bài tập kỹ thuật điện tử

Bằng các mô hình mạch của diode ta có thể phân tích các mạch diode sử dụng trong kỹ thuật phân tích mạch một chiều DC và xoay chiều AC đã được khảo sát trong chương..  Một trong những đ

Lưu ý:

 Mổi sinh viên hãy tự làm bài tập trực tiếp vào phần trắng trong tập này (khổ

giấy A4) Không sao chép bài giải của người khác

 Tài liệu tham khảo:

- [Dư Quang Bình] - Bài giảng Kỹ thuật điện tử, (2000)

- [Rizzoni G] - Principles and Applications of Electrical Engineering, (2004)

- [Michael Tooley] - Electronic Circuits - Fundamentals and Applications, 3rd

Edition - Elsevier Newnes, (2006)

Vật liệu và cấu kiện bán dẫn cơ bản

 Vật liệu bán dẫn có độ dẫn điện thuộc trong khoảng giữa độ dẫn điện của các chất dẫn điện và các chất cách điện Đặc tính độ dẫn điện của vật liệu bán dẫn làm cho các vật liệu bán dẫn rất

hữu ích trong việc chế tạo nhiều cấu kiện điện tử để có biểu hiện đặc tuyến i-v phi tuyến Trong

số các cấu kiện bán dẫn thì diode là một trong các cấu kiện thông dụng nhất

 Diode bán dẫn hoạt động giống như một van dẫn điện theo một chiều, cho phép dòng điện chảy chỉ khi được phân cực thuận Mặc dù hoạt động của diode được mô tả theo phương trình hàm mủ nhưng ta có thể xét gần đúng hoạt động của diode bằng các mô hình mạch đơn giản Mô hình mạch đơn giản nhất là xem diode như một ngắn mạch hoặc hở mạch (mô hình đóng-mở hay mô hình lý tưởng) Mô hình lý tưởng có thể được mở rộng để bao gồm cả nguồn điện áp ngưỡng (thường từ 0,2 V đến 0,7 V), đó là tương ứng với thế hiệu tiếp giáp tại tiếp giáp của diode Mô hình thực tế chi tiết hơn là mô hình diode chi tiết sẽ tính cả các ảnh hưởng của điện trở thuận của diode Bằng các mô hình mạch của diode ta có thể phân tích các mạch diode sử dụng trong kỹ thuật phân tích mạch một chiều (DC) và xoay chiều (AC) đã được khảo sát trong chương

 Một trong những đặc tính quan trọng nhất của diode bán dẫn là sự chỉnh lưu, tức là cho phép chuyển đổi các mức điện áp và dòng điện AC thành các mức điện áp và dòng điện DC Các mạch chỉnh lưu bằng diode có thể là kiểu bán kỳ hay có thể là kiểu toàn kỳ Các bộ chỉnh lưu toàn kỳ có thể cấu trúc theo dạng mạch hai diode thông dụng hoặc mạch cầu Các mạch chỉnh lưu bằng diode là bộ phận chỉnh của các bộ nguồn cung cấp DC và thường được sử dụng kết hợp với các tụ lọc để nhận được dạng sóng điện áp DC tương đối bằng phẳng Ngoài việc chỉnh lưu

và lọc cũng cần phải ổn định mức điện áp ra của nguồn cung cấp DC; các diode Zener sẽ thực hiện nhiệm vụ ổn định điện áp bằng cách giữ mức điện áp không đổi khi mức điện áp phân cực ngược vượt trên mức điện áp Zener

 Ngoài các ứng dụng làm nguồn cung cấp, các diode còn được sử dụng trong nhiều mạch xử lý tín hiệu và điều hòa tín hiệu Trong đó có mạch xén bằng diode, mạch tách sóng bằng diode, và mạch ghim đã được khảo sát trong chương Hơn nửa, do các đặc tính của vật liệu bán dẫn cũng

bị tác dụng bởi cường độ sáng nên một số loại diode được gọi là photodiode, có ứng dụng làm

các mạch tách quang [light detector], pin mặt trời [solar cell], hay các diode phát-quang [LED]

Độ tiêu tán công suất lớn nhất ở diode ổn áp:

out out

out

Δ

=Δ

V R

I

Độ ổn định điện áp vào (nguồn điện) của bộ nguồn cung cấp:

out V

in

Δ

= ×100%Δ

V Regulation = S

Các ký hiệu mạch của cấu kiện

Bài tập

1.1 Trong vật liệu bán dẫn, điện tích thực bằng 0, điều này cần phải có mật độ điện tích dương cần

bằng với mật độ điện tích âm Cả hai loại hạt tải điện (điện tử và lỗ trống tự do) và các nguyên tử tạp chất bị ion hóa có điện tích bằng về độ lớn điện tích của một điện tử Do vậy, phương trình trung hòa về điện tích [CNE – charge neutrality equation] là:

