I E C 62047-25 ® Edition 201 6-08 I N TE R N ATI ON AL STAN DAR D N OR M E I N TE R N ATI ON ALE colour i n si de Sem i co n d u ctor d evi ces – M i cro -el ectrom ech an i cal d evi ces – Part 5: Si l i based M EM S fabri cati on tech n o l og y – M easu rem en t m eth o d o f pu l l -press an d sh eari n g stren g th of m i cro bon d i n g area Di sposi ti fs sem i d u cteu rs – Di sposi ti fs m i cro él ectro m écan i q u es – Parti e 25: Tech n o l og i e d e fabri cati on d e M EM S base d e si l i ci u m – M éth od e d e m esu re d e l a rési stan ce l a tracti on -co m pressi on et au ci sai l l em en t d ' u n e IEC 62047-25:201 6-08(en-fr) m i cro zon e d e brasu re TH I S P U B L I C ATI O N I S C O P YR I G H T P R O TE C TE D C o p yri g h t © I E C , G e n e va , Sw i t z e rl a n d All rights reserved Unless otherwise specified, no part of this publication may be reproduced or utilized in any form or by any means, electronic or mechanical, including photocopying and microfilm, without permission in writing from either IEC or IEC's member National Committee in the country of the requester If you have any questions about IEC copyright or have an enquiry about obtaining additional rights to this publication, please contact the address below or your local IEC member National Committee for further information Droits de reproduction réservés Sauf indication contraire, aucune partie de cette publication ne peut être reproduite ni utilisée sous quelque forme que ce soit et par aucun procédé, électronique ou mécanique, y compris la photocopie et les microfilms, sans l'accord écrit de l'IEC ou du Comité national de l'IEC du pays du demandeur Si vous avez des questions sur le copyright de l'IEC ou si vous désirez obtenir des droits supplémentaires sur cette publication, utilisez les coordonnées ci-après ou contactez le Comité national de l'IEC de votre pays de résidence IEC Central Office 3, rue de Varembé CH-1 21 Geneva 20 Switzerland Tel.: +41 22 91 02 1 Fax: +41 22 91 03 00 info@iec.ch www.iec.ch Abo u t th e I E C The International Electrotechnical Commission (IEC) is the leading global organization that prepares and publishes International Standards for all electrical, electronic and related technologies Ab o u t I E C p u b l i c a t i o n s The technical content of IEC publications is kept under constant review by the IEC Please make sure that you have the latest edition, a corrigenda or an amendment might have been published I EC C atal og u e - webstore i ec ch /catal o g u e E l ectro ped i a - www el ectro ped i a org The stand-alone application for consulting the entire bibliographical information on IEC International Standards, Technical Specifications, Technical Reports and other documents Available for PC, Mac OS, Android Tablets and iPad The world's leading online dictionary of electronic and electrical terms containing 20 000 terms and definitions in English and French, with equivalent terms in additional languages Also known as the International Electrotechnical Vocabulary (IEV) online I EC pu bl i cati on s search - www i ec ch /search pu b I E C G l o ssary - s td i ec ch /g l ossary The advanced search enables to find IEC publications by a variety of criteria (reference number, text, technical committee,…) It also gives information on projects, replaced and withdrawn publications 65 000 electrotechnical terminology entries in English and French extracted from the Terms and Definitions clause of IEC publications issued since 2002 Some entries have been collected from earlier publications of IEC TC 37, 77, 86 and CISPR I EC J u st Pu bl i s h ed - webstore i ec ch /j u stp u bl i s h ed Stay up to date on all new IEC publications Just Published details all new publications released