A. Câu hỏi phần BJT. 3.1. Giới thiệu về BJT. 1. Ba điện cực của BJT là gì ? a. phát emitter, gốc base, góp collector. c. nguồn source, cổng gate, máng drain. Website: WWW.BeautifulLife.Cwahi.net b. T1, T2, T3. d. emitter, gate, collector. 2. Mũi tên trong ký hiệu mạch của BJT luôn luôn chỉ vào loại vật liệu nào ? a. dạng P; b. dạng N; c. dạng base; 3. Các BJT được phân loại thành . . . . a. các dụng cụ PPN và PIN. b. NPN và PNP. c. các dụng cụ NNP và PPN. d. dạng N và dạng P. 4. Ký hiệu mạch của transistor PNP là . .b . . 3.2. Cấu tạo của BJT. 5. Có bao nhiêu tiếp giáp PN trong BJT? d. dạng PN. a. 0. b. 1. c. 2. d. 3. e. 4. 6. Loại vật liệu nào là vùng base của transistor PNP? a. dạng P. b. dạng N c. dạng base. d. dạng PN. 7. So với vùng collector và emitter, vùng base của BJT là . . . . a. rất dày. b. rất mõng. c. rất mềm. d. rất cứng. 8. Trong một BJT, dòng base là . . . . . . . . . . . . . . . . . . khi được so với hai dòng collector và emitter.. a. nhỏ. b. lớn. c. nhanh. d. chậm. 9. Một BJT có cấu tạo để vùng base của nó rất mõng và . . . . .. a. được pha tạp đậm. b. được pha tạp như vùng collector. c. được pha tạp loãng. d. được pha tạp như vùng emitter. 10. Dòng collector của BJT luôn luôn . . . . a. nhỏ hơn nhiều so với dòng emitter của BJT. b. nhỏ hơn so với dòng base. c. bằng dòng emitter. d. bằng dòng emitter trừ dòng base. 11. Trong hoạt động thông thường của transistor NPN, phần lớn điện tử di chuyển vào cực emitter .
Trang 1a phát [emitter], gốc [base], góp [collector].
c nguồn [source], cổng [gate], máng [drain]
b T1, T2, T3.
d emitter, gate, collector
2 M ũi tên trong ký hiệu mạch của BJT luôn luôn chỉ vào loại vật liệu nào ?
3 Các BJT được phân loại thành
3.2 Cấu tạo của BJT.
9 Một BJT có cấu tạo để vùng base của nó rất mõng và
10 Dòng collector của BJT luôn luôn
a nhỏ hơn nhiều so với dòng emitter của BJT b nhỏ hơn so với dòng base
11 Trong hoạt động thông thường của transistor NPN, phần lớn điện tử di chuyển vào cực emitter
Trang 2.
a ra khỏi transistor thông qua cực collector
c sẽ được hấp thụ bởi transistor
b ra khỏi transistor thông qua cực base
d không phải các trường hợp trên
a IE = IB + b IC = IB + IE c IE = IB + IC d IB = IE + IC
13 Tỷ số của dòng collector và dòng base được gọi là
Trang 33.3 Chuyển mạch bằng BJT.
15 Khi một chuyển mạch bằng BJT đang dẫn, thì dòng collector sẽ được giới hạn bởi
3.4 Trang số liệu và các thông số của BJT.
d 0,7V
17 Ba thông số quan trọng của BJT là beta, công suất tiêu tán lớn nhất, và
19 Khi mạch khuyếch đại bằng BJT được phân cực đúng để hoạt động ở chế độ A, thì
a tiếp giáp base - emitter được phân cực thuận và tiếp giáp base - collector được phân cực ngược;
b tiếp giáp base - emitter được phân cực ngược và tiếp giáp base - collector được phân cực ngược;
c tiếp giáp base - emitter được phân cực thuận và tiếp giáp base - collector được phân cực thuận;
d tiếp giáp base - emitter được phân cực ngược và tiếp giáp base - collector được phân cực thuận
20 Để mạch khuyếch đại hoạt động ở chế độ A, thì tiếp giáp base - collector của BJT cần phải
