Luận văn ảnh hưởng của ga và thời gian nghiền lên phổ hóa tổng trở của lani5

ĐẠI HỌC QUỐC GIA HÀ NỘI TRƯỜNG ĐẠI HỌC KHOA HỌC TỰ NHIÊN Nguyễn Thị Lương ẢNH HƯỞNG CỦA Ga VÀ THỜI GIAN NGHIỀN LÊN PHỔ HÓA TỔNG TRỞ CỦA LaNi5 LUẬN VĂN THẠC SĨ KHOA HỌC Hà Nội – 2014 ĐẠI HỌC QUỐC GIA HÀ NỘI TRƯỜNG ĐẠI HỌC KHOA HỌC TỰ NHIÊN - Nguyễn Thị Lương ẢNH HƯỞNG CỦA Ga VÀ THỜI GIAN NGHIỀN LÊN PHỔ HÓA TỔNG TRỞ CỦA LaNi5 Chuyên ngành: Vật lý nhiệt Mã số : LUẬN VĂN THẠC SĨ KHOA HỌC NGƯỜI HƯỚNG DẪN KHOA HỌC: GS.TS LƯU TUẤN TÀI Hà Nội - 2014 LỜI CẢM ƠN Trước hết, xin chân thành bày tỏ lòng biết ơn sâu sắc tới GS TS Lưu Tuấn Tài - người Thầy – nhà khoa học trực tiếp hướng dẫn, giúp đỡ tơi hồn thành luận văn Trong trình thực luận văn, Thầy tận tình bảo, gợi mở kiến thức để đạt kết ngày hôm Tôi xin chân thành cảm ơn tập thể Thầy, Cô công tác môn Vật Lý Nhiệt Độ Thấp cung cấp kiến thức bổ ích, làm tiền đề giúp thực luận văn Cuối cùng, tơi xin gửi lời cảm ơn tới gia đình, bạn bè thân thiết luôn động viên, cổ vũ suốt thời gian qua Hà Nội, ngày 14 tháng 10 năm 2014 Học viên Nguyễn Thị Lương MỤC LỤC MỞ ĐẦU Chương 1 : TỔNG QUAN 1.1 Vật liệu RT5 1.1.1 Cấu trúc tinh thể vật liệu RT5 1.1.2 Vai trò nguyên tố thay hợp kim LaNi5 1.1.3 Khả hấp thụ hấp phụ hyđrô hợp chất liên kim loại RT5 1.1.4 Động học trình hấp thụ giải hấp thụ hyđrô 1.1.5 Sự hấp thụ hyđrô hệ điện hoá 1.1.6 Nhiệt động học hấp thụ………………………………………………… 1.1.7 Tính chất điện hố hợp chất RT làm điện cực âm pin nạp lại Ni-MH 1.1.7.1 Xác định tính chất phương pháp đo phóng nạp 1.1.7.2 Các tính chất điện hóa RT5 1.1.8 Ảnh hưởng nguyên tố thay thế………………………….…… 1.1.9 Sự ảnh hưởng kích thước hạt 1.2 Pin nạp lại Ni-MH 1.2.1 Khái niệm pin nạp lại Ni-MH 1.2.2 Cơ chế hoạt động pin Ni-MH Chương : CÁC PHƯƠNG PHÁP NGHIÊN CỨU 2.1 Chế tạo mẫu 2.1.1 Tạo mẫu phương pháp nóng chảy hồ quang 2.1.2 Phương pháp nghiền học 2.2 Phân tích cấu trúc phương pháp đo nhiễu xạ tia X 2.3 Xác định hình dạng kích thước hạt kính hiển vi điện tử quét (SEM) 2.4 Các phép đo điện hoá 2.4.1 Chế tạo điện cực âm 2.4.2 Hệ đo điện hóa…………………………………………….………… 2.4.3 Đo chu kỳ phóng nạp 2.4.4 Phương pháp qt vịng đa chu kỳ (CV) 2.4.4.1 Nguyên lý chung 2.4.4.2 Phương pháp CV nghiên cứu điện cực LaNi5 2.4.5 Phương pháp tổng trở điện hoá 2.4.5.1 Nguyên lý chung 2.4.5.2 Phương pháp EIS nghiên cứu điện cực LaNi5 Chương 3: KẾT QUẢ VÀ THẢO LUẬN 3.1 Cấu trúc tinh thể 3.2 Kết chụp ảnh SEM 3.3 Các kết đo điện hoá 3.3.1 Kết đo phổ tổng trở 3.3.2 Phổ tổng trở mẫu dạng thô 3.3.3 Ảnh hưởng thời gian nghiền lên phổ tổng trở KẾT LUẬN……………… …………………… ………………… TÀI LIỆU THAM KHẢO Danh mục hình ản h Hình 1.1: Sơ đồ mạng tinh thể hệ hợp chất LaNi5…………………………3 Hình 1.2: Sự thay đổi thể tích mạng phụ thuộc nồng độ nguyên tố