Thuyết trình về RAM

Bài thuyết trình về RAM, Ram là gì, Phân loại RAM, RAM động, RAM tĩnh, DDR4, DDR3, DDR2, DDR, SDRAM, RDRAM, CNTT, Random Access Memory

II Các đặc trưng của RAM III Chức năng của RAM

IV Phân loại RAM

1 RAM tĩnh

2 RAM động

V Các thế hệ RAM DDR

Viết tắt của Random Access Memory.

Một loại bộ nhớ chính của máy tính.

Mỗi ô nhớ là một byte (8 bit)

Mỗi ô nhớ của RAM đều có một địa chỉ

Đc gọi là bộ nhớ truy xuất ngẫu nhiên:

Thời gian thực hiện thao tác đọc hoặc ghi đối với mỗi ô nhớ là như nhau

Thời gian từ lúc đưa ra địa chỉ

của ô nhớ đến lúc đọc được

nội dung của ô nhớ đó

Thời gian giữa hai lần liên tiếp thâm nhập bộ nhớ

Click to edit Master text styles

Tùy theo công nghệ chế tạo, người ta phân biệt thành 2 loại:

SRAM (Static RAM): RAM tĩnh DRAM (Dynamic RAM): RAM động

SRAM (Static RAM): RAM tĩnh

01 02

03

04

Được chế tạo theo công nghệ ECL (dùng trong CMOS và BiCMOS)

Mỗi bit nhớ gồm có các cổng logic với 6 transistor MOS

SRAM là bộ nhớ nhanh, việc đọc không làm hủy nội dung của ô nhớ và thời

gian thâm nhập bằng chu kỳ của bộ nhớ

SRAM là một nơi lưu trữ các tập tin của CMOS dùng cho việc khởi động máy

Môôt bit RAM tĩnh

DRAM (Dynamic RAM): RAM động

01 02

03

04

DRAM dùng kỹ thuật MOS Mỗi bit nhớ gồm một transistor và một tụ điện.

Sau mỗi lần đọc một ô nhớ, bộ phận ĐK bộ nhớ phải viết lại nội dung ô nhớ đó Chu kỳ

bộ nhớ theo đó mà ít nhất là gấp đôi thời gian thâm nhập ô nhớ

Bộ nhớ DRAM chậm nhưng rẻ tiền hơn SRAM Có 2 loại DRAM: RDRAM và SDRAM.

Việc đọc một bit nhớ sẽ làm nội dung bit đó bị hủy do việc ghi nhớ dữ liệu dựa vào việc duy

trì điện tích nạp vào tụ điện

Môôt bit RAM đôông

DRAM (Dynamic RAM): RAM động

RDRAM

DRAM (Dynamic RAM): RAM động

RDRAM

Viết tắt của Rambus Dynamic RAMHoạt động đồng bộ theo một hệ thống lặp và truyền dữ liệu theo một hướngTốc độ Rambus đạt từ 400-800 MHz

Rambus tuy không nhanh hơn SDRAM là bao nhưng lại đắt hơn rất nhiều nên có rất ít người dùng

DRAM (Dynamic RAM): RAM động

RDRAM

DRAM (Dynamic RAM): RAM động

RDRAM

SDRAM

DRAM (Dynamic RAM): RAM động

RDRAM

SDRAM

Viết tắt của Synchronous Dynamic RAM – RAM động đồng bộ

SDRAM đã trải qua 5 thế hệ: SDR, DDR, DDR2, DDR3, DDR4

DRAM (Dynamic RAM): RAM động

RDRAM

SDRAM

DRAM (Dynamic RAM): RAM động

DRAM (Dynamic RAM): RAM động

DRAM (Dynamic RAM): RAM động

RDRAM

SDRAM

SDR SDRAM (Singel Data Rate SDRAM)

Có 168 chân

Bus speed chạy cùng vận tốc với clock speed của memory chip

DDR SDRAM (Double Data Rate SDRAM)

Truyền được hai khối dữ liệu trong một xung nhịp Có khả năng chuyển hai dòng dữ liệu trên mỗi chu kỳ đồng hồ, theo lý thuyết đem lại cho nó hai lần băng thông so với tốc độ đỉnh của SDRAM trước đó trong khi chạy ở cùng một chu kì

d

zzzz: băng thông tối đa

Danh sách tốc độ chung cho từng thế hệ

Tốc độ

Điện áp

DDR DDR2 DDR3 DDR4 0

0.5 1 1.5 2 2.5

3 2.5

Thời gian trễ

Thời gian trễ hay CAS Latency (CL)

Là khoảng thời gian mà mạch điều khiển bộ nhớ phải đợi từ lúc yêu cầu lấy dữ liệu cho đến lúc dữ liệu thực sự được gửi tới đầu ra

Đơn vị của CL là chu kỳ xung nhịp

Ví dụ một bộ nhớ có CL3 tức là mạch điều khiển bộ nhớ phải đợi 3 chu kỳ xung nhịp từ lúc truy vấn cho đến khi dữ liệu được gửi Vì thế cần sử dụng những Module có CL thấp nhất

có thể

Latency

Thời gian trễ

Thường thì nhà sản xuất sẽ công bố Timings bộ nhớ theo dạng một dãy số được phân chia bởi dấu gạch ngang (như 5-5-5-5, 7-10-10-10…) Thời gian trễ CAS Latency thường là số đầu tiên trong chuỗi

Điểm đầu cuối trở kháng

Với bộ nhớ DDR, điểm cuối trở kháng có điện trở đặt trên bo mạch chủ, còn trong DDR2, DDR3 và DDR4 thì điểm cuối này nằm bên trong chip bộ nhớ - ngôn ngữ kỹ thuật gọi là ODT ( On-Die Terminal)

Việc này giúp tín hiệu trở nên “sạch hơn “

Ít bị nhiễu hơn do hạn chế tín hiệu phản xạ tại những điểm đầu cuối

Điểm đầu cuối trở kháng

Tín hiệu bên phải rõ ràng sẽ trong hơn và ổn định hơn bên tay trái

Trong ô màu vàng bạn có thể so sánh chênh lệch về khung thời gian – tức thời gian mà bộ nhớ cần đọc hay ghi một phần dữ liệu

Khi sử dụng ODT, khung thời gian này sẽ rộng hơn, cho phép tăng xung nhịp bởi bộ nhớ có nhiều thời gian đọc hoặc ghi dữ liệu hơn

So sánh giữa điểm kết trên bo mạch chủ và ODT

Khía cạnh hình thức bên ngoài

Khía cạnh hình thức bên ngoài

Kiểu đóng gói

Tất cả các chip DDR2, DDR3 và DDR4 đều đóng gói kiểu BGA, còn DDR thì đóng gói kiểu TSOP

3

DDR2, DDR3, DDR4 đóng gói kiểu BGA

Chip DDR gần như lúc nào cũng đóng gói kiểu TSOP