1. Trang chủ
  2. » Tất cả

Kỹ thuật điện tử Diode và ứng dụng

35 4 0

Đang tải... (xem toàn văn)

Tài liệu hạn chế xem trước, để xem đầy đủ mời bạn chọn Tải xuống

THÔNG TIN TÀI LIỆU

Thông tin cơ bản

Định dạng
Số trang 35
Dung lượng 3,58 MB

Nội dung

Kỹ thuật điện tử Chương 2 Diode và ứng dụng Nội dung  Chất bán dẫn  Diode  Đặc tuyến tĩnh và các tham số của diode  Bộ nguồn 1 chiều 2 Chất bán dẫn Chất bán dẫn  Khái niệm  Vật chất được chia th.

Chương Diode ứng dụng Nội dung Chất bán dẫn  Diode  Đặc tuyến tĩnh tham số diode  Bộ nguồn chiều  Chất bán dẫn Chất bán dẫn   Khái niệm Vật chất chia thành loại dựa điện trở suất :  Chất dẫn điện  Chất bán dẫn  Chất cách điện  Tính dẫn điện vật chất thay đổi theo số thơng số môi trường nhiệt độ, độ ẩm, áp suất … Chất bán dẫn Điện trở suất    Chất dẫn điện Chất bán dẫn Chất cách điện (10-610-4) cm (10-4104) cm (1051022) cm Dòng điện dịng dịch chuyển có hướng hạt mang điện tích Vật chất cấu thành hạt mang điện:  Hạt nhân (điện tích dương)  Điện tử (điện tích âm) Chất bán dẫn  Gồm lớp:  K: 2; L:8; M: 8, 18; N: 8, 18, 32… Si H +1 Ge 18 28 +14 +32 Chất bán dẫn  Giản đồ lượng vật chất    Vùng hóa trị: Liên kết hóa trị điện tử hạt nhân Vùng tự do: Điện tử liên kết yếu với hạt nhân, di chuyển Vùng cấm: Là vùng trung gian, hàng rào lượng để chuyển điện tử từ vùng hóa trị sang vùng tự W W Vùng tự Chất dẫn điện Vùng tự Vùng tự Vùng cấm Vùng hóa trị W W nhỏ Vùng hóa trị Chất bán dẫn Vùng cấm W lớn Vùng hóa trị Chất cách điện Chất bán dẫn      Hai chất bán dẫn điển hình  Ge: Germanium  Si: Silicium Là chất thuộc nhóm IV bảng tuần hồn Mendeleev Có điện tử lớp Các nguyên tử liên kết với thành mạng tinh thể điện tử lớp Số điện tử lớp electron dùng chung Chất bán dẫn W Si Si Si Vùng tự Vùng cấm Si Si Si W>1.12eV Vùng hóa trị Giãn đồ lượng Si Si Si Si Cấu trúc tinh thể Si Gọi n: mật độ điện tử, p: mật độ lỗ trống Chất bán dẫn thuần: n=p Chất bán dẫn tạp  Chất bán dẫn tạp loại N:    Pha thêm chất thuộc nhóm V bảng tuần hồn Mendeleev vao chất bán dẫn thuần, ví dụ Phospho vào Si Nguyên tử tạp chất thừa e lớp liên kết yếu với hạt nhân, dễ dàng bị ion hóa nhờ lượng yếu n>p Si Si Si Si P Si Si Si Si 10 ... điện trường E hình vẽ Điện trường hút điện tử từ âm nguồn qua P, qua N dương nguồn sinh dòng điện theo hướng ngược lại Ing -e   Dòng điện dòng điện hạt thiểu số gọi dịng trơi Giá trị dịng điện. .. vẽ Điện trường hút điện tử từ âm nguồn qua N, qua P dương nguồn sinh dòng điện theo hướng ngược lại -e Ith   Dòng điện dòng điện hạt đa số gọi dòng khuếch tán Giá trị dòng điện lớn 18 Dòng điện. .. Dòng điện qua diode   Dòng hạt mang điện thiểu số dịng trơi, dịng rị Ig, có giá trị bé Vậy:  Gọi điện áp cực diode V  Dòng điện tổng cộng qua diode là:  I=Id+Ig  Khi chưa phân cực cho diode

Ngày đăng: 13/11/2022, 09:26

TÀI LIỆU CÙNG NGƯỜI DÙNG

TÀI LIỆU LIÊN QUAN

w