Available online and also once a month by email I E C Cu s to m er S ervi ce Cen tre - webstore i ec ch /csc If you wish to give us your feedback on this publication or need further assistance, please contact the Customer Service Centre: csc@iec.ch A pro po s d e l ' I E C La Commission Electrotechnique Internationale (IEC) est la première organisation mondiale qui élabore et publie des Normes internationales pour tout ce qui a trait l'électricité, l'électronique et aux technologies apparentées A pro po s d es p u bl i cati o n s I E C Le contenu technique des publications IEC est constamment revu Veuillez vous assurer que vous possédez l’édition la plus récente, un corrigendum ou amendement peut avoir été publié Catal o g u e I E C - webstore i ec ch /catal o g u e Application autonome pour consulter tous les renseignements bibliographiques sur les Normes internationales, Spécifications techniques, Rapports techniques et autres documents de l'IEC Disponible pour PC, Mac OS, tablettes Android et iPad R ech erch e d e pu bl i cati o n s I EC - www i ec ch /search p u b La recherche avancée permet de trouver des publications IEC en utilisant différents critères (numéro de référence, texte, comité d’études,…) Elle donne aussi des informations sur les projets et les publications remplacées ou retirées E l ectro ped i a - www el ectro ped i a org Le premier dictionnaire en ligne de termes électroniques et électriques Il contient 20 000 termes et dộfinitions en anglais et en franỗais, ainsi que les termes équivalents dans langues additionnelles Egalement appelé Vocabulaire Electrotechnique International (IEV) en ligne G l o ss re I EC - std i ec ch /g l o ss ary 65 000 entrées terminologiques électrotechniques, en anglais et en franỗais, extraites des articles Termes et Dộfinitions des publications IEC parues depuis 2002 Plus certaines entrées antérieures extraites des publications des CE 37, 77, 86 et CISPR de l'IEC I EC J u st Pu bl i s h ed - webstore i ec ch /j u stp u bl i s h ed Restez informé sur les nouvelles publications IEC Just Published détaille les nouvelles publications parues Disponible en ligne et aussi une fois par mois par email Servi ce Cl i en ts - webstore i ec ch /csc Si vous désirez nous donner des commentaires sur cette publication ou si vous avez des questions contactez-nous: csc@iec.ch I E C 62047-25 ® Edition 201 6-08 I N TER N ATI ON AL STAN DAR D N OR M E I N TER N ATI ON ALE colour i n si de Sem i d u cto r d evi ces – M i cro-el ectro m ech an i cal d evi ces – Part 25: Si l i co n based M E M S fabri cati on tech n ol og y – M easu rem en t m eth od of pu l l -press an d sh eari n g stren g th o f m i cro bon d i n g area Di sposi ti fs sem i co n d u cteu rs – Di spo si ti fs m i croél ectrom écan i q u es – Parti e 5: Tech n ol o g i e d e fabri cati o n d e M E M S base d e si l i ci u m – M éth o d e d e m esu re d e l a rési stan ce l a tracti o n -com pressi on et au ci sai l l em en t d ' u n e m i cro zo n e d e brasu re INTERNATIONAL ELECTROTECHNICAL COMMISSION COMMISSION ELECTROTECHNIQUE INTERNATIONALE ICS 31 080.99 ISBN 978-2-8322-3609-3 Warn i n g ! M ake su re th at you obtai n ed th i s pu bl i cati on from an au th ori zed d i stri bu tor Atten ti on ! Veu i l l ez vo u s assu rer q u e vou s avez o bten u cette pu bl i cati on vi a u n d i stri bu teu r ag réé ® Registered trademark of the International Electrotechnical Commission Marque déposée de la Commission Electrotechnique Internationale –2– I EC 62047-25:201 © I EC 201 CONTENTS FOREWORD Scope N ormati ve references Terms an d defin i tions Requ irements Testi ng stru ctu re desi g n requ iremen ts Testi ng stru ctu re fabrication requiremen ts Testi ng en vironm ent requ iremen ts Testing meth od General