thay thế……………………………………………………………………………….5 Hình 1.3: Sự phụ thuộc LnPH2 vào 1/T…………………………………………7 Hình 1.4: Sơ đồ mơ tả biên pha kim loại hấp thụ hyđrơ………….9 Hình 1.5: Cấu tạo lớp điện tích kép………………………………………… 11 Hình 1.6: Đồ thị phóng (D) nạp (C) mẫu LaNi5với chu kỳ phóng nạp khác nhau…………………………………………………………………… 12 Hình 1.7: Đồ thị phóng nạp số mẫu sau 10 chu kỳ phóng nạp……….12 Hình 2.1: Hệ tạo mẫu nấu chảy hồ quang (ITIMS)…………………… 16 Hình 2.2: Giản đồ pha hệ hợp chất La-Ni 17 Hình 2.3: Máy nghiền hành tinh Retsch -PM 400/2.( ITIMS)……………… 18 Hình 2.4: Hình ảnh chuyển động cối bi trình nghiền……….19 Hình 2.5: Hình ảnh cối nghiền bi nghiền máy Retsch -PM 400/2…… 20 Hình 2.6: Sơ đồ nguyên lý ảnh thiết bị nhiễu xạ tia X…………………… 22 Hình 2.7: Sơ đồ nguyên lý thiết bị đo SEM………………………………… 24 Hình 2.8: Ảnh thiết FE-SEM S-4800 Viện Khoa học Vật liệu…………….25 Hình 2.9: Hệ điện cực phép đo điện hố pin Ni-MH…………… 27 Hình 2.10: Hệ đo chu kỳ phóng nạp Bi-Potentiostat 366A……………………28 Hình 2.11: Biến thiên điện cực theo thời gian…………………………… 29 Hình 2.12: Biến thiên dịng điện theo phân cực………………………… 29 Hình 2.13: Quan hệ dòng điện quét vịng………………29 Hình 2.14: Qt tuyến tính cho hệ bất thuận nghịch…………………… 31 Hình 2.15: Mạch điện tương đương bình điện phân………………………33 Hình 2.16: Tổng trở mặt phẳng phức…………………………………… 34 Hình 2.17: Tổng trở trình điện cực nhiều giai đoạn………………… 35 Hình 2.18: Tổng trở có hấp phụ đặc biệt (a)và có thụ động (b) 35 Hình 2.19: Phổ tổng trở Nyquist điện cực LaNi5 E = -1,2 V/SCE…….36 Hình 2.20: Sơ đồ mạch tương đương điện cực gốc LaNi5……………… 36 Hình 3.1: Giản đồ nhiễu xạ tia X mẫu LaNi5…………………………… 38 Hình 3.2: Giản đồ nhiễu xạ tia X mẫu LaNi5-xGax…………………… 38 Hình 3.3: Phổ nhiễu xạ tia X hợp chất LaNi4,55Ga0,45…………………… 39 Hình 3.4: Giản đồ nhiễu xạ tia X mẫu LaNi4,5Ga0,5 sau nghiền… 40 Hình 3.5: Ảnh SEM mẫu LaNi5 (a) LaNi4,55Ga0,45 (b) sau nghiền………………………………………………………………………….41 Hình 3.6: Ảnh SEM mẫu LaNi5 (a) LaNi4,55Ga0,45 (b) sau 10 nghiền………………………………………………………………………….41 Hình 3.7: Ảnh SEM mẫu LaNi5 (a) LaNi4,5Ga0,45 (b) sau 15 nghiền………………………………………………………………………….42 Hình 3.8: Ảnh SEM mẫu LaNi5 (a) LaNi4,5Ga0,45 (b) sau 20 nghiền………………………………………………………………………….42 Hình 3.9 : Đường cong Nyquist mẫu LaNi5-xGax E= -1,1 V………… 43 Hình 3.10: Sự phụ thuộc điện trở chuyển điện tích Rctvào hàm lượng thay Ga cho Ni………………………………………………………………….44 Hình 3.11: Sự phụ thuộc điện dung lớp kép Cdl………………………….45 Hình 3.12: Sự phụ thuộc điện dung lớp kép Cdl……… Hình 3.13: Đường cong Nyquist mẫu LaNi4.55Ga0.45với thời gian nghiền 5giờ………………………… Hình 3.14: Đường cong Nyquist mẫu LaNi4.55Ga0.45với thời gian nghiền 10giờ………………………… Hình 3.15: Đường cong Nyquist mẫu LaNi4.55Ga0.45với thời gian nghiền 15giờ………………………… Hình 