? ? C C ô ô ng ng t t ắ ắ c c gi gi ớ ớ i i h h ạ ạ n n h h à à nh nh tr tr ì ì nh nh . . ) ) C C á á c c kí kí hi hi ệ ệ u u đ đ i i ệ ệ n n ) ) Nguy Nguy ê ê n n lý lý l l m m vi vi ệ ệ c c ) ) Ki Ki ể ể u u t t á á c c đ đ ộ ộ ng ng t t ứ ứ c c thời thời ) ) Ki Ki ể ể u u t t á á c c đ đ ộ ộ ng ng có có trễ trễ ) ) B B ố ố trí trí tiếp tiếp đ đ i i ể ể m m ) ) C C á á c c kí kí hi hi ệ ệ u u đ đ i i ệ ệ n n Tiếp điểm thờng hở (NO) Khi mở Khi đóng Tiếp điểm thờng kín (NC) Khi đóng Khi mở 3.1. Các cảm biến đóng cắt dạng ON - off ĐT ) ) Nguy Nguy ê ê n n lí lí l l à à m m vi vi ệ ệ c c Hnh trình nhả Độ sai lệch giữa hai vị trí Vị trí nhả Quãng đờng chuyển động Vị trí đóng Quãng đờng dự trữ phần chấp hnh phần đầu phần thân ) ) Ki Ki ể ể u u t t á á c c đ đ ộ ộ ng ng t t ứ ứ c c thời thời Tiếp điểm thờng đóng Tiếp điểm thờng hở Trục động Tiếp điểm tĩnh Tiếp điểm động Lò xo phản hồi Lò xo chốt Đ Đ ặ ặ c c đ đ i i ể ể m m ) ) Khi Khi ph ph ầ ầ n n chấp chấp h h nh nh bị bị t t á á c c đ đ ộ ộ ng ng , , l l ò ò xo xo ch ch ố ố t t s s ẽ ẽ tr tr ữ ữ n n ă ă ng ng l l ợ ợ ng ng , , đ đ ến ến vị vị trí trí đ đ óng óng l l ò ò xo xo ch ch ố ố t t gi gi ả ả i i phóng phóng n n ă ă ng ng l l ợ ợ ng ng ) ) Ki Ki Ó Ó u u t t ¸ ¸ c c ® ® é é ng ng cã cã trÔ trÔ § § Æ Æ c c ® ® i i Ó Ó m m ) ) TiÕp TiÕp ® ® i i Ó Ó m m NO NO ® ® ãng ãng tr tr −í −í c c , , tiÕp tiÕp ® ® i i Ó Ó m m NC NC bÞ bÞ ng ng ¾ ¾ t t sau sau §ãng tr−íc khi ng¾t Ng¾t tr−íc khi ®ãng § § Æ Æ c c ® ® i i Ó Ó m m ) ) TiÕp TiÕp ® ® i i Ó Ó m m NC NC bÞ bÞ ng ng ¾ ¾ t t tr tr −í −í c c , , tiÕp tiÕp ® ® i i Ó Ó m m NO NO ® ® ãng ãng sau sau § § Æ Æ c c ® ® i i Ó Ó m m chung chung ) ) T T ¹ ¹ o o ra ra m m é é t t kho kho ¶ ¶ ng ng thêi thêi gian gian trÔ trÔ ®ñ ®ñ nh nh á á gi gi ÷ ÷ a a hai hai lo lo ¹ ¹ i i tiÕp tiÕp ® ® i i Ó Ó m m Trôc ®éng TiÕp ®iÓm ®éng Lß xo ph¶n håi TiÕp ®iÓm tÜnh ) ) B B è è trÝ trÝ tiÕp tiÕp ® ® i i Ó Ó m m (SPDT) (DPDT) ? ? C C ả ả m m biến biến ti ti ệ ệ m m c c ậ ậ n n . . ) ) Ti Ti ệ ệ m m c c ậ ậ n n đ đ i i ệ ệ n n c c ả ả m m (Inductive proximity) (Inductive proximity) ) ) Ti Ti ệ ệ m m c c ậ ậ n n đ đ i i ệ ệ n n dung (Capacitive proximity) dung (Capacitive proximity) ) ) Ti Ti ệ ệ m m c c ậ ậ n n si si ê ê u u â â m (Ultrasonic proximity) m (Ultrasonic proximity) ) ) Ti Ti ệ ệ m m c c ậ ậ n n quang quang h h ọ ọ c c (Photoelectric proximity) (Photoelectric proximity) ) ) Ti Ti ệ ệ m m c c ậ ậ n n đ đ i i ệ ệ n n c c ả ả m m (Inductive proximity) (Inductive proximity) & & L L lo lo ạ ạ i i c c ả ả m m biến biến s s ử ử dụng dụng tr tr ờng ờng đ đ i i ệ ệ n n - - từ từ để để ph ph á á t t hi hi ệ ệ n n đ đ ố ố i i t t ợ ợ ng ng b b ằ ằ ng ng kim kim lo lo ạ ạ i. i. & & Đ Đ i i ệ ệ n n á á p p l l m m vi vi ệ ệ c c DC, AC DC, AC ho ho ặ ặ c c AC/DC AC/DC Ph Ph â â n n lo lo ạ ạ i: i: & & Theo Theo ch ch ứ ứ c c n n ă ă ng ng đ đ ợ ợ c c chia chia ra ra l l m m hai hai lo lo ạ ạ i: PNP (sourcing) i: PNP (sourcing) v v NPN (sinking) NPN (sinking) & & N N è è i i d d © © y y cho cho lo lo ¹ ¹ i PNP (sourcing): i PNP (sourcing): T¶i PNP transistor & & N N è è i i d d © © y y cho cho lo lo ¹ ¹ i NPN (sinking): i NPN (sinking): NPN transistor T¶i & & Theo Theo kho kho ả ả ng ng c c á á ch ch đ đ ợ ợ c c chia chia ra ra l l m m hai hai lo lo ạ ạ i: i: có có b b ả ả o o v v ệ ệ (shielded) v (shielded) v kh kh ô ô ng ng b b ả ả o o v v ệ ệ (unshielded) (unshielded) Bề mặt sensor Có bảo vệ Không bảo vệ Nh Nh ậ ậ n n xét xét : : ) ) Kho Kho ả ả ng ng c c á á ch ch c c ả ả m m nh nh ậ ậ n n từ từ 0.6 0.6 - - 20 (mm) 20 (mm) ) ) Ti Ti ệ ệ m m c c ậ ậ n n đ đ i i ệ ệ n n c c ả ả m m phụ phụ thu thu ộ ộ c c v v o o m m ộ ộ t t s s ố ố yếu yếu t t ố ố sau sau c c ủ ủ a a đ đ ố ố i i t t ợ ợ ng ng : : & & H H ì ì nh nh d d á á ng ng đ đ ố ố i i t t ợ ợ ng ng & & Đ Đ ộ ộ d d ầ ầ y y c c ủ ủ a a đ đ ố ố i i t t ợ ợ ng ng & & V V ậ ậ t t li li ệ ệ u u c c ủ ủ a a đ đ ố ố i i t t ợ ợ ng ng ) ) Ti Ti ệ ệ m m c c ậ ậ n n đ đ i i ệ ệ n n dung (Capacitive proximity) dung (Capacitive proximity) & & L L lo lo ạ ạ i i c c ả ả m m biến biến s s ử ử dụng dụng tr tr ờng ờng t t ĩ ĩ nh nh đ đ i i ệ ệ n n để để ph ph á á t t hi hi ệ ệ n n đ đ ố ố i i t t ợ ợ ng ng b b ằ ằ ng ng kim kim lo lo ạ ạ i v i v phi phi kim kim lo lo ạ ạ i. i. & & Đ Đ i i ệ ệ n n á á p p l l m m vi vi ệ ệ c c DC, AC DC, AC ho ho ặ ặ c c AC/DC AC/DC Ph Ph â â n n lo lo ạ ạ i: i: & & Theo Theo ch ch ứ ứ c c n n ă ă ng ng đ đ ợ ợ c c chia chia ra ra l l m m hai hai lo lo ạ ạ i: PNP (sourcing) i: PNP (sourcing) v v NPN (sinking) NPN (sinking) & & Tất Tất c c ả ả c c ả ả m m biến biến đ đ i i ệ ệ n n dung dung c c ủ ủ a a siemens siemens đ đ ều ều có có b b ả ả o o v v ệ ệ (shielded) (shielded) Bề mặt sensor Đối tợng Nh Nh ậ ậ n n xét xét : : ) ) Kho Kho ả ả ng ng c c á á ch ch c c ả ả m m nh nh ậ ậ n n từ từ 5 5 - - 20 (mm) 20 (mm) ) ) Có Có kh kh ả ả n n ă ă ng ng ph ph á á t t hi hi ệ ệ n n m m ứ ứ c c chất chất l l ỏ ỏ ng ng xuy xuy ê ê n n qua qua th th ù ù ng ng trong trong su su ố ố t t ( ( Chất Chất l l ỏ ỏ ng ng ph ph ả ả i i có có h h ằ ằ ng ng s s ố ố đ đ i i ệ ệ n n m m ô ô i i cao cao h h ơ ơ n n v v ỏ ỏ th th ù ù ng ng ) ) ) ) M M ô ô i i tr tr ờng ờng l l m m vi vi ệ ệ c c ph ph ả ả i i kh kh ô ô , , b b ở ở i i v v ì ì khi khi có có chất chất l l ỏ ỏ ng ng tr tr ê ê n n bề bề m m ặ ặ t t c c ủ ủ a a c c ả ả m m biến biến , , c c ả ả m m biến biến có có th th ể ể t t á á c c đ đ ộ ộ ng ng nh nh ầ ầ m m . . . lệch giữa hai vị trí Vị trí nhả Quãng đờng chuyển động Vị trí đóng Quãng đờng dự trữ phần chấp hnh phần đầu phần thân ) ) Ki Ki ể ể u u t t á á c c đ đ ộ ộ ng ng t t ứ ứ c c thời thời Tiếp điểm. động Lò xo phản hồi Lò xo chốt Đ Đ ặ ặ c c đ đ i i ể ể m m ) ) Khi Khi ph ph ầ ầ n n chấp chấp h h nh nh bị bị t t á á c c đ đ ộ ộ ng ng , , l l ò ò xo xo ch ch ố ố t t s s ẽ ẽ tr tr ữ ữ n n ă ă ng ng l l ợ ợ ng ng ,. b b ở ở i i v v ì ì khi khi có có chất chất l l ỏ ỏ ng ng tr tr ê ê n n bề bề m m ặ ặ t t c c ủ ủ a a c c ả ả m m biến biến , , c c ả ả m m biến biến có có th th ể ể t t á á c c đ đ ộ ộ ng ng nh nh ầ ầ m m . .