Pu l l-press testing meth od I m posing the loading force 2 Pu l l-press testing meth od operation process Pu ll-press testing meth od resu l t process Sh earing testi ng method Sh earing testi ng method operation process Sh earing testi ng method resu l t process An nex A (i nformative) Di m ensions for testin g structu re and tensi le/compressi ve streng th A Dimensions for testing stru ctu re A Tensil e stren g th and com pressive streng th An nex B (i nformative) Pu ll-press testi ng method exam pl e 21 B Dimensions for testing stru ctu re 21 B Tensil e stren g th and com pressive streng th 21 Fi gu re − Pu l l-press testing stru ctu re Fi gu re − Shearin g testin g stru ctu re Fi gu re − Pu l l-press testing method operati on process Fi gu re − Shearin g testin g m ethod operation process 1 Table – Dim ensions for sh earin g testing stru ctu re Table A – Dimensions for testi ng stru ctu re Table A – Tensil e stren g th and com pressi ve streng th (bondin g area: m ì m ) Table A – Tensile stren g th and com pressi ve streng th (bondin g area: 20 m ì 20 µ m ) Table A – Tensil e stren g th and com pressi ve streng th (bondin g area: 30 m ì 30 m ) Table A – Tensil e stren g th and com pressi ve streng th (bondin g area: 40 µ m ì 40 m ) Table A – Tensil e stren g th and com pressi ve streng th (bondin g area: 50 m ì 50 m ) Table A – Tensil e stren g th and com pressi ve streng th (bondin g area: 60 m ì 60 m ) Table A – Tensil e stren g th and com pressi ve streng th (bondin g area: 70 m ì 70 µ m ) Table A – Tensil e stren g th and com pressi ve streng th (bondin g area: 80 m ì 80 m ) Table A – Tensi le streng th and compressi ve streng th (bon di ng area: 90 µ m ì 90 m ) Table A 1 – Tensi le streng th and compressi ve streng th (bon di ng area: 00 m ì 00 m) I EC 62047-25:201 © I EC 201 –3– Table A – Tensi le streng th and compressi ve streng th (bon di ng area: 1 m ì 1 µ m) Table A – Tensi le streng th and compressi ve streng th (bon di ng area: 20 m ì 20 µ m) Table A – Tensi le streng th and compressi ve streng th (bon di ng area: 30 m ì 30 µ m) Table A – Tensi le streng th and compressi ve streng th (bon di ng area: 40 m ì 40 µ m ) Table A – Tensi le streng th and compressi ve streng th (bon di ng area: 50 m ì 50 µ m) 20 Table B – Dimensions for testi ng stru ctu re 21 Table B – Tensil e stren g th and com pressi ve streng th (bondin g area: 1 µ m × 1 µ m) 21 –4– I EC 62047-25:201 © I EC 201 I NTERNATI ONAL ELECTROTECHN I CAL COMMI SSI ON SEMICONDUCTOR DEVICES – MICRO-ELECTROMECHANICAL DEVICES – Part 25: Silicon based MEMS fabrication technology – Measurement method of pull-press and shearing strength of micro bonding area FOREWORD ) Th e I n tern ati on al El ectrotech n i cal Com m i ssi on (I EC) i s a worl d wi d e org an i zati on for stan dard i zati on com pri si n g al l n ati on al el ectrotech n i cal com m i ttees (I EC N ati on al Com m i ttees) Th e obj ect of I E C i s to prom ote i n tern ati on al co-operati on on al l q u esti on s cern i n g stan dard i zati on i n th e el ectri cal an d el ectron i c fi el ds To th i s en d an d i n ad di ti on to oth er acti vi ti es, I EC pu bl i sh es I n tern ati on al Stan d ard s, Tech n i cal Speci fi cati on s, Tech n i cal Reports, Pu bl i cl y Avai l abl e Speci fi cati on s (PAS) an d G u i d es (h ereafter referred to as “I EC Pu bl i cati on (s) ”) Th ei r preparati on i s en tru sted to tech n i cal com m i ttees; an y I EC N ati on al Com m i ttee i n terested i n th e su bj ect d eal t wi th m ay parti ci pate i n th i s preparatory work I n tern ati on al , g overn m en tal an d n on g overn m en tal org an i zati on s l i si n g wi th th e I EC al so parti ci pate i n th i s preparati on I EC col l aborates cl osel y wi th th e