3.16: Đường cong Nyquist mẫu LaNi4.55Ga0.45với thời gian nghiền 20giờ………………………… Hình 3.17: Sự phụ thuộc điện trở chuyển điện tích mẫu theo thời gian nghiền Hình 3.18: Sự phụ thuộc điện dung lớp kép mẫu theo thời gian nghiền Danh mục bảng biểu Bảng 1.1: Giới hạn hàm lượng nguyên tố thay LaNi 5-xMx……4 MỞ ĐẦU Ngày nay, công nghệ thông tin phát triển không ngừng Cùng với phát triển đa dạng phong phú máy tính, thiết bị điện tử xách tay, phương tiện bưu viễn thơng nguồn ni điện hóa ắc quy Ni-MH phận thiếu Đây nguồn điện nhất, có tính ưu việt điện danh định, dung lượng tích trữ, thân thiện mơi trường số chu kỳ làm việc cao Nguyên lý để chế tạo pin Ni-MH gần với nguyên lý chế tạo pin Ni-Cd ưu điểm loại ắc quy Ni-MH dung lượng lớn (lớn 30 % đến 50 % so với ắc quy Ni-Cd chủng loại) phế thải khơng gây nhiễm mơi trường [16] Mặt khác, pin Ni-MH có thời gian sống dài có giá thành rẻ khoảng 40 % so với pin Li Mặc dù pin Ni-MH có mặt thị trường, giới có nhiều cơng trình nghiên cứu loại ắc quy với mục tiêu để hiểu rõ q trình điện hố xảy ắc quy, nâng cao chất lượng vật liệu làm ắc quy, việc giảm giá thành sản phẩm Các nghiên cứu trước tiến hành vật liệu làm điện cực âm ắc quy NiMH sở hợp chất LaNi5 cho thấy: - Khi thay Ni hợp chất liên kim loại LaNi kim loại 3d khác làm cải thiện đáng kể tính chất vật liệu như: tăng hiệu suất phóng nạp, tăng thời gian sống - Khi thay La kim loại đất khác, tìm vật liệu gồm nhiều kim loại đất có thành phần gần giống thành phần tổng đất Misch Metal khai thác tự nhiên, giá thành rẻ mà giữ được, chí làm cho tính chất điện cực âm pin nạp lại Ni-MH tốt Với yêu cầu ngày cao chất lượng pin sử dụng sản phẩm điện tử, nhà nghiên cứu khơng ngừng tìm kiếm hợp chất phương thức chế tạo để đưa sản phẩm pin đáp ứng u cầu Với đặc tính hấp thụ giải hấp thụ lượng lớn hyđrơ ngun tử áp suất khí nhiệt độ phịng mà khơng làm hỏng cấu trúc mạng, vật liệu LaNi5-xMx (M nguyên tố thay phần Ni) ứng dụng làm điện cực âm pin nạp lại Ni-MH Các nguyên tố M thay phần cho Ni cải thiện đáng kể tính chất điện hóa vật liệu điện cực Ga kim loại có nhiệt độ nóng chảy thấp Vì vậy, đưa Ga vào thay cho Ni LaNi5 Ga dễ chảy ra, bao bọc hạt vật liệu, giúp chống ion hóa bề mặt vật liệu Mặt khác, ta nghiền nạp dung lượng, hạt vật liệu không bị vỡ Ngồi ra, làm tăng bề mặt tiếp xúc, khiến dung lượng nạp vào tăng Trên sở đó, hướng nghiên cứu mới, nghiền vật liệu hạt vật liệu cỡ submicromet đồng thời pha tạp Ga để Ga bao bọc lớp hạt chống ơxi hóa Với tinh thần vậy, đề tài luận văn tốt nghiệp cao học chuyên ngành vật lý nhiệt, lựa chọn đề tài: “ Ảnh hưởng Ga thời gian nghiền lên phổ hóa tổng trở LaNi5 ” Bản luận văn gồm nội dung sau : - Phần mở đầu - Chương 1: Tổng quan - Chương 2: Các phương pháp thực