3.6 Phân tích tín hiệu ở mạch khuyếch đại phân cực base.
23 Trở kháng vào của mạch khuyếch đại phân cực base sẽ bằng
a 1k ;
24 Trở kháng ra của mạch khuyếch đại phân cực base sẽ bằng
a Rc; b tỷ lệ nghịch với beta; c tỷ lệ thuận với beta; d 1k
25 Độ lệch pha giữa hai tín hiệu vào và ra của mạch khuyếch đại phân cực base bằng
Trang 43.7 Phép đo trở kháng vào và ra.
27 Trở kháng vào của một mạch khuyếch đại bằng transistor có thể đo được bằng cách sử dụng
a đồng hồ đo điện trở [ohmmeter]; b đồng hồ đo trở kháng;
28 Trở kháng ra của một mạch khuyếch đại bằng transistor có thể đo được bằng cách sử dụng
a đồng hồ đo điện trở [ohmmeter]; b đồng hồ đo trở kháng;
3.8 Họ đặc tuyến ra của BJT.
29 Họ đặc tuyến ra của BJT là đồ thị của
a dòng base theo điện áp collector - emitter; b dòng collector theo điện áp base
-emitter;
c dòng collector theo điện áp collector - emitter; d dòng emitter theo điện áp base - emitter
3.9 Sai hõng trong mạch BJT.
30 Khi kiểm tra một BJT tốt bằng đồng hồ đo điện trở, thì BJT sẽ biểu hiện
a sẽ biểu hiện tỷ số điện trở thuận - nghịch cao trên cả hai tiếp giáp;
b sẽ biểu hiện tỷ số điện trở thuận - nghịch cao trên tiếp giáp collector - base;
c sẽ biểu hiện tỷ số điện trở thuận - nghịch cao trên tiếp giáp emitter - base;
d không phải các ý trên
31 Khi đầu que dương của một đồng hồ đo điện trở [ohmmeter] được nối đến base, còn đầu que
âm được nối đến collector của một transistor NPN, thì giá trị điện trở đo được là bao nhiêu ?
32 Khi đầu que âm của một ohmmeter được nối đến cực base và đầu que dương được nối đến cực emitter của một transistor NPN, thì giá trị điện trở đo được là bao nhiêu ?
33 Điện trở đo được giữa hai cực collector và emitter của một transistor tốt là bao nhiêu ?
35 Điện áp trên collector của transistor ở mạch hình 3.40b là bao nhiêu ?
d 15V
Trang 536 Mức điện áp DC trên collector của transistor ở mạch hình 3.41, là bao nhiêu ?
Trang 62 Nếu dòng base là 30 A và dòng collector là 4mA, thì giá tr ị của dòng emitter là bao nhiêu?
IE= IB+ IC= 0.03 + 4 = 0.43 mA
3 Nếu dòng base là 20 A và dòng collector là 4mA, thì giá trị của
beta là bao nhiêu ?
β = IC/ IB= 4/0.02 = 200
4 Nếu transistor ở mạch hình 3.43, được dùng như một chuyển
m ạch Hãy tính điện áp tại collector khi transistor dẫn.
Khi trans dẫn thì
VC= 0.2 V
5 Tính điện áp collector khi transistor ở mạch hình 3.43, ngưng dẫn.
Khi trans ngưng dẫn thì
VC= VCC= 20 V
6 Nếu của transistor trong mạch hình 3.43, bằng 50, thì trị số điện
áp nhỏ nhất cần thiết tại đầu vào để transistor bão hoà là bao nhiêu ?
C CC C 3 = 4 mA) I = I /B C β = 4/50 = 0.08
mA
( thực ra trong trạng thái bão hòa thì VCgiảm xuống 0.2V và VRc= VCC
– 0.2, nhưng nhỏ nên ta không xét)
8 Trong mạch hình 3.43, giả sử dòng collector là 4mA, và dòng vào là 0,5mA, nếu tăng dòng vào
lên 1mA, thì dòng collector sẽ bằng bao nhiêu ?
