Bài tập kỹ thuật điện tử

Đặc tính độ dẫn điện của vật liệu bán dẫn làm cho các vật liệu bán dẫn rất hữu ích trong việc chế tạo nhiều cấu kiện điện tử để có biểu hiện đặc tuyến i-v phi tuyến..  Một trong những đ

1

2

Lưu ý:

 Mổi sinh viên hãy tự làm bài tập trực tiếp vào phần trắng trong tập này (khổ

giấy A4) Không sao chép bài giải của người khác

 Tài liệu tham khảo:

- [Dư Quang Bình] - Bài giảng Kỷ thuật điện tử, (2000)

- [Rizzoni G] - Principles and Applications of Electrical Engineering, (2004)



Khi cần liên hệ: Thầy Dư Quang Bình, 0905894666, hoặc: Email:

binhduquang@.gmail.com

 Thời hạn hoàn thành và nộp bài tập:

tại bm: K ỹ t h u ậ t Điện tử, Khoa Điện tử-Viễn thông, Trường Đại học Bách Khoa Đà Nẵng – 54 Nguyễn Lương Bằng, Quận Liên Chiểu, Tp Đà Nẵng (không chấp nhận sự chậm trể)

Chương 1: Vật liệu bán dẫn và diode

 Vật liệu bán dẫn có độ dẫn điện thuộc trong khoảng giữa độ dẫn điện của các chất dẫn điện và các chất cách điện Đặc tính độ dẫn điện của vật liệu bán dẫn làm cho các vật liệu bán dẫn rất

hữu ích trong việc chế tạo nhiều cấu kiện điện tử để có biểu hiện đặc tuyến i-v phi tuyến Trong

số các cấu kiện bán dẫn thì diode là một trong các cấu kiện thông dụng nhất

 Diode bán dẫn hoạt động giống như một van dẫn điện theo một chiều, cho phép dòng điện chảy chỉ khi được phân cực thuận Mặc dù hoạt động của diode được mô tả theo phương trình hàm mủ nhưng ta có thể xét gần đúng hoạt động của diode bằng các mô hình mạch đơn giản Mô hình mạch đơn giản nhất là xem diode như một ngắn mạch hoặc hở mạch (mô hình đóng-mở hay mô hình lý tưởng) Mô hình lý tưởng có thể được mở rộng để bao gồm cả nguồn điện áp ngưỡng (thường từ 0,2 V đến 0,7 V), đó là tương ứng với thế hiệu tiếp giáp tại tiếp giáp của diode Mô hình thực tế chi tiết hơn là mô hình diode chi tiết sẽ tính cả các ảnh hưởng của điện trở thuận của diode Bằng các mô hình mạch của diode ta có thể phân tích các mạch diode sử dụng trong kỹ thuật phân tích mạch DC và AC đã được khảo sát trong chương

 Một trong những đặc tính quan trọng nhất của diode bán dẫn là sự chỉnh lưu, tức là cho phép chuyển đổi các mức điện áp và dòng điện AC thành các mức điện áp và dòng điện DC Các mạch chỉnh lưu bằng diode có thể là kiểu bán kỳ hay có thể là kiểu toàn kỳ Các bộ chỉnh lưu toàn kỳ

có thể cấu trúc theo dạng mạch hai diode thông dụng hoặc mạch cầu Các mạch chỉnh lưu bằng diode là bộ phận chỉnh của các bộ nguồn cung cấp DC và thường được sử dụng kết hợp với các

tụ lọc để nhận được dạng sóng điện áp DC tương đối bằng phẳng Ngoài việc chỉnh lưu và lọc cũng cần phải ổn định mức điện áp ra của nguồn cung cấp DC; các diode Zener sẽ thực hiện nhiệm vụ ổn định điện áp bằng cách giữ mức điện áp không đổi khi mức điện áp phân cực ngược vượt trên mức điện áp Zener

 Ngoài các ứng dụng làm nguồn cung cấp, các diode còn được sử dụng trong nhiều mạch xử lý tín hiệu và điều hòa tín hiệu Trong đó có mạch xén bằng diode, mạch tách sóng bằng diode, và mạch ghim đã được khảo sát trong chương Hơn nửa, do các đặc tính của vật liệu bán dẫn cũng

bị tác dụng bởi cường độ sáng nên một số loại diode được gọi là photodiode, có ứng dụng làm

các mạch tách quang [light detector], pin mặt trời [solar cell], hay các diode phát-quang [LED]

