tạo IC đơn tinh thể Sơ lược qui trình chế tạo IC đơn tinh thể Bởi: Trương Văn Tám Các giai đoạn chế tạo IC đơn tinh thể có thành phần tác động BJT, đơn giản hóa gồm bước sau: Bước 1: a Từ P-Si (hoặc n-Si) đơn tinh thể b Tạo lớp epitaxy mỏng loại N-Si c Phủ lớp cách điện SiO2 Bước 2: Dùng phương pháp quang khắc để khử lớp SiO2 số chỗ định, tạo cửa sổ bề mặt tinh thể Từ cửa sổ, khuếch tán tạp chất vào Đầu tiên, vẽ sơ đồ nơi cần mở cửa sổ, chụp hình sơ đồ lấy phim âm bản, thu nhỏ lại Những nơi cần mở sổ vùng tối phim a Bôi lớp cản quang bề mặt Đặt phim rọi tia cực tím vào nơi cần mở cửa sổ lớp đen phim bảo vệ Nhúng tinh thể vào dung dịch tricloetylen Chỉ nơi cần mở cửa sổ lớp cản quang bị hòa tan, nơi khác rắn lại 1/3 Sơ lược qui trình chế tạo IC đơn tinh thể 2/3 Sơ lược qui trình chế tạo IC đơn tinh thể b.Lại đem tinh thể nhúng vào dung dịch fluorhydric Chỉ nơi cần mở cửa sổ lớp SiO2 bị hòa tan, nơi khác nhờ lớp cản quang che chở c Đem tẩy lớp cản quang d Khuếch tán chất bán dẫn P sâu đến thân, tạo đảo N e Lại mở cửa sổ, khuếch tán chất bán dẫn P vào đảo N (khuếch tán Base) f Lại mở cửa sổ, khuếch tán chất bán dẫn N vào (khuếch tán Emitter) g Phủ kim loại Thực chỗ nối Thí dụ: Một mạch điện đơn giản sau, chế tạo dạng IC đơn tinh thể 3/3 .. .Sơ lược qui trình chế tạo IC đơn tinh thể 2/3 Sơ lược qui trình chế tạo IC đơn tinh thể b.Lại đem tinh thể nhúng vào dung dịch fluorhydric Chỉ nơi cần mở cửa sổ lớp... N vào (khuếch tán Emitter) g Phủ kim loại Thực chỗ nối Thí dụ: Một mạch điện đơn giản sau, chế tạo dạng IC đơn tinh thể 3/3 ... thân, tạo đảo N e Lại mở cửa sổ, khuếch tán chất bán dẫn P vào đảo N (khuếch tán Base) f Lại mở cửa sổ, khuếch tán chất bán dẫn N vào (khuếch tán Emitter) g Phủ kim loại Thực chỗ nối Thí dụ: Một