I n tern ati on al Org an i zati on for Stan d ard i zati on (I SO) i n accordan ce wi th d i ti on s d eterm i n ed by ag reem en t between th e two org an i zati on s 2) Th e form al deci si on s or ag reem en ts of I EC on tech n i cal m atters express, as n earl y as possi bl e, an i n tern ati on al sen su s of opi n i on on th e rel evan t su bj ects si n ce each tech n i cal com m i ttee h as represen tati on from al l i n terested I EC N ati on al Com m i ttees 3) I EC Pu bl i cati on s h ave th e form of recom m en d ati on s for i n tern ati on al u se an d are accepted by I EC N ati on al Com m i ttees i n th at sen se Wh i l e al l reason abl e efforts are m ad e to en su re th at th e tech n i cal ten t of I EC Pu bl i cati on s i s accu rate, I EC can n ot be h el d respon si bl e for th e way i n wh i ch th ey are u sed or for an y m i si n terpretati on by an y en d u ser 4) I n ord er to prom ote i n tern ati on al u n i form i ty, I EC N ati on al Com m i ttees u n d ertake to appl y I EC Pu bl i cati on s tran sparen tl y to th e m axi m u m exten t possi bl e i n th ei r n ati on al an d reg i on al pu bl i cati on s An y di verg en ce between an y I EC Pu bl i cati on an d th e correspon d i n g n ati on al or reg i on al pu bl i cati on sh al l be cl earl y i n di cated i n th e l atter 5) I EC i tsel f d oes n ot provi d e an y attestati on of form i ty I n d epen d en t certi fi cati on bodi es provi d e form i ty assessm en t servi ces an d , i n som e areas, access to I EC m arks of form i ty I EC i s n ot respon si bl e for an y servi ces carri ed ou t by i n d epen d en t certi fi cati on bodi es 6) Al l u sers sh ou l d en su re th at th ey h ave th e l atest edi ti on of th i s pu bl i cati on 7) N o l i abi l i ty sh al l attach to I E C or i ts di rectors, em pl oyees, servan ts or ag en ts i n cl u di n g i n d i vi du al experts an d m em bers of i ts tech n i cal com m i ttees an d I EC N ati on al Com m i ttees for an y person al i n j u ry, property d am ag e or oth er d am ag e of an y n atu re wh atsoever, wh eth er di rect or i n d i rect, or for costs (i n cl u d i n g l eg al fees) an d expen ses ari si n g ou t of th e pu bl i cati on , u se of, or rel i an ce u pon , th i s I EC Pu bl i cati on or an y oth er I EC Pu bl i cati on s 8) Atten ti on i s d rawn to th e N orm ati ve referen ces ci ted i n th i s pu bl i cati on U se of th e referen ced pu bl i cati on s i s i n di spen sabl e for th e correct appl i cati on of th i s pu bl i cati on 9) Atten ti on i s d rawn to th e possi bi l i ty th at som e of th e el em en ts of th i s I EC Pu bl i cati on m ay be th e su bj ect of paten t ri g h ts I EC sh al l n ot be h el d respon si bl e for i d en ti fyi n g an y or al l su ch paten t ri g h ts I n tern ati onal Stan dard I EC 62047-25 has been prepared by su bcomm i ttee 47F: Microelectromechanical systems, of I EC technical comm i ttee 47: Semicondu ctor devices The text of th is standard is based on the foll owi ng docu men ts: FDI S Report on voti n g 47F/249/FDI S 47F/252/RVD Fu ll informati on on the votin g for the approval of th is stan dard can be fou nd in the report on votin g i ndicated i n the above table Th is pu blication has been drafted in accordance with th e I SO/I EC Directives, Part I EC 62047-25:201 © I EC 201 –5– The com mittee h as decided that the conten ts of this pu blication wil l remain unchan g ed u n til th e stabil ity date in dicated on the I EC website u nder "h ttp://webstore iec ch" in the data related to the speci fic pu blication At this date, the pu bl ication wil l be • recon firmed, • wi thdrawn , • replaced by a revised edi ti on, or • amended IMPORTANT – The 'colour inside' logo on the cover page of this publication