1. Trang chủ
  2. » Luận Văn - Báo Cáo

Xác định đồng thời Ni,Co,Pd trong bản mạch điện tử bằng phương pháp trắc quang với thuốc thử PAN sử dụng thuật toán hồi quy đa biến

108 865 2
Tài liệu đã được kiểm tra trùng lặp

Đang tải... (xem toàn văn)

Tài liệu hạn chế xem trước, để xem đầy đủ mời bạn chọn Tải xuống

THÔNG TIN TÀI LIỆU

Thông tin cơ bản

Định dạng
Số trang 108
Dung lượng 17,34 MB

Nội dung

Xác định đồng thời Ni,Co,Pd trong bản mạch điện tử bằng phương pháp trắc quang với thuốc thử PAN sử dụng thuật toán hồi quy đa biến

[...]... nhụm vi PAN trong dung dch ru etylic Xỏc nh Co trong dung dch vi thuc th PAN trong s cú mt ca cht hot ng b mt trung ho (TritonX 100) Thuc th p- PAN cú th tng hp c, cỏc c im ca phc kim loi vi PAN ó c nghiờn cu Cỏc phn ng ca PAN vi hu ht cỏc kim loi nng nhy hn cỏc phn ng ca cỏc ng phõn - ortho Trong mụi trng axit mnh, thnh phn phc vũng cng ca Cu2+; Zn2+; Ni2+ vi PAN theo t l 1M; 2PAN Thuc th PAN phn... ú xỏc nh hm lng cỏc kim loi cú trong mu thc t (bn mch in t) [42] 1.2 Thuc th 1-(2-pyridylazo)-2-naphtol (PAN) Thuc th PAN l cht rn mu da cam, cú khi lng phõn t l M = 249,3 Cụng thc cu to ca PAN c trỡnh by nh sau: PAN khụng tan trong nc, tan trong cỏc dung mụi hu c nh ru, CH 3Cl, CCl4, axetonDung dch thng cú mu vng, hp th cc i cỏc bc súng 425nm, 470nm v 495nm Thuc th PAN khụng chn lc, phn ng vi hu... Cỏc tỏc gi ó dựng phng phỏp so mu xỏc nh Zn, Cu v Mn trong quỏ trỡnh kim tra s thm tỏch ca cỏc cht lu PAN c s dng lm thuc th trong phộp o trc quang vi s cú mt ca cht hot ng b mt Trion 5%(w/v) Ph hp th thu c khi cho cỏc ion Zn2+, Cu2+, Mn2+ tỏc dng vi dung dch PAN trong mụi trng m borat cú pH = 9,2 Nng cỏc cht thm tỏch trong mu thm tỏch c xỏc nh trong khong 6-500ppm Phng phỏp ny c dựng nh tớnh cỏc... Paladi(II) [14] CoO; NiO u cú mu lc nht, mng li lp phng tõm din, khụng tan trong nc, tan d dng trong dung dch axit, thng c dựng l cht xỳc tỏc, bt mu trong sn xut thu tinh gm PdO l oxit bn nht ca Paladi, khụng tan trong nc khi un núng b H2 kh thnh kim loi Co(OH)2; Ni(OH)2 l kt ta khụng nhy, khụng tan trong nc, cú kin trỳc lp Co(OH)2 mu hng, trong khụng khớ chuyn chm thnh Co(OH)3 mu nõu Ni(OH)2 mu lc, bn vi... tớch thng tan rt chm trong nc nhng cú th chit bi cỏc dung mụi hu c khụng trn ln c vo nhau: cloroforrm (CHCl3) Thuc th PAN (di dng HL) cú mu vng trong cloroform,( max = 470nm), P CHCl3/H2O = 105,2 Phc vũng cng ca cỏc ion kim loi di õy cú mu trong cloroform ( max thng nm trong khong 540 570 nm): Cd2+; Zn2+; Hg2+; Bi3+; Cu2+; Fe3+ nõu; Sn2+; Pb2+; U6+; Ni2+; Th4+ Cỏc phc ca PAN vi cỏc ion kim loi... dựng ph bin phõn tớch cỏc kim loi.[37] Trong cỏc dung dch axit, nguyờn t N pyridin b proton hoỏ v trong cỏc dung dch baz nguyờn t H ca nhúm OH- b ion hoỏ: H2L HL Lvng chanh vng pH < 2,5 pH > 2,5 pH > 12 Cỏc pic hp th ca 3 dng cú cc i cỏc bc súng tng ng l 425nm, 470nm v 495nm PK1 ( = PKNH) = 29; PK2 = 11,5 ( = 1,9 v 12,2 trong ioxan 20%; = 0,08; 250C) PAN tan trong axit sunfuric c to thnh dung dch... súng ca Co+2 trong phng phỏp ph thuc vo nn cc ph Kho sỏt trờn cỏc nn cc ph khỏc nhau ta thy trong nn m amoni th bỏn súng ca Co2+ l - 1,3V so vi in cc calomen bóo ho Trong nn cc ph pyridin, clorua pirydin ta thy th bỏn súng ca Co 2+ v Ni2+ cỏch nhau 0,3V so vi in cc calomen bóo ho Do ú ta cú th xỏc nh ng thi Co2+ v Ni2+ trong cựng mt dung dch Phng phỏp cc ph ó c dựng xỏc nh lng vt Co, Ni trong antimon... vi dung dch PAN trong cloroform v cỏc dung mụi tng t cú th rt chm Ni2+ cú th c chit hon ton sau khi lc 40 gi Quỏ trỡnh chit s nhanh hn nu thờm thuc th trong mt lng nh ancol Puschel v cỏc cng s ó thc hin chit Fe, Co, Ni nh sau: un núng dung dch mu n 800C, sau ú thờm PAN v dung dch m axetat (pH = 5), sau ú lm lnh v nhit phũng, ri tin hnh chit Fe, Co, Ni Nhụm c xỏc nh bng phng phỏp hunh quang di dng... 10-8M, vi thi gian tớch ly l 120 giõy v ng dng xỏc nh Hg(II), Co(II), Ni(II) v Pd(II) trong mu go, mu chố v cỏc mu túc.[13] Phng phỏp trc quang l phng phỏp n gin, ph bin v cú nhy cao, c s dng xỏc nh ng thi coban, niken v paladi trong cựng hn hp C s ca phng phỏp da trờn s to phc ca Co(II), Ni(II) v Pd(II) vi thuc th PAN trong mụi trng tween 80 Tt c cỏc yu t nh hng n nhy ca phng phỏp u c ti u hoỏ v xỏc... asenua Diod phỏt quang Tn thng n sc khe Gõy c vi h thn kinh, Mn hỡnh CRT, pin, bn Pb thn, mt trớ nh c bit mch mỏy in vi tr em Li Pin liti Gõy n nu m Trong ốn hỡnh mn hỡnh Gõy ng c cp tớnh v Hg LCD, pin kim v cụng tc món tớnh Pin Ni-Cd sc li hoc sỳng Ni bn iờ n t trong mn hỡnh Gõy d ng CRT Cỏc nguyờn t t him Lp hunh quang mn hỡnh Gõy c vi da v mt CRT ( Y, Eu) Lng ln s gõy hi cho Se (trong mỏy phụ tụ 123doc.vn