Khi tín hiệu dòng vào bằng 0.5mA thì mạch đã hoạt động ở trạng thái dẫn bảo hòa, nên khi tăng
dòng vào lên 1mA thì cũng không làm dòng ICthay đổi nên IC= 4mA
9 Nếu điện áp "mở" [on] tại đầu vào được cho là 3,7V, thì trị số điện trở vào lớn nhất có thể sử dụng để nhận được sự bão hoà ở mạch hình 3.43 là bao nhiêu ? (min= 50).
Ta có : IC= VCC/RC= 20/5000 = 4 mA IB= IC/β = 4/50 = 0.08 mA
Suy ra giá trị điện trở có thể sử dụng là Rb= (VBB – VBE)/IB = (3.7 – 0.7 )/(0.08*10 3) = 37.5 kΩ
10 Hãy tính các trị số yêu cầu dưới đây đối với mạch ở hình 3.44JC ( = 80).
Trang 711 Cần phải thay đổi giá trị điện trở Rb(775k ) ở mạch hình 3.44JC
để tạo ra điện áp collector bằng 10V ( = 80).
Vậy : VRc= ICRc= 4.536*10 -3*3.3*10-3= 14.97 V
VC= VCC– VRc= 15 - 14.97 =0.03 V
Ta có : IB= (15 – 0.7)/600000 = 0.0238 mA IC= βIB= 200*0.0238 = 4.76 mA
Vậy giá trị Rclà : Rc= (VCC– VC)/IC= (15 – 7.5)/4.76*10 -3= 1.57 kΩ
IE= IB+ IC= 1.5 + 0.01 = 1.51 mA
Vậy : re' = 25mV/IE= 25/1.51 = 16.6 Ω
Zin = Rb// βre= (1.43*10 6 *150*16.6) / (1.43*10 6 + 150*16.6) = 2486 Ω
Zout= Rc= 5 kΩ
Trang 9Giải tương tự bài 19
C Câu hỏi phần mạch BJT.
4.1 Giới thiệu.
1 Tại sao cần phải ổn định mạch khuyếch đại bằng BJT để chống lại sự thay đổi ở beta ?
a do beta thay đổi theo nhiệt độ, b do beta thay đổi theo sự thay đổi ở các tụ ghép tầng;
c do beta khác nhau trong các BJT cùng loại; d cả a và c
2 Giá trị beta điển hình của một transistor có thể xem xét là
a + 50% và - 50%;
-3 Nếu beta thay đổi, thì sự thiếu ổn định điểm phân cực trong mạch khuyếch đại như thế nào ?
4.2 Phân cực phân áp.
v ới dòng base của transistor ?
a dòng base không chảy qua Rb1hoặc Rb2;
b dòng base nhỏ so với dòng chảy qua Rb1và Rb2;
c chỉ có dòng emitter ảnh hưởng đến dòng chảy qua Rb1và Rb2;
d tụ nối tầng (tụ ghép tầng) chặn dòng base chảy qua mạch phân áp
5 Trong các mạch khuyếch đại phân cực phân áp, sự chênh lệch điện áp giữa emitter và base luôn
7 Trong các mạch khuyếch đại phân cực phân áp, điện áp collector được tính bằng cách
a nhân dòng collector với điện trở collector; b nhân dòng collector với điện trở tải;
c cộng điện áp base với điện áp emitter; d trừ sụt áp trên điện trở collector khỏi điện
áp nguồn
4.3 Các tham số tín hiệu của mạch phân cực phân áp.
8 Mạch phân cực phân áp độc lập với beta, nhưng phải trả giá cho sự không phụ thuộc với beta là
gì ?
