Nghiên cứu tổng hợp hình thái học film bản mỏng zno dạng que đơn tinh thể kích thước nano trên đế kính dẫn trong suốt tco báo cáo khoa học tổng kết đề tài cấp trường

BỘ CÔNG THƯƠNG ĐẠI HỌC CÔNG NGHIỆP THÀNH PHỐ HỒ CHÍ MINH BÁO CÁO TỔNG KẾT ĐỀ TÀI KHOA HỌC KẾT QUẢ THỰC HIỆN ĐỀ TÀI NGHIÊN CỨU KHOA HỌCCẤP TRƯỜNG Tên đề tài: Nghiên cứu tổng hợp hình thái học film mỏng ZnO dạng que đơn tinh thể - kích thước nano đế kính dẫn suốt TCO Mã số đề tài: 184.HH07 Chủ nhiệm đề tài: Văn Thanh Khuê Đơn vị thực hiện: Khoa Công nghệ Hố học trường Đại học Cơng Nghiệp TPHCM Tp Hồ Chí Minh, … LỜI CÁM ƠN Đề tài: “Nghiên cứu tổng hợp hình thái học film mỏng ZnO dạng que đơn tinh thể - kích thước nano đế kính dẫn suốt TCO” thực Phịng thí nghiệm Đại học cơng nghiệp TP HCM Với hỗ trợ kinh phí thực trường Đại học Cơng nghiệp, Đề tài thực hồn thành đạt kết đáng giá cho lĩnh vực vật liệu bán dẫn dạng film sử dụng làm điện cực quang hóa cho phản ứng xúc tác quang Chúng chân thành cảm ơn quỹ nghiên cứu Khoa học trường Đại học Công nghiệp TP HCM, Khoa Cơng nghệ Hóa – Trường Đại học Cơng nghiệp TP HCM hỗ trợ để thực hoàn thành Đề tài PHẦN I THƠNG TIN CHUNG I Thơng tin tổng quát 1.1 Tên đề tài: Nghiên cứu tổng hợp hình thái học film mỏng ZnO dạng que đơn tinh thể - kích thước nano đế kính dẫn suốt TCO 1.2 Mã số: 184.HH07 1.3 Danh sách chủ trì, thành viên tham gia thực đề tài Họ tên (học hàm, học vị) Đơn vị cơng tác Vai trị thực đề tài TS Văn Thanh Kh Khoa Cơng nghệ Hố học, trường Đại học Công nghiệp TP.HCM Chủ nhiệm đề tài Huỳnh Nguyễn Việt Đức Khoa Cơng nghệ Hố học, trường Đại học Cơng nghiệp TP.HCM Thành viên TS Nguyễn Văn Trọng Khoa Công nghệ Hố học, trường Đại học Cơng nghiệp TP.HCM Thành viên Lưu Thị Việt Hà Khoa Cơng nghệ Hố học, trường Đại học Công nghiệp TP.HCM Thành viên Khưu Châu Quang Khoa Cơng nghệ Hố học, trường Đại học Cơng nghiệp TP.HCM Thành viên TT 1.4 Đơn vị chủ trì: Trường Đại học Cơng nghiệp TP HCM 1.5 Thời gian thực hiện: 1.5.1 Theo hợp đồng: từ tháng 01 năm 2018 đến tháng 12 năm 2018 1.5.2 Gia hạn (nếu có): đến tháng 06 năm 2019 1.5.3 Thực thực tế: từ tháng 01 năm 2018 đến tháng 06 năm 2019 1.6 Những thay đổi so với thuyết minh ban đầu (nếu có): (Về mục tiêu, nội dung, phương pháp, kết nghiên cứu tổ chức thực hiện; Nguyên nhân; Ý kiến Cơ quan quản lý) - Khơng 1.7 Tổng kinh phí phê duyệt đề tài: 30.000.000 triệu đồng II Kết nghiên cứu Đặt vấn đề Trong sống đại ngày nay, nhu cầu lượng thiết bị công nghệ đại phục vụ cho sống văn minh nhân loại cao Khoa học cơng nghệ đóng vai trị trọng yếu đáp ứng nhu cầu xã hội văn minh, tạo phát triển mặt kinh tế, xã hội