1. Trang chủ
  2. » Luận Văn - Báo Cáo

Nghiên cứu lắp ráp hệ thống máy thu thanh phát công suất nhỏ phục vụ cho công việc giảng dạy

58 1 0
Tài liệu được quét OCR, nội dung có thể không chính xác

Đang tải... (xem toàn văn)

Tài liệu hạn chế xem trước, để xem đầy đủ mời bạn chọn Tải xuống

THÔNG TIN TÀI LIỆU

Thông tin cơ bản

Định dạng
Số trang 58
Dung lượng 2,89 MB

Nội dung

Trang 1

i 235)

DAL HOC QUOC GIA THANH PHO HO CHi MINH

TRƯỜNG ĐẠI HỌC SƯ PHAM Khoa: Vật Lý

%

LUẬN VAN TOT NGHIỆP

NGHIEN CUU LAP RAP HE THONG MAY THU PHAT CONG SUAT NHO PHUC VU CHO CONG VIEC GIANG DAY

GVHD : Thầy Phan Thanh Van SVTH : Cao Anh Tuấn

LỚP : 4B

Khóa 1995 - 1999

Trang 2

Lit Cam Ou

Tôi xin chân thành cam ơn

Thay Phan Thanh Van

- gidng vién, thac si — ngudi truc tiép hướng dân

giúp đỡ tôi tận tình để tơi hồn thành tốt luận văn này Tôi cũng xin chân thành cảm ơn Quý Thầy Cô

khoa Vật lý trường Đại Học Sư phạm Tp Hồ Chí

Minh, và các bạn trong lớp đã nhiệt tình giúp đỡ tôi

Trang 3

LỜI MỞ ĐẦU

Ngày nay, khoa học kỹ thuật phát triển rất là nhanh chóng, ngành vô

tuyến điện là một mình chứng rõ nhất Những sản phẩm của ngành ngày càng

nhiều hơn và tiên tiến hơn, góp phẩn quan trọng trong việc nâng cao đời sống

xã hội

Trong cuốn luận văn này, chúng tôi trình bày về cách thiết kế và lắp ráp

lệ thống máy thu - phát với công suất nhỏ phục vụ cho công việc giảng dạy của giáo viên Cuốn luận văn được chúng tôi trình bầy gồm hai phần lớn:

- Phẩn một: Tổng quan

e_ Câu tao, hoạt đông transistor

e Lý thuyết khuếch đại

e® Lý thuyết đao động, điều tân e Ly thuyét radio FM

e Ly thuyét may tang Am (Ampli) - PhAn hai: Thye hanh

e Mạch nguyên lý và số liệu kỹ thuật mỗi linh kiện

e Mạch in thực tế

Chắc chấn rằng cuốn luận van nay còn có những khiếm khuyết, chúng tôi rất mong sự đóng góp ý kiến của Quý Thây Cô và các bạn

Trang 4

Trường ĐHSP - Tp Hồ Chí Minh Khoa Vật Lý Đề tài: ?fạ4dês cá (Á@ vá hé thing mady the — phdt cing sadt mhd phuc ve cha cing wie gidug day Phinl : TONG QUAN A MAY PHAT: Sơ để khối | DAO ĐỘN [——|ktuẾcu pal DAD Be AM TAN MICRO ANTENNA (hình 1) I Khuếch đại âm tần:

Có nhiều linh kiện để khuếch đại âm tần như: đèn điện tử, transistor, IC,

Ở đây tôi sẽ trình bày mạch khuếch đại dùng transistor 1.1 Transistor lưỡng cực (Bipolar):

1.1.1 Cấu tạo, hoạt đông:

Transistor lưỡng cực là linh kiện có ba vùng dẫn điện khác loại, tạo thành hai lớp tiếp giáp P-N

Nếu vùng giữa là bán dẫn loại N, hai vùng bên là bán dẫn loại P, ta có

Transistor loai PNP (Transistor thuận)

Ngược lại, nếu vùng giữa là bán dẫn loại P, hai vùng bên loại N, ta có

Transistor loại NPN (Transistor ngược) —7[HE|®'] ——|N |P|N (hình 2) a Hoat déng: Ba cic cilia transistor : + Cực phát :Emier E + Cực khiển (gốc): Base B + Cực thu(góp) : Collecter €

Nguyên tắc hoạt động của transistor thể hiện qua các thí nghiệm sau: Chon m6t transistor loai PNP ,

Trang 5

Trường ĐHSP - Tp Hồ Chí Minh Khoa Vật Lý Để tài: Ughitn cuir Ap rip bf thing mdy thu ~ phdt chug quất ahh phuc oy che cing wife gidug day K2 (hinh 3) - Khi KI đóng, K2 mở: Lớp tiếp giáp P-N của EB là phân cực thuận, lỗ trống từ P —>N tạo thành dòng In - Khi KI mở, K2 đóng: Transistor như một Diot P-N lắp ngược chiểu nên chỉ có đồng rò Ico rat nho - Khi KI đóng, K2 đóng:

Lỗ trống từ P —>N (mạch 1) vì chịu ảnh hưởng của V9, đến vùng B là

bán dẫn loại N, lỗ trống bây giờ đóng vai hạt mang điện khiển số Tuy nhiên, vùng B có bể đầy rất mỏng (cỡ vài uum) nên lỗ trống sẽ khuếch tán qua tiếp giáp N-P để đến cực C, tại đây lỗ trống là hạt mang điện cơ bản

được nguồn VA hút mạnh tạo thành đòng ïc

Vậy để một transistor lưỡng cực hoạt động thì phải có tiếp tế VA và phân cực Va Phan cuc để tạo dòng kích thích In và tiếp tế để tạo dòng ïc Nếu In càng lớn (cd nA) thi Ic càng tăng (cỡ mA)

Đối với transistor NPN thì ta đổi cực của nguồn:

(hình 4)

Trang 6

Trường ĐHSP - 'Tp Hồ Chí Minh Khoa Vật Lý Để tài: Ughiin cir tip rip Kf thing may thu — phat cing sudt whd phuc oy che cing wife gulag day b Nhdn xét:

Ta nhận thấy nếu In đổi thì Ic và IE đổi theo, suy ra IB có tính điểu khiển -_ Nếu đặt một nguồn tín hiệu sao cho điện áp phân cực EB biến thiên, IB

biến thiên, kéo I: biến thiên và cũng kéo Ic biến thiên

- Đặt ở cực góp một tải trở kháng lớn, ta thu được một độ sụt thế biến thiên

lớn hơn nhiễu lần so với điện áp đặt vào Vậy transistor có tác dụng khuếch đại 1.1.2 Các đang mắc mạch cơ bản: Tùy theo mỗi cách mắc mà ta có sự khuếch đại tính hiệu khác nhau _ vào — vào œ ee ư= Peake i|F-+{1| \| I[P-|I| yt CE CB cc (hinhS) iéur cul ic ler Xét loai NPN T——kI|I HỊ|I ‘77 (hinh 6) «` Hoạt động: Ộ