Ngày đăng: 20/03/2013, 14:42

Nguồn tham khảo

Tài liệu tham khảo Loại Chi tiết
1. Chu Đình Bính, Phạm Luận, 2006, “Nghiên cứu phản ứng tạo phức chất giữa Co(II) và Ni(II) với thuốc thử PAN trong môi trường Mixen, đánh giá khả năng áp dụng vào phân tích đồng thời Co(II) và Ni(II)”, Tạp chí phân tích Hoá, Lý và Sinh học, Tập 11, Số 4/2006 Sách, tạp chí
Tiêu đề: Nghiên cứu phản ứng tạo phức chất giữa Co(II) và Ni(II) với thuốc thử PAN trong môi trường Mixen, đánh giá khả năng áp dụng vào phân tích đồng thời Co(II) và Ni(II")
2. Trần Thị Hà, “Phân tích đánh giá các dạng liên kết kim loại trong đất và trầm tích tại các bãi thu gom và tái chế chất thái điện, điện tủ ”, Luận văn Thạc sỹ khoa học, Khoa Hóa học, Trường ĐHKHTN – ĐHQGHN Sách, tạp chí
Tiêu đề: “Phân tích đánh giá các dạng liên kết kim loại trong đất và trầm tích tại các bãi thu gom và tái chế chất thái điện, điện tủ
3. Huỳnh Trung Hải, Trần Văn Nhân, Cao Xuân Mai “Chất thải rắn công nghiệp điện tử khu vực Hà Nội và khả năng tái chế các kim loại”, Báo cáo tại hội nghị chất thải rắn – Hà Nội, 12/2006 Sách, tạp chí
Tiêu đề: Mai “Chất thải rắn công nghiệp điện tử khu vực Hà Nội và khả năng tái chế các kim loại”
4. Nguyễn Thị Thu Hằng (2008), “Nghiên cứu các điều kiện xác định các dạng asen bằng phương pháp phổ hấp thụ nguyên tử sử dụng phương pháp hồi qui đa biến tuyến tính”, Luận văn thạc sĩ khoa học, Khoa Hoá học-Trường Đại học KHTN Sách, tạp chí
Tiêu đề: Nghiên cứu các điều kiện xác định các dạng asen bằng phương pháp phổ hấp thụ nguyên tử sử dụng phương pháp hồi qui đa biến tuyến tính
Tác giả: Nguyễn Thị Thu Hằng
Năm: 2008
5. Trương Thị Hiên, “Xác định Coban, Niken trong nước bằng phương pháp phổ F- AAS sau khi làm giàu trên than hoạt tính mang thuốc thử PAR”, 2008, Khoá luận tốt nghiệp, Khoa Hóa học, Trường ĐHKHTN – ĐHQGHN Sách, tạp chí
Tiêu đề: Xác định Coban, Niken trong nước bằng phương pháp phổ F-AAS sau khi làm giàu trên than hoạt tính mang thuốc thử PAR”
6. Bùi Mai Hương, Thành Trinh Thục, Nguyễn Xuân Lãng, Nguyễn Đoàn Huy, Nguyễn Như Tùng (2009), “Xác định lượng vết Paladi bằng phương pháp vonampe hoà tan catot xung vi phân”, Thông tin Khoa học Công nghệ Sách, tạp chí
Tiêu đề: “Xác định lượng vết Paladi bằng phương pháp vonampe hoà tan catot xung vi phân”
Tác giả: Bùi Mai Hương, Thành Trinh Thục, Nguyễn Xuân Lãng, Nguyễn Đoàn Huy, Nguyễn Như Tùng
Năm: 2009
7. Trần Tứ Hiếu, Từ Vọng Nghi, Nguyễn Xuân Trung, Nguyên Văn Ri (2003), “ Các phơng pháp phân tích công cụ”, NXB Đại học quốc gia Hà Nội Sách, tạp chí
Tiêu đề: Cácphơng pháp phân tích công cụ
Tác giả: Trần Tứ Hiếu, Từ Vọng Nghi, Nguyễn Xuân Trung, Nguyên Văn Ri