người Sự phát triển mạnh mẽ công nghệ thông tin, thiết bị điện tử khủng hoảng nguồn lượng năm gần thúc nhà khoa học không ngừng nổ lực tập trung nghiên cứu phát triển công nghệ tiên tiến cao, vật liệu an tồn, thân thiện mơi trường nguồn lượng thay (alternative enegy) an tồn bền vững (sustainable) Một cơng nghệ phát triển vũ bão hầu hết lĩnh vực cơng nghệ nano sờ vật liệu kích thước nano met Với tính ưu việt riêng vượt trội so với vật liệu kích thươc lớn, vật liệu nano thu hút nhà khoa học đặc biệt ý nghiên cứu, tìm hiểu phát triển tính nghiên cứu khoa học ứng dụng thực tiễn Với thực tế gần đây, nhằm thu nhỏ kích thước linh kiện vi mạch điện tử đến ngưỡng nanomet, sản xuất thiết bị điện tử nhỏ gọn với tốc độ xử lý thơng tin nhanh chóng hơn, vật liệu kích thước nano hay gọi ngắn gọn vật liệu nano đưa vào thực tến sản xuất công nghiệp công nghệ cao Một vật liệu nano quan tâm nghiên cứu tinh thể chất bán dẫn kích thước nano nghiên cứu mạnh mẽ cho lĩnh vực điện tử, xúc tác lượng mặt trời thập niên Mục tiêu Trong giai đoạn Việt Nam tập trung phát triển ứng dụng Internet of Things hướng đến xây dựng thành phố thông minh, nâng cao chất lượng sống ngày tiên tiến tiện lợi hơn, số phải kể đến phát triển bùng nổ thiết bị điện tử nhằm đáp ứng nhu cầu quốc gia 90 triệu dân sử dụng internet, điện thoại thông minh vào mức hàng đầu giới ngành cơng nghiệp vật liệu bán dẫn , đặc biệt vật liệu quang điện tử, đóng vai trị quan trọng việc phát triển sản xuất loại linh kiện vi mạch bán dẫn quang điện tử có kích thước thu nhỏ đến ngưỡng nanomet, khả xử lý thông tin nhanh chóng, xác vật liệu bán dẫn quang điện tử ngày cải tiến khả truyền dẫn điện, khả hấp thụ lượng khoảng quang phổ rộng độ bền vững cao Với mong muốn đóng góp phần tri thức, mục tiêu lâu dài nghiên cứu phát triển vật liệu bán dẫn ZnO dạng film bảng mỏng nhằm chế tạo vật liệu giá thành thấp dễ dàng tổng hợp ứng dụng công nghệ thông tin, thiết bị điện tử lượng mặt trời Phương pháp nghiên cứu Dựa phương pháp thực nghiệm trực quang, tổng hợp khảo sát điều kiện, thông số sản phẩm vật liệu film mỏng chất bán dẫn ZnO đế dẫn suốt ITO Áp dụng cơng nghệ phân tích Hóa lý đại XRD, UV, SEM, TEM, HRTEM, SEAD, FTIR UV dùng để đặc trưng cho kết tổng hợp từ thực nghiệm Tổng kết kết nghiên cứu 4.1 Đặc trưng film bảng mỏng mầm tinh thể ZnO Hình 4.1 Hình ảnh chụp kỹ thuật số film mầm tinh thể ZnO kính dẫn suốt ITO Hình 4.2 Hình SEM film mầm tinh thể ZnO kính ITO Ảnh chụp độ phân giải 100 k – scale bar: 500 nm Hình 4.3 Kết XRD film ITO phủ mầm tinh thể ZnO 4.2 Khảo sát số thông số phương pháp phủ quay (spin coating) tổng