Chương 3: Các khối của mạch điều khiển Thyristor Khối phát tín hiệu đồng bộ: ĐB Vì điều khiển Thyristor theo nguyên lý điều khiển pha nên cần có khối đồng bộ pha giữa điện áp điểu khiển
Trang 1Chương 3: Các khối của mạch điều khiển
Thyristor
Khối phát tín hiệu đồng bộ: ĐB Vì điều khiển Thyristor theo nguyên lý điều khiển pha nên cần có khối đồng bộ pha giữa điện áp điểu khiển và điện áp Anod – Cathode của Thyristor Các mạch phát tín hiệu đồng bộ điển hình như sau:
Khối phát tín hiệu đồng bộ dùng tụ và diode Hình I-8
Hình I-8: Sơ đồ khối phát tín hiệu đồng bộ dùng tụ diode
Trong đó:
Vd: Điện áp xoay chiều đồng pha với điện áp trễ Anod – Katod của transistor
Vn :nguồn điện áp một chiều
Vc : Điện áp đồng bộ lấy ra
Khi VD>0 thì D1, D2 phân cực ngược Tụ C được nạp về nguồn
Vn
V đ
t 1 t 2
V C
Vng
Vv
Vc
in
BA
Vđ
D2
R2
R1
9) -(I V
V arcsin
Góc
đmax
đ(t1)
Trang 2Khi Vc = Vd (ở t2) thì C phóng điện qua R2 và Đ2 Khi Vd<0 áp tr6n tụ C là VC cho đến khi Đ1 khóa Khi id- in=0 (tại t1) tụ C bắt đầu được nạ chu kỳ mới
nằm khoảng t1t2
Khối phát tín hiệu đồng bộ dùng tụ và transistor:I-10
Hình I-10: Khối phát tín hiệu đồng bộ dùng tụ và transistor
Vn
Vc
v
R2
D2
C R3 R1
Trang 3Trong đó:
Vđ: Điện áp nguồn xoay chiều đồng pha với điện áp trên Anot và Katot của thyristor
Vn: Điện áp điện một chiều
Vc: Điện áp đồng bộ lấy ra khi Vđ>0 Transistor T bão hòa
VC=v (v sụt áp trên Transistor)
Khi Vd >0 Transistor T khóa, tụ C được nạp qua R1, R3 từ Vn
Ta có:
Nên chọn R1>>R3 đề tnạp >> tphóng
Vđk: Điện áp điều khiển
b Bộ phát xung chủ đạo:
Bộ phát xung chủ đạo có nhiệm vụ phát ra các xung với tần số cố định hoặc thay đổi để làm nguồn tín hiệu chủ đạo trong các mạch điều khiển Thyristor
Bộ phát xung chủ đạo dùng Transistor một tiếp giáp(I-11)
T
V đk
V đ
V
V
14) -(I 1
ln )
(R
13) -(I 1
ln R2)C
(R1
t
3
n đk n
c nạp
V
V C
R
V V
Trang 4Hình I-11: Sơ đồ thay thế Transistor một tiếp giáp làm máy phát xung và dạng xung ra
Khi VE<VBB tụ C được nạp từ nguồn Vn theo biểu thức sau:
: Tham số riêng của mỗi loại Transistor 1 tiếp giáp
=0,470,8
Khi VCVBB Transistor 1 tiếp giáp dẫn, tụ C sẽ phóng điện qua
R1 và ta có:
t
t
V r
V E
0
0
15) -(I ) 1
( t / RC n
Vn+
Vr
B1 B2
V
VBB
B1 Tu
E Ie
ic
R1 C
Trang 5VBB=Vn(1-e-t/RC) (I-16).