Nhà XB: NXB Đại học quốc gia Hà Nội
Năm: 2003
8. Trần Tứ Hiếu (2003), “Phân tích trắc quang phổ hấp thụ UV VIS – ”, Nhà Xuất bản Đại học quốc gia Hà Nội Sách, tạp chí
Tiêu đề: Phân tích trắc quang phổ hấp thụ UV VIS"–
Tác giả: Trần Tứ Hiếu
Nhà XB: Nhà Xuất bản Đại học quốc gia Hà Nội
Năm: 2003
9. Lương Anh Hoàng,(2008),“Nghiên cứu qui trình thu hồi đồng từ bản mạch điện tử”, Khoá luận tốt nghiệp, Khoa Hoá học-Trường Đại học KHTN Sách, tạp chí
Tiêu đề: “Nghiên cứu qui trình thu hồi đồng từ bản mạch điện tử”
Tác giả: Lương Anh Hoàng
Năm: 2008
10. Phạm Luận (2000),” Giáo trình cơ sở của các kỹ thuật xử lý mẫu phân tích” , Đại học Quốc gia Hà Nội Sách, tạp chí
Tiêu đề: Giáo trình cơ sở của các kỹ thuật xử lý mẫu phân tích
Tác giả: Phạm Luận
Năm: 2000
11. Phạm Luận (2004), “Giáo trình những vấn đề cơ sở của các kỹ thuật xử lý mẫu phân tích”- Phần 1: Những vấn đề cơ sở lý thuyết Sách, tạp chí
Tiêu đề: “Giáo trình những vấn đề cơ sở của các kỹ thuật xử lý mẫu phân tích”
Tác giả: Phạm Luận
Năm: 2004
12. Phạm Luận (1998), “Cơ sở lý thuyết của phương pháp phân tích phổ khối lượng nguyên tử - phép đo ICP-MS” Sách, tạp chí
Tiêu đề: Cơ sở lý thuyết của phương pháp phân tích phổ khối lượng nguyên tử - phép đo ICP-MS
Tác giả: Phạm Luận
Năm: 1998
13. Đỗ Thị Minh, “Xác định vi lượng Coban trong lượng lớn Niken bằng phương pháp trắc quang”, 2004, Khoá luận tốt nghiệp, Khoa Hóa học, Trường ĐHKHTN – ĐHQGHN Sách, tạp chí
Tiêu đề: “Xác định vi lượng Coban trong lượng lớn Niken bằng phương pháp trắc quang”
17. Tham khảo tài liệu trên mạng, Gần 120 nước họp bàn giải quyết rác thải điện tử, http://www.vietstarco.com/?do=news&amp;dtd=view&amp;id=731 Link
18. Tham khảo tài liệu trên mạng, Gần 120 nước họp bàn giải quyết rác thải điện tử, http://vietnamnet.vn/khoahoc/moitruong/2006/11/638075/ Link
19. Tham khảo tài liệu trên mạng, Mỹ tống tháo rác điện tử sang Châu Á, http://www.laodong.com.vn/Home/My-tong-thao-rac-dien-tu-sang-Chau-A/200711/65695.laodong Link
20. Tham khảo tài liệu trên mạng, Gần 120 nước họp bàn giải quyết rác thải điện tử, http://vietnamnet.vn/khoahoc/moitruong/2006/11/638075/ Link
21. Tham khảo tài liệu trên mạng, Rác máy tính nhập khẩu làm ô nhiễm Châu Á, http://moitruong.xaydung.gov.vn/moitruong/module/news/viewcontent.asp?ID=262&amp;langid=1* Tài liệu Tiếng Anh Link
27. China PCB industry development circumstance. Ministry of , Information Industry of the People’s Republic of China.http://www.mii.gov.cn/art/2006/06/23/art_81_16373.html.) Link
28. Computertoxics, Clean Computer Campaign, Silicon Valley Toxics Coalition http://www.svtc.org Link