hợp mầm tinh thể ZnO ITO - Sự ảnh hưởng nồng độ tiền chất lên mật độ lớp mầm ZnO phủ ITO Hình 4.4 Ảnh SEM mầm tinh thể ZnO thực phương pháp spin coating nồng độ tiền chất khác a) Nồng độ ZnAc2 10 mM, b) Nồng độ ZnAc2 20 mM Nồng độ ZnAc2 40 mM - film mầm: Hình 4.5 Ảnh SEM film mầm tinh thể ZnO thực phương pháp spin coating theo Sơ đồ 2.1 thông số phủ khác a) lần phủ, b) lần phủ, c,d) lần phủ 4.3 Sự phát triển tinh thể ZnO dạng que xếp thẳng hàng film mầm tinh thể ZnO tổng hợp - Ảnh hưởng lớp mầm lên phát triển film dạng que ZnO đề kính dẫn ITO Hình 4.6 Hình a) sealed-glass autolave đặt kính ITO phủ mầm ZnO b) sealedglass autolave đặt kính ITO khơng phủ mầm ZnO film mỏng ZnO trường hợp: c) Có phủ lớp mầm ZnO trước phát triển tinh thể ZnO nanorod, d) Khơng có lớp mầm ZnO trước phát triển tinh thể ZnO nanorod Khi thực phản ứng thuỷ nhiệt để tạo tinh thể ZnO nanorod array với đế kính khơng cấy lớp mầm ZnO, quan sát vùng phát triển tinh thể Hình 4.6 d) khơng tập trung nhiều vào bề mặt kính ITO mà thường tạo thành mảng trắng lơ lửng bám lên mặt đáy thành autoclave, với hình c thấy tinh thể ZnO nanorod tập trung phát triển mạnh bề mặt kính ITO có phủ mầm ZnO trước Hình 4.6 Hình thái học đặc trưng cấu trúc tinh thể lớp film ZnO nanorod array mặt kính dẫn suốt ITO - Hình thái học lớp ZnO nanorod array kính ITO Hình 4.7 Ảnh SEM film tinh thể ZnO nanorod array a) Topview film b) Sideview film Hình 4.8 Ảnh SEM film tinh thể ZnO nanorod array chụp topview thang đo khác a) um, b) 10 um, c) 20 um Đặc trưng cấu trúc tinh thể film mỏng tinh thể ZnO nanorod array 002 đế kính dẫn suốt ITO film ZnO nanorod array/ITO ZnO-PDF#36-1451 ITO-PDF#06-0416 20 103 110 102 101 100 Intensity / a.u a) b) c) 40 60 80 2-theta / degree Hình 4.9 Mẫu XRD film bảng mỏng ZnO nanorod array đế kính dẫn ITO chuẩn XRD ZnO, ITO Phân tích đặc trưng cấu trúc tinh thể vật liệu ZnO nanorod qua phương pháp kính hiển vi điện tử truyền qua (TEM), HRTEM, SAED Hình 4.10 Hình ảnh TEM (a), HRTEM (b) SAED (c) sản phẩm que ZnO bóc từ film 4.4 Khảo sát ảnh hưởng nồng độ tiền chất thời gian phản ứng thủy nhiệt đến phát triển tinh thể ZnO nanorod array Sự ảnh hưởng nồng độ ZnAc2 lên phát triển film Hình 4.11 Hình SEM mẫu film ZnO nanorod array kính ITO tổng hợp phương pháp thủy nhiệt nồng độ tiền chất Zn(NO3)2 a) 50 mM, b) 75 mM c) 125 mM kỹ thuật chụp topview d), e), f) kỹ thuật cross-section view tương ứng Sự ảnh hưởng thời gian phản ứng thủy nhiệt lên lớp film thấy sử dụng nồng độ 75 mM Zn(NO3)2 cho lớp film với mật độ tương đối đủ dày, que tinh thể ZnO định hướng 1D thẳng hàng Các ảnh SEM chụp