T: Chu kỳ tạo xung
VE:Điện áp trên cực phát của Transistor một tiếp giáp
VBB:Điện áp trên cực B1,B2 của Transistor một tiếp giáp
Xem VBB=Vn thì
Điện trở R2 trong sơ đồ dùng để ổn định tần số xung khi
nhiệt độ thay đổi, theo công thức kinh nghiệm
Điện trở R để điều chỉnh tần số xung Giá trị lớn nhất của
điện trở xác định theo điều kiện tạo dao động
Vp=VBB+VĐ (I-20)
Trong đó VĐ: Điện áp rơi trên cực E khi UJT mở (VĐ=0,40,50)
VP: Điện áp đỉnh của Transistor một tiếp giáp (UJT) khi bắt đầu dẫn
IP:Dòng điện ứng với VP
Giá trị nhỏ nhất của điện trở được xác định
Trong đó VV, và IV là áp dòng ứng với điểm trũng trên đặc tính V-A của UJT
17) -(I 1
1 ln
RC
T
18) -(I 4
,
0
2
n
BB
V
R R
19) -(I
max
p
p n
I
V V
21) -(I
I
V V
R n
Trang 6Khi không có Transistor một tiếp giáp ta có thể dùng Transistor loại thông thường để thay thế theo sơ đồ tương đương hình I-12
Hình I-12: Sơ đồ thay thế Transistor một tiếp giáp bằng Transistor thường
Nguyên tắc hoạt động của hình 12 cũng tương tự như
I-11 Ở trạng thái ban đầu cả hai Transistor T1 và T2 đều khác, lúc đó tụ C được nạp từ nguồn Vn qua điện trở R Điện áp trên cực
nền T1 là:
B +Vn
B1
+Vn
R2
R1
R3
R
C
T1
T2
R
C T1
R3 T2 D
2 1 1
2
1
1
Với
22) -(I
R R R
V R
R
R V
B
Trang 7Khi VC>VB thì T1 dẫn Do cách nối các cực Transistor T1
và T2 nên khi T1 bắt đầu dẫn thì giữa 2 Transistor hình thành một phản hồi dương và cả hai T1,T2 nhanh chóng chuyển qua chế độ bão hòa Lúc đó tụ C sẽ phóng điện qua R3 sẽ có xung
ra Lúc đó tỉ số sẽ là:
Còn các thông số còn lại tương tự như thông số mạch hình I-11
C Khối so sánh:
Khối so sánh có nhiệm vụ so sánh các tín hiệu và phản ánh các sai lệch tín hiệu ở đầu ra khâu so sánh có ảnh hưởng rất quan trọng đến sai lệch tĩnh của hệ thống Ngoài ra để điều khiển các bộ biến đổi Thysistor ngày nay các sơ đồ so sánh được làm bằng bán dẫn và vi mạch
Khối so sánh dùng các mạch bán dẫn được trình bày hình I-13
8 , 0 5 ,
0
2
1
R
R
R
Vr
Vn+
Vđk V1
BA Vđb
RB
T
Rc
Vr
Vn+
Vđk V1
-BA Vđb
R2
Rc R2
Trang 8Hình I-13: Khối so sánh dùng các mạch bán dẫn.
Khối so sánh trong các hệ thống điều khiển Thyristor thường là khối trùng hợp, nghĩa là tín hiệu điều khiển bằng tín hiệu đồng bộ thì khối so sánh sẽ cho ra tín hiệu ra Khi khối so sánh dùng các mạch bán dẫn thì tín hiệu điều khiển Vđk và tín hiệu đồng bộ Vđb được nối với nhau theo hai cách:
- Nối nối tiếp hình(I-13a) Vđk và Vđb nối ngược cực tính với
nhau
- Nối song song hình(I-13b) Vđk và Vđb nối song song
Khi Vđk=0 ta tính được điện áp đồng bộ
Lúc nối tiếp Vđb=VBo +IB(Rđb+Rđk+rB) (I-23)
Diode D hình I-13 để bảo vệ Transistor khi Vđk> Vđb.
Điện áp VBo: Điện áp rơi trên tiếp giáp B-C lúc không tải
Khối so sánh dùng vi mạch điện tử:
Khối so sánh dùng vi mạch điện tử ngày nay được sử dụng rất rộng rãi vì nó có nhiều ưu điểm là gọn nhẹ công suất tiêu thụ bé, chỉ tiêu kỹ thuật cao, dễ dàng thực hiện mạch điều khiển nhiều pha
Sơ đồ nguyên lý mạch so sánh dùng vi mạch hình (I-16)
24) -(I 1
).
( {
) 1
(
song
song
Lúc
2
1 2
1
đk
B đb
B Bo đk
đb Bo
r R
R R
I R
R
R R V
V
+12V
v
Vr
-V
-6V
0
-+
+
V
-R2
R1 +12V
V
Vr
+
R1
R2
Trang 9Hình I-15 Sơ đồ nguên lý mạch so sánh dùng vi mạch
Khâu so sánh bằng vi mạch loại khuếch đại thuật toán chuyên dùng để sosánh tín hiệu Nhiệm vụ chính của mạch này là chuyển tiếp điện áp ra Vr từ mức Logic 1 sang mức logic 0 hoặc ngược lại khi điện áp Vv vượt điện áp ngưỡng Vo