0

p Nn N trong đó:

n 0 = nồng độ hạt tải điện tích âm ở trạng thái cân bằng

p 0 = nồng độ hạt tải điện tích dương ở trạng thái cân bằng

a

N = nồng độ chất nhận [acceptor] bị ion hóa

d

N = nồng độ chất cho [donor] bị ion hóa

Phương trình tích hạt tải điện [CPE – carrier product equation] phát biểu rằng, khi một chất bán dẫn được pha tạp thì tích của nồng độ hạt tải điện vẫn không đổi:

Vật liệu bán dẫn dạng-n hay –p là tùy thuộc vào nồng độ tạp chất donor hay acceptor lớn hay

không Phần lớn các nguyên tử tạp chất bị ion hóa tại nhiệt độ phòng Nếu silicon thuần được pha tạp:

17 3

110cm

N N  ; N D = 0 Hãy xác định:

a Đây là bán dẫn tạp dạng-p hay –n?

b Hạt tải điện đa số và thiểu số là loại nào?

c Nồng độ hạt tải điện đa số và thiểu số

1.2 Nếu silicon thuần được pha tạp:

17 3

110cm

a Đây là bán dẫn tạp dạng-p hay –n?

b Hạt tải điện đa số và thiểu số là loại nào?

c Nồng độ hạt tải điện đa số và thiểu số

1.3 Hãy mô tả vi cấu trúc của các loại vật liệu bán dẫn Ba loại thông dụng nhất được sử dụng là loại

vật liệu bán dẫn nào?

1.4 Hãy giải thích nhiệt năng làm phát sinh các hạt tải điện trong chất bán dẫn và nhiệt độ sẽ hạn chế

hoạt động của cấu kiện bán dẫn như thế nào

1.5 Hãy mô tả các đặc tính của các tạp chất cho [donor], chất nhận [acceptor] và ảnh hưởng của chúng

đến nồng độ của các hạt tải điện trong vật liệu bán dẫn

1.6 Mô tả sơ lược hoạt động của các hạt tải điện và các nguyên tử tạp chất được ion hóa ở lân cận tiếp

giáp pn của cấu kiện bán dẫn để tạo nên rào thế có khuynh hướng chặn các hạt tải điện di chuyển

ngang qua tiếp giáp

1.7 Hình P1.7, thể hiện đặc tuyến của một diode Loại vật

liệu bán dẫn nào được dùng trong chế tạo diode? Giải

thích.

1.8 Sử dụng đặc tuyến ở hình P1.7, để xác định điện trở

của diode khi (a) VF = 0, 65 V và (b) IF = 4 mA

1.9 Số liệu sau được cho là đo trên một

1.10 Một diode có số hiệu là ‘BZY88C9V1’ Đây là loại diode gì ? Điện áp định mức của diode? Cho

biết một ứng dụng của diode

1.12 Mạch ở hình P1.10 có nguồn cung cấp sóng sin 50 Vrms Sử dụng mô

hình diode thực tế cho diode

a Mức dòng thuận lớn nhất là bao nhiêu ?

b Hãy tính mức điện áp ngược đỉnh (PIV) trên diode ?

1.13 Hãy xác định diode nào được phân cực thuận và diode nào được phân cực ngược trong từng mạch

1.17 Nguồn AC 220 V được cấp vào biến áp giảm-áp 20:1, cuộn thứ cấp được nối với mạch chỉnh lưu

cầu và tụ lọc Hãy xác định mức điện áp xấp xĩ d.c trên tụ khi ‘không-tải’