- Nửa chu kỳ đầu: tín hiệu dương, làm Vp đương hơn nên In tăng làm Ïr: và Ic tang, mà Ic tăng thì độ sụt áp trên R2 tăng, nghĩa là Vc phải âm xuống

Trang 7

Trường ĐHSP ~ Tp Hồ Chí Minh Khoa Vật Lý Để lài: Nghiin cca Lip rip he tÁếng máy tÁu — AÁÁt cáag duất sÁÄ AÁœc vu che cing vite gidug day

- Nita chu ky sau: Tin hiéu 4m, lam 46 sut thé trén RI tăng nên Vũ giảm

kéo In gidm theo, ma Ic gidm thi sut Ap trên R2 gidm, nghia JA Vc phải đương hơn - Vay với cách mắc CE thì tín hiệu vào ngược pha với tín hiệu ra s Lợi suất:

- Lợi suất dòng điện:

Là tỉ số của đòng hiệu dụng giữa cực thu và cực khiển

Ie

= iE (1)

- Loi suat dién thé:

Là tỉ số của điện thế hiệu dụng giữa tín hiệu ra và tín hiệu vào V !„.R R 8y,= AT — C2 = B Set, (2) TY 1N - - Lợi suất cơng suất: Bo Fei MANG: = “©, "2 = p72 = pp, ae i= @) b,_ Kiểu ráp chung cực khién: CB (common Base ) Eww C hy Set R2 B RI T——h|IHII ‘77 (hinh 7) s« Hoạt dộng:

- - Nửa chu kỳ đầu: tín hiệu đương làm Ve bớt âm, dòng In giảm kéo theo

dòng Ic giảm, mà Ic giảm thì sụt áp trên R2 giảm, suy ra Ve phải dương

hơn

- - Nửa chu kỳ sau: tín hiệu âm làm VE âm hơn, đòng l8 tăng kéo theo Ic

tăng, mà Ic tăng thì sụt áp trên R2 tăng suy ra Vc phải giảm âm xuống - - Vậy với cách mắc CB thì tín hiệu vào cùng pha với tín hiệu ra

Trang 8

Trường ĐHSP - 'Tp Hồ Chí Minh Khoa Vật Lý Để lài: Nghiin cia liga vig hi thing may thu — phat cing sudt sÁI AÁạc ve cha cing viic gidng day © Loi sudt: - Lợi suất dòng: Ta luôn có lE =In +lc

anit a<1,tris6 mau a=0.98 (4) - Loi suat dién thé:

- Loi suat céng suat: c, Kiéu rdp chung cức gốc: CC c 4 = : T +—— T (hình 8) s « Hoạt động:

- - Nửa chu kỳ đâu: tín hiệu dương làn Vũ tăng, phân cực mạnh, dong Ip tang

kéo đòng lẽ tăng theo, dòng IE tang sụt áp trên R2 tăng suy ra VE phải

đương hơn

- Nita chu kỳ sau: tín hiệu âm làm Vũ giảm, phân cực giảm, đòng In giảm kéo dòng IE giảm theo, dòng Ir giảm thì sụt áp trên R2 giảm suy ra VE phải giảm

- - Vậy với cách mắc này thì tín hiệu vào cùng pha tín hiệu ra, và thêm một

lý do nữa là dòng điện khiển và đòng điện thu cùng chạy trong một mạch nên điện thế vào và ra phải đồng pha

Trang 9

Để tài: "Trường ĐHSP - Tp Hồ Chí Minh Khoa Vật Lý Vghiin csire lah rift hé thing mdy thu — phat cing sudt whd phuc vu che cing ofc gidug day e Loi sudt ding: lạ _ lạ +l¿ =14/¢ lạ ly I, Loi suất điện áp nhỏ hơn I d_ So sánh giữa ba cách mắc: Đặc tính Mạch CB Mạch CE Mạch CC -Pha giữa tín hiệu ra và vào | Đồng pha Ngược pha Đồng pha -Trd kháng vào Zv 30-500) 2002 - 2000) 20k - 500k -Trở kháng ra Zr 50kQ-IMO 20k - 100k 50k - 5M@

-Lợi suất dòng œ= 0,9 + 0.99 fa—s 20 + 100 | y=B + 1 = 20+100

-Lợi suất áp 200 +2000 500 +2000 nhỏ hơn I

-Lợi suất công suất 200 +1000 100 +10000 20 +50

-Sử dung Dao động Thông dụng Tầng khuếch đại nội, khuếch đệm đại âm tan tầng đầu, méo nhỏ, ổn định

1.2 Transistor trường (FET):

Transistor trường gồm có một thanh bán dẫn loại P hoặc loại N

- Một đầu được coi như nguồn cung cấp hạt dẫn điện cơ bản, gọi là cực nguồn

(8)

- Một đầu thu hút hạt đẫn điện cơ bản, được gọi là cực máng (D )

- Ở giữa thanh, người ta người ta phủ một lớp bán dẫn khác loại, được gọi là

cực cửa (G )

Tùy vào FET có cực cửa là tiếp giáp P - N hay có cực cửa cách điện mà

người ta chia thành hai nhóm chủng loại khác nhau

Trang 10

Trường ĐHSP - Tp Hồ Chí Minh Khoa Vật Lý Để tài: Nghiin cea lap rift hd thing mdy thu — phat cing sudt whd phuc ou che céug wiéc ging day 1.2.2 Transist ðng có cức cửa tiếp giáp (IFET): a, Cau tao: (+) (-) (-) at JFETN se JFETP (+) (hình 9) b._ Hoạt động: Hoạt động của Transistor trường chủ yếu dựa vào hiệu ứng trường * Hiệu ng trường:

Nếu có hai mẫu bán dẫn P - N đặt tiếp xúc nhau, đặt điện áp phân cực ngược thì sẽ xuất hiện một miễn điện tích Độ rộng của miễn điện tích này tùy thuộc

vào điện áp phân cực > WA " Ill — (hinh 10)

Để cho JFET hoat động thì ta phải đặt thế hiệu phân cực :

Ư„y >0 và Ứ¿; <0 ( cho loại kênh N)

Đảm bảo lớp tiếp xúc P —N là phân cực ngược

Trang 11

Trường ĐHSP ~ Tp Hồ Chí Minh Khoa Vật Lý Để tài: Ughién cera la rapt hé thing mdy the — phat cing sudt whd phuc vw che ching vite gidug day

* Ta đi xét các trường hợp sau:

@ KhiU,, =const, U ns ting dan bat dau tir 0, II (hình 11)

