Đang tải... (xem toàn văn)
LỜI MỞ ĐẦU 1 1. Khảo sát sơ đồ máy phát đa hài lắp trên 2 transistor BJT 2 2. Khảo sát sơ đồ máy phát đa hài lắp trên bộ KĐTT 3 3. Khảo sát đa hài đợi (một trạng thái ổn định) lắp trên BJT 5 4. Khảo sát sơ đồ đa hài đợi lắp trên bộ KĐTT 7 5. Khảo sát mạch phát xung tam giác (xung răng cưa) 10 6. Khảo sát máy phát xung tổng hợp (máy phát tạo hàm) lắp trên KĐTT 11
ĐẠI HỌC QUỐC GIA HÀ NỘI TRƯỜNG ĐẠI HỌC CỔNG NGHỆ KHOA ĐIỆN TỬ VIỄN THÔNG - - BÁO CÁO MÔN HỌC THỰC TẬP ĐIỆN TỬ TƯƠNG TỰ THỰC NGHIỆM 8: CÁC MẠCH PHÁT DAO ĐỘNG DẠNG KHÁC SIN Họ tên sinh viên: Cung Văn Thắng - 21020939 Lớp: Vũ Thành Vân - 21020458 K66K Giảng viên hướng dẫn: TS Nguyễn Đăng Phú CN Lưu Bách Hưng Hà Nội, ngày 14 tháng năm 2023 MỤC LỤC LỜI MỞ ĐẦU 1 Khảo sát sơ đồ máy phát đa hài lắp transistor BJT 2 Khảo sát sơ đồ máy phát đa hài lắp KĐTT 3 Khảo sát đa hài đợi (một trạng thái ổn định) lắp BJT Khảo sát sơ đồ đa hài đợi lắp KĐTT Khảo sát mạch phát xung tam giác (xung cưa) 10 Khảo sát máy phát xung tổng hợp (máy phát tạo hàm) lắp KĐTT 11 LỜI MỞ ĐẦU Đầu tiên, chúng em muốn bày tỏ lịng biết ơn đến thầy Nguyễn Đăng Phú thầy Lưu Bách Hưng cán khoa trường tận tình hướng dẫn giúp đỡ chúng em suốt trình nghiên cứu hoàn thiện báo cáo Nhờ hướng dẫn thầy/cơ, chúng em có hội tiếp cận với kiến thức, phương pháp kỹ cần thiết để thực đề tài cách hiệu Thầy/cô sẵn sàng giải đáp thắc mắc cung cấp lời khun hữu ích giúp tơi cải thiện kết nghiên cứu Dưới báo cáo chúng em, mong thầy/cô nhận xét đánh giá 1 Khảo sát sơ đồ máy phát đa hài lắp transistor BJT • Bản mạch thực nghiệm: A8 – • Các bước thực hiện: • Kết đo: Nối J1 & J4 Nối J2 & J5 Nối J3 & J6 Nối J1 & J5 Nối J2 & J4 Bảng A8 – B1 Dạng xung Tính CR (F Ω = sec) Nối Nối Nối Nối Nối J1 & J4 J2 & J5 J3 & J6 J1 & J5 J2 & J4 Vuông Vuông Vuông Vuông Vuông C1 R3 = C2 R3 = C3 R3 = C1 R3 = C2 R3 = 2.2 × 10 −4 2.2 × 10 −3 0.022 2.2 × 10 −4 2.2 × 10−3 C4 R4 = C5 R4 = C6 R4 = C5 R4 = C4 R4 = 2.2 × 10−4 2.2 × 10−3 0.022 2.2 × 10−3 2.2 × 10−4 T (giây) 291.5𝜇𝑠 1.67𝑚𝑠 8.85𝑚𝑠 0.86𝑚𝑠 1.15𝑚𝑠 f (Hz) = 1/T 3.43kHz 0.598kHz 112.9Hz 1.162kHz 0.869kHz k =T/RC 1.325 0.759 0.402 3.91 0.523 Khảo sát sơ đồ máy phát đa hài lắp KĐTT • Bản mạch thực nghiệm: A8 – • Các bước thực hiện: • Kết đo Khi nối tắt P1: 𝑉𝐹 = 9.85𝑉, 𝑉𝐶 = 9.25𝑉 Khi biến trở P1 max: 𝑉𝐹 = 9.85𝑉, 𝑉𝐶 = 9.25𝑉 Giữ nguyên P1 max, nối J1 ➢ Nhận xét: Nối J1 làm tăng điện dung làm sườn dốc tín hiệu trở nên thoải Tụ C1 C2 có ảnh hưởng lên độ rộng tín hiệu t x , điện dung lớn t x lớn ➢ So sánh giá trị nhận bước 4: Cả trường hợp nối tắt nối J1 sóng có dạng xung vng Nối J1, sóng có tần số nhỏ ➢ Vai trị mạch (R4 + P1) C: Mạch có tác dụng phản hồi đến tụ C cung cấp điện trở R4 + P1 