1.18 Hãy thiết kế mạch chỉnh lưu cầu toàn kỳ cho một

bộ nguồn cung cấp Nguồn từ biến áp giảm áp

cung cấp mức điện áp 12 V rms đến mạch chỉnh

lưu Bộ chỉnh lưu toàn kỳ thể hiện ở mạch hình

P1.18

a Nếu các diode có mức điện áp ngưỡng là

0,6V, vẽ dạng sóng điện áp nguồn đầu vào,

v S (t); và dạng sóng điện áp ra, v L (t); và cho

biết diode nào dẫn và diode nào ngưng dẫn

trong các chu kỳ phù hợp của v S (t) Tần số

1.19 Trong bộ nguồn chỉnh lưu toàn kỳ như thể hiện ở hình P1.19, các

diode có số hiệu là 1N4001 có thông số điện áp ngược đỉnh (PIV)

là 25 V Các diode được chế tạo từ silicon

n = 0,05883; C = 80 µF; R L = 1 k

Vline = 170 cos (377t) V

a Hãy xác định mức điện áp ngược đỉnh thực tế trên mỗi diode

b Hãy giải thích tại sao các diode đó phù hợp hoặc không phù

hợp với các thông số đã cho

1.20 Các diode trong bộ nguồn DC toàn kỳ như mạch ở hình P1.19, đều là silicon Nếu:

I L = 5 mA; V L = 10 V; V r = 20% = 2 V; Vline = 170 cos (t) V  = 377 rad/s

Hãy xác định các giá trị của:

1.22 Trong bộ nguồn chỉnh lưu toàn kỳ như thể hiện ở hình

P1.22, các diode là 1N4001 có thông số điện áp ngược

đỉnh (PIV) là 50 V Các diode được chế tạo từ silicon

Vline = 170 cos (377t) V;

n = 0,2941; C = 700 µF; R L = 2,5 k

a Xác định điện áp ngược đỉnh thực tế trên mỗi diode

b Hãy giải thích tại sao các diode đó phù hợp hoặc

không phù hợp với các thông số đã cho

1.23 Trong bộ nguồn chỉnh lưu toàn kỳ như thể hiện ở hình P1.22, các diode là 1N4001 có thông số

điện áp ngược đỉnh (PIV) là 10 V Các diode được chế tạo từ silicon

Vline = 156 cos (377t) V; n = 0,04231; V r = 0,2 V; I L = 2,5 mA; V L = 5,1 V;

a Xác định mức điện áp ngược đỉnh thực tế trên mỗi diode

b Hãy giải thích tại sao các diode đó phù hợp hoặc không phù hợp với các thông số đã cho

1.25 Hãy xác định trị số nhỏ nhất và trị số lớn nhất để điện trở mắc nối tiếp có thể có trong mạch ổn

định mà điện áp đầu ra của mạch là 25 V, điện áp vào của mạch thay đổi từ 35 V đến 40 V, và mức dòng tải lớn nhất của mạch ổn định là 75 mA Diode Zener sử dụng trong mạch có thông số dòng lớn nhất là 250 mA

1.26 Trong mạch ổn định điện áp đơn giản như ở hình P1.26, R cần phải

duy trì mức dòng của diode Zener trong phạm vi các giới hạn quy

định của diode đối với tất cả các giá trị của điện áp nguồn, dòng tải,

và điện áp của diode Zener Hãy tìm trị số nhỏ nhất và lớn nhất của

R có thể sử dụng

V Z = 5 V ± 10%; r Z = 15 ; iZ min = 3,5 mA; iZ max = 65 mA;

V S = 12 V ± 3 V; I L = 70 ± 20 mA

1.27 Trong mạch ổn định điện áp đơn giản như ở hình P1.26, R cần phải duy trì mức dòng của diode

Zener trong phạm vi các giới hạn quy định của diode đối với tất cả các giá trị của điện áp nguồn,

dòng tải, và điện áp của diode Zener Nếu:

V Z = 12 V ± 10%; r Z = 9 ; iZ min = 3,25 mA; iZ max = 80 mA; V S = 25 V ± 1,5 V;

I L = 31,5 ± 21,5 mA Hãy xác định trị số nhỏ nhất và lớn nhất của R có thể sử dụng

1.28 Mạch chỉnh lưu bán kỳ được lọc gợn bằng R-C gồm R200 Ω và C50 Fμ Nếu 2 V của gợn

400 Hz xuất hiện ở đầu vào của mạch thì mức điện áp gợn xuất hiện ở đầu ra được xác định là bao nhiêu?

1.29 Mạch lọc gợn L-C dùng để lọc cho mạch chỉnh lưu toàn kỳ từ nguồn điện lưới 50 Hz, mạch lọc

gồm L4 H và C500 Fμ Với 4 V gợn xuất hiện tại đầu vào của mạch, hãy xác định mức gợn xuất hiện tại đầu ra