c suy giảm hệ số khuyếch đại điện áp; d cả b và c
Trang 119 Khi tính trở kháng vào, hai điện trở base (Rb1và Rb2) xuất hiện dưới dạng với các linh
kiện khác.
chiều nhau
10 Điện trở động của tiếp giáp base - emitter là được mắc
a nối tiếp với điện trở tín hiệu ở nhánh base; b song song với điện trở tín hiệu ở nhánh
base;
c song song với điện trở tín hiệu ở nhánh emitter; d nối tiếp với điện trở tín hiệu ở nhánh
emitter
11 Trở kháng ra của mạch khuyếch đại emitter chung sẽ bằng
c điện trở collector mắc song song với điện trở tải; d beta lần điện trở collector
4.4 Các thay đổi ở mạch khuyếch đại phân cực phân áp.
12 Kiểu mạch khuyếch đại phân cực phân áp nào có trở kháng vào cao nhất ?
a được rẽ mạch tụ toàn bộ; b phân tách điện trở emitter; c không được rẽ mạch tụ; d tất cả các ý
trên
13 Kiểu mạch khuyếch đại phân cực phân áp nào có trở kháng ra cao nhất ?
a được rẽ mạch tụ toàn bộ; b phân tách điện trở emitter; c không được rẽ mạch tụ; d tất cả các
ý trên
14 Kiểu mạch khuyếch đại phân cực phân áp nào có hệ số khuyếch đại cao nhất ?
a được rẽ mạch tụ toàn bộ; b phân tách điện trở emitter; c không được rẽ mạch tụ; d tất cả các
ý trên
15 Kiểu mạch khuyếch đại phân cực phân áp nào có méo dạng ít nhất ?
a được rẽ mạch tụ toàn bộ; b phân tách điện trở emitter; c không được rẽ mạch tụ; d tất cả các
ý trên
4.5 Mạch khuyếch đại phân cực emitter.
16 Điện áp base tại điểm tĩnh của mạch khuyếch đại phân cực emitter thường bằng
17 Nhược điểm của mạch khuyếch đại phân cực emitter khi so với mạch khuyếch đại phân cực
phân áp là mạch khuyếch đại phân cực emitter yêu cầu
không phải các ý
trên
18 Hệ số khuyếch đại điện áp của mạch khuyếch đại phân cực emitter là
a phụ thuộc vào beta;b được tính bằng công thức chung như đối với mạch khuyếch đại phân cựcphân áp;
c bằng với x re d luôn luôn cao hơn so với hệ số khuyếch đại điện áp của mạch kh đại phân cựcphân áp
4.6 Mạch khuyếch đại phân cực hồi tiếp kiểu điện áp.
19 Các mạch khuyếch đại phân cực hồi tiếp kiểu điện áp thực tế thích hợp cho làm việc với
Trang 1220 Trở kháng vào của mạch khuyếch đại phân cực hồi tiếp kiểu điện áp bị ảnh hưởng bởi
a giá trị công suất trên điện trở collector; b hệ số khuyếch đại điện áp của bộ khuyếchđại;
c giá trị điện trở của điện trở hồi tiếp; d cả b và c
4.7 Mạch khuyếch đại nhiều tầng ghép RC.
21 Tại sao cần phải biết trở kháng vào của mỗi tầng trong một bộ khuyếch đại nhiều tầng ?
a do trở kháng vào toàn mạch là tích của trở kháng vào của mỗi tầng;
b do hệ số khuyếch đại điện áp của một tầng bị tác động bởi trở kháng vào của tầng tiếp theo ;
22 Một trong những ưu điểm chính của việc sử dụng các tụ ghép giữa các tầng là gì ?
a các tụ ghép cho phép mạch khuyếch đại nhiều tầng truyền các tín hiệu DC;
b các tụ ghép tầng cho phép các mạch phân cực trong mổi tầng độc lập nhau;
c các tụ ghép tầng rẽ mạch điện trở emitter nên làm tăng hệ số khuyếch đại; d cả b và c
23 Hệ số khuyếch đại điện áp toàn bộ của mạch khuyếch đại nhiều tầng sẽ bằng với
d trnc trở kháng vào của tầng đầu tiên;25 Tra tổng trở kháng ra của mổi tầng;ở
kháng ra của mổi tầng;c trở kháng ra của tầng đầu tiên;4.8 Các tụ điện ghép tầng và rẽ mạch.26
Trị số điện dung của các tụ rẽ mạch và ghép tầng là một trong những yếu tố chính khi xác định .