4

1.1 Trong vật liệu bán dẫn, điện tích thực bằng 0, điều này cần phải có mật độ điện tích dương cần

bằng với mật độ điện tích âm Cả hai loại hạt tải điện (điện tử và lỗ trống tự do) và các nguyên tử tạp chất bị ion hóa có điện tích bằng về độ lớn điện tích của một điện tử Do vậy, phương trình trung hòa về điện tích (CNE – charge neutrality equation) là:

0

trong đó:

a

N = nồng độ chất nhận [acceptor] bị ion hóa

d

N = nồng độ chất cho [donor] bị ion hóa

Phương trình tích hạt tải điện (CPE – carrier product equation) phát biểu rằng, khi một chất bán dẫn được pha tạp thì tích của nồng độ hạt tải điện vẫn không đổi:

Vật liệu bán dẫn dạng-n hay –p là tùy thuộc vào nồng độ tạp chất donor hay acceptor lớn hay

không Phần lớn các nguyên tử tạp chất bị ion hóa tại nhiệt độ phòng Nếu silicon thuần được pha tạp:

17 3

110cm

N N  ; N D = 0 Hãy xác định:

a Đây là bán dẫn tạp dạng-p hay –n?

b Hạt tải điện đa số và thiểu số là loại nào?

c Nồng độ hạt tải điện đa số và thiểu số

1.2 Nếu silicon thuần được pha tạp:

17 3

110cm

b Hạt tải điện đa số và thiểu số là loại nào?

c Nồng độ hạt tải điện đa số và thiểu số

1.3 Hãy mô tả vi cấu trúc của các loại vật liệu bán dẫn Ba loại thông dụng nhất được sử dụng là loại

vật liệu bán dẫn nào?

1.4 Hãy giải thích nhiệt năng làm phát sinh các hạt tải điện trong chất bán dẫn và nhiệt độ sẽ hạn chế

hoạt động của cấu kiện bán dẫn như thế nào

1.5 Hãy mô tả các đặc tính của các tạp chất cho [donor], chất nhận [acceptor] và ảnh hưởng của

chúng đến nồng độ của các hạt tải điện trong vật liệu bán dẫn

1.6 Mô tả sơ lược hoạt động của các hạt tải điện và các nguyên tử tạp chất được ion hóa ở lân cận

tiếp giáp pn của cấu kiện bán dẫn để tạo nên rào thế có khuynh hướng chặn các hạt tải điện di

chuyển ngang qua tiếp giáp

1.7 Hình 5.41 thể hiện đặc tuyến của một diode Loại

vật liệu bán dẫn nào được dùng trong chế tạo

diode? Giải thích

1.8 Sử dụng đặc tuyến ở hình 5.41 để xác định điện trở

của diode khi (a) VF = 0, 65 V và (b) IF= 4 mA

6

1.9 Số liệu sau được cho là đo trên một diode tín hiệu:

Hãy vẽ đặc tuyến và sử dụng đặc tuyến để xác định:

(a) Dòng thuận khi VF= 350 mV;

(b) Điện áp thuận khi IF = 15 mA

1.10 Một diode có số hiệu là ‘BZY88C9V1’ Đây là loại diode gì ? Điện áp định mức của diode?

Cho biết một ứng dụng của diode

1.13 Cho diode ở mạch hình P1.9 yêu cầu mức dòng nhỏ nhất là 1 mA trên mức dòng khuỷu ở đặc

tuyến i-v của diode

a Trị số điện trở của R để thiết lập mức dòng 5 mA trong mạch cần phải bằng bao nhiêu ?

b Với trị số của R đã xác định được ở phần (a), trị số nhỏ nhất để điện áp E có thể bị giảm xuống

và vẫn duy trì mức dòng của diode trên mức dòng khuỷu là bao nhiêu ? Sử dụng diode có:

V = 0,7 V

1.14 Mạch ở hình P1.10 có nguồn cung cấp sóng sin 50

Vrms Sử dụng mô hình diode thực tế cho diode

a Mức dòng thuận lớn nhất là bao nhiêu ?

b Hãy tính mức điện áp ngược đỉnh (PIV) trên diode ?