Miễn điện tích lớn ở vùng gắn cực máng D va nhỏ ở gần vùng cực nguồn S,

vì những điểm ở càng gắn cực máng có điện thế cao hơn nên có sự phân bố

không déu ving điện tích

- Khi /„, tăng, đòng /„ tăng, kênh N đóng vai trò như một điện trở, đồng thời

vùng điện tích càng lớn hơn, đạt đến U, thì 7p không tăng nữa, /„ đạt ?„ - - Tiếp tục tăng U„;, vùng điện tích tiếp tục lớn hơn nhưng vẫn cho /„ không

đổi đi qua

Trang 12

Trường ĐHSP - 'Tp Hồ Chí Minh Khoa Vật Lý Đề tài: Nghiin cine tp rip ht thing mdy thi ~ phat cing sudt whd phuc vu che cing vihe gidug day $ Khi L/ ns = const, tang dan U, : l— ~ (Hình 13)

- Khităng U„ thì vùng điện tích không gian tăng, khoảng cách nhỏ nhất của

vùng điện tích không gian gần cực D giảm ® , giảm, /„ giảm

- - Tiếp tục tăng thì vùng điện tích không gian sẽ bịt kín kênh , Vậy /„ phụ thuộc /„;

Từ hai trường họp trên ta thấy :

I, = SU ne) Ki U gg = const

I, = J.) khi Ups = const

Trang 13

Trường ĐHSP - Tp Hồ Chí Minh Khoa Vật Lý Đề tài: Nghiin cine lip rift hi thing may thu — phat cing sudt whh phue vu che cing vite gidug day * Nhận xét:

Đặc tuyến ra của JFET chia làm ba vùng rõ rệt:

e Vùng gần gốc O, khi /„; nhỏ, /„ tăng mạnh tuyến tính theo /„„, ít phụ

thuộc vào /„ Lúc này JFET như một điện trở thuần, và điểu này xảy ra tới

khi đặc tuyến bị uốn mạnh (tại điểm A)

e Vùng ngoài A: vùng thất (vùng bảo hòa), /„phụ thuộc mạnh vào Ư„;.Lúc

nay JFET lam việc như phẩn tử khuếch đại, dòng /,, dude diéu khiển bằng L/,„ , quan hệ này đứng cho đến điểm B

« _ Vùng ngoài B gọi là vùng đánh thủng, /„ tăng mạnh

e« Khi U, âm dẫn điểm uốn A địch gắn về gốc tạo độ, hoành độ của A cho

Ups = U,: điện áp thất kênh Khi |/¿;| tăng thì U, giảm

Trang 14

Trường ĐHSP - Tp Hồ Chí Minh Khoa Vật Lý He tai: Nghitn ciire thp rip bf thing may tha - phat chag sudt whd phac vu che chay vite gidag day b._ Hoạt động:

Để phân cực MOSFET người ta đặt một điện áp /„„ > 0 - Loai kénh dat sin:( Cho trường họp kênh N)

+ Trong kênh xuất hiện dòng điện tử dẫn nối giữa S và D và trong mạch

ngoài có dòng cực máng 7; (chiểu đi vào cực D), ngay khi chưa có điện áp đặt vào cực cửa G

+ Đặt lên cực cửa điện áp „v4 > 0, điện tử tự do ở vùng đế (hạt không cơ

bản) được hút vào kênh dẫn đối diện cực cửa, làm giàu hạt din cho kênh nên làm giảm điện trở của kênh, làm tăng dòng cực máng /„ Chế độ này gọi là chế độ giàu của MOSFET

+ Đặt lên cực cửa điện áp Ư/„; <0, quá trình xảy ra ngược lại, làm kênh

dẫn bị nghèo đi do các hạt đẫn (hạt diện tử) bị đẩy ra khỏi kênh Mức độ tăng của , theo chiểu âm làm tăng điện trở của kênh, làm giảm /„ Đây là chế độ nghèo của MOSFET

Sau đây là những đãc tuyến thể hiện chế độ làm việc của MOSFET:

Chọn những giá trị không đổi của U„ ta có dòng !„= (Ups) t8) (hình 16)

- - Loại kênh cảm ứng: (cho MOSFET kênh N)

+ Khi ta đặt lên cực cửa điện áp U„; < 0, thì không có dòng cực máng

(i„= 0) do tổn tại hai tiếp giáp P - N mắc đối nhau tại Máng ; Đế,

Nguồn - Đế Do đó không tồn tại kênh nối Máng —- Nguồn

+ Khi ta đặt lên cực cửa điện áp UJ„; > 0, thì tại vùng đế đối điện cực cửa

xuất hiện các điện tử tự đo (do cảm ứng tỉnh điện), hình thành kênh

dẫn nối liền hai cực Máng - Nguồn

Trang 15

Trường ĐHSP - 'Tp Hồ Chí Minh

Khoa Vật Lý

Để tài: A

Vighiin cara lip vip hi thing may thu — phat cing sudt whd phuc vw che cing vibe gidug dag

Như vậy MOSFET loại kênh cảm ứng chỉ làm việc với một loại cực tính và chỉ ở chế độ làm giàu kênh Ứng với các giá trị khác nhau, ta có họ đặc tuyến ra /„= /„(Ư„;) l9) ty) we ° mW) (hinh 17) * Nhận xét:

Cả hai loại MOSFET có đặc tuyến ra giống của JIFET mà ta đã xét thấy rõ 3

vùng Gần gốc, /„ biến thiên tuyến tính theo „¿, ít phụ thuộc /„„ Vùng bảo hòa (vùng thất) lúc đó 7; phụ thuệc mạnh vào /„; Vùng đánh thủng lúc „„

có giá trị khá lớn

1.2.4 Các mạch căn bản của FET:

Các ‘dn [

Tương tự như với transistor lưỡng cực, tổn tại ba kiểu mắc FET: Mạch

Trang 16

Trường ĐHSP - Tp Hé Chi Minh Khoa Vật Lý Đề tài: Ughiin cdr lie rift hi thing may thu — phat cing sudt whd phue vu che cing vibe gidng day b._ Tóm tắt, so sánh giữa hai cách mắc: Đặc tính Mạch nguồn chung Mạch máng chung - HSKP điện áp | Ku = - S(Rp // fps) = - SRp “Tạ.”