indicates that it contains colours which are considered to be useful for the correct understanding of its contents Users should therefore print this document using a colour printer –6– I EC 62047-25:201 © I EC 201 SEMICONDUCTOR DEVICES – MICRO-ELECTROMECHANICAL DEVICES – Part 25: Silicon based MEMS fabrication technology – Measurement method of pull-press and shearing strength of micro bonding area Scope Th is part of I EC 62047 speci fies the in-si tu testing method to m easu re the bon di ng streng th of micro bondin g area which is fabricated by microm ach in in g technolog i es u sed in si licon-based micro-electromechan ical system (MEMS) Th is docu men t is appl icable to the in-si tu pu ll-press and shearing streng th measurem en t of th e micro bondin g area fabricated by m icroelectronic techn olog y process an d other micromach ining techn olog y Micro anchor, fixed on th e substrate throu g h th e m icro bon di ng area, provides mech an ical su pport of the movable sensi ng /actu atin g fu nctional componen ts in MEM S devices Wi th th e devices scali ng , th e bondin g streng th deg radation , in duced by defects, contam in ations and th erm al mismatch stress on bon ding surface, becomes severer Th is standard speci fi es an insitu testing method of th e pul l-press and sh earin g streng th based on a pattern ed tech ni que This docu men t does n ot need in tricate instru m en ts (su ch as scan ni ng probe m icroscopy and nanoin den ter) and to prepare the test speci men speci al l y Since the testin g structure in th is standard can be i mplan ted in devi ce fabricati on as a standard detection pattern , th is docu men t can provide a bridge, by wh ich the fabrication foundry can g i ve some qu an ti tati ve reference for the desig ner Normative references The following docu m en ts are referred to in the text in su ch a way that som e or all of their ten t consti tu tes requ iremen ts of th is docu m en t For dated references, onl y the edi tion cited applies For u ndated references, th e l atest edi tion of the referenced docum ent (inclu din g an y dm en ts) applies I EC 62047-1 , definitions Semiconductor devices – Micro-electromechanical devices – Part 1: Terms and I SO 001 2, Measurement management systems – Requirements for measurement processes and measuring equipment Terms and definitions For the purposes of thi s docu men t, th e terms and defin i ti ons g iven i n I EC 62047-1 and I SO 001 an d the fol lowing appl y I SO and I EC maintain terminolog ical databases for use i n standardization at the fol lowin g addresses: • I EC Electropedi a: avai labl e at http://www electropedi a org / • I SO Onl in e browsing pl atform : avai lable at h ttp://www iso org /obp I EC 62047-25:201 © I EC 201 –7– 3.1 anchor sil icon-g lass bondin g area which su pports the MEM S fu ncti on stru ctu re 4.1 Requirements Testing structure desig n requirements The sch em es of testing stru ctu res are shown in Fig ure an d Fig u re IEC a) Th e scheme of th e pu l l -press testi ng stru cture IEC b) The th ree-vi ew drawi ng of th e pu l l -press testi ng stru ctu re Key h2 th i ckn ess of th e testi n g stru ctu re arm h1 h ei g h t of th e an ch or beam i n th e bon di n g area a si d e l en g th of th e bon di n g area l l en g th of th e testi n g stru ctu re arm , th i s param eter sh ou l d be d esi g n ed wi th seq u en ti al val u es w wi d th of th e testi n g stru ctu re arm d d i m en si on of th e l oad i n g poi n t Figure − Pull-press testing structure –8– I EC 62047-25:201 © I EC 201 IEC a) The scheme of the sheari ng testing structure IEC b) The three-vi ew drawing of the sheari ng testi ng structure Key h2 th i ckn ess of th e testi n g stru ctu re arm h1 h ei g h t of th e an ch