1.15 Hãy xác định diode nào được phân cực thuận và diode nào được phân cực ngược trong từng

Giả sử sụt áp trên mỗi

diode được phân cực

1.19 Nếu diode trong mạch hình P1.15, là được chế tạo từ silicon và có:

/( v D V T 1)

Sử dụng sự chồng chập và mô hình thực tế của diode, hãy xác định thông số DC hay mức dòng

tại điểm-Q của diode

1.21 Hãy thiết kế mạch chỉnh lưu cầu toàn kỳ cho một bộ nguồn cung cấp Biến giảm áp đã được chọn

sẵn Biến áp cung cấp mức điện áp 12 V rms đến mạch chỉnh lưu Bộ chỉnh lưu toàn kỳ thể hiện

ở mạch hình P1.24

a Nếu các diode có mức điện áp ngưỡng là 0,6 V, vẽ dạng sóng điện áp nguồn đầu vào, v S (t); và dạng sóng điện áp ra, v L (t); và cho biết diode nào dẫn và diode nào ngưng dẫn trong các chu

kỳ phù hợp của v S (t) Tần số của nguồn là 50 Hz

b Nếu R L = 1 000  và tụ điện được mắc song song với R L để lọc có trị số là 8 µF, vẽ dạng sóng

điện áp đầu ra, v L (t)

c Lặp lại câu (b), với tụ có điện dung là 100 µF

10

1.22 Trong bộ nguồn chỉnh lưu toàn kỳ như thể hiện ở hình

P1.25, các diode có số hiệu là 1N4001 có thông số điện áp

ngược đỉnh (PIV) là 25 V Các diode được chế tạo từ

silicon

Vline = 170 cos (377t) V

a Hãy xác định mức điện áp ngược đỉnh thực tế trên mỗi diode

b Hãy giải thích tại sao các diode đó phù hợp hoặc không

phù hợp với các thông số đã cho

1.23 Các diode trong bộ nguồn DC toàn kỳ như mạch ở hình P1.25, đều là silicon Nếu:

Hãy xác định các giá trị của:

1.25 Trong bộ nguồn chỉnh lưu toàn kỳ như thể hiện ở

hình P1.31, các diode là 1N4001 có thông số điện

áp ngược đỉnh (PIV) là 50 V Các diode được chế

tạo từ silicon Vline = 170 cos (377t) V;

a Xác định điện áp ngược đỉnh thực tế trên mỗi diode

b Hãy giải thích tại sao các diode đó phù hợp hoặc

không phù hợp với các thông số đã cho

1.26 Trong bộ nguồn chỉnh lưu toàn kỳ như thể hiện ở hình P1.31, các diode là 1N4001 có thông số

điện áp ngược đỉnh (PIV) là 10 V Các diode được chế tạo từ silicon

Vline = 156 cos (377t) V; n = 0,04231; V r = 0,2 V; I L = 2,5 mA; V L = 5,1 V;

a Xác định mức điện áp ngược đỉnh thực tế trên mỗi diode

b Hãy giải thích tại sao các diode đó phù hợp hoặc không phù hợp với các thông số đã cho

1.28 Hãy xác định trị số nhỏ nhất và trị số lớn nhất để điện trở mắc nối tiếp có thể có trong mạch ổn

định mà điện áp đầu ra của mạch là 25 V, điện áp vào của mạch thay đổi từ 35 V đến 40 V, và mức dòng tải lớn nhất của mạch ổn định là 75 mA Diode Zener sử dụng trong mạch có thông số dòng lớn nhất là 250 mA

12

1.29 Trong mạch ổn định điện áp đơn giản như ở hình P1.40, R cần phải duy trì mức dòng của diode

Zener trong phạm vi các giới hạn quy định của diode đối với tất cả các giá trị của điện áp nguồn,

dòng tải, và điện áp của diode Zener Hãy tìm trị số nhỏ nhất và lớn nhất của R có thể sử dụng

V Z = 5 V ± 10%; r Z = 15 ; iZ min = 3,5 mA; iZ max = 65 mA; V S = 12 V ± 3 V; I L = 70 ± 20 mA

1.30 Trong mạch ổn định điện áp đơn giản như ở hình P1.40, R cần phải duy trì mức dòng của diode

Zener trong phạm vi các giới hạn quy định của diode đối với tất cả các giá trị của điện áp nguồn,

dòng tải, và điện áp của diode Zener Nếu:

V Z = 12 V ± 10%; r Z = 9 ; iZ min = 3,25 mA; iZ max = 80 mA; V S = 25 V ± 1,5 V;

I L = 31,5 ± 21,5 mA Hãy xác định trị số nhỏ nhất và lớn nhất của R có thể sử dụng

14

16

Chương 2: Transistor và mạch khuyếch đại

 Các transistor đều là các cấu kiện điện tử ba điện cực được chế tạo từ các chất bán dẫn, đó là các

cấu kiện có thể dùng làm các bộ khuyếch đại tuyến tính và các bộ chuyển mạch

 Transistor tiếp giáp bipolar (BJT) hoạt động như một nguồn dòng điện được điểu khiển bằng dòng điện, sự khuyếch đại dòng base nhỏ bằng một hệ số khoảng từ 20 đến 200 Nguyên lý hoạt

động của BJT có thể giải thích dựa trên các họ đặc tuyến i-v base-emitter và collector của cấu

kiện Các mô hình mạch tuyến tính tín hiệu-lớn có thể có được bằng cách xét transistor như một nguồn dòng điện được điều khiển

 Các transistor hiệu ứng trường (các FET) có thể được phân loại thành ba họ chính: các MOSFET tăng cường; các MOSFET nghèo; và các JFET Tất cả các FET hoạt động giống như các nguồn

dòng được điều khiển bằng điện áp Họ đặc tuyến i-v của FET về bản chất đều là phi tuyến, được

đặc trưng bằng sự phụ thuộc bậc hai của dòng máng vào điện áp cổng Các phương trình phi tuyến để giải thích các họ đặc tuyến máng của FET có thể được tóm tắt dưới dạng tập hợp các đặc tuyến chung cho mỗi loại

Các công thức quan trọng

Hệ số khuyếch đại điện áp:

out v in

v A v



Hệ số khuyếch đại dòng điện:

out i in

i A i



Hệ số khuyếch đại công suất:

out p in

P A P

1

A G

b

f fe

i h i

  



2.1 Hãy cho biết các đặc điểm của mỗi transistor có số hiệu ghi trên vỏ như sau:

2.2 Một transistor hoạt động với dòng collector là 2,5 A và dòng base là 125 mA Hãy xác định giá

trị dòng emitter và hệ số khuyếch đại dòng emitter-chung tĩnh, 

2.3 Một transistor hoạt động với dòng collector là 98 m A và dòng emitter là 103 mA Hãy xác định

giá trị dòng base và giá trị tĩnh của hệ số khuyếch đại dòng emitter-chung

2.4 BJT được sử dụng làm mạch điều khiển mà trong đó có dòng base là 12 mA Nếu tải yêu cầu

mức dòng là 200 mA, hãy xác định giá trị nhỏ nhất của hệ số khuyếch đại dòng emitter-chung yêu cầu

2.5 Một transistor NPN dùng để hoạt động với VCE = 10 V, IC = 50 mA, và IB = 400 A BJT nào

trong số các transistor được liệt kê ở bảng 5.10 là thích hợp nhất để sử dụng trong ứng dụng đó?

18

2.6 Một transistor được sử dụng để lắp trong bộ khuyếch đại tuyến tính Transistor có  max là 250

xác định giá trị của dòng phân cực base và độ thay đổi của dòng ra (dòng collector) theo độ thay đổi 5 µA ở dòng vào (dòng base)

2.8 Đặc tuyến ra của một transistor NPN thể hiện ở hình 5.00 Hãy sử dụng đặc tuyến này để xác

định:

(a) I khi C IB 100 μA va VCE = 4 V

(b) V khi CE IB 40 μA va = 5 mAIC

(c) I khi B IC 7 mA va VCE = 6 V

2.9 Đối với mỗi transistor ở hình P2.1, hãy xác định các tiếp giáp BE và BC nào là được phân cực

thuận và phân cực ngược, và xác định vùng làm việc của mỗi transistor

2.12 Các mức dòng emitter và dòng base của một transistor pnp là 6 mA và 0,1 mA tương ứng Điện

áp trên các tiếp giáp emitter-base và collector-base tương ứng là 0,65 V và 7,3 V Tính:

trên tiếp giáp BE

2.16 Nếu điện trở emitter ở bài tập 2.7 (hình P2.7) bị thay đổi trị số thành 22 k, thì điểm làm việc

của BJT sẽ thay đổi như thế nào ?