1.30 Một diode zener 9 V được sử dụng trong mạch ổn áp kiểu song song đơn giản để cung cấp nguồn

cho tải có điện trở là 300 , hãy xác định giá trị lớn nhất của điện trở mắc nối tiếp để hoạt động kết hợp với nguồn cung cấp là 15 V

1.31 Hãy cho biết các đặc tính theo mã transistor của mỗi transistor sau:

1.32 Một transistor hoạt động với dòng collector là 2,5 A và dòng base là 125 mA Hãy xác định giá

trị dòng emitter và hệ số khuyếch đại dòng emitter-chung dc

1.33 Một transistor hoạt động với dòng collector là 98 m A và dòng emitter là 103 mA Hãy xác định

giá trị dòng base và giá trị-tĩnh của hệ số khuyếch đại dòng emitter-chung

1.34 Một BJT được sử dụng làm mạch đảo pha (lái) mà trong đó có dòng base là 12 mA Nếu tải yêu

cầu mức dòng là 200 mA, hãy xác định giá trị nhỏ nhất của hệ số khuyếch đại dòng chung cần phải có

emitter-1.35 Cần một transistor NPN dùng để hoạt động với VCE = 10 V, IC= 50 mA, và IB= 400 A BJT

nào trong số các transistor được liệt kê ở Bảng 1.10, là thích hợp nhất để sử dụng trong ứng

dụng trên? (hfe βfe)

1.36 Một transistor được sử dụng để làm

mạch khuyếch đại tuyến tính

Transistor có max là 250 và min

là 220, mạch phân cực phải được lắp

để có giá trị tĩnh của dòng collector

là 2 mA Hãy xác định giá trị của

dòng phân cực base và độ thay đổi

của dòng ra (dòng collector) theo độ

thay đổi 5 Aμ ở dòng vào (dòng

1.39 FET kênh-N hoạt động với dòng máng là 20 mA và điện áp phân cực cổng-nguồn là -1 V FET có

độ truyền dẫn gfs 8 mS, hãy xác định trị số dòng máng mới nếu điện áp phân cực cổng-nguồn

tăng lên mức: -1,5 V

1.40 Các kết quả dưới đây đo được

trong quá trình khảo sát đo thực

nghiệm trên một FET kênh-N:

1.41 Giải thích các chuẩn viết tắt liên

quan đến kiểu vỏ của mạch tích

1.42 Sử dụng trang số liệu của diode 1N4148 (xem hình ở trang 19 &20) để xác định:

(a) Giá trị điện áp ngược lặp lại lớn nhất

(b) Độ tiêu tán công suất lớn nhất của diode

(c) Giá trị dòng ngược điển hình tương ứng với điện áp ngược đặt vào là 70 V

(d) Giá trị điện áp thuận điển hình khi dòng thuận là 5 mA

1.43 Hãy cho biết tên gọi của từng cấu kiện trong số các cấu kiện bán dẫn có ký hiệu mạch thể hiện ở

hình P1.43

1.44 Hãy cho biết tên gọi của từng cấu kiện trong số các cấu kiện bán dẫn có ký hiệu mạch thể hiện ở

hình P1.44

1.45 Sử dụng bảng số liệu của transistor 2N3702 cho ở hình 1.26 (trang 22) để xác định:

(a) Kiểu và loại cấu kiện

(b) Giá trị tuyệt đối lớn nhất của điện áp collector-base

(c) Giá trị tuyệt đối lớn nhất của dòng collector

(d) Giá trị lớn nhất của điện áp collector-emitter bảo hòa

(e) Giá trị lớn nhất của độ tiêu tán công suất toàn bộ

(f) Kiểu vỏ

1.46 Transistor 2N3702 hoạt động ở các điều kiện như sau: VBE = 0, 7 V, IB = 0,5 mA, VCE = 9 V, và

IC = 50 mA Hãy xác định độ tiêu tán tổng của BJT có bị vượt quá hay không?

1.47 Sử dụng bảng số liệu của transistor 2N3819 cho ở hình 1.32 (trang 24) để xác định:

(a) Kiểu và loại cấu kiện

(b) Giá trị tuyệt đối lớn nhất của điện áp máng-cổng

(c) Giá trị tuyệt đối lớn nhất của dòng máng

(d) Giá trị lớn nhất của dòng cổng ngược

(e) Giá trị nhỏ nhất của độ điện dẫn truyền đạt thuận

(f) Giá trị lớn nhất của điện dung đầu vào

(g) Kiểu vỏ

1.48 Đặc tuyến ra của một JFET

1.50 Mạch nguồn cung cấp dc như ở hình

P1.50 Hãy xác định điện áp tại các

điểm đo A (TPA), B (TPB), và C

(TBC)