.
a tần số cắt thấp;b hệ số khuyếch đại điện áp;
Trang 13a 1 ; b 10 ; c 100 ; d 1k ; e 10k
4.9 Các bộ khuyếch đại ghép trực tiếp.
28 Các mạch khuyếch đại ghép trực tiếp có ưu điểm hơn các mạch khuyếch đại ghép RC là ở chổ chúng có thể khuyếch đại
29 Trong thực tế các bộ khuyếch đại ghép trực tiếp có thể dễ bị ảnh hưởng với vấn đề
4.10 Sai hỏng của các mạch bằng transistor.
Trang 1430 Điện áp đo được trên collector của Q1trong m ạch hình 4.24JC, vào khoảng 20VDC,
Trang 17Vậy re= r'e+ Re= 6.45 + 800 = 806.45 Ω
Zin= rb//(βre) = 6316*100*6,45 / (6316 + 100*6,45) =
584 ΩAV= rc/re= 1200 / 6.45 = 186
Vout= AVVin= 186*20mVp-p= 3,72 Vp-p
3 Cho mạch ở hình 4.27JC, hãy tính,
Vc=10.25 V; VB= 3,8 V; VE= 3.1 V; VCE= 7,15 V; zin= 3,9 kΩ; zout= 2 kΩ; Vout= 3,72 Vp-p;
Tính tương tự như trên, các thông số VC,VB,VE,VCE,Zoutgiữ nguyên
Nhưng rethay đổi re= re’ + Re= 100 + 6,45 = 106,45Ω vì REbị nối tắt bởi tụ C
Zin= rb//(βre) = 6316*100*106,45 / (6316 + 100*106,45) = 3,9 kΩ
AV = rc/re = 1200 / 106.45 = 11,3
Vout= AVVin= 11,3*20mVp-p= 226 mVp-p
Trang 184 Mức tín hiệu lớn nhất để có thể cung cấp tại đầu vào của mạch ở hình 4.27JC, trước khi tín hiệu
ra bắt đầu bị xén là bao nhiêu ?
5 Nếu tần số làm việc thấp nhất là 100Hz, hãy chọn trị số cho
Điện trở nội tiếp giáp : r'e= 25mV/IE= 25/2= 12,5 Ω
Vậy re= r'e+ Re= 12,5 + 300 = 312,5 Ω
Trang 19Tính tương tự riêng rẻ cho từng tầng
tương tự như bài số 5 trong đó :
C1nối tiếp Zin1 XC1= 380 Ω C1= 1/( 2000Л*380 ) = 0,42 µF
C2 nối tiếp Zin2 XC2 = 100 Ω C2 = 1/( 2000Л*100 ) = 1,6 µ F
C3nối tiếp RL2 XC3= 100 Ω C3= 1/( 2000Л*100 ) = 1,6 µ F
C4 nối tiếp re1 XC4 = 8,2Ω C4 = 1/( 2000Л*8,98 ) = 17,7 µ F
C5nối tiếp re2 XC5= 2,2Ω C5= 1/( 2000Л*2,4 ) = 65,2 µ F
9 Hãy tính các trị số yêu cầu dưới đây đối với mạch ở hình 4.30JC,
tính tương tự riêng rẻ cho từng tầng
1 Trong mạch khuyếch đại collector chung, cực collector
2 Mạch khuyếch đại collector chung có thể sử dụng kiểu phân cực
3 Cấu hình collector chung có
a trở kháng vào cao và trở kháng ra thấp; b trở kháng vào thấp và trở kháng ra bằng