22

2.17 Họ đặc tuyến collector của một transistor như ở hình P2.9

a Hãy xác định tỷ số I C / I B tại V CE = 10 V, và I B = 100 µA; 200 µA; và 600 µA

b Sự tiêu tán công suất collector cho phép lớn nhất là 0,5 W tại I B = 500 µA Xác định V CE

[Gợi ý: Công suất tiêu tán tại collector có thể chấp nhận xấp xỉ bằng tích của dòng điện và điện

áp collector: P = I C V CE Trong đó, P là độ tiêu tán công suất cho phép trên transistor; I C là dòng

collector tĩnh; V CE là điện áp collector-emitter tại điểm làm việc.]

số của  tại điểm làm

việc này là bao nhiêu?

2.20 Cho mạch như ở hình P2.12, hãy kiểm chứng rằng transistor hoạt động ở vùng bảo hòa bằng cách

tính tỷ số của dòng collector đối với dòng base [gợi ý: Hãy tham khảo mô hình BJT tương ứng ở hình 2.22, V = 0.6 V; VSAT = 0,2 V]

2.22 Mạch ở hình P2.14, là tầng khuyếch đại emitter-chung Hãy

xác định đại lượng tương đương Thévenin cho phần mạch

gồm R1; R2; và V CC theo các đầu điện cực của R2 Vẽ lại

mạch theo cách sử dụng tương đương Thévenin

Trong đó: V CC = 20 V;  = 130; R1 = 1,8 M; R2 = 300 k;

R C = 3 k; R E = 1 k; R L = 1 k; R S = 0,6 k;

v S = 1 cos (6,28 x 103 t) mV

24

2.23 Mạch thể hiện ở hình P2.14, là một tầng khuyếch

đại emitter-chung được thực hiện bằng transistor

silicon npn Hãy xác định V CEQ và vùng làm việc của BJT Trong đó:

đại emitter-chung được thực hiện bằng transistor

silicon npn Hãy xác định V CEQ và vùng làm việc của BJT Trong đó:

V CC = 15 V;  = 100; R1 = 68 k; R2 = 11,7 k;

R C = 4 k; R E = 200 ;

R L = 1,5 k; R S = 0,9 k; v S = 1 cos (6,28 x 103 t) mV

2.25 Mạch thể hiện ở hình P2.17, là một tầng khuyếch đại

collector-chung (cũng được gọi là tầng lặp lại emitter) được

thực hiện bằng transistor silicon npn Hãy xác định V CEQ tại

vùng làm việc DC hay điểm Q Trong đó: V CC = 12 V;  =

130; R1 = 82 k; R2 = 22 k; R S = 0,7 k; R E = 0,5 k; R L

= 16 k

2.26 Mạch thể hiện ở hình P2.18, là một tầng khuyếch đại

emitter-chung được thực hiện bằng transistor silicon npn và

hai nguồn cung cấp điện áp DC (một nguồn dương và một nguồn âm) thay cho một nguồn Mạch phân cực DC được

kết nối đến base gồm một điện trở Hãy xác định V CEQ và

vùng làm việc của BJT Trong đó: V CC = 12 V; V EE = 4 V;

 = 100; R B = 100 k; R C = 3 k; R E = 3 k;

R L = 6 k; R S = 0,6 k; v S = 1 cos (6,28 x 103 t) mV

26

2.27 Mạch thể hiện ở hình P2.19, là một tầng khuyếch đại emitter-chung

được thực hiện bằng transistor silicon npn Mạch phân cực DC

được kết nối đến base gồm một điện trở; tuy nhiên, điện trở base

được mắc trực tiếp giữa base và collector Hãy xác định V CEQ và

vùng làm việc của BJT Trong đó:

V CC = 12 V;  = 130; R B = 325 k; R C = 1,9 k; R E = 2,3 k;

R L = 10 k; R S = 0,5 k; v S = 1 cos (6,28 x 103 t) mV

2.28 Mạch thể hiện ở hình P2.19, là một tầng khuyếch đại emitter-chung được thực hiện bằng

transistor silicon npn Hãy xác định V CEQ và vùng làm việc của BJT Trong đó:

V CC = 15 V; C = 0,5 µF;  = 170; R B = 22 k; R C = 3,3 k; R E = 3,3 k; R L = 1,7 k;