với kỹ thuật crosssection Hình 3.11 d), e) f) cho ta quan sát độ dày thực tế lớp film Sự ảnh hưởng nồng độ tiền chất lên độ dày lớp film rõ rệt Theo đó, tăng nồng độ 75 mM Zn(NO3) (125 mM) độ dày lớp film tăng lên đáng kể Độ dày lớp film phù hợp cho hiệu sử dụng vật liệu film cao với nồng độ 75 mM Zn(NO3) cho lớp film dày khoảng um Sự ảnh hưởng thời gian phản ứng thủy nhiệt lên lớp film Hình 3.12 Kết SEM tinh thể ZnO nanorods với nồng độ Zn(NO3)2 = 75mM: a), b), c) Thời gian hydrothermal = 6h d), e), f) Thời gian hydrothermal = h Thời gian phản ứng thủy nhiệt cho việc phát triển tinh thể dạng que ZnO nanorod array kính dẫn ITO khảo sát Kết phân tích SEM trình bày 54 Hình 3.12 Có thể nhận xét thấy tác động thời gian phả ứng thủy nhiệt lên hình thái học film ZnO khơng đáng kể, theo sản phẩm thực với hydrothermal so với khơng có khác biệt đáng kể Các sản phẩm tổng hợp cho thấy que tinh thể có phần chặt khít sản phẩm tổng hợp h (Hình 3.12 d, e Hình 3.12 a, b) Độ dày lớp film ZnO nanorod array hay chiều cao que ZnO không khác biệt nhiều nhiệt độ (Hình 3.12 c Hình 3.12 f) III.5 Tổng hợp graphene oxide khử (rGO) Để nâng cao hiệu xúc tác quang hóa vật liệu ZnO cách gia tăng vùng hấp thu ánh sáng từ vùng tử ngoại (ultra violet) rộng sang vùng nhìn thấy (visible region) gia tăng khả hiệu hấp phụ hệ vật liệu, vật liệu graphen oxide khử tổng hợp để kết hợp với ZnO tạo thành hệ film dị thể (heteromaterials) Kết tổng hợp rGO phân tích đặc trưng hóa lý sau: Đặc trưng cấu trúc sản phẩm graphene oxide graphene oxide khử tổng hợp Graphen oxide tổng hợp theo quy trình Hummer’s cải tiến trình bày theo Sơ đồ 2.3 Sản phẩm GO thu sau tổng hợp có màu nâu sậm dạng bột mịn Sản phẩm khử nhóm chức hữu để tạo thành graphen oxide khử qua phương pháp nhiệt, 350 oC 10 phút, thu sản phẩm rGO màu nâu đen sậm Phân tích nhiễu xạ tia X sản phẩm GO rGO để đánh giá đặc trưng cấu trúc, kết trình bày Hình 3.13 55 (d) (c) (b) (a) Hình 3.13 Giản đồ nhiễu xạ tia X chuẩn graphite JCPDS no.75-1621 (mẫu a), GO (mẫu b) rGO (mẫu c) Mẫu nhiễu xạ tia X graphen oxide khử theo chuẩn JCPDS no.75-1621 cho biết giá trị peak cực đại đặc trưng graphite 2θ = 26.28o Sản phẩm GO sau quy trình oxi hóa theo phương pháp Hummer’s cải tiến cho thấy có dịch chuyển peak cực đại vị trí 2θ= 9o Điều chứng tỏ q trình oxi hóa làm khoảng cách lớp Graphite giãn rộng xuất nhóm phân cực -OH, -COC-, -COOH bề mặt lớp Q trình oxi hóa Graphite giải thích sau: Graphite lần đầu tiếp xúc với axit H2SO4 (đậm đặc) phần tử axit đan xen vào lớp Graphite hình thành hợp chất trung gian thứ (gọi GIC), chất oxi hóa KMnO4 thêm vào tạo