or beam i n th e bon di n g area a si d e l en g th of th e bon di n g area l l en g th of th e testi n g stru ctu re arm w wi d th of th e testi n g stru ctu re arm d d i m en si on of th e l oad i n g poi n t δ resol u ti on of th e rotati on ru l er Figure − Shearing testing structure The desig n of the testing stru ctu re sh ou ld be as fol lows: a) To preven t th e testing stru ctu re arm from breakin g earlier than the bondin g area, th e streng th of th e arm shoul d be designed h ig h enou gh For instance, i f th e arm thickness is l imi ted by desig n ru le, a wider arm desig n is recom mended b) The arm l eng th of pu ll -press streng th testin g structure sh ou ld be desig ned wi th sequ en tial valu es The comm on di fference, the len g th in terval, shou ld satisfy th e requ irem ent of the testin g resolu tion Th e consu med area by the testing stru cture shou ld be also taken in to consi derati on – 34 – I EC 62047-25:201 © I EC 201 5.3 Méthode d'essai de cisaillement 5.3.1 Processus de fonctionnement de la méthode d'essai de cisaillement Le processu s de fonctionnemen t de l a méthode d’essai de cisai ll emen t est le su ivan t: a) Pendan t le processus de fonctionnemen t, l a pu ce équ ipée d'u ne stru ctu re d'essai est fi xée su r u n poste sondes La force de la charge est appl iqu ée latéralem ent au n i veau du poi n t d'application de la ch arg e su r le bras de la stru ctu re par l'aig u ille du poste (A) et l a déformation est surveillée au microscope (voir Fi g ure 4) L'écart de rotation peu t être lu su r l a règ le placée l 'extrém i té du bras Rotation Point d'application de la charge A règ l e d e m esu re d 'écart Stru ctu re d 'essai Son d e IEC a) Avant l'application de la charge de la sonde Règ l e de m esu re d'écart d Rotation Stru ctu re d'essai Son de IEC b) Dimension de l'écart de rotation une distance de contrôle par la règle de mesure d'écart Figure – Processus de fonctionnement de la méthode d'essai de cisaillement b) I l convien t qu e l a charge soi t parallèle la su rface inférieure et il vien t que la charg e soi t appl iquée len tem ent et de man ière stable I l vien t qu e l 'aig u il le et l'ensemble de la structure d'essai soi en t placés dans l e cham p de vision d'un m icroscope opti qu e Lorsqu e l a ru ptu re se produi t au niveau de la structure d'essai ou de la zon e de brasure, i l convien t d'arrêter l'application de la charg e et il vi ent de retirer lentement l'aig u ille ju squ 'à ce qu'el le ne touche plu s la stru ctu re d'essai c) En raison des di fférentes zones de brasure, l es dim ensions recom mandées pour la structu re d'essai son t calcu lées pour donner u ne résolu tion et u ne pression de l'ai gu i ll e raisonn ables (voir Tabl eau ) I EC 62047-25:201 © I EC 201 – 35 – Tableau – Dimensions pour la structure d'essai de cisaillement 5.3.2 a ì a (àm 2) w ì h2 ( µm ) l ( µ m) 13 × 13 33 × 80 243 17 × 17 37 × 80 241 20 × 20 40 × 80 240 25 × 25 45 × 80 238 30 × 30 50 × 80 240 40 × 40 00 × 80 565 50 × 50 50 × 80 607 60 × 60 200 × 80 596 70 × 70 250 × 80 605 80 × 80 250 × 80 61 90 × 90 300 × 80 456 00 × 00 400 × 80 423 110 × 110 400 × 80 444 20 × 20 400 × 80 449 Traitement des résultats de la méthode d'essai de cisaillement La trainte de cisaillem en t τmax peu t être calcu lée de la m an ière su ivante: τ max h w = 0,1 × 23 d a l où h2 épai sseu r du bras de l a stru ctu re d'essai; a l on g u eu r du côté de l a zon e de brasu re; l l on g u eu r du bras de l a stru ctu re d'essai; w l arg eu r du bras de l a stru ctu re d'essai ; d écart de rotation Si l a structu re en sil iciu m est l a prem ière rompre, la résistance de brasu re peu t être recon nue com me étan t su périeure la résistance du sil ici um – 36 – I EC 62047-25:201 © I EC 