HÌNH ẢNH LIÊN QUAN

Hình 1: Điện thoại di động trở lên phổ biến - Xác định đồng thời Ni,Co,Pd trong bản mạch điện tử bằng phương pháp trắc quang với thuốc thử PAN sử dụng thuật toán hồi quy đa biến
Hình 1 Điện thoại di động trở lên phổ biến (Trang 8)
Bảng 1: Cỏc chất độc hại trong rỏc thải điện, điện tử - Xác định đồng thời Ni,Co,Pd trong bản mạch điện tử bằng phương pháp trắc quang với thuốc thử PAN sử dụng thuật toán hồi quy đa biến
Bảng 1 Cỏc chất độc hại trong rỏc thải điện, điện tử (Trang 9)
Bảng 1: Các chất độc hại trong  rác thải điện, điện tử - Xác định đồng thời Ni,Co,Pd trong bản mạch điện tử bằng phương pháp trắc quang với thuốc thử PAN sử dụng thuật toán hồi quy đa biến
Bảng 1 Các chất độc hại trong rác thải điện, điện tử (Trang 9)
Hình 2: Thu gom rác thải điện tử - Xác định đồng thời Ni,Co,Pd trong bản mạch điện tử bằng phương pháp trắc quang với thuốc thử PAN sử dụng thuật toán hồi quy đa biến
Hình 2 Thu gom rác thải điện tử (Trang 13)
Hình 3: Tái chế rác thải điện tử - Xác định đồng thời Ni,Co,Pd trong bản mạch điện tử bằng phương pháp trắc quang với thuốc thử PAN sử dụng thuật toán hồi quy đa biến
Hình 3 Tái chế rác thải điện tử (Trang 14)
Hình 4: Hình ảnh bản mạch của máy vi tính - Xác định đồng thời Ni,Co,Pd trong bản mạch điện tử bằng phương pháp trắc quang với thuốc thử PAN sử dụng thuật toán hồi quy đa biến
Hình 4 Hình ảnh bản mạch của máy vi tính (Trang 16)
Hỡnh 6: Cấu tạo lớp lừi - Xác định đồng thời Ni,Co,Pd trong bản mạch điện tử bằng phương pháp trắc quang với thuốc thử PAN sử dụng thuật toán hồi quy đa biến
nh 6: Cấu tạo lớp lừi (Trang 17)
Bảng 3: Thành phần kim loại trong bản của mỏy tớnh, ti vi và điện thoại di động - Xác định đồng thời Ni,Co,Pd trong bản mạch điện tử bằng phương pháp trắc quang với thuốc thử PAN sử dụng thuật toán hồi quy đa biến
Bảng 3 Thành phần kim loại trong bản của mỏy tớnh, ti vi và điện thoại di động (Trang 19)
Bảng 3: Thành phần kim loại trong bản của máy tính, ti vi và điện thoại di động - Xác định đồng thời Ni,Co,Pd trong bản mạch điện tử bằng phương pháp trắc quang với thuốc thử PAN sử dụng thuật toán hồi quy đa biến
Bảng 3 Thành phần kim loại trong bản của máy tính, ti vi và điện thoại di động (Trang 19)
Bảng 3: Một số đặc điểm và tính chất vật lý của Co, Ni, Pd - Xác định đồng thời Ni,Co,Pd trong bản mạch điện tử bằng phương pháp trắc quang với thuốc thử PAN sử dụng thuật toán hồi quy đa biến
Bảng 3 Một số đặc điểm và tính chất vật lý của Co, Ni, Pd (Trang 21)
được trừ khi cú mặt cỏc ion Cl-; Br-; SCN- hay axetat. Bảng2 đưa ra một số đặc điểm, - Xác định đồng thời Ni,Co,Pd trong bản mạch điện tử bằng phương pháp trắc quang với thuốc thử PAN sử dụng thuật toán hồi quy đa biến
c trừ khi cú mặt cỏc ion Cl-; Br-; SCN- hay axetat. Bảng2 đưa ra một số đặc điểm, (Trang 34)
Bảng 4: Các tính chất của một số phức kim loại – PAN - Xác định đồng thời Ni,Co,Pd trong bản mạch điện tử bằng phương pháp trắc quang với thuốc thử PAN sử dụng thuật toán hồi quy đa biến
Bảng 4 Các tính chất của một số phức kim loại – PAN (Trang 34)