hợp chất trung gian thứ (gọi PGO), sau H2O kết hợp với PGO hình thành vật liệu GO với khoảng cách lớp mở rộng Tiếp tục trình tổng hợp rGO phương pháp nhiệt nung (Sơ đồ 2.4) GO 350 oC 10 phút Kết nhiễu xạ XRD (Hình 3.13) sản phẩm rGO sau trình nung cho thấy peak cực đại GO 2θ= 9o bị giảm rõ Tuy nhiên có xuất peak nhẹ vị trí 2θ= 26.28o đặc trưng vật liệu Graphite 38.5o Sự xuất peak trình khử GO để loại bỏ nhóm chức chứa oxy làm gia tăng lực tương tác Van der Waals rGO, dẫn đến kết tụ cấu trúc lớp ban đầu graphite d(002) = 3.395 Ao Song song đó, vật liệu GO khử 56 theo phương pháp thủy nhiệt cho thấy kết tốt Peak đặc trưng GO 2θ = 9o hoàn toàn biến Bên cạnh việc sử dụng phương pháp nhiễu xạ tia X, vật liệu rGO thu sau trình khử nhiệt phân tích đánh giá phương pháp kính hiển vi điện tử truyền qua (TEM) Hình 3.14 Ảnh TEM vật liệu rGO Kết TEM rGO Hình 3.14 cho thấy, hình thái rGO lớp mỏng xếp chồng lên mép, không đáng kể Điều chứng tỏ lớp graphene khử nhiệt tốt Quá trình oxi hóa graphite làm xuất nhóm chức phân cực bề mặt Graphite, trình khử nhiệt nhằm mục đích loại bỏ nhóm chức hình thành sản phẩm rGO Hiệu q trình oxi hóa - khử đánh giá qua việc phân tích phổ FT-IR, dựa tần số dao động khác nhóm chức Kết đo FT-IR vật liệu Graphite, Graphene oxide Graphene oxide khử trình bày Hình 3.15 Hình 3.16 bên 57 Hình 3.15 Phổ FT-IR vật liệu Graphite Kết FT-IR Graphite peak 3737.25 cm -1 nhóm OH- nước hấp thụ tạo liên kết hydrogen lớp graphite Peak 1196.61 cm-1 mũi dao động C–OH peak 1698.5 cm-1 nhóm C = C gán cho dao động miền graphite Hình 3.16 Phổ FT-IR vật liệu GO rGO Quan sát phổ FT-IR GO cho thấy có tồn peak 3451cm -1 đặc trưng nhóm OH axit, peak 1635cm 1061cm -1 -1 đặc trưng liên kết C=O nhóm cacbonyl , peak 1201cm -1, đặc trưng liên kết C-O, peak 592cm -1, 878cm -1 đặc trưng cho vịng thơm mang nhóm Kết phù hợp với cấu trúc vật liệu GO Phổ FT-IR rGO cho thấy nhóm chức chứa oxy –OH, –C=O, –C–O GO bị khử Mặc dù chúng khơng bị hồn tồn cường độ mũi chúng RGO giảm rõ rệt so với GO chứng tỏ hiệu khử tốt 58 CHƯƠNG IV KẾT LUẬN Đề tài nghiên cứu: “Nghiên cứu tổng hợp hình thái học film mỏng ZnO dạng que đơn tinh thể - kích thước nano đế kính dẫn suốt TCO” thực phịng thí nghiệm Đại học Cơng nghiệp TP HCM Sản phẩm film mỏng ZnO dạng que đơn tinh thể có kích thước đường kính que khoảng 100 nm xếp định hướng chiều thẳng đứng mặt kính dẫn suốt ITO Vai trị lớp film mầm tinh thể ZnO cấy đế kính dẫn ITO ban đầu phương pháp spin-coating cho quan trọng cho việc định hướng que tinh thể thẳng hàng, định hướng thẳng đứng chiều mối kết dính cần thiết cho phát triển tinh