- Điện trở vào | RVÀO =fras => œ RVAO = faqs —>

- Diéntrd ra Rra = (Rb // fps) Rra = Rs // (1/S) Với S là hỗ đẫn của đặc tuyến truyền đạt: ol S= 20, Cin casei (8)

S cho biết tác dụng điều khiển của điện áp cực cửa tới đòng cực máng Hiện nay đối với IFET có S = (7 + 10) mA/V

1.3 Khuếch đại: :

Transistor được sử dụng trong các mạch để làm tăng cường điện áp hay dòng

điện của tín hiệu, thường được gọi là mạch khuếch đại

Thực chất khuếch đại là một quá trình biến đổi năng lượng có điều khiển

Năng lượng của nguồn cung cấp một chiều (không chứa thông tin) được biến đổi thành đạng năng lượng xoay chiều (có quy luật biến đổi theo quy luật của thông tin cần thiết) Đây là một quá trình gia công xử lý thông tin đạng ANALOG

1.3.1 Nguyén i:

Trang 17

"Trường ĐHSP - 'Tp Hồ Chí Minh Khoa Vật Lý Đề tài: Vghiin cia lip rip hi thing may CÁ — AÁÁC câng sudt whd phuc vu che cing vibe gidung day

- _ Để đơn giản, giả thiết điện áp đặt vào cực khiển có dạng hình sin Ta thấy

điện áp, đòng ra ở mạch ti lệ với điện áp, dòng của tín hiệu vào

- - Những thành phần điện áp, dòng ra này hình thành trên nền của thành phần một chiếu I„„ U, , nên cẩn phải bảo đảm sau cho biên 46 thanh phan xoay

chiểu không vượt quá thành phần một chiểu, nghĩa là I, > 1„ và U,> U„„ Nếu điểu kiện này không được thỏa mãn thì đòng điện ở mạch ra trong từng

khoảng thời gian nhất định sẽ bằng không và sẽ làm méo dạng tín hiệu ra w | V A " of |} fT \ | CÁM, J U xg (hinh 20)

Hồi tiếp là thực hiện truyền tín hiệu từ đầu ra về đầu vào của độ khuếch đại Thực hiện hổi tiếp trong bộ khuếch đại sẽ cải thiện hầu hết các chỉ tiêu chất

lượng của tín hiệu và làm bộ khuếch đại có một số tính chất đặc biệt Vào K Ra p (hình 21)

Nếu mạch hổi tiếp làm cho hệ số khuếch đại Kụ„ > K thì hổi tiếp dương (Dùng cho các mạch tạo dao động)

Ngược lại, nếu mạch hồi tiếp làm cho hệ số khuếch dai Ky, < K thì gọi là hồi tiếp âm (dùng để cải thiện chất lượng của mạch khuếch đại)

Trang 18

Trường ĐHSP -~ Tp Hé Chí Minh Khoa Vật Lý Đề tài: Ughiin cite tdp rip he thing may thu ~ phat cing sudt whi phuc wu che cing vite gidng day

1.3.3 Chế độ làm việc của tầng khuếch đại:

Điểm làm việc tĩnh P xác định bởi các tọa độ (Ico,Ucgo) hay (Ucgo, Uạgo) trên

đặc tuyến ra (colectơ) Tuỳ theo vị trí của điểm trên đường tải (xoay chiểu) mà

người ta phân biệt các chế độ làm việc khác nhau a, Chế độ A: 7 ese (hinh 22) - Hai điểm M, N là những giao điểm của đường thẳng tải với các đường đặc tuyến

ra tĩnh ứng với chế độ tới hạn của transistor Ugg„„„ và Upg= 0

- - Điểm P là giao điểm của đường thẳng tải và đặc tuyến ứng với Ungo

- _ Ở trường họp này , chế độ A, P nằm giữa M và N (xem hình 22)

Chế độ này có hai đặc điểm cơ bản : e Vùng làm việc gây ra méo nhỏ nhất

Trang 19

Trường ĐHSP - Tp Hồ Chí Minh Khoa Vật Lý Để tài: Uohiin caire lip vip hi thing may thu — phdt chug sudt sÁÄ AÁục ou cha cing wife gidng day

Ha dién dp tinh Upeo ta cé đặc tuyến ra (hình 23) Giao điểm ctia Upgo va

đường thẳng tải, điểm P, lúc này ở gắn N

Đặc điểm của chế độ AB:

e« _ Vùng làm việc gây méo rất lớn vì một phần tín hiệu ra đã bị cắt mất

e Hiệu quả biến đổi năng lượng của tẳng khuếch đại là tương đối cao (vì đồng tĩnh nhỏ) c Ché dé B: Khi điểm P trùng với điểm N (khi ta giảm điện áp tĩnh Ungo = 0) ta được chế độ B ze { AIM x a oe (hinh 24) Đặc điểm của chế độ B: © Ở chế độ B, tín hiệu ra bj méo trim trong, vi tin hiệu ra đã bị cắt mất một nửa e Như chế độ AB, vì đòng tĩnh nhỏ nên hiệu quả biến đổi năng lượng là cao nhất

d Khi P nằm ngoài N va lan cân dưới M: ta nói tầng khuếch đại làm việc ở cế độ

khóa với hai trạng thái tới hạn phân biệt của transistor là: Mở bảo hòa (P gần M)

và Khóa dòng (P đưới N) Chế độ này thường gặp ở các mạch xung

Trang 20

ĐỀ tài: Trường ĐHSP ~ Tp Hé Chi Minh Khoa Vat L§ Nghiin cain thp rape he thing may thu ~ phat cing sudt whi phue ou che cing sức giảng day

1.3.4 Vai vidu vé tang khuéch dai:

dng khuéch dai dang transistor C Uv (hinh 25) - Nhiệm vụ của từng linh kiện: €¡, C¿ tụ liên lạc đùng để nối tẳng

C¡ còn có tác đụng loại trừ ảnh hưởng của nguồn tín hiệu vào mạch và ngược lại từ mạch về dòng một chiều Đảm bảo điện 4p Ugo trong ché độ

tĩnh không phụ thuộc vào điện trở của nguồn tín hiệu vào Rn

C¿ chỉ cho thành phần điện áp xoay chiểu đi ra

R¿, R› điện trở phân cực, xác định chế độ tĩnh của tâng khuếch đại

- Hoạt động:

Khi đưa điện áp xoay chiểu vào, xuất hiện đòng xoay chiểu Base của

transistor do đó xuất hiện dòng xoay chiều ở Collector ở mạch ra Sut Ap trên R‹ tạo nên điện 4p xoay chiéu trén Collector

Điện áp xoay chiều Collector đưa đến đầu ra và đi ra qua tụ C; đến mạch tải (hoặc nối tầng)

Đây là mạch CE nên tín hiệu đầu ra ngược pha với đầu vào.(như dã trình bày ở phần transistor lưỡng cực)

Trang 21

Trường ĐHSP - Tp Hồ Chí Minh Khoa Vật Lý Đề tài: Ughiin cite lift rapt hé thing may thee ~ phat cing sudt hd phue vue che cing vibe gidug day ‘ch đai dùng IEE j (hinh 26) - Nhién vu từng linh kiện: « C¡,C¿ tụ liên lạc dùng để nối tẳng e Rj, R; điện trở phân cực, xác định chế độ tĩnh Uosocủa tầng khuếch đại - Hoại động:

© Ta đã biết Ip phụ thuộc vào Uøs , khi ta đặt hiệu thế Uv vào lam Ugs biến đổi tuân theo đúng quy luật biến đổi của Uv Nên đòng Ip cũng biến

đổi theo Uv

Trang 22

Trường ĐHSP - Tp Hỗ Chí Minh

Khoa Vật Lý

Để lài:

Wghtin cuir Lapp rapt hi thing may thu ~ phat cing sudt whd phuc vy che cing vite gidug day

- Nhiệm vụ từng linh kiện :

e Rị,R; lấy một phẩn điện nguồn cung cấp cho cực B tạo phân cực thuận cho lớp tiếp giáp BE, do đó dong cơ bản (electron) sẽ phun ra từ cực phát e R; nối cực góp với nguồn Vcc(+) để dẫn dòng phun ra từ E vào C về

nguồn Chọn sao cho Vẹ > Vụ để lớp tiếp giáp CB phân cực ngược

e R¿ ngoài tác dụng tạo đòng làm việc l¿ còn có tác dụng tạo hổi tiếp

nghịch ĐC làm nhiệm vụ ổn định nhiệt cho transistor

s €C¿,C;tụ liên lạc dùng để nối tẳng

e C) tụ lọc, lọc bỏ tín hiệu ở cực E, làm mất tác dụng hồi tiếp AC b_ Thiết kế:

« Phân phối dòng và áp cho điều kiện tĩnh DC:

Trong trạng thái tĩnh, các tụ điện không có tác dụng (giống như mạch hở),

niên mạch còn lại như sau: (hình 28)

Ở tin hiéu nhé ta chon ddng In = 1 mA để có mức tiếng ổn nhỏ

Trang 23

Trường ĐHSP - 'Tp Hồ Chí Minh Khoa Vật Lý Để tài: 2fạÁdêx cứu (ÁA sát Áệ tíếng sáy CÁ — AÁÁt câng sudt whi phuc vu cha cing wife gidng day © Hước 4: Tìm RI: V, Va = R, R +R, => VpÑ = (Vcc — Vpg)R; Voc —Vs)R, = (-l)6.8 Vy => R, = = 54.4K (lấy 56K) Vậy: RI = 56K, R2 = 6.8K, R3 = 47K, R4 = 3900

+ Tĩnh tổng trở vào, độ lợi của mạch, tổng trở ra:

Khi xét mạch ở điểu kiện ÁC, tụ có dung kháng nhỏ, nên được xem như ngắn mạch, transistor được thay bằng mạch đẳng hiệu như sau: lb (B) (C)¡ =} 8 a U (E) Mạch đẳng hiệu ne in (B) C) j Q™ bộn Š 8x3 ; rhe Mạch tương đương (hình 29)

- - Tổng trở vào là rin = RI/⁄R2/⁄/fw

Do Ri >> R2 và R2 >> rạ nên rin = re = 26 mV/ IR mA

- Tổng trở ra:

F.„„¿= R3 ⁄Rt do R3 >> RL nên r„„ = Rt

Trang 24

Trường DHSP - Tp Hé Chi Minh

Khoa Vật Lý

Để tài:

Nyhitn cine (hp vip t thing by thu ~ phat chug sudt uhh phue ws che chug vite gidag day

- _ Do đó mạch đẳng hiệu được vẽ lại đơn giản như sau : (B) ib (C)ic The Ry Le Mạch đẳng hiệu được được vẽ lại (hình 30) e Theo mạch (hình 30): Vin =the th Vout = Rt i, e D6 lợi điện áp: ee ae R Hù K,=— = = R 1I,(mA)/2 V Vn “nels H.26(mV) | genes I,(mA) ` với Ì, = Th iy Thre = H.26(mV) / Ie (mA) e Kết luận:

Hệ thức trên cho thấy khi lấy dòng làm việc IE lớn thì độ lợi của xaạch sẽ tăng (nhưng tiếng ổn cũng tăng theo)

Thường lấy IE trong khoảng 0.5 + 1.5 mA H Mạch dao động - Điều tân:

2.1 Các loại mạch dao động cao tần tạo sóng mang:

Mạch đao động có thể tạo ra dao động có dạng khác nhau: hình sin, xung chữ

nhật, xung tam giác,

Các mạch dao động điều hòa (hình sin) có thể làm việc trong dải tẩn từ vài

Hz đến hàng nghìn MHz Dé tao dao động, người ta có thể sử dụng các linh kiện

tích cực như: đèn điện tử , transistor lưỡng cực, Fet, mạch khuếch đại thuật

toán

ở đây tôi trình bày cách tạo đao động dùng transistor lưỡng cực làm phần tử chính

Trang 25

Trường ĐHSP - Tp Hồ Chí Minh Khoa Vật Lý Đề tài:

Wghiin cia li rift hé thing may thu ~ phat cing uất xÁÄ AÁục sự cÁa cắng vide gidug day

2.1.1 Diéu kiénd V i mạch tạo dao đông:

Ta xét sơ đổ khối sau: oi Kea Xi = > #Ÿ bệ K, 2 | (hinh 31) Trong đó: (1) là khối khuếch đại có hệ số khuếch đại Ấ = K,e”” (j? =- 1) (9)

(2) là khối hồi tiếp có hệ số truyền đạt Ấ„ = Kye* (10) Giả thiết KẤ„ =Ì và đặt tín hiệu đầu vào là Ä,

Ta có: XX RR Xk (11)

Vậy: Tín hiệu vào của mạch khuếch đại XxX, và tín hiệu ra của mạch hồi tiếp

X', bing nhau cả về biên độ và pha nên có thể nối các đầu a và b vào

nhau mà tín hiệu ra X r không đổi

Lúc này sơ đổ khối hình 31 là sơ đổ khối của mạch tạo dao động làm việc theo nguyên tắc hồi tiếp Chú ý điểu kiện KK, iy = (12)

Vì Ấ và K,, đều là những số phức nên:

KK„ =K.K„efˆ°®) =| (13)

K: modun hệ số khuếch đại

Ku: modun hệ số hồi tiếp

@y : góc lệch pha của bộ khuếch đại tị: góc lệch pha của mạch hồi tiếp Ta viết tách (13) thành:

K.Ky, = 1 (13a)

P = Py +P, = 200 (13b)

Trang 26

Trường ĐHSP - Tp Hồ Chí Minh

Khoa Vật Lý

Để lài:

NUghlin cine tip rip bi thing may thu ~ phi chug sukt whi phuc om che ching vite gidag day ọ :tổng lệch pha của bộ khuếch đại và mạch hồi tiếp, biểu thị sự lệch

pha giữa tín hiệu ra x „ của mạch hồi tiếp và tín hiệu vào X, của

bộ khuếch đại :

- Quan hệ (13a) gọi là điều kiện cân bằng biên độ Điễu kiện này cho thấy mạch chỉ đao động khi hệ số khuếch đại của bộ khuéch dai có thể bù được tổn hao do mạch hồi tiếp gây ra

- Quan hệ (13b) là điểu kiện cân bằng pha, cho ta thấy dao động chỉ có thể

phát sinh khi tín hiệu hồi tiếp về đồng pha với tín hiệu vào át đao đông dùng hồi tiếp cảm ứng: Quan sát mạch dao động GC: mf hàng E L “FC 4 —¬|I|— (hình 32)