R S = 70 ; v S = 1 cos (6,28 x 103 t) mV

2.29 Sử dụng bảng số liệu của transistor 2N3819 cho ở hình 5.32 để xác định:

(a) Kiểu và loại cấu kiện

(b) Giá trị lớn nhất của điện áp máng-cổng

(c) Giá trị lớn nhất của dòng máng

(d) Giá trị lớn nhất của dòng cổng ngược

(e) Giá trị nhỏ nhất của độ điện dẫn truyền đạt thuận

(f) Giá trị lớn nhất của điện dung đầu vào

(g) Kiểu vỏ

Đáp số: JFET kênh-N; 25 V; 50 mA; 2 nA; 2 mS; 8 pF; 350 mW; TO-92

2.30 Đặc tuyến ra của một JFET kênh-N thể hiện ở hình 5.46 Hãy sử dụng đặc tuyến này để xác

28

2.31 Thể hiện ở hình P2.22, là các ký hiệu mạch của

MOSFET kiểu nghèo và kiểu tăng cường

Đối với MOSFET kiểu tăng cường có:

k = 0,56 mA/V2 và V GSTh = + 5 V

Đối với MOSFET kiểu nghèo có:

a Các MOSFET trên là cấu kiện kênh-p hay kênh-n?

b Cấu kiện kiểu nghèo là loại nào ? Cấu kiện kiểu tăng cường là loại nào ?

c Đối với mỗi cấu kiện, các điều kiện trạng thái để làm việc ở vùng bảo hòa thể hiện dưới dạng các điện áp theo cấu kiện và các điện áp ngưỡng hay điện áp thắt kênh đã cho ở trên là bao nhiêu?

2.32 Các transistor thể hiện ở hình

P2.23, có V T 3V Hãy xác

định vùng làm việc của mỗi

loại tương ứng

2.33 Đo điện áp tại ba điện cực của một

MOSFET kiểu tăng cường kênh-n có

các mức điện áp là 4 V; 5 V; và 10 V

so với đất Hãy vẽ ký hiệu mạch, với

các mức điện áp thích hợp tại mỗi

điện cực nếu cấu kiện là đang hoạt

động:

a ở vùng thuần trở [ ohmic ]

b ở vùng bão hòa

2.34 Một transistor NMOS kiểu tăng

cường có V GSTh = 2 V, cực nguồn của

nó được nối đất và có mức điện áp

2.38 Transistor NMOS kiểu tăng cường có V GSTh = 4 V; I D = 1 mA khi V GS = V DS = 6 V Bỏ qua sự

phụ thuộc của I D vào V DS ở vùng bão hòa, hãy xác định giá trị của I D theo V GS = 5 V

2.40 Mạch thể hiện ở hình P2.34, là một tầng khuyếch

đại nguồn-chung Hãy xác định điểm làm việc DC

và xác nhận rằng cấu kiện đang hoạt động ở vùng bão hòa

định điểm làm việc DC hay điểm Q và vùng làm

việc Trong đó:

I DSS = 7 mA; V GSOFF = -2,65 V; R G = 330 k;

V GG = 4,7 V; R D = 3,3 k; R S = 3,3 k; V DD = 15 V

R L = 1,7 k; C = 0,5 µF; R SS = 70 k

32

2.42 Mạch ở hình P2.35, là một tầng khuyếch đại

nguồn-chung, R G là một cấu kiện thực tế trong mạch và

V GG đã được loại bỏ (tức là thực hiện bằng 0) Việc

giải cụ thể cho điểm làm việc DC hay điểm-Q sẽ

2.43 Mạch ở hình P2.35, là một tầng khuyếch đại nguồn-chung, R G là một cấu kiện thực tế trong

mạch và V GG đã được loại bỏ (tức là đã được ngắn mạch) Việc giải cụ thể cho điểm-Q sẽ cho:

I DQ = 2,97 mA; V GSQ = - 3,56 V Hãy xác định trị số của R D để có V DSQ = 6 V

Trong đó: I DSS = 18 mA; V GSOFF = - 6 V; R G = 1,7 M; V DD = 20 V;

R S = 1,2 k; R L = 3 k; C = 0,5 µF; V GG = 0 V; v S (t) = 1 cos (6,28 x 103 t) V

34