Hình 11: Phổ hấp thụ của các phức Co-PAN, Ni-PAN, Pd-PAN và phổ hỗn hợp  của 3 phức theo lý thuyết và theo thực tế - Xác định đồng thời Ni,Co,Pd trong bản mạch điện tử bằng phương pháp trắc quang với thuốc thử PAN sử dụng thuật toán hồi quy đa biến
Hình 11 Phổ hấp thụ của các phức Co-PAN, Ni-PAN, Pd-PAN và phổ hỗn hợp của 3 phức theo lý thuyết và theo thực tế (Trang 56)
Bảng 5:Kết quả khảo sỏt ảnh hưởng của nồng độ Twee n– 80  đến sự hỡnh thành cỏc phức - Xác định đồng thời Ni,Co,Pd trong bản mạch điện tử bằng phương pháp trắc quang với thuốc thử PAN sử dụng thuật toán hồi quy đa biến
Bảng 5 Kết quả khảo sỏt ảnh hưởng của nồng độ Twee n– 80 đến sự hỡnh thành cỏc phức (Trang 57)
Bảng 6: Kết quả khảo sỏt ảnh hưởng của pH đến sự hỡnh thành cỏc phức - Xác định đồng thời Ni,Co,Pd trong bản mạch điện tử bằng phương pháp trắc quang với thuốc thử PAN sử dụng thuật toán hồi quy đa biến
Bảng 6 Kết quả khảo sỏt ảnh hưởng của pH đến sự hỡnh thành cỏc phức (Trang 58)
Bảng 6: Kết quả khảo sát ảnh hưởng của pH đến sự hình thành các phức - Xác định đồng thời Ni,Co,Pd trong bản mạch điện tử bằng phương pháp trắc quang với thuốc thử PAN sử dụng thuật toán hồi quy đa biến
Bảng 6 Kết quả khảo sát ảnh hưởng của pH đến sự hình thành các phức (Trang 58)
Bảng 7:Kết quả khảo sỏt ảnh hưởng của thuốc thử dư - Xác định đồng thời Ni,Co,Pd trong bản mạch điện tử bằng phương pháp trắc quang với thuốc thử PAN sử dụng thuật toán hồi quy đa biến
Bảng 7 Kết quả khảo sỏt ảnh hưởng của thuốc thử dư (Trang 59)
Bảng 7: Kết quả khảo sát ảnh hưởng của thuốc thử dư - Xác định đồng thời Ni,Co,Pd trong bản mạch điện tử bằng phương pháp trắc quang với thuốc thử PAN sử dụng thuật toán hồi quy đa biến
Bảng 7 Kết quả khảo sát ảnh hưởng của thuốc thử dư (Trang 59)
Hình 14: Ảnh hưởng của nồng độ  thuốc thử dư  đến độ hấp thụ quang của các phức  màu ở pH = 5,nồng độ Tween – 80 là  0,3% - Xác định đồng thời Ni,Co,Pd trong bản mạch điện tử bằng phương pháp trắc quang với thuốc thử PAN sử dụng thuật toán hồi quy đa biến
Hình 14 Ảnh hưởng của nồng độ thuốc thử dư đến độ hấp thụ quang của các phức màu ở pH = 5,nồng độ Tween – 80 là 0,3% (Trang 60)
Bảng 8: Ngưỡng ảnh hưởng của cỏc cation đi kốm - Xác định đồng thời Ni,Co,Pd trong bản mạch điện tử bằng phương pháp trắc quang với thuốc thử PAN sử dụng thuật toán hồi quy đa biến
Bảng 8 Ngưỡng ảnh hưởng của cỏc cation đi kốm (Trang 62)
Bảng 9: Kết quả định lượng sơ bộ các nguyên tố trong mẫu bản mạch điện tử  theo phương pháp ICP - Xác định đồng thời Ni,Co,Pd trong bản mạch điện tử bằng phương pháp trắc quang với thuốc thử PAN sử dụng thuật toán hồi quy đa biến
Bảng 9 Kết quả định lượng sơ bộ các nguyên tố trong mẫu bản mạch điện tử theo phương pháp ICP (Trang 62)
thu đước cỏc bảng kết quả : Bảng 13, 14, 15 như sau: - Xác định đồng thời Ni,Co,Pd trong bản mạch điện tử bằng phương pháp trắc quang với thuốc thử PAN sử dụng thuật toán hồi quy đa biến
thu đước cỏc bảng kết quả : Bảng 13, 14, 15 như sau: (Trang 64)
