Insertion vào cấu trúc của các oxýt kim loại.. Nguyên tắc: cho nguyên tử, phân tử, ion lạ guest xâm nhập vào một chất nền hostCác chất nền thường là chất có cấu trúc lớp, khung, rãnh …
Trang 1CHƯƠNG 11 -BIẾN TÍNH VẬT LIỆU BẰNG PHƯƠNG PHÁP INTERCALATION VÀ
INSERTION
1 Intercalation vào cấu trúc lớp.
2 Insertion vào cấu trúc của các oxýt kim loại.
3 Trao đổi ion.
4 Kỹ thuật tiến hành – Các lĩnh vực ứng dụng.
Trang 2Nguyên tắc: cho nguyên tử, phân tử, ion lạ (guest) xâm nhập vào một chất nền (host)
Các chất nền thường là chất có cấu trúc lớp,
khung, rãnh …
Æ Làm thay đổi kích thước của rãnh, khoảng cách giữa các lớp … và thay đổi tính chất của vật liệu
Trang 3Vật liệu có cấu trúc khung, lớp, mạch
Trang 4Trung hòa Trung hòa Trung hòa
Trung hòa Trung hòa
Trung hòa Điện tích âm
Điện tích âm Điện tích âm Điện tích âm
MX2( M = Ti, Zn, Hg, V, Nb, Ta, Mo, W; X = S, Se)
MPX3(M=Mg, V, Mn, Fe, Co, Ni, Zn, Cd, In; X = S, Se)
Oxit – halogenua
MOX (M = Ti, V, Gc, Fe; X =Cl, Br)
Titanat (K2Ti4O9)
Silicat – alumosilicat
Caolinit (Al4Si4O10(OH)8)
Montmorillonit[m{M II [Si4O10](OH)2}.p[{M2III [Si4O10](OH)}.nH2O
Phosphat, hydrophosphat : VOPO4, Zr(HPO4)2
Trang 5PHẢN ỨNG XÂM NHẬP
1.Phản ứng trực tiếp
Cho “chất khách” phản ứng trực tiếp với “chất chủ”
“chất khách”: pha hơi hay lỏng
“chất chủ” : pha rắn
2.Phản ứng trao đổi ion
“Ion chất khách” trao đổi với các ion trong “chất chủ”
(ion trong chất chủ phải đủ linh động)
Trang 6Fullerene
Trang 7HỢP CHẤT NỀN TRÊN CƠ SỞ MẠNG TINH THỂ GRAFIT
Grafite cho các ion xâm nhập á kím, kim loại, muối…
Trang 9HỢP CHẤT NỀN TRÊN CƠ SỞ MẠNG TINH
THỂ GRAFIT
Grafite
Hợp chất xâm nhập K trong C 8 K
Trang 10Æ Trong mạng grafit có sự dịch chuyển các lớp C nằm trùng nhau theo trục C
Trang 11HỢP CHẤT NỀN TRÊN CƠ SỞ MẠNG TINH
THỂ FULLEREN
C60
Æ Fulleren kết tinh theo
mạng lập phương tâm mặt
Trang 12C60 kết hợp được với kim loại kiềm, kiềm thổ Æ vật
liệu siêu dẫn trong đó kim loại nằm trong khối cầu
C60 kết hợp với phi kim như Br, O Æ nguyên tử phi
kim nằm phía ngoài khối cầu
C60Br 6
Trang 13HỢP CHẤT NỀN TRÊN CƠ SỞ MẠNG TINH THỂ
DISUNFUA CỦA KL CHUYỂN TIẾP
Hợp chất disunfua của kim loại chuyển tiếp của nhóm IV, V, VI
có cấu trúc lớp VD: TiS 2
Æ Có thể cho ion hay nguyên tửkhác xâm nhâp vào giữa lớp S –
S , chất khách chỉ cần thắng lựcvanderwalls giữa hai lớp S
Ví dụ:
Trang 14Cấu trúc lớp TiS Cấu trúc lớp LiTiS2
Trang 15HỢP CHẤT NỀN TRÊN CƠ SỞ MẠNG TINH THỂ DISUNFUA CỦA KL CHUYỂN TIẾP
Thường dùng phản ứng ở nhiệt độ phòng trong dung môi hữu cơ
Æ Li + xâm nhập vào làm giãn nở mạng lưới và khử Ti +4
đến Ti +3
Trang 16Æ Có thể dùng phản ứng điện hóa để xâm nhập Li
vào TiS 2
Trang 17Ngoài ra có thể tiến hành phản ứng xâm nhập với
nhiều chất chủ khác nhau như: cao lanh, Ta 2 S 2 C;
NiPS 3 ; FeOCl; V 2 O 5 ; MoO 3 ; WO 3 ; TiO 2 , MnO 2 …
PHẢN ỨNG XÂM NHẬP
Trang 18Vật liệu Na 2 O.n Al 2 O 3
- 4 lớp đủ ion O 2- xếp khít Æ Al 3+ nằm ở hốc bát diện
- 1 lớp thiếu ion O
2-Æ Ion Na + ở giữa lớp
O 2- không xít chặt
Æ Na + có thế dịch chuyển
Trang 19Khi giữ Na 2 O.nAl 2 O 3 trong muối nitrat nóng chảy (khoảng
300 o C) có thể xảy ra phản ứng trao đổi sau:
Na2O.nAl2O3 + 2M + NO 3− M2O.nAl2O3 + 2NaNO3
Trang 20Sơ đồ trao đổi ion và đất sét được chống
Trang 21Reducing Polar Solvent
O
O O
O
O O
O
O O
Tổng hợp composite