1.51 Theo mạch ở hình P1.50, hãy xác định dòng chảy qua R1 và công suất tiêu tán ở D5 khi mạch

làm việc không tải

1.52 Theo mạch ở hình P1.50, hãy xác định ảnh hưởng tại đầu ra theo mỗi trường hợp trong các trạng

Điện áp ra (tải mức dòng 800 mA) = 8,1 V

Hãy xác định điện trở ra của nguồn cung cấp và tính điện áp ra ở mức dòng tải là 400 mA

1.54 Số liệu sau nhận được trong khi đo-thử độ ổn định ở một nguồn cung cấp dc:

Điện áp ra (điện áp vào ac: 230 V) = 15 V

Điện áp ra (điện áp vào ac: 190 V) = 14,6 V

Hãy xác định độ ổn định của nguồn cung cấp và tính điện áp ra khi điện áp đầu vào là 245 V

1.55 Hình P1.55, thể hiện một mạch ổn áp

kiểu-chuyển mạch để cho điện áp đầu

ra là 9 V với điện áp đầu vào là 4,5 V

Kiểu mạch ổn áp ở đây là gì? Giữa các

chân nào của vi mạch (bên trong IC) có

mắc transistor chuyển mạch? Chân nào

của IC1 được sử dụng để hồi tiếp một

phần điện áp ra về tầng so sánh bên

trong IC?

Khuyếch đại bằng transistor

 Các transistor đều là các cấu kiện điện tử ba điện cực được chế tạo từ các chất bán dẫn, đó là các

cấu kiện có thể dùng làm các bộ khuyếch đại tuyến tính và các bộ chuyển mạch

 Transistor tiếp giáp bipolar (BJT) hoạt động như một nguồn dòng điện được điểu khiển bằng dòng điện, sự khuyếch đại dòng base nhỏ bằng một hệ số khoảng từ 20 đến 200 Nguyên lý hoạt

động của BJT có thể giải thích dựa trên các họ đặc tuyến i-v base-emitter và collector của cấu

kiện Các mô hình mạch tuyến tính tín hiệu-lớn có thể có được bằng cách xét transistor như một nguồn dòng điện được điều khiển

 Các transistor hiệu ứng trường (các FET) có thể được phân loại thành ba họ chính: các MOSFET tăng cường; các MOSFET nghèo; và các JFET Tất cả các FET hoạt động giống như các nguồn

dòng được điều khiển bằng điện áp Họ đặc tuyến i-v của FET về bản chất đều là phi tuyến, được

đặc trưng bằng sự phụ thuộc bậc hai của dòng máng vào điện áp cổng Các phương trình phi tuyến để giải thích các họ đặc tuyến máng của FET có thể được tóm tắt dưới dạng tập hợp các đặc tuyến chung cho mỗi loại

Các công thức quan trọng

Hệ số khuyếch đại điện áp:

out v in

v A v



Hệ số khuyếch đại dòng điện:

out i in

i A i



Hệ số khuyếch đại công suất:

out p in

P A P

A G

b

i h i

  



SS m0

off

2 D

GS

I g

V



Bài tập

2.1 Các phép đo ở một bộ khuyếch đại cho các giá trị sau:

in = 250 mV; in = 2,5 mA; out = 10 V; out = 400 mA

Hãy xác định:

(a) Hệ số khuyếch đại điện áp;

(b) Hệ số khuyếch đại dòng điện;

(c) Hệ số khuyếch đại công suất;

(d) Trở kháng vào

2.2 Một bộ khuyếch đại có hệ số khuyếch đại công suất là 25 và trở kháng vào và ra đều bằng 600 

Hãy xác định mức điện áp vào yêu cầu để tạo ra mức điện áp tại đầu ra là 10 V

2.4 Một mạch khuyếch với có hồi tiếp âm với hệ số khuyếch đại điện áp vòng-hở là 250, và 5% mức

ra của mạch được cung cấp trở lại đầu vào Tính hệ số khuyếch đại toàn bộ khi có tín hiệu hồi tiếp âm Nếu hệ số khuyếch đại vòng-hở tăng lên 20% thì trị số mới của hệ số khuyếch đại điện

áp toàn bộ là bao nhiêu?