nghiệm - Chương 3: Kết thảo luận - Kết luận - Tài liệu tham khảo Hình 3.4: Giản đồ nhiễu xạ tia X mẫu LaNi4,55Ga0,45 sau nghiền Từ Hình 3.4 ta thấy: thời gian nghiền tăng, đặc trưng tinh thể mẫu giảm thể mở rộng đỉnh nhiễu xạ cường độ đỉnh nhiễu xạ giảm Điều chứng tỏ kích thước vật liệu giảm thời gian nghiền tăng Kết nhiễu xạ tia X cho thấy sau nghiền cấu trúc vật liệu không thay đổi 3.2 Kết chụp ảnh SEM Để xem xét ảnh hưởng thời gian nghiền lên kích thước hạt hình dạng hạt, mẫu LaNi4,55Ga0,45 chọn làm đại diện để chụp ảnh SEM Các kết chụp ảnh SEM cho thấy hạt tương đối đồng thời gian nghiền tăng kích thước hạt vật liệu giảm Với thời gian nghiền kích thước hạt khoảng 500 nm, sau 10 nghiền kích thước hạt khoảng 300 nm, sau 15 nghiền kích thước hạt khoảng 150 nm sau 20 nghiền kích thước hạt giảm xuống cỡ 40 - 50 nm, kết thể Hình từ 3.5 đến 3.8 So sánh với kết phổ nhiễu xạ tia X ta thấy kết phù hợp Hình 3.5: Ảnh SEM mẫu LaNi5 (a) LaNi4,55Ga0,45 (b) sau nghiền Hình 3.6: Ảnh SEM mẫu LaNi5 (a) LaNi4,55Ga0,45 (b) sau 10 nghiền Hình 3.7: Ảnh SEM mẫu LaNi5 (a) LaNi4,55Ga0,45 (b) sau 15 nghiền Hình 3.8: Ảnh SEM mẫu LaNi5 (a) LaNi4,55Ga0,45 (b) sau 20 nghiền 3.3 Các kết đo điện hoá 3.3.1 Kết đo phổ tổng trở Hiệu suất pin nạp lại Ni-MH điều chỉnh chủ yếu chế động học q trình chuyển điện tích bề mặt vật liệu chuyển khối lượng hyđrô vào khối vật liệu điện cực âm MH Phổ tổng trở phương pháp hiệu nghiên cứu tính chất vật liệu điện cực Phép đo phổ tổng trở thực mẫu với phân cực E = -1,1 V (V/SCE) với điện áp xoay chiều hình sin có biên độ mV tần số khác phạm vi từ MHz tới mHz Các thí nghiệm tiến hành hệ thống tự động AUTOLAB điều khiển xử lý kết mạch tương đương phần mềm FRA 3.3.2 Phổ tổng trở mẫu dạng thô Đường cong Nyquist mẫu LaNi 5-xGax (x = 0,15; 0,25; 0,35; 0,45) dạng nghiền thô (50 m) phân cực – 1,1 V thể Hình 3.9 Hình 3.9: Đường cong Nyquist mẫu LaNi5-xGax E= -1,1 V Từ hình vẽ cho thấy đặc trưng tổng trở mẫu LaNi 5-xGax (x = 0,15; 0,25; 0,35; 0,45) có dạng tương tự mẫu LaNi Đường cong Nyquist mẫu gồm hình bán nguyệt có bán kính lớn dần lên nồng độ Ga tăng Trong phổ tổng trở điện cực âm MH, tần số cao, phổ tổng trở xác định điện trở dung dịch điện ly Rs tần số thấp, tổng trở xác định tổng điện trở dung dịch điện ly điện trở chuyển dời điện tích R ct Cả hai giới hạn dịch chuyển phía pha 0o Bán kính đường cong bán nguyệt liên quan đến điện trở chuyển điện tích Điều có nghĩa q trình chuyển điện tích dễ dàng bán kính đường bán nguyệt nhỏ Từ Hình 3.10 thấy rõ ràng điện trở chuyển điện tích tăng nồng độ Ga tăng Để thấy rõ ảnh hưởng thay nguyên tố Ga cho Ni lên phổ tổng trở điện cực hợp kim LaNi5-xGax, chúng tơi tính tốn điện trở chuyển điện tích Rct điện dung lớp kép Cdl điện cực phần mềm