Bảng 15: Ảnh hưởng của Zn 2+  đến phép xác định Pd 2+ - Xác định đồng thời Ni,Co,Pd trong bản mạch điện tử bằng phương pháp trắc quang với thuốc thử PAN sử dụng thuật toán hồi quy đa biến
Bảng 15 Ảnh hưởng của Zn 2+ đến phép xác định Pd 2+ (Trang 64)
Bảng 21: Ảnh hưởng của Hg2+ đến phộp xỏc định Ni2+ - Xác định đồng thời Ni,Co,Pd trong bản mạch điện tử bằng phương pháp trắc quang với thuốc thử PAN sử dụng thuật toán hồi quy đa biến
Bảng 21 Ảnh hưởng của Hg2+ đến phộp xỏc định Ni2+ (Trang 67)
Bảng 21: Ảnh hưởng của Hg 2+  đến phép xác định Ni 2+ - Xác định đồng thời Ni,Co,Pd trong bản mạch điện tử bằng phương pháp trắc quang với thuốc thử PAN sử dụng thuật toán hồi quy đa biến
Bảng 21 Ảnh hưởng của Hg 2+ đến phép xác định Ni 2+ (Trang 67)
Bảng 37: Kết quả xõy dựng đường chuẩn xỏc định Co2+ - Xác định đồng thời Ni,Co,Pd trong bản mạch điện tử bằng phương pháp trắc quang với thuốc thử PAN sử dụng thuật toán hồi quy đa biến
Bảng 37 Kết quả xõy dựng đường chuẩn xỏc định Co2+ (Trang 69)
Hình 17: Đường chuẩn xác định Co 2+ - Xác định đồng thời Ni,Co,Pd trong bản mạch điện tử bằng phương pháp trắc quang với thuốc thử PAN sử dụng thuật toán hồi quy đa biến
Hình 17 Đường chuẩn xác định Co 2+ (Trang 70)
Bảng 39: Kết quả khảo sỏt khoảng tuyến tớnh xỏc định Ni2+ - Xác định đồng thời Ni,Co,Pd trong bản mạch điện tử bằng phương pháp trắc quang với thuốc thử PAN sử dụng thuật toán hồi quy đa biến
Bảng 39 Kết quả khảo sỏt khoảng tuyến tớnh xỏc định Ni2+ (Trang 72)
đưũng chuẩn đơn biến của Co2+ (phụ lục) để được nồng độ như trong bảng 39, vẽ đồ - Xác định đồng thời Ni,Co,Pd trong bản mạch điện tử bằng phương pháp trắc quang với thuốc thử PAN sử dụng thuật toán hồi quy đa biến
ng chuẩn đơn biến của Co2+ (phụ lục) để được nồng độ như trong bảng 39, vẽ đồ (Trang 72)
Bảng42: Kết quả khảo sỏt khoảng tuyến tớnh xỏc định Pd2+ - Xác định đồng thời Ni,Co,Pd trong bản mạch điện tử bằng phương pháp trắc quang với thuốc thử PAN sử dụng thuật toán hồi quy đa biến
Bảng 42 Kết quả khảo sỏt khoảng tuyến tớnh xỏc định Pd2+ (Trang 75)
Fbảng = 2,7876, Ftớnh &lt; Fbảng nờn sự khỏc nhau giữa a và giỏ trị khụng cú ý - Xác định đồng thời Ni,Co,Pd trong bản mạch điện tử bằng phương pháp trắc quang với thuốc thử PAN sử dụng thuật toán hồi quy đa biến
b ảng = 2,7876, Ftớnh &lt; Fbảng nờn sự khỏc nhau giữa a và giỏ trị khụng cú ý (Trang 76)
Hình 21: Đường chuẩn xác định Pd 2+ - Xác định đồng thời Ni,Co,Pd trong bản mạch điện tử bằng phương pháp trắc quang với thuốc thử PAN sử dụng thuật toán hồi quy đa biến
Hình 21 Đường chuẩn xác định Pd 2+ (Trang 76)
Bảng 46: Độ hấp thụ quang của phức Co-PAN ở3 nồng độ khỏc nhau - Xác định đồng thời Ni,Co,Pd trong bản mạch điện tử bằng phương pháp trắc quang với thuốc thử PAN sử dụng thuật toán hồi quy đa biến
Bảng 46 Độ hấp thụ quang của phức Co-PAN ở3 nồng độ khỏc nhau (Trang 78)
Bảng 45:Kết quả đỏnh giỏ phương phỏp xỏc định Ni2+ trờn mẫu giả Nồng độ (ppm)Nồng độ phỏt hiện  (TB) - Xác định đồng thời Ni,Co,Pd trong bản mạch điện tử bằng phương pháp trắc quang với thuốc thử PAN sử dụng thuật toán hồi quy đa biến