2.5 Một mạch khuyếch đại cho hệ số khuyếch đại vòng-hở là 180 Hãy tính mức hồi tiếp âm yêu cầu

nếu mạch làm việc với hệ số khuyếch đại điện áp chính xác là 50

2.6 Một transistor có các thông số như sau:

Nếu transistor được sử dụng như phần

tử cơ bản trong một tầng khuyếch đại

của mỗi transistor

2.8 Hãy xác định vùng làm việc của các transistor sau:

a npn, V BE = 0,8 V; V CE = 0,4 V b npn, V CB = 1,4 V; V CE = 2,1 V

c pnp, V CB = 0,9 V; V CE = 0,4 V d pnp, V BE = - 1,2 V; V CB = 0,6 V

2.10 Các mức dòng emitter và dòng base của một transistor pnp là 6 mA và 0,1 mA tương ứng Điện

áp trên các tiếp giáp emitter-base và collector-base tương ứng là 0,65 V và 7,3 V Tính:

trên tiếp giáp BE

2.14 Nếu điện trở emitter ở bài tập 2.13 (hình P2.13) bị thay đổi trị số thành 22 k, thì điểm làm việc

của BJT sẽ thay đổi như thế nào ?

2.15 Họ đặc tuyến collector của một transistor như

ở hình P2.15

a Hãy xác định tỷ số I C / I B tại V CE = 10 V,

và I B = 100 µA; 200 µA; và 600 µA

b Sự tiêu tán công suất collector cho phép

lớn nhất là 0,5 W tại I B = 500 µA Xác

định V CE

[Gợi ý: Công suất tiêu tán tại collector có thể

chấp nhận xấp xỉ bằng tích của dòng điện và

điện áp collector: P = I C V CE Trong đó, P là

độ tiêu tán công suất cho phép trên transistor;

I C là dòng collector tĩnh; V CE là điện áp

collector-emitter tại điểm làm việc.]

số của  tại điểm làm

việc này là bao nhiêu?

2.18 Cho mạch như ở hình P2.18, hãy kiểm chứng rằng transistor hoạt động ở vùng bảo hòa bằng cách

tính tỷ số của dòng collector đối với dòng base

[gợi ý: Hãy tham khảo mô

hình BJT tương ứng ở hình

2.22, V = 0.6 V; VSAT = 0,2

V]

khuyếch đại emitter-chung Hãy

xác định đại lượng tương đương

Thévenin cho phần mạch gồm

R1; R2; và V CC theo các đầu điện

cực của R2 Vẽ lại mạch theo

cách sử dụng tương đương

Thévenin Trong đó: V CC = 20 V;

 = 130; R1 = 1,8M; R2 = 300k;

R C = 3 k; R E = 1 k

2.21 Mạch thể hiện ở hình P2.20, là một tầng khuyếch đại emitter-chung được thực hiện bằng

transistor silicon npn Hãy xác định V CEQ và vùng làm việc của BJT Trong đó:

V CC = 15 V;  = 100; R1 = 68 k; R2 = 11,7 k; R C = 200 ; R E = 200 

2.22 Mạch thể hiện ở hình P2.20, là

một tầng khuyếch đại

emitter-chung được thực hiện bằng

transistor silicon npn Hãy xác

định V CEQ và vùng làm việc của

một tầng khuyếch đại

collector-chung (cũng được gọi là tầng lặp

lại emitter) được thực hiện bằng

transistor silicon npn Hãy xác

định V CEQ tại vùng làm việc DC

hay điểm Q Trong đó: V CC = 12

V;  = 130; R1 = 82 k; R2 = 22

k; R E = 0,5 k

2.24 Mạch thể hiện ở hình P2.24, là một tầng

khuyếch đại emitter-chung được thực hiện

bằng transistor silicon npn và hai nguồn cung

cấp điện áp DC (một nguồn dương và một nguồn âm) thay cho một nguồn Mạch phân cực DC được kết nối đến base gồm một điện

trở Hãy xác định V CEQ và vùng làm việc của

BJT Trong đó: V CC = 12 V; V EE = 4 V;  =

100; R B = 100 k; R C = 3 k; R E = 3 k; R L

= 6 k

2.25 Mạch thể hiện ở hình P2.25, là một tầng

khuyếch đại emitter-chung được thực hiện

bằng transistor silicon npn Mạch phân cực

DC được kết nối đến base gồm một điện trở; tuy nhiên, điện trở base được mắc trực tiếp

giữa base và collector Hãy xác định V CEQ và

vùng làm việc của BJT Trong đó: V CC = 12V;  = 130; R B = 325 k; R C = 1,9 k;

R E = 2,3 k