Mạch LC nếu vì một lý đo nào đó có năng lượng thì sẽ đao động Nhưng dao

động này tất dân (nếu LC cô lặp)

Ở đây, LC được ghép với bộ đao động dùng transistor mắc kiểu CE

- Hoạt động:

e Lúc đầu tụ C phóng điện, dòng qua L tăng nên ¡ cũng tăng

e Dòng qua L tăng làm xuất hiện trên L` suất điện động cảm ứng làm

cho Vgẹ> Vạ nên transistor ngừng hoạt động đòng i, bi can lai

se Ngược lại khi ¡ giảm tức dòng qua L giảm, khi đó L' xuất hiện suất

điện động cảm ứng lam cho Vg < Vp nén transistor hoat động trở lại cung cấp năng lượng cho mach dao déng LC

2.1.3 Máy phát đao động Joai mach ba diém:

Ở mạch (hình 32), ta thấy có hai cuộn dây L và L' đóng vai trò như một

biến áp (L sơ cấp, L'thứ cấp ) dùng để tạo hổi tiếp điểu khiển dòng i, cung

cấp năng lượng bù lại phần hao hụt cho khung đao động LC

Thay thế L và L' bằng một biến áp tự ngẫu thì ta được mạch ghép loại ba điểm

Trang 27

"Trường ĐHSP ~ 'Tp Hồ Chí Minh Khoa Vật Lý Đề tài: Nghien cin lige ripe 6 thing may tha ~ phat cing sudt uhh phuc ou che cing whe gidng day

Nguyên tắc thiết lận mạch ba điểm:

Trang 28

Trường ĐHSP - Tp Hổ Chí Minh Khoa Vật Lý Để lài: Ughiém csire lift rift hé thing mdy thu — phat chang sudt whd phuc va cha ching vibe gidng day X K.K„=—-K,———— 19 - TX KX, dở) Từ (18) suy ra: X: + X: = - X; (20) Thế (20) vào (19) ta được: X K.K,,=K,— X, (21) 21

Theo điểu kiện cân bing bién 46 (13a) thi K.K,, > 0 (K Ky, = 1) Nén ti (21) suy ra X; và X; là cùng đấu (Xạ X¿ > 0) và từ (20) suy ra X: trái dấu với (X,, Xz) TW đó suy ra có hai loại mạch ba điểm:

e© Loại I: Mạch ba điểm điện cảm: X) ,X;>0và X:<0 (22) « Loại 2: Mạch ba điểm diện dung: X;,X;<0vàX:>0 (23) 2.1.4 Mach ba điểm điên cảm - Mach Hartley: Mạch Hartley (hình 34)

Trang 29

Trường ĐHSP ~ Tp Hồ Chí Minh Khoa Vật Lý Đề tài: Ughiin ear lip rip he thing may thu ~ phat cing suit uhh phuc cự che công vite gidug day 1.5 € i ~ Colpits: C Ci E ha C2 ‘77 Mach Colpits (hinh 35) Hình 35, trường hop transistor NPN m4c CE X, = Xg¢=- VoC2< 0; X:y=X.t= - l/@C ,< 0; X: =Xc(n= 0L > 0; (26) Tần số dao động của mạch được xác định bởi: đụ *® ———————= 2x: ; ca C,+C, 2.2 Biến điệu, điều tần:

Như chúng ta đã biết, âm thanh có tần số khá thấp không truyền đi xa được Nhưng sóng cao tắn thì có thể truyền rất xa trong không gian Vì thế người ta đưa âm thanh vào sóng cao tần để sóng cao tần mang đi xa (gọi tắt là sóng

mang)

Phương thức đưa âm thanh vào sóng cao tần để sóng cao tần mang đi xa ta

gọi là biến điệu (hay điều chế)

- Phương trình của sóng cao tẫn:

v= Vsin(ot+@) ;œ = 2nÝ (28)

- Giả sử sóng âm thanh có dạng:

v'= V'sinOt; @=2nF (29)

Với 20 Hz < F< 20 KH¿

Người ta có thể đưa âm thanh vào sóng cao tắn bằng hai cách:

e Làm thay đổi biên độ V của cao tấn theo quy luật của âm thanh: gọi là

điểu chế biên độ AM(Amplitude Modulation)

e Làm thay đổi tần số sóng f của sóng cao tấn theo quy luật của âm thanh: gọi là điều chế tần số - điều tân FM(Frequency Modulation)

Trang 30

Trường ĐHSP - 'Tp Hồ Chí Minh Khoa Vật Lý Để tài: Uohiin cea lhpe hp hi thing may thu ~ phat cing sadt whd phue vu che cing vite gidng day

Uu, nhuge điểm:

© AMcé6 wu diém IA gid thanh thap, bển nhưng để bị nhiễu

e FM có ứu điểm là âm thanh trung thực nhưng mạch phức tạp hơn

2.2.1 Lý thuyết điều tấn;

Trong phần này tôi chỉ trình bày về lý thuyết điểu tẫn để phục vụ cho phần thực hành, không trình bầy phần điểu biên

Trang 31

Trường ĐHSP - Tp Hồ Chí Minh Khoa Vật Lý Để tài: Nghiin cir tip wit hi thing may thu — phat cing sudt nhh phuc vy che chug vite gihng day Taco: A? A‘ AS = | —+— — + ee Sale K*cos*Or | K*cos' Qt K* cos’ Qt | 2! 4 6 = cosA =a, +a,cos2a+a,cos4a+ (39) | Be A inA = A-—+—- e sinA 3 4 K* cos’ Ot 5 K* cos’ Qt _ 3 5! = sin A = a, cosa + a, cos3a + a, cosSa + (40) Kết hợp (38), (39) va (40) => v=V sinat(a, + a, cos2a+a,cos4a+ )+V cosat(a, cosa + a, cos3a + ) (41) =>v= f(aatQe+t20,0+ 3 ) (42)

Vậy v là hàm số phụ thuộc vào œ,œ + Q, nghĩa là v là tổng các hàm số lượng giác có biên độ giảm dẫn

+ - Phổ của dao động đã điểu tấn là một đãy từ -œ đến +œ Nhưng khi n lớn thì hàm số lượng giác sẽ tương ứng biên độ rất nhỏ, nên có thể bỏ qua 1v = K cos$u — 7 C4) We tức BÓN, a we nth, (hinh 37)

+ Ưu khuyết điểm của điều chế tin sé:

e Ưu: Truyền được tín hiệu một cách trung thực, loại nhiễu dễ dàng vì khi nhiễu bam vào biên độ, thì tầng hạn biên ở máy thu sẽ loại đi Các biên độ cao của âm thanh được chuyển thành tần số nên chúng không bị cắt bởi mạch khuếch đại, vì thế âm thanh lấy ra là trung

thực

Trang 32

Trường ĐHSP - 'Tp Hồ Chí Minh Khoa Vật Lý Để tài:

Ughiin care Lip rip he thing may thas ~ phat cing suất sÁÄ AÁục ụ cán cing wife gidng day

e Khuyết: Khó tạo điều chế

Phổ của một đài phát FM quá rộng nên các băng tần MW, SW không dùng để tao ra FM được, để tạo được thì phải dùng các băng tần VHF, SHF, UHF

B MAY THU:

Ở phần A, tôi đã trình bày về lý thuyết phục vụ cho micro không dây, để thu

được tín hiệu của micro phát, ta sẽ dùng mày thu, máy thu này như một Radio thu s6ng FM So dé khối: ANTENNA | RECEIVE | FM at ẨM SẮC CÔNG SUẤT PHI ` mc (hinh 38) * Nhiệm vụ tổng quát từng phần (tẳng): - Phần âm sắc:

Nhận tín hiệu đưa đến có thể tY phan nhận tín hiệu đầu tiên (phẩn Receive FM hoặc từ phần Preampli, điểu chỉnh Bass - Treble (tùy người sử dụng) và đưa ra tín hiệu đến phẩn công suất

- Phân công suất:

Sau khi nhận lấy tín hiệu, khuếch đại mạnh rồi đưa ra loa - Phin Preampli:

Nhận tín hiệu từ Micro đây trực tiếp, khuếch đại rồi đưa đến phần âm sắc

Máy thu này có thể làm việc ở hai chế độ:

- ‘Thu séng FM và phát ra loa - đối với micro không đây

- Như một Ampli khuếch đại trực tiếp khi cắm Micro dây vào máy Công suất:

Phần công suất là phần xử lý tín hiệu cuối cùng để đưa ra loa Ta có thể sử

đụng Transistor, hoặc IC,

Trang 33

Trường ĐHSP - Tp Hé Chí Minh Khoa Vật Lý

Đề tài:

Nghiin ire ip wip he thing may thee — phat cing sudt whi phuc we cha cing wife gidny day

1.1 Loai ding transistor:

Tầng công suất dùng transistor, thi transistor là những loại transistor công suất

có kích thước lớn Ta thường thấy ở các ampli có công suất lớn

Như đã trình bày ở phần lý thuyết về transisitor, ta biết transistor làm việc ở

các chế độ như: A, AB, B,C Mỗi chế độ sẽ cho tín hiệu ra khác nhau sau khi khuếch đại Ic Ic Chế độ A Chế độ AB “1 TU — or ic Ic Chế độ B Chế độ C + lco

Do đó tùy vào mỗi cách mắẮc tầng công suất, có những đặt tính riêng mà

Trang 34

Để tài: Trường ĐHSP - Tp Hồ Chí Minh Khoa Vật Lý Ughiin edire lip rife hd thing mdy thu = AÁÁt cổng sudt whi phuc vu cha chug wide gidug day Giai thich: Ri, R2 lay dién áp, phân cực cho transistor chọn chế độ làm việc R2 lấy dòng làm việc I

C¡ tụ liên lạc lấy tín hiệu vào

C2 tu lọc, làm rhất tác dụng hồi tiếp âm để tăng độ lợi

Biến áp B (biến áp xuất âm) dung hợp tổng trở để lấy được công suất ra lớn

cho loa

Hoạt đông: (Giống phan hoạt động của transistor lưỡng cực mắc CE')

Ở đây ta thấy tín hiệu ra phụ thuộc vào dòng In va IC nên để không bị méo

tín ae ra, thi Anh chọn chế độ cho transistor la chế độ A linh điện: Vào (hình 40) Giải thích: Hai transistor loại PNP giống nhau, R1, R2 phân cyc cho hai transistor T1 và T2

Biến thế BI làm nhiệm vụ đảo pha, tạo ra hai điện áp tín hiệu đưa đến Tì¡ và Ta có biên độ bằng nhau nhưng ngược pha

B2 là biến áp xuất âm

Re là điện trở ổn định nhiệt độ, không cẩn lắp tụ hồi tiếp ở mạch này vì hai

thành phan hổi tiếp biếi thiên qua Re ngược chiều, ngược pha nên tự triệt

tiêu nhau

Trang 35

Trường ĐHSP - 'Tp Hồ Chí Minh Khoa Vật Lý Đề tài: NUghiin citu lit vip hé thing mdy thu — phat chug sudt whd phuc ve che chug vite gidug day Hoạt động:

e Khi T¡ nhận bán kỳ đương, làm TI bị phân cực ngược nên không làm việc,

còn T3 nhân bán kỳ âm phân cực thuận nên hoạt động

e Khi T! nhận bán kỳ âm, T1 phân cực thuận nên hoạt động, còn T2 bị phân cực ngược nên khơng hoạt động

e© Cả hai dòng tín hiệu i.; và i; qua cuộn sơ cấp của B2, chúng ngược chiều, ngược pha nên trên cuộn thứ cấp B2 có dòng cảm ứng đẩy đủ hai chu kỳ Ta nhận thấy ở đây khuhếch đại dạng đẩy kéo, mỗi transistor chỉ khuếch đại

có một nửa tín hiệu nên có thể chọn chế độ làm việc cho chùng là ở chế độ AB

hoặc B

VÌ mạch có thể phát sinh đao động tự kích nên để loại bỏ nhiễu tẩn số cao, ta

lấp thềm tụ €C (hình 40)

Đối với khuếch đại dùng transistor, người ta có thể lấp kiểu không dùng biến

thế suất âm (gọi là mắc theo kiểu OTL)

1.2 Các kiểu mạch dập tắt các dao động ký sinh:

Đổi với tầng công suất, cần nhất là âm thanh phải trong, tiếng Ổn, tạp âm

nhỏ nhất khi phát ra loa Nên vấn để khử tạp âm và dao động ký sinh là quan trọng

Một mạch khuếch đại công suất bị tạp âm : bị ổn, rè, nổ lụp bụp Để khắc

Trang 36

Trường ĐHSP ~- Tp Hồ Chí Minh Khoa Vật Lý DE tài: Nighiin ciire lip rip hi thing may thu — phat cing sudt whi phuc ou che cing vite gidug day

I.2.3 Chống dao đông ký sinh;

Thường dùng các tụ có € nhỏ mắc chống hồi tiếp để dập tất đao động ký sinh tin số cao

Ngoài ra, như ta đã biết thì mạch khuếch đại hay bất cứ tẳng nào khác, ta đều

phải lấp tu lọc nguồn Đối với tẳng công suất ta cần phải lọc nguồn thật kỹ Do kết cấu của tu hóa nên nó không lọc được tín hiệu cao tần, nên ta phải lắp thêm

Itụ C (cỡ vài pF) song song với tụ hóa lọc nguồn

_——

+

(hình 43)