Khảo sát đa hài đợi (một trạng thái ổn định) lắp BJT • Bản mạch thực nghiệm: A8 – • Các bước tiến hành: • Kết đo − Biên độ xung cần thiết để khởi động sơ đồ 3.2V Tín hiệu vào Độ rộng xung = 1.02𝑚𝑠 Tín hiệu base T1 Tín hiệu collector T1 Tín hiệu base T2 Tín hiệu collector T2 (lối ra) ➢ Giải thích trình hình thành độ rộng xung ra: Điện áp 𝑉𝐵 cực base T1 đạt đến giá trị đủ cho transistor thay đổi trạng thái liên tục từ cut-off sang bão hòa Nối với T2 tạo thay đổi tương tự từ tạo nên biến đổi điện áp lối trạng thái T2 thay đổi liên tục Khảo sát sơ đồ đa hài đợi lắp KĐTT • Bản mạch thực nghiệm: A8 – • Các bước tiến hành: • Kết đo P1, C3: t x = 1.022𝑚𝑠, V0 (C) = 21.45V P1max, C3: t x = 3.08𝑚𝑠, V0 (C) = 21.95V P1max, C2//C3: t x = 25.25𝑚𝑠, V0 (C) = 25.1V Bảng A8 – B2 𝐕𝐢𝐧 (𝐀) V(E) đo 𝐭𝐱 𝐕𝟎 (𝐂) C3 1.3V 0.953V 1.022𝒎𝒔 21.45V P1max, C3 1.3V 0.994V 3.08𝒎𝒔 21.95V P1max, C2//C3 1.3V 0.981V 25.25𝒎𝒔 25.1V P1 Dạng tín hiệu với giá trị ngưỡng V(e) Dạng tín hiệu ➢ Vai trò mạch tạo ngưỡng đơn hài (R2 R3) mạch hình thành độ rộng xung gồm linh kiện (R2, R3, R4 + P1 C2, C3): Tạo thành mạch chia có tác dụng tạo mức ngưỡng 𝑉𝐸 , mạch hình thành độ rộng xung dựa chế Schmitt Trigger 𝑉𝑖𝑛 > 𝑉𝑛𝑔ưỡ𝑛𝑔 lối mức cao ngược lại lối mức thấp tạo nên xung vuông Khảo sát mạch phát xung tam giác (xung cưa) • Bản mạch thực nghiệm: A8 – • Các bước thực hiện: • Kết đo: 10 ➢ Nguyên tắc hoạt động sơ đồ: Xung tam giác hình thành phụ thuộc vào nạp xả tụ Transistor T1 đóng vai trị khóa điện đầu vào ln xung dương Transistor T2 đóng vai trị nguồn dòng ổn định nạp cho tụ C Ở trạng thái bình thường T1 thơng nên Vc T1 = 0V Khi kích xung âm nên Vb T1 thấp Khi đó, T1 ngắt T2 thơng nên có dịng từ cực C T2 xuống cực E nên tụ C nạp Khảo sát máy phát xung tổng hợp (máy phát tạo hàm) lắp KĐTT • Bản mạch thực nghiệm: A8 – • Các bước thực hiện: • Kết đo: 11 P1 P2 giữa: V(01) = 18.8V, V(02) = 8.95V, t x = 1.805ms P1 P2 giữa: V(01) = 6.58V, V(02) = 3.04V, t x = 1.755ms P1 max P2 giữa: V(01) = 22.35V, V(02) = 17.55V, t x = 3.105ms 12 P1 P2 min: V(01) = 19V, V(02) = 9.45V, t x = 2.845ms P1 P2 max: V(01) = 19.35V, V(02) = 9.45V, t x = 0.935ms Bảng A8 – B3 𝐕(𝟎𝟏) 𝐕(𝟎𝟐) 𝐭𝐱 𝒇 P1 P2 18.8V 8.95V 1.805𝑚𝑠 277Hz P1 P2 6.58V 3.04V 1.755𝑚𝑠 284.9Hz 22.35V 17.55V 3.105𝑚𝑠 161Hz P1 P2 19V 9.45V 2.845𝑚𝑠 175.75Hz P1 P2 max 19.35V 9.45V 0.935𝑚𝑠 534.76Hz P1 max P2 ➢ Nguyên tắc hoạt động dựa phân tích sơ đồ IC1, IC2 IC3: − IC1 có tác dụng tạo xung vuông từ phản hồi dương IC3 theo chế Schmitt Trigger − IC2 có tác dụng tạo xung vuông với pha ngược lại so với IC1 nên mức đầu cao mức bão hồ thấp ngược lại tạo xung vuông ngược pha với đầu IC1 − IC3 mạch tích phân có tác dụng biến lối dạng xung vuông IC2 thành xung tam giác 13