LỜI MỞ ĐẦU 1 I. Khảo sát đặc tuyến IV của các loại diode 2 1. Đo đặc tuyến IV với các diode Si (D1) và Ge (D2) thông thường 2 2. Đo đặc tuyến IV của diode Zener (D3) 3 3. Đo đặc tuyến IV với các diode phát quang LED: D4, D5, D6, D7 5 II. Khảo sát mạch chỉnh lưu 5 1. Sơ đồ chỉnh lưu nửa sóng và lọc gợn sóng 5 2. Sơ đồ chỉnh lưu toàn sóng dùng thứ cấp biến thế ra có điểm giữa 9 IV. Các mạch dịch mức tín hiệu và hạn biên dùng diode 10 1. Bộ dịch mức một chiều DC của tín hiệu 10 2. Bộ hạn chế tín hiệu 12
ĐẠI HỌC QUỐC GIA HÀ NỘI TRƯỜNG ĐẠI HỌC CỔNG NGHỆ KHOA ĐIỆN TỬ VIỄN THÔNG - - BÁO CÁO MÔN HỌC THỰC TẬP ĐIỆN TỬ TƯƠNG TỰ THỰC NGHIỆM 6: CÁC SƠ ĐỒ ỨNG DỤNG BỘ KHUẾCH ĐẠI THUẬT TOÁN - Họ tên sinh viên: ********** Lớp: ********** **** Giảng viên hướng dẫn: ****** ****** Hà Nội, ngày 14 tháng năm 2023 MỤC LỤC LỜI MỞ ĐẦU I Khảo sát đặc tuyến I-V loại diode Đo đặc tuyến I-V với diode Si (D1) Ge (D2) thông thường .2 Đo đặc tuyến I-V diode Zener (D3) 3 Đo đặc tuyến I-V với diode phát quang LED: D4, D5, D6, D7 II Khảo sát mạch chỉnh lưu .5 Sơ đồ chỉnh lưu nửa sóng lọc gợn sóng Sơ đồ chỉnh lưu tồn sóng dùng thứ cấp biến có điểm IV Các mạch dịch mức tín hiệu hạn biên dùng diode 10 Bộ dịch mức chiều DC tín hiệu 10 Bộ hạn chế tín hiệu 12 LỜI MỞ ĐẦU Đầu tiên, chúng em muốn bày tỏ lịng biết ơn đến thầy Nguyễn Đăng Phú thầy Lưu Bách Hưng cán khoa trường tận tình hướng dẫn giúp đỡ chúng em suốt q trình nghiên cứu hồn thiện báo cáo Nhờ hướng dẫn thầy/cô, chúng em có hội tiếp cận với kiến thức, phương pháp kỹ cần thiết để thực đề tài cách hiệu Thầy/cô sẵn sàng giải đáp thắc mắc cung cấp lời khun hữu ích giúp tơi cải thiện kết nghiên cứu Dưới báo cáo chúng em, mong thầy/cô nhận xét đánh giá I Bộ tích phân lắp KĐTT Bản mạch thực nghiệm: A6 – Các bước thực nghiệm: Kết đo V Nối I1, Nối I2, Nối I3, Nối I1 J9 V 0=21.4 V Nối I2 Nối J9, V 0=14.5V Nối I3 Nối J9, V 0=8.32V Kết đo t r Nối I1, t r=31.5 μss Nối I2, t r=50 μss Nối I3, t r=96.5 μss Nối I1 J9, t r=130 μss Nối I2 J9, t r=0.46 ms Nối I3 J9, t r=0.464 ms Bảng A6 – B1 V0 t r (đ o) t r (t í nh) t r ( t í nh ) =V × Nối I1 Nối I2 Nối I3 21.4 31.5 μss 21.4 50 μss 21.4 96.5 μss RC V¿ Nối I1 J9 21.4 130 μss Nối I2 J9 14.5 0.46 ms Nối I3 J9 8.32 0.464 ms Hình 6a Hình 6b Đặt chế độ I3 J9 nối, ta có tín hiệu lối từ đỉnh phẳng giảm dần lúc xung từ hình thang chuyển thành tam giác 350Hz (Hình 6a) t r=1.45 ms > 0.464 ms Nếu tiếp tục tăng tần số máy