Trang 20c trở kháng vào cao và trở kháng ra bằng Rc; d ngoài các trường hợp trên
4 Hệ số khuyếch đại điện áp của mạch collector chung là
5.2 Hệ số khuyếch đại dòng điện và công suất.
5 Hệ số khuyếch đại công suất của một mạch có thể tính được bằng phép nhân .
c hệ số khuyếch đại điện áp với hệ số khuyếch đại dòng; d công suất vào và công suất ra
6 Cấu hình BJT nào cho sự khuyếch đại công suất ?
a emitter chung;
trên
5.3 Cặp Darlinhton.
7 C ặp Darlington thay cho transistor thông thường trong mạch collector chung sẽ
hơn;
c thay đổi điện áp phân cực emitter bằng 0,7V; d tất cả các ý trên
8 Nếu cặp Darlington được lắp bằng hai transistor với mổi transistor bằng 40, thì mạch
5.4 Tầng collector chung trong mạch khuyếch đại nhiều tầng.
10 Thông thường, tầng collector chung là tầng cuối cùng trước tải Chức năng chính của tầng collector chung là để
a cho khuyếch đại điện áp; b làm bộ đệm cho các bộ khuyếch đại điện áp khỏi điện trở
5.5 Các mạch khuyếch đại base chung.
12 Cấu hình base chung có
a trở kháng vào cao và trở kháng ra thấp;
c trở kháng vào cao và trở kháng ra bằng Rc;
b trở kháng vào thấp và trở kháng ra bằng Rc;
d ngoài các ý trên
13 Hệ số khuyếch đại dòng của mạch base chung là
5.6 So sánh các cấu hình của mạch khuyếch đại.
d bằng
Trang 2114 Cấu hình emitter chung có
a trở kháng vào cao và trở kháng ra thấp;
Rc;
b trở kháng vào thấp và trở kháng ra bằng
c trở kháng vào trung bình và trở kháng ra bằng Rc; d ngoài các trường hợp trên
15 Khi BJT được mắc theo cấu hình base chung, thì mạch có khả năng cung cấp
a hệ số khuyếch đại điện áp và công suất;
suất;
b hệ số khuyếch đại dòng điện và công
c hệ số khuyếch đại dòng điện, điện áp và công suất; d chỉ có hệ số khuyếch đại điện áp
16 Khi BJT được mắc theo cấu hình collector chung, thì mạch có khả năng cung cấp
suất;
c hệ số khuyếch đại dòng điện, điện áp và công suất; d chỉ có hệ số khuyếch đại điện áp
17 Khi BJT được mắc theo cấu hình emitter chung, thì mạch có khả năng cung cấp
suất;
c hệ số khuyếch đại dòng điện, điện áp và công suất; d chỉ có hệ số khuyếch đại điện áp
5.7 Nguồn dòng điện.
chảy qua tải là bao nhiêu ?
5.8 Mạch khuyếch đại vi sai.
21 Một mạch khuyếch đại vi sai được thiết kế với nguồn dòng hằng 10mA, nguồn cung cấp 12V,
và điện trở ở nhánh collector (Rc) cho cả hai BJT là 1k Cả hai đầu vào được thiết lập là 100mV.
Mức chênh lệch điện áp đo được giữa hai hai đầu ra collector của transistor là bao nhiêu ?
22 Một mạch khuyếch đại vi sai được thiết kế với nguồn dòng hằng 10mA, nguồn cung cấp 12V,
và điện trở ở nhánh collector (Rc) cho cả hai BJT là 1k Cả hai đầu vào được thiết lập là 100mV.
Mức điện áp đo được trên collector của một trong hai đầu ra của transistor so với đất là bao nhiêu ?
5.9 Sai hỏng trong các mạch BJT.
năng xảy ra nhất đối với mạch là gì ?
c transistor bị ngắn mạch tại tiếp giáp base - emitter; d mạch đang làm việc đúng chức năng