TĂNG CƯỜNG TÍNH CHẤT NHẠY KHÍ CỦA CẢM BIẾN KHÍ TRÊN CƠ SỞ MÀNG MỎNG ÔXÍT KIM LOẠI BÁN DẪN BIẾN TÍNH XÚC TÁC KIM LOẠI

VJE Tạp chí Giáo dục, Số đặc biệt Kì tháng 5/2018, tr 200-205 TĂNG CƯỜNG TÍNH CHẤT NHẠY KHÍ CỦA CẢM BIẾN KHÍ TRÊN CƠ SỞ MÀNG MỎNG ƠXÍT KIM LOẠI BÁN DẪN BIẾN TÍNH XÚC TÁC KIM LOẠI Phùng Thị Hồng Vân - Trường Đại học Tài nguyên Mơi trường Hà Nội Nguyễn Văn Tốn - Viện Đào tạo Quốc tế Khoa học Vật liệu (ITIMS), Trường Đại học Bách Khoa Hà Nội Lâm Thị Hằng - Trường Đại học Tài nguyên Môi trường Hà Nội Ngày nhận bài: 16/04/2018; ngày sửa chữa: 14/05/2018; ngày duyệt đăng: 15/05/2018 Abstract: In order to improve the selectivity as well as to enhance the gas response of thin-film oxide semiconductor materials, thin-film modification methods, including surface modification using precious metals or other semiconductor oxides have been applied Modification or doping can be accomplished in a variety of ways, where surface denaturation is a relatively simple method that can be easily implemented to improve responsiveness and selectivity Developing scientific research capacity for students is one of the important measures to improve the quality of training Through the research project “Enhancing sensitivity properties of gas sensors based on metallic nanoparticles-modified semiconductor oxide thin films”, the authors want to apply their research in training and guiding students to participate in scientific research Keywords: Gas sensors, surface modification, nanomaterials, metal oxides Mở đầu Nâng cao chất lượng đào tạo trường đại học vấn đề cấp thiết Nghị số 29-NQ/TW nhấn mạnh: “Chuyển mạnh trình giáo dục từ chủ yếu trang bị kiến thức sang phát triển toàn diện lực phẩm chất người học; phát triển GD-ĐT phải gắn với nhu cầu phát triển KT-XH, xây dựng bảo vệ Tổ quốc, với tiến khoa học công nghệ ” [1] Trong trường đại học, đào tạo nghiên cứu khoa học gắn bó chặt chẽ với Để nâng cao chất lượng đào tạo, cần phải phát triển lực nghiên cứu khoa học cho sinh viên, vì: “Phương pháp dạy học đại học gắn liền với thực tiễn xã hội, thực tiễn sống phát triển khoa học công nghệ Phương pháp dạy học đại học ngày tiếp cận với phương pháp nghiên cứu khoa học ” [2; tr 106] Quy định hoạt động nghiên cứu khoa học sinh viên sở giáo dục đại học, nêu rõ Điều Mục tiêu hoạt động nghiên cứu khoa học sinh viên là: 1) Nâng cao chất lượng đào tạo nguồn nhân lực trình độ cao, góp phần phát bồi dưỡng nhân tài cho đất nước; 2) Phát huy tính động, sáng tạo, khả nghiên cứu khoa học độc lập sinh viên, hình thành lực tự học cho sinh viên; 3) Góp phần tạo tri thức, sản phẩm cho xã hội [3] Nghiên cứu nhóm tác giả “Tăng cường tính chất nhạy khí cảm biến khí sở màng mỏng xít kim loại bán dẫn biến tính xúc tác kim loại” vừa có tác dụng khuyến khích cơng tác nghiên cứu khoa học cho giảng viên sinh viên, vừa vận dụng vào cơng tác đào tạo cán ngành mơi trường; ứng dụng vào thực tế để chế tạo cảm biến khí có độ nhạy tính chọn lọc cao phù hợp với điều kiện kinh tế nước ta Nội dung nghiên cứu 2.1 Năng lực lực nghiên cứu khoa học 2.1.1 Năng lực Có nhiều định nghĩa lực, chúng tơi đồng ý với quan điểm: “Năng lực khả thực có trách nhiệm hiệu hành động, giải nhiệm vụ, vấn đề tình thay đổi thuộc lĩnh vực nghề nghiệp, xã hội hay cá nhân sở hiểu biết, kĩ năng, kĩ xảo kinh nghiệm sẵn sàng hành động” [4; tr 68] 2.1.2 Năng lực nghiên cứu khoa học Năng lực nghiên cứu khoa học khả tìm tịi, sáng tạo tri thức khoa học mới, khám phá chất quy luật vận động tự nhiên, xã hội tư Năng lực nghiên cứu khoa học gồm thành tố chủ yếu: - Kiến thức: Kiến thức khoa học chuyên ngành; kiến thức phương pháp nghiên cứu khoa học - Kĩ năng: Kĩ xây dựng đề tài nghiên cứu; kĩ thiết kế nghiên cứu; kĩ thu thập liệu; kĩ phân tích liệu sử dụng cơng cụ phân tích; kĩ phê phán; kĩ lập luận; kĩ viết báo cáo khoa học - Thái độ: Nhiệt tình, say mê khoa học; nhạy bén với kiện xảy ra; khách quan, trung thực, nghiêm túc; kiên trì, cẩn thận làm việc; tinh thần hợp tác khoa học; hoài nghi khoa học, dũng cảm bảo vệ chân lí khoa học 200 Email: phungvan.tnmt@gmail.com VJE Tạp chí Giáo dục, Số đặc biệt Kì tháng 5/2018, tr 200-205 2.2 Vận dụng kết nghiên cứu nhóm tác giả cảm biến giảm cách đáng kể Từ trở đi, có vào cơng tác đào tạo hướng dẫn sinh viên tham gia nhiều nghiên cứu biến tính bề mặt vật liệu ơxít kim loại bán dẫn phương pháp xem biện nghiên cứu khoa học 2.2.1 Về kiến thức, sinh viên cần biết tổng hợp pháp hiệu để tăng cường tính chất nhạy khí nghiên cứu nước lĩnh vực làm cảm biến cảm biến sở vật liệu ơxít kim loại bán dẫn [12; tr 12Từ năm 60 kỉ trước, nhà khoa học 13] Có nhiều cách pha tạp khác tiến hành phát phân tử khí hấp phụ vào bề mặt nghiên cứu cho vật liệu ơxít bán dẫn pha tạp dạng khối chất bán dẫn tạo thay đổi độ dẫn điện vật (tạp chất nằm khối vật liệu), pha tạp vào tinh thể (tạp liệu [5] Ngay sau đó, nhiều nghiên cứu chi tiết thay chất thay thể nguyên tử nút mạng) biến tính bề mặt đổi độ dẫn điện vật liệu bán dẫn với loại khí khác (các tạp chất nằm bề mặt vật liệu) Đặc biệt, cấu cơng bố Mặc dù số loại cảm biến khí trúc cảm biến dạng màng mỏng, nhà khoa học phát triển thương mại, có nhiều nghiên cứu biến tính bề mặt màng mỏng ôxit kim loại bán dẫn đầu tư lớn để làm rõ vấn đề cơng nghệ đảo kim loại biến tính với đảo xúc tác ơxít kim loại chế tạo vật liệu nhạy khí chế nhạy khí loại hạt tải khác loại hạt tải vật liệu [6], [7], [8], [9] Cho đến nay, cảm biến khí 2.2.2 Về kĩ năng, sinh viên cần biết tìm hiểu sở vật liệu bán dẫn cịn nhiều vấn đề phải nghiên cứu phương pháp chế tạo biến tính nhằm tăng cường độ phát triển, nhà khoa học trọng vào nhạy khí loại cảm biến ứng dụng vật liệu nano nhằm cải thiện phẩm chất cảm Một số phương pháp vật lí biến tính bề mặt màng biến Màng mỏng ơxít kim loại bán dẫn vật liệu lí tưởng mỏng nano cho cảm biến khí: cho việc thiết kế ứng dụng cho cảm biến khí chúng 2.2.2.1 Cảm biến màng mỏng ơxít biến tính với xúc tác có ưu điểm vượt trội độ bền nhiệt bền hóa học [10] kim loại Các nghiên cứu trước rằng, màng mỏng ơxít kim Cảm biến khí sở vật liệu SnO2 thể loại bán dẫn có độ nhạy thấp, độ chọn lọc không cao nhiệt độ đáp ứng thấp, tính chọn lọc khơng cao địi hỏi nhiệt độ làm việc cao Để cải thiện độ chọn lọc tăng độ làm việc cao cường độ đáp ứng khí vật liệu màng mỏng ơxít kim loại Việc pha tạp vào ơxít bán dẫn có ý nghĩa lớn bán dẫn, người ta sử dụng phương pháp biến tính bề mặt việc cải thiện phẩm chất cảm biến tạp chất đưa màng mỏng bao gồm biến tính bề mặt sử dụng kim loại vào có khả làm tăng độ chọn lọc, tăng độ đáp ứng, q ơxít bán dẫn khác [11], [12], [13] Tùy giảm nhiệt độ làm việc giảm thời gian hồi đáp vật thuộc vào loại hạt tải bán dẫn loại n p mà người ta có liệu lên đáng kể Các nhà khoa học thường chủ yếu dùng thể chia phương pháp biến tính thành biến tính loại kim loại quý Pt, Pd, Au, làm nguồn pha tạp vào hạt tải biến tính khác loại hạt tải Không cải thiện bề mặt vật liệu Khi pha tạp vào độ đáp ứng khả chọn lọc, việc biến tính làm vật liệu, lượng chất pha tạp phân bố chất pha tạp giảm đáng kể nhiệt độ làm việc cảm biến [14] Việc biến có vai trị lớn việc cải thiện tính chất