thể que ZnO Các thông số phương pháp tạo lớp film mầm tinh thể ZnO, thông số phản ứng cho phát triển (secondary growth) que tinh thể ZnO bề mặt ITO khảo sát đánh giá có tác động lên mật độ lớp film bề dày lớp film ZnO nanorod array Các phương pháp phân tích Hóa lý sử dụng XRD, SEM, TEM, HRTEM, SAED IR để chứng tỏ đặc trưng mặt cấu trúc tinh thể, độ dày hình thái học lớp film ZnO bề mặt ITO cách chi tiết Bên cạnh sản phẩm film ZnO, vật liệu rGO nghiên cứu tổng hợp thành công Đề tài Các lớp rGO hai chiều có bề dày đơn nguyên tử định hướng cho nghiên cứu kết hợp với vật liệu film ZnO nhằm hứa hẹn cho việc nâng cao hiệu lớp film, ứng dụng làm điện cực quang điện phản ứng xúc tác quang điện hóa tương lại 59 Tài liệu tham khảo [1] C Janáky, ACS Energy Lett., 2017, 2, 1425–1428 [2] D A., Neamen, Semiconductor physics and devices : basic principles, 2003, 3, McGrawHill Higher Education [3] N Ito, Y Sato, P Song, A Kaijio, K Inoue, Y, Shigesato, Thin Solid Films, 2006, 496, 99103 [4] T K Van, Long Q Pham, D Y Kim, J Y Zheng, D Kim, A U Pawar, and Y S Kang, ChemSusChem, 2014, 7, 3505 – 3512 [5] A Hosseini, K.ầ Iỗli, M ệzenba, ầ Erỗelebi, Energy Procedia, 2014, 60, 191-198 [6] N Ayman, M B Alan and B Alexander, J Phys Chem C 2008, 112, 17, 6700–6709 [7] World Energy Council, World Energy Scenarios, 2016 [8] K Hashimoto, H Irie and A Fujishima, Japanese journal of applied physics, 2005,.44, 8269-8285 [9] G Kim, M Oh & Y Park, Scientific Reports, 2016, 6, 33400 [10] Y Inouse, Energy Environ Sci., 2009, 2, 364–386 [11] Z H Zhao, J T Y Sang, A Cabot and H Liu, Adv Mater 2015, 27, 2557 – 2582 [12] P Szuromi, Science, 2016, 351, 1276-1278 [13] K Norrman, Afshin Ghanbari-Siahkali, N B Larsen, Annu Rep Prog Chem., Sect C, 2005, 101 [14] S Franssila, Introduction to Microfabrication, Wiley, 2010, 107 [15] H.-C Wang, X Yi; J Lai and Y Li, International Journal of Infrared and Millimeter Waves, 2005, 26 (5): 751–762 [16] D Huh, H J Kim, J P Fraser, D E Shea, M Khan, A Bahinski, G A Hamilton and D E Ingber, Nature Protocols, 2013, 8, 2135–2157 [17] N P Mahalik, Micromanufacturing and Nanotechnology, Springer, 2006, ISBN 3-54025377-7 [18] Kim, H.; Gilmore, C M.; Piqué, A.; Horwitz, J S.; Mattoussi, H.; Murata, H.; Kafafi, Z H.; Chrisey, D B., 1999, journal of Applied Physics 86 (11): 6451–6461 [19] Niyogi, Sandip; Bekyarova, Elena; Itkis, Mikhail E.; McWilliams, Jared L.; Hamon, Mark A.; Haddon, Robert C J Am Chem Soc 2006, 128 (24): 7720–7721 [20] Zhang, Teng; Li, Xiaoyan; Gao, Huajian, International Journal of Fracture, 2015, 196 (1): 1–31 60 [21] Zhu, Yong; Zhou, Yao; Zhang, Yong Wei; Zhang, Teng; Yakobson, Boris I.; Wang, Peng; Reed, Evan J.; Park, Harold S.; Lu, Nanshu, Extreme Mechanics Letters 2017, 13: 42–77 [22]https://www.thoughtco.com/table-of-electrical-resistivity-conductivity-608499, (available on Jan 25, 2021) [23] http://hyperphysics.phy-astr.gsu.edu/hbase/tables/thrcn.html (available on Jan 25, 2021) [24] Lee, C., Wei, X., Kysar, J W., Science, 2008, 321, 385-8 [25] V S Reddy Channu1, B Rambabu, R Holze, Colloids and Surfaces A: Physicochemical and Engineering Aspects, 2013, 436, 245– 251 [26] Mai Thanh Tâm, Hà Thúc Chí Nhân, Khuất Thị Khánh Vân, Hà Thúc Huy , “Tách bóc khử hóa học graphite oxit tác nhân khử khác nhau”, Báo cáo toàn văn Kỷ yếu hội nghị khoa học lần IX Trường Đại học Khoa học Tự nhiên – ĐHQGHCM, 2016 [27] Daniel R Dreyer, Sungjin Park, Christopher W Bielawski and Rodney S Ruoff, “The chemistry of graphene oxide”, Chem Soc.Rev, 2010, 39, 228-240 [28] Vũ Quỳnh Mai, “Tổng quan vật liệu Graphene”, Trường Đại học Sư Phạm Hà Nội, 2016 [29] Hongwei Zhu, Graphene, Fabrication, Characterizations, Properties and Applications, Chemical Physics Letters, 2017, 272 [30] Vũ Quỳnh Mai, “Tổng quan vật liệu Graphene”, Trường Đại học Sư Phạm Hà Nội, 2016 [31] Nguyễn Thị Thu Hiền, Lê Văn Thưởng, Hoàng Mai Chi, Tạ Văn Minh, Nguyễn Trần Hùng, Vũ Văn Hưng, “ Nghiên cứu tổng hợp vật liệu nano Graphene Oxide từ nguồn nguyên liệu Graphite Việt Nam làm phụ gia giảm thải nước cho dung dịch khoan nhiệt độ cao”, Viện dầu khí Việt Nam, viện nghiên cứu khoa học thiết kế dầu khí biển, 2015 [32] William S.Hummers, Jr, Richard E.Offeman, Journal of American Chemical Society”, 1958, 80, 1339-1339 [33] Franỗois Perreault, Andreia Fonseca de Faria and Menachem Elimelech, Chem Soc Rev., 2015, 44, 5861-5896 [34] I K Moon, J Lee, R.S Ruoff, H Lee, Nature Communications, 2020, 1, 6, 1-6 [35] Wang, HSun, HM Ang, MO Tadé, Chemical Engineering Journal, 2013, 226, 336-347 [36] Syed Nasimul Alam, Nidhi Sharma, Lailesh Kumar, Scientific Research Publishing, 2017, 2017 [37] James Barber, Chem Soc Rev., 2009, 38, 185–196 61 PHẦN III PHỤ LỤC ĐÍNH KÈM (tất văn có sẵn, chủ nhiệm cần photo đính kèm sau nội dung trên, sử dụng lý hợp đồng với phịng kế tốn Khi lý, báo cáo in thành 03 cuốn, đó, 01 đóng bìa mạ vàng, 02 đóng bìa cứng thường) Hợp đồng thực đề tài nghiên cứu khoa học Thuyết minh đề tài phê duyệt Quyết định nghiệm thu Hồ sơ nghiệm thu (biên họp, phiếu đánh giá, bảng tổng hợp điểm, giải trình, phiếu phản biện) Sản phẩm nghiên cứu (bài báo, vẽ, mơ hình .) 62 Hợp đồng thực đề tài nghiên cứu khoa học 63 64 65 66 67 68