FRA sử dụng phương pháp mạch tương đương Hình 3.10: Sự phụ thuộc điện trở chuyển điện tích R ct vào hàm lượng thay Ga cho Ni Hình 3.11: Sự phụ thuộc điện dung lớp kép C dl vào hàm lượng thay Ga cho Ni Từ Hình 3.10 3.11 ta thấy: điện phân cực E = -1,1 V cho tất mẫu, thành phần Ga thay cho Ni tăng, R ct tăng ngược lại Cdl giảm Điều làm cho việc chuyển điện tích trở nên khó khăn Ngoài ra, sụt giảm C dl cho thấy mật độ ion dẫn điện lớp kép giảm, dẫn đến khả trao đổi điện tích biên pha bề mặt điện cực giảm Ga pha tạp làm cho trở kháng vật liệu tăng lên, thời gian sống pin lại tăng lên, đủ để sử dụng làm điện cực âm cho pin sạc Ni-MH Mặt khác, điện trở suất Ga (270 nΩ.m) lớn Ni (69,3 nΩ.m) nên pha tạp Ga vào vật liệu gốc LaNi làm cho tổng trở vật liệu tăng lên 3.3.3 Ảnh hưởng thời gian nghiền lên phổ tổng trở Từ đường cong Nyquist Hình 3.12 – 3.16 cho thấy, dạng phổ tổng trở hợp chất trước sau nghiền có dạng giống có dạng phổ tổng trở giống mẫu LaNi5 nghiên cứu trước Các đường bán nguyệt phổ tổng trở nhỏ độ phân cực tăng Điều cho thấy đặc tính dẫn LaNi5 LaNi4.55Ga0.45 trước sau nghiền khơng có thay đổi giống LaNi5 dạng bột nghiền thô 50 m Với thời gian nghiền tăng giá trị tổng trở giảm Hình 3.12: Đường cong Nyquist mẫu LaNi 4.55Ga0.45 với thời gian nghiền Hình 3.13: Đường cong Nyquist mẫu LaNi 4.55Ga0.45 với thời gian nghiền Hình 3.14: Đường cong Nyquist mẫu LaNi 4.55Ga0.45 với thời gian nghiền 10 Hình 3.15: Đường cong Nyquist mẫu LaNi 4.55Ga0.45 với thời gian nghiền 15 Hình 3.16: Đường cong Nyquist mẫu LaNi 4.55Ga0.45 với thời gian nghiền 20 Sử dụng phương pháp mạch điện tương đương phần mềm FRA xác định thông số Rct Cdl vật liệu điện cực để thấy rõ ảnh hưởng kích thước hạt lên phổ tổng trở vật liệu điện cực Các kết thể Hình 3.17 3.18 Hình 3.17: Sự phụ thuộc điện trở chuyển điện tích mẫu theo thời gian nghiền Hình 3.18: Sự phụ thuộc điện dung lớp điện tích kép mẫu theo thời gian nghiền Từ Hình 3.17 3.18 cho thấy rằng: hợp chất sau nghiền có điện trở chuyển điện tích nhỏ so với vật liệu chưa nghiền, đồng thời điện dung lớp điện tích kép lớn Điều chứng tỏ, sau nghiền khả tiếp xúc hay diện tích tiếp xúc hạt lớn nhiều so với chưa nghiền làm cho khả dẫn điện, chuyển điện tích dễ dàng Bên cạnh đó, tăng lên Cdl chứng tỏ sau nghiền bề mặt hoạt hoá hạt tốt hơn, tăng lên C dl cho thấy mật độ ion dẫn lớp điện tích kép lớn, dẫn đến khả trao đổi điện tích biên pha dung dịch điện ly bề mặt điện cực thực dễ dàng Nói cách khác, q trình phóng nạp điện cực xảy tốt Điều hoàn toàn phù hợp với nghiên cứu trước tính chất điện hóa vật liệu điện cực âm dùng pin nạp lại Ni-MH Khi thời gian nghiền tăng kích thước hạt vật liệu giảm làm tăng bề mặt tiếp xúc gi ữa vật liệu dung dịch điện ly làm cho dung