201 Annexe A (informative) Dimensions de la structure d'essai et résistance la traction/compression A.1 Dimensions de la structure d'essai Les plag es de dim ensions de la stru ctu re d'essai son t données dans le Tabl eau A Tableau A.1 – Dimensions de la structure d'essai Dimensions en µ m l a 300 000 50 h2 20 (a 70) w 200 h1 d 80 (a 70) 00 A.2 Résistance la traction et la compression La résistance la traction σL, T et la résistance la compression σL, C son t décri tes dans l es tableau x su ivan ts, du Tableau A au Tableau A Tableau A.2 – Résistance la traction et la compression (zone de brasure: µ m × µ m) ( m) l µ σL,T (MPa) σL,C (MPa) 800 072, -1 35, 850 008, -1 067, 900 951 , -1 007, 950 900, -953, 000 855, -905, 050 81 3, -861 , 1 00 776, -821 , 1 50 741 , -784, 200 71 0, -750, 250 680, -720, 300 654, -691 , 350 629, -665, 400 606, -640, I EC 62047-25:201 © I EC 201 – 37 – Tableau A.3 – Résistance la traction et la compression (zone de brasure: 20 µ m ì 20 m) l ( m) L,T (MPa) σL,C (MPa) 800 883, -1 751 , 850 699, -1 576, 900 541 , -1 426, 950 403, -1 296, 000 284, -1 84, 1 050 1 79, -1 085, 1 00 086, -998, 1 50 004, -921 , 200 931 , -853, 250 866, -792, 300 807, -738, 350 754, -689, 1 400 706, -644, Tableau A.4 – Résistance la traction et la compression (zone de brasure: 30 m ì 30 m) l ( µ m) σL,T (MPa) σL,C (MPa) 800 558, -1 598, 850 41 6, -1 496, 900 296, -1 328, 950 1 88, -1 253, 000 096, -1 21 , 050 01 2, -1 066, 1 00 939, -960, 1 50 874, -892, 200 81 4, -832, 1 250 760, -800, 300 71 2, -749, 350 669, -703, 400 629, -661 , – 38 – I EC 62047-25:201 © I EC 201 Tableau A.5 – Résistance la traction et la compression (zone de brasure: 40 m ì 40 m) l ( m) σL,T (MPa) σL,C (MPa) 500 036, -2 42, 550 736, -1 882, 600 499, -1 569, 650 306, -1 365, 700 1 49, -1 99, 750 01 9, -1 062, 800 91 0, -947, 850 81 7, -849, 900 738, -766, 950 670, -695, 000 61 , -633, Tableau A.6 – Résistance la traction et la compression (zone de brasure: 50 m ì 50 µ m) l ( µ m) σL,T (MPa) σL,C (MPa) 500 241 , -1 294, 550 046, -1 087, 600 893, -926, 650 770, -797, 700 672, -694, 750 592, -61 0, 800 525, -540, 850 469, -481 , 900 421 , -432, 950 380, -390, 000 345, -353, Tableau A.7 – Résistance la traction et la compression (zone de brasure: 60 µ m ì 60 m) l ( m) L,T (MPa) σL,C (MPa) 300 690, -1 81 3, 320 505, -1 608, 340 351 , -1 438, 360 21 9, -1 294, 380 1 04, -1 68, 400 005, -1 061 , 420 920, -969, 440 844, -887, 460 777, -81 5, 480 71 9, -752, 500 666, -696, I EC 62047-25:201 © I EC 201 – 39 – Tableau A.8 – Résistance la traction et la compression (zone de brasure: 70 m ì 70 m) l ( µ m) σL,T (MPa) σL,C (MPa) 300 1 36, -1 206, 320 008, -1 065, 340 901 , -949, 360 81 , -851 , 380 733, -766, 400 665, -694, 420 607, -631 , 440 556, -577, 460 51 , -529, 480 472, -487, 500 436, -449, Tableau A.9 – Résistance la traction et la compression (zone de brasure: 80 m ì 80 m) l ( m) σL,T (MPa) σL,C (MPa) 800 547, -2 633, 900 28, -2 89, 000 804, -1 850, 1 00 547, -1 585, 200 346, -1 374, 1 300 080, -1 202, 400 043, -1 061 , 500 929, -943, 600 831 , -844, 700 750, -761 , 800 680, -688, 900 61 8, -626, 000 566, -572, – 40 – I EC 62047-25:201 © I EC 201 Tableau A.1 – Résistance la traction et la compression (zone de brasure: 90 µ m × 90 µ m) l ( µ m) σL,T (MPa) σL,C (MPa) 800 70, -2 257, 900 791 , -1 854, 000 503, -1 551 , 1 00 280, -1 31 7, 200 1 03, -1 32, 300 961 , -984, 400 844, -863, 500 748, -763, 600 667, -680, 1 700 598, -609, 800 540, -549, 900 490, -498, 000 446, -453, Tableau A.1 – Résistance la traction et la compression (zone de brasure: 00 m ì 00 µm) l ( µ m) σL,T (MPa) σL,C (MPa) 800 883, -1 751 , 850 699, -1 576, 900 541 , -1 426, 950 403, -1 296, 000 284, -1 84, 1 050 1 79, -1 085, 1 00 086, -998, 1 50 004, -921 , 200 931 , -853, 