Bảng 45 Kết quả đỏnh giỏ phương phỏp xỏc định Ni2+ trờn mẫu giả Nồng độ (ppm)Nồng độ phỏt hiện (TB) (Trang 78)
Bảng 47:Kết quả đánh giá phương pháp xác định Co 2+  trên mẫu giả - Xác định đồng thời Ni,Co,Pd trong bản mạch điện tử bằng phương pháp trắc quang với thuốc thử PAN sử dụng thuật toán hồi quy đa biến
Bảng 47 Kết quả đánh giá phương pháp xác định Co 2+ trên mẫu giả (Trang 78)
Bảng 48: Độ hấp thụ quang của phức Pd-PAN ở 3 nồng độ khác nhau - Xác định đồng thời Ni,Co,Pd trong bản mạch điện tử bằng phương pháp trắc quang với thuốc thử PAN sử dụng thuật toán hồi quy đa biến
Bảng 48 Độ hấp thụ quang của phức Pd-PAN ở 3 nồng độ khác nhau (Trang 79)
3.5. Thớ nghiệm kiểm chứng tớnh phự hợp của phương trỡnh hồi qui đa biến  - Xác định đồng thời Ni,Co,Pd trong bản mạch điện tử bằng phương pháp trắc quang với thuốc thử PAN sử dụng thuật toán hồi quy đa biến
3.5. Thớ nghiệm kiểm chứng tớnh phự hợp của phương trỡnh hồi qui đa biến (Trang 81)
Bảng 51: Ma trận nồng độ cỏc dung dịch mẫu tự tạo chứa Ni2+, Co2+ và Pd2+ - Xác định đồng thời Ni,Co,Pd trong bản mạch điện tử bằng phương pháp trắc quang với thuốc thử PAN sử dụng thuật toán hồi quy đa biến
Bảng 51 Ma trận nồng độ cỏc dung dịch mẫu tự tạo chứa Ni2+, Co2+ và Pd2+ (Trang 81)
Bảng 51: Ma trận nồng độ các dung dịch mẫu tự tạo chứa Ni 2+ , Co 2+  và Pd 2+ - Xác định đồng thời Ni,Co,Pd trong bản mạch điện tử bằng phương pháp trắc quang với thuốc thử PAN sử dụng thuật toán hồi quy đa biến
Bảng 51 Ma trận nồng độ các dung dịch mẫu tự tạo chứa Ni 2+ , Co 2+ và Pd 2+ (Trang 81)
phỏp thu được ở bảng 52, 53 và 54. - Xác định đồng thời Ni,Co,Pd trong bản mạch điện tử bằng phương pháp trắc quang với thuốc thử PAN sử dụng thuật toán hồi quy đa biến
ph ỏp thu được ở bảng 52, 53 và 54 (Trang 82)
Bảng 53: Hàm lượng Co2+ tỡm được trong cỏc hỗn hợp mẫu kiểm tra - Xác định đồng thời Ni,Co,Pd trong bản mạch điện tử bằng phương pháp trắc quang với thuốc thử PAN sử dụng thuật toán hồi quy đa biến
Bảng 53 Hàm lượng Co2+ tỡm được trong cỏc hỗn hợp mẫu kiểm tra (Trang 83)
Bảng 53: Hàm lượng Co 2+  tìm được  trong các  hỗn hợp mẫu kiểm tra - Xác định đồng thời Ni,Co,Pd trong bản mạch điện tử bằng phương pháp trắc quang với thuốc thử PAN sử dụng thuật toán hồi quy đa biến
Bảng 53 Hàm lượng Co 2+ tìm được trong các hỗn hợp mẫu kiểm tra (Trang 83)
Hình 22: Phổ hấp thụ của 5 phức màu, phổ hh theo lý thuyết và thực tế - Xác định đồng thời Ni,Co,Pd trong bản mạch điện tử bằng phương pháp trắc quang với thuốc thử PAN sử dụng thuật toán hồi quy đa biến
Hình 22 Phổ hấp thụ của 5 phức màu, phổ hh theo lý thuyết và thực tế (Trang 85)
Bảng 55.  Ma  trận nồng độ 5  cấu tử  Ni 2+ , Co 2+   và Pd 2+ , Cu 2+ , Zn 2+  trong hỗn hợp - Xác định đồng thời Ni,Co,Pd trong bản mạch điện tử bằng phương pháp trắc quang với thuốc thử PAN sử dụng thuật toán hồi quy đa biến
Bảng 55. Ma trận nồng độ 5 cấu tử Ni 2+ , Co 2+ và Pd 2+ , Cu 2+ , Zn 2+ trong hỗn hợp (Trang 86)
phỏp thu được ở bảng 57 và 58. - Xác định đồng thời Ni,Co,Pd trong bản mạch điện tử bằng phương pháp trắc quang với thuốc thử PAN sử dụng thuật toán hồi quy đa biến