1.3 Khuếch đại công suất dùng IC:

Đối với IC về nguyên tất hoạt động cũng tương tự như transistor lấp kiểu

ƠTL IC có kích thước gọn hơn nhiều vì người ta “gom” những transistor vào

chung nên máy ampli khuếch đại dùng IC rất gọn , nhẹ Nhưng khuếch đại

bằng IC không mạnh và bển như máy dùng transistor Mội số loại IC có công suất vừa và đễ mua :

HPCI1277H ; LA4440; HAI392

Các IC công suất hiện nay thường là loại IC khuếch đại 2 kênh (STEREO), cấu tạo bên trong của chúng gồm 2 phẩn khuếch đại giống nhau °

Mạch ra thường có 2 kiểu:

- - Không biến áp thông thường ƠTL (OUTPUT TRANFORMER LESS)

._ Không biến áp kiểu cân bằng BTL (BALANCE TRANFORMER LESS)

(hình 44)

Trang 37

Trường ĐHSP - Tp Hồ Chí Minh Khoa Vật Lý Để tài: Nohiin citu lift if hi thing mdy thu — phdt cing cadt whd phuc vy cha cing vite gidng day 2 Pais SRI b ch lắp kỉ ( hình 45) 2 fs wT 2Rt

e_ So sánh hai kiểu lắp ráp, ta nhận thấy kiểu lắp ráp BTL có công suất lớn

hơn kiểu OTL đến bốn lần

Đối với ampli mà tôi sẽ thực hiện ở phần thực hành thì chỉ dùng một loa cỡ

Trang 38

Trường ĐHSP - Tp Hồ Chí Minh

Khoa Vật Lý

Dé tai:

Nighita cis lip vip kp thing my tha ~ phat cing sudt whi phuc vu cha cing vite gidug day Nhiệm vụ của mỗi chan IC:

6,7 tín hiệu vào cho hai kênh LR 2,11 tín hiệu ra cho hai kênh LR

5,8 _ lấy tín hiệu hồi tiếp nghịch (âm)

3,9 lay tín hiệu hồi tiếp thuận làm cân bằng tín hiệu ra 1,12 nối masse (đương)

4 mắc tụ lọc 10 lấy nguồn VCC

Nhiệm vụ từng linh kiện:

e C¡,C; định mức độ hỏi tiếp

Cà, C¿ lấy tín hiệu ra loa

Cs, Cg lấy tín hiệu ra hồi tiếp về 3, 9

Cặp Rị, C; Rạ, Cạ mạch lọc các đao động boating

Cạ, Cụo lọc nguồn, lọc nguồn cho tầng khuếch đại

Tương tự như „ PC 1277 H có LA 4440 cũng là IC hai kênh nhưng có công suất lớn

hơn

IC LA 4440:

IC LA 4440 là IC khuếch đại hai kênh, công suất 6W, loa 4OHM, điện áp

nguồn 12V (13V2) Đây cũng là IC được tôi sử dụng lấp cho phần công suất của ampli ở máy thu Sơ đổ mạch điện: + to + 13 3+ .T | LA44o | ”— lạ — as : R2 lon vo SẮP ah k 5.0 s—t+ cS cs ⁄h (hình 47)

Nhiệm vụ của mỗi chan IC:

2,6 tín hiệu vào cho hai kênh LR 10, 12 tín hiệu ra cho hai kênh LR

1,7 lấy tín hiệu hổi tiếp nghịch (âm)

Trang 39

Trường ĐHSP - Tp Hồ Chí Minh

Khoa Vật Lý

Đề tai:

Uphiin cua laps wif hé thing may th — phat cing sudt whdb phuc ve cha cing vibe gldng day 3,9 _ lấy tín hiệu hồi tiếp thuận làm cân bằng tín hiệu ra 3, 8, I4nối masse (đương)

5 mắc tụ lọc

II lấy nguồn VCC

Nhiệm vụ từng linh kiện:

« CC; định mức độ hồi tiếp, xác định hệ số khuếch đại cho IÊ e €C;,C, lấy tín hiệu ra loa

e Cs,C, lấy tín hiệu ra hổi tiếp về 13, 9 se Cặp Rị, C;; Rạ, Cạ mạch lọc tạp 4m

© Cạ, Cụ; lọc nguồn, lọc nguồn cho tẳng khuếch đại

IC HA1392:

IC HA1392 có công suất 4.3W, nguồn 12V, 10 chân

Về nhiệm vụ của các chân IC này cũng tương tự như hai loại trên, nên

tôi chỉ trình bày mạch điện £10 “ư HA1392 i ro > ch Tủ vào (hình 48)

ll Mạch âm sắc (BASS- TREBLE):

Tùy vào giọng nói của từng người mà khi qua ampli đưa ra loa có lúc nghe nhiều tiếng trầm, ngược lại có lúc lại rất cao gây khó nghe Giúp cho thích hợp với người nghe ta có mạch âm sắc (Bass - Treble), ta có thể điểu chỉnh được âm cao, hay âm thấp một cách dễ dàng

Mạch điện: ta chọn mạch Baxandalle

Trang 40

Trường ĐHSP - Tp Hồ Chí Minh Khoa Vật Lý Để tài: Noghiin cine lh rap 2 thing may thu ~ phat cing sudt whd phuc wu che cing “ÓC gẢng day — ` * Mach dién: án" vào }Ƒ— A tì ee (hinh 48) * Hoạt động:

- - Tín hiệu vào ở Á chia làm hai ngõ đi:

+ Theo đường thứ nhất (I) là âm cao (Treble) vì qua C¡ dễ đàng, chiết áp

VR; để lấy tín hiệu Treble Nếu ở vị trí 0 thì lấy tín hiệu Treble là lớn nhất

và ở M là nhỏ nhất C; là tụ lọc

+ Theo đường thứ hai (2) là âm trầm (Bass) còn lại qua R; được giảm biên

rồi đi đến bộ (C// VRạ) Khi VR¿ạ ở vị trí 0 thì Cạ bị nối tất, tín hiệu Bass mạnh nhất, khi VRạ ở vị trí khác 0 thì tín hiệu Bass giảm vì VR¿ tăng, tín

hiệu cao còn lại được C, C¿ khử đi

- - Sau đó tín hiệu ra ở hai đường gặp nhau tại B, trộn chung lại qua R; đi đến

tầng công suất

- Tuy nhiên sau khi tín hiệu đi qua mạch baxcandalle bị suy yếu rất nhiều

nên cần thiết có thêm một mạch khuếch ở phía sau (mạch khuếch đại điện

áp)

IH Mach Preampli:

Phan Preampli có tác dụng khuếch đại tín hiệu của micro đây cắm trực tiếp vào máy, khuếch đại điện thế Ta có thể dùng transistor hay IC để lấp mạch này

Tương tự như phan máy phát (Micro không đây) tôi sẽ sử dụng lại mạch

Ngày đăng: 01/09/2023, 13:36

TÀI LIỆU CÙNG NGƯỜI DÙNG

TÀI LIỆU LIÊN QUAN