lượng thực tế pin tăng lên Ngồi ra, kích thước hạt giảm thơng số khác pin cải thiện KẾT LUẬN Trong quá trình thực hiện bản luận văn này, đã học hỏi và thực hiện nhiều phương pháp nghiên cứu khác nhau, nhất là tiếp cận được các bước nghiên cứu và đặc trưng các tính chất của các loại pin Ni-MH rất thông dụng hiện Các kết quả thu được có thể được tóm tắt sau:  Đã chế tạo thành công hệ mẫu đơn pha LaNi 5-xGax bằng phương pháp nóng chảy hồ quang với x = 0,1 ÷ 0,5  Đã nghiền thành công mẫu LaNi 5-xGax phương pháp nghiền học đến kích thước 40 – 50 nm  Đã chứng tỏ nồng độ Ga pha tạp tăng làm cho điện trở chuyển điện tích Rct tăng từ 31 Ω/g đến 110 Ω/g ngược lại điện dung lớp điện tích kép Cdl giảm từ 34 µF/g xuống 12 µF/g, khiến trở kháng vật liệu tăng lên Tuy nhiên, thời gian sống pin lại kéo dài, đủ để sử dụng làm điện cực âm cho pin nạp lại Ni-MH  Đã chứng tỏ thời gian nghiền tăng kích thước hạt vật liệu giảm làm điện trở chuyển điện tích Rct giảm từ 110Ω/g xuống 30Ω/g, nghĩa khả dẫn điện, chuyển điện tích điện cực dễ dàng Bên cạnh đó, tăng lên điện dung lớp điện tích kép Cdl từ 12µF/g đến 70µF/g chứng tỏ sau trình phóng nạp điện cực xảy tốt Điều cho thấy, tăng thời gian nghiền, hiệu suất dung lượng pin tăng lên đáng kể Như vậy các kết quả của luận văn cho thấy việc pha tạp Ga áp dụng phương pháp nghiền vật liệu tới độ hạt submicro chế tạo loại pin Ni–MH có dung lượng cao thời gian sống kéo dài TÀI LIỆU THAM KHẢO Đàm Nhân Bá (2011), Ảnh hưởng nguyên tố pha tạp lên đặc trưng từ điện hóa vật liệu sở LaNi Mg2Ni, Luận án tiến sĩ ITIMS Đức, N.H (2003), Vật liệu liên kim loại, Nhà xuất Đại học Quốc Gia Hà Nội An, X H., Pan, Y B., Luo, Q., Zhang, X., Zhang, J Y., & Li, Q (2010) Application of a new kinetic model for the hydriding kinetics of LaNi5-xAlx (0≤x≤1.0) alloys, Journal of Alloys and Compounds, 506(1), pp 63–69 Conway, B E, White, R E., Plenum, K., York, N., & Lasia, A (2002) A Lasia , “ Applications of the Electrochemical Impedance Spectroscopy to Hydrogen Adsorption , Evolution and Absorption into Metals ”, Modern Aspects of Electrochemistry , Applications of Electrochemical Impedance Spectroscopy to Hydrogen Adsorption , 35, pp.1–49 Conway, B.E., & Jerkiewicz, G (1993), Thermodynamic and electrode kinetic factors in cathodic hydrogen sorption into metals and its relationship to hydrogen adsorption and poisoning Journal of Electroanalytical Chemistry, 357(1-2), pp 47–66 Cuevas, F., Joubert, J.