ph ỏp thu được ở bảng 57 và 58 (Trang 89)
Bảng 57:  Kết quả tính sai số giữa mô hình ILS và CLS với kết quả ban đầu - Xác định đồng thời Ni,Co,Pd trong bản mạch điện tử bằng phương pháp trắc quang với thuốc thử PAN sử dụng thuật toán hồi quy đa biến
Bảng 57 Kết quả tính sai số giữa mô hình ILS và CLS với kết quả ban đầu (Trang 89)
Bảng 58: Kết quả tớnh sai số giữa mụ hỡnh PLS và PCR với kết quả ban đầu - Xác định đồng thời Ni,Co,Pd trong bản mạch điện tử bằng phương pháp trắc quang với thuốc thử PAN sử dụng thuật toán hồi quy đa biến
Bảng 58 Kết quả tớnh sai số giữa mụ hỡnh PLS và PCR với kết quả ban đầu (Trang 90)
Bảng 58:  Kết quả tính sai số giữa mô hình PLS và PCR với  kết quả ban đầu - Xác định đồng thời Ni,Co,Pd trong bản mạch điện tử bằng phương pháp trắc quang với thuốc thử PAN sử dụng thuật toán hồi quy đa biến
Bảng 58 Kết quả tính sai số giữa mô hình PLS và PCR với kết quả ban đầu (Trang 90)
Hình 22 : Một số mẫu bản mạch ti vi, máy tính chưa xử lý - Xác định đồng thời Ni,Co,Pd trong bản mạch điện tử bằng phương pháp trắc quang với thuốc thử PAN sử dụng thuật toán hồi quy đa biến
Hình 22 Một số mẫu bản mạch ti vi, máy tính chưa xử lý (Trang 94)
Hình 24: Mẫu nhựa bản mạch sau khi đã nghiền mịn bằng máy nghiền bi - Xác định đồng thời Ni,Co,Pd trong bản mạch điện tử bằng phương pháp trắc quang với thuốc thử PAN sử dụng thuật toán hồi quy đa biến
Hình 24 Mẫu nhựa bản mạch sau khi đã nghiền mịn bằng máy nghiền bi (Trang 95)
Hình 23. : Mẫu bản mạch ti vi, máy tính sau khi đã phân loại - Xác định đồng thời Ni,Co,Pd trong bản mạch điện tử bằng phương pháp trắc quang với thuốc thử PAN sử dụng thuật toán hồi quy đa biến
Hình 23. Mẫu bản mạch ti vi, máy tính sau khi đã phân loại (Trang 95)
nằm trong khoảng 550 nm – 650 nm. Ta thu được bảng kết quả như sau: - Xác định đồng thời Ni,Co,Pd trong bản mạch điện tử bằng phương pháp trắc quang với thuốc thử PAN sử dụng thuật toán hồi quy đa biến
n ằm trong khoảng 550 nm – 650 nm. Ta thu được bảng kết quả như sau: (Trang 97)
Bảng 61 : Hàm lượng Ni, Co và Pd trong mẫu thực tế - Xác định đồng thời Ni,Co,Pd trong bản mạch điện tử bằng phương pháp trắc quang với thuốc thử PAN sử dụng thuật toán hồi quy đa biến
Bảng 61 Hàm lượng Ni, Co và Pd trong mẫu thực tế (Trang 97)
Bảng 62: Kết quả mẫu thực tế bằn g2 phương phỏp AAS và phương phỏp trắc quang sử dụng mụ hỡnh PCR - Xác định đồng thời Ni,Co,Pd trong bản mạch điện tử bằng phương pháp trắc quang với thuốc thử PAN sử dụng thuật toán hồi quy đa biến
Bảng 62 Kết quả mẫu thực tế bằn g2 phương phỏp AAS và phương phỏp trắc quang sử dụng mụ hỡnh PCR (Trang 98)
Dựa vào bảng 62, dựng chuẩ nt để so sỏnh 2 giỏ trị trung bỡnh củ a2 phương phỏp - Xác định đồng thời Ni,Co,Pd trong bản mạch điện tử bằng phương pháp trắc quang với thuốc thử PAN sử dụng thuật toán hồi quy đa biến
a vào bảng 62, dựng chuẩ nt để so sỏnh 2 giỏ trị trung bỡnh củ a2 phương phỏp (Trang 98)

TRÍCH ĐOẠN

TÀI LIỆU CÙNG NGƯỜI DÙNG

TÀI LIỆU LIÊN QUAN

w