phát, có tượng biên độ sóng giảm dần tạo thành đường thẳng (Hình 6b) II Bộ vi phân lắp KĐTT Bản mạch thực nghiệm: A6 – Các bước thực nghiệm: Bảng A6 – B2 V0 Nối D1 274.5 mV Nối D2 0.4 V Nối D3 0.79 V ×10−6 12.5 μss 10 ×10−6 43.5 μss 100 ×10−6 12.5 43.5 t = R.C t đ (đo) k = t đ ( đo ) /RC 0.522 ms 5.22 Nhược điểm vi phân: - Tạp âm tần số cao lối lớn - Trở kháng vào giảm tần số tăng - Với nguồn tín hiệu có nội trở lớn phần tín hiệu vi phân - Mạch ổn định mạch hồi tiếp di pha -90 độ II Bộ biến đổi lôgarit dùng KĐTT Bản mạch thực nghiệm: A6 – Các bước thực hiện: Bảng A6 – B3 V¿ V ( Nối L 1) V ( Nối L 2) V ( Nối L 3) 0.1V 1V 2V 3V IV Bộ biến đổi hàm mũ dùng KĐTT 4V 5V 6V 7V 8V Bản mạch thực nghiệm: A6 – Các bước thực hiện: Bảng A6 – B4 V¿ V0 V 0.1V 1V 2V 3V 4V Bộ so sánh dùng KĐTT Bản mạch thực nghiệm: A6 – 5V 6V 7V 8V Các bước thực hiện: Khảo sát so sánh lắp KĐTT LM-741 Vặn biến trở P1, ứng với giá trị P1, kết đo: Xác định độ nhạy so sánh sử dụng khuếch đại thuật toán IC1 (LM 741) vi mạch so sánh chuyên dụng IC2 (LM 311) Kết đo Thế ngưỡng Đo mặt tăng IC1 Thế ngưỡng 2.336V tín hiệu hoạt động cho IC1, IC2 Độ lệch biên độ tín hiệu ngưỡng P1: Đo mặt tăng IC2 – 2.336 = 2.664 Đo mặt tăng: - IC1: 34.5 μss - IC2: 10 μss So sánh dùng khuếch đại thuật toán IC1 dùng vi mạch so sánh chuyên dụng IC2: Khi dùng vi mạch so sánh chuyên dụng IC2 cho lối vuông hơn, độ dốc nhỏ so với sử dụng khuếch đại thuật tốn IC1 Từ cho thấy vi mạch so sánh chuyên dụng nhạy sử dụng khuếch đại thuật toán VI Trigger Schmidt Bản mạch thực nghiệm: A6 – Các bước thực hiện: - Vặn biến trở P1 để Vu =+3 V, Vo(C) ≡ +12 V-1 V =11 V Bảng A6 – B5 V (C ) V ¿(A ) V(E) đo V(E) tính V u ∈¿¿ = 5.1 V u (E) = 1.6 V ¿ tăng (V) 1.93 V l ∈¿¿ = 4.9 V l ( E) = 2.5 V ¿ giảm (V) 0.37 V u ( E )=11 × ( R4 1K =11× ≈1.93 V R 5+ R 4 K 7+ K V ( E )= −11 × R4 1K +V ( P1 ) −V ( D )= −11× + 3−0.7 R 5+ R 4 K +1 K ) ( ) ≈ 0.37 V - Vặn biến trở P1 để Vu =+2 V Bảng A6 – B6 V ¿(A ) V ¿ tăng (V) V ¿ giảm (V) V u ( E )=11 × ( V u ∈¿¿ = 4.2 V l ∈¿¿ = 4.1 V(E) đo V u (E) = 1.3 V l ( E) = 1.9 V(E) tính 1.93 -0.63 V (C ) R4 1K =11× ≈1.93 V R 5+ R 4 K 7+ K V ( E )= −11 × R4 1K +V ( P1 ) −V ( D )= −11 × + 2−0.7 R 5+ R 4 K +1 K ) ( ) ≈−0.63 V Nguyên lý hoạt động: Khi điện áp đầu vào lớn ngưỡng ngõ cao (nếu Trigger Schmidt không đảo) thấp (nếu Trigger Schmidt đảo) Ngõ giữ nguyên mức điện áp nằm ngưỡng ngưỡng Khi điện áp vào thấp ngưỡng ngõ thay đổi 10