-M., Latroche, M., & Percheron-Guégan, a (2001), Intermetallic compounds as negative electrodes of Ni/MH batteries, Applied Physics A Materials Science & Processing, 72(2), pp 225–238 Hongmei, J., Guoxun, L., Chuanhua, Z., & Ruikun, W (1999), Factors affecting the characteristics of the negative electrodes for nickel-metal hydride batteries Journal of Power Sources, 77(2), pp 123–126 Lundqvist, A (1998), Determination of the Diffusion Coefficient and PhaseTransfer Rate Parameter in LaNi[sub 5] and MmNi[sub 3.6]Co[sub 0.8]Mn[sub 0.4]Al[sub 0.3] Using Microelectrodes Journal of The Electrochemical Society, 145(11), pp 3740 Meli, F (1992), Surface and bulk properties of LaNi 1-xSix alloys from the viewpoint of battery applications, 190, pp 17–24 10 P H L Notten (1994), Rechargeable nikel metal hydride batteries asuccessful new concept , Vol 281, pp 151 –196 11 Qian, S Y., Conway, B E., & Jerkiewicz, G (1998), Kinetic rationalization of catalyst poison effects on cathodic H sorption into metals: relation of enhancement and inhibition to H coverage, Journal of the Chemical Society, Faraday Transactions, 94(19), pp 2945–2954 12 Schlapbach, L., Seiler, A., Siegmann, H., WaldkiRCH, T., Zucher, P., Brundle, C (1979), Self restoring of the active surface in LaNi 5, International Journal of Hydrogen Energy, 4(1), pp 21–28 13 Szpak, S J (1994), Metal / Hydrogen Energy Storage , Selected Technical Issues 14 Talagañis, B a., Esquivel, M R., & Meyer, G (2009), A two-stage hydrogen compressor based on (La,Ce,Nd,Pr)Ni intermetallics obtained by low energy mechanical alloying – Low temperature annealing treatment, International Journal of Hydrogen Energy, 34(4), pp 2062–2068 15 Wang, X., Chen, R., Zhang, Y., Chen, C., & Wang, Q (2007), Hydrogen storage properties of (La–Ce–Ca)Ni5 alloys and application for hydrogen compression, Materials Letters, 61(4-5), pp 1101–1104 16 Watada Masaharu, Kuzuhara Minoru, O M (2006), Development trend of rechargeable Nickel-Metal Hydride Battery ror replacement of Dry Cell, Science Links Japan, 3(2), pp 46–53 17 Zaluska, A., Zaluski, L., Tanaka, H., Kuriyama, N., & Tunold, R (2000), Structure and related properties of (La,Ce,Nd,Pr)Ni alloys, 306, pp 235– 244 18 Zidoune, M., Grosjean, M.-H., Roué, L., Huot, J., & Schulz, R (2004), Comparative study on the corrosion behavior of milled and unmilled magnesium by electrochemical impedance spectroscopy, Corrosion Science, 46(12), pp 3041–3055 ... - Nguyễn Thị Lương ẢNH HƯỞNG CỦA Ga VÀ THỜI GIAN NGHIỀN LÊN PHỔ HÓA TỔNG TRỞ CỦA LaNi5 Chuyên ngành: Vật lý nhiệt Mã số : LUẬN VĂN THẠC SĨ KHOA HỌC NGƯỜI HƯỚNG DẪN KHOA... ảnh SEM 3.3 Các kết đo điện hoá 3.3.1 Kết đo phổ tổng trở 3.3.2 Phổ tổng trở mẫu dạng thô 3.3.3 Ảnh hưởng thời gian nghiền lên phổ tổng trở KẾT LUẬN……………… …………………… ………………… TÀI LIỆU THAM KHẢO... “ Ảnh hưởng Ga thời gian nghiền lên phổ hóa tổng trở LaNi5 ” Bản luận văn gồm nội dung sau : - Phần mở đầu - Chương 1: Tổng quan - Chương 2: Các phương pháp thực nghiệm - Chương 3: Kết thảo luận