250 866, -792, 300 807, -738, 350 754, -689, 1 400 706, -644, I EC 62047-25:201 © I EC 201 – 41 – Tableau A.1 – Résistance la traction et la compression (zone de brasure: 1 m ì 1 µm) l ( µ m) σL,T (MPa) σL,C (MPa) 800 41 , -1 41 3, 850 268, -1 267, 900 1 47, -1 43, 950 042, -1 036, 000 950, -943, 050 871 , -862, 1 00 801 , -791 , 1 50 739, -729, 200 684, -674, 250 634, -624, 300 590, -580, 350 551 , -541 , 400 51 5, -505, Tableau A.1 – Résistance la traction et la compression (zone de brasure: 20 m ì 20 àm) l ( µ m) σL,T (MPa) σL,C (MPa) 700 355, -1 309, 750 1 99, -1 54, 800 069, -1 025, 850 959, -91 7, 900 865, -824, 950 784, -745, 000 71 4, -677, 050 653, -61 8, 1 00 599, -566, 1 50 552, -521 , 200 51 0, -480, 250 473, -445, 300 439, -41 3, – 42 – I EC 62047-25:201 © I EC 201 Tableau A.1 – Résistance la traction et la compression (zone de brasure: 30 m ì 30 àm) l ( µ m) σL,T (MPa) σL,C (MPa) 600 636, -1 466, 625 522, -1 361 , 650 41 9, -1 265, 675 327, -1 80, 700 244, -1 03, 725 1 67, -1 033, 750 098, -970, 775 035, -91 2, 800 977, -860, 825 924, -81 , 850 875, -767, 875 830, -726, 900 788, -689, Tableau A.1 – Résistance la traction et la compression (zone de brasure: 40 m ì 40 àm) l ( m) σL,T (MPa) σL,C (MPa) 600 340, -1 356, 625 246, -1 256, 650 1 60, -1 67, 675 084, -1 087, 700 01 4, -1 01 5, 725 952, -949, 750 894, -890, 775 842, -836, 800 795, -787, 825 751 , -742, 850 71 0, -701 , 875 673, -663, 900 639, -629, I EC 62047-25:201 © I EC 201 – 43 – Tableau A.1 – Résistance la traction et la compression (zone de brasure: 50 m ì 50 µm) l ( µ m) σL,T (MPa) σL,C (MPa) 500 652, -1 538, 525 51 5, -1 449, 550 393, -1 285, 575 286, -1 220, 600 1 91 , -1 25, 625 1 06, -1 009, 650 030, -966, 675 961 , -871 , 700 899, -81 2, 725 843, -784, 750 791 , -734, 775 745, -668, 800 702, -628, 825 663, -592, 850 627, -577, 875 594, -545, 900 563, -500, – 44 – I EC 62047-25:201 © I EC 201 Annexe B (informative) Exemple de méthode d'essai de traction-compression B.1 Dimensions de la structure d'essai Pou r trôler la résistance de brasu re d'u n échan ti l lon de brasure si liciu m -verre dont la zone de brasu re est de 1 m ì 1 µ m , les param ètres des dimensions sont don nés dans le Tableau B Les valeu rs séqu en tiell es du bras son t comprises en tre 800 µ m et 400 µ m , avec u n in terval le de 50 µ m Tableau B.1 – Dimensions de la structure d'essai Dimensions en µ m l a h2 w h1 d 800 400 50 70 200 80 00 B.2 Résistance la traction et la compression L'essai commence avec l e bras le plus l on g I l vient de réaliser l'essai conformém en t a) S'il n 'y a pas de ru ptu re, soul ever lentement l 'aig u ille et compresser la structure d'essai sui van te de l ong u eu r pl us peti te Répéter l'opération ci-dessu s La zone de brasu re n e rom pt pas avec u n bras de 050 µ m de long , mais ell e rom pt avec u n bras de 000 µ m de lon g En se référan t au Tableau B 2, on dédu i t qu e la résistance de l a brasu re est de 950 M Pa , Tableau B.2 – Résistance la traction et la compression (zone de brasure: 1 m ì 1 µ m) l ( µ m) σ L, T (MPa) σL, C (MPa) 800 41 , -1 41 3, 850 268, -1 267, 900 1 47, -1 43, 950 042, -1 036, 000 950, -943, 050 871 , -862, 1 00 801 , -791 , 1 50 739, -729, 200 684, -674, 250 634, -624, 300 590, -580, 350 551 , -541 , 400 51 5, -505, I EC 62047-25:201 © I EC 201 – 45 – U ne m eil leu re résolu tion peu t être obtenue en u ti lisan t des in tervalles plu s peti ts su r l e bras Si l a stru ctu re en siliciu m est la prem ière rompre, la résistance de brasu re peu t être recon nu e com me étant su périeu re la résistance du si liciu m _ INTERNATIONAL ELECTROTECHNICAL COMMISSION 3, rue de Varembé PO Box 31 CH-1 21 Geneva 20 Switzerland Tel: + 41 22 91 02 1 Fax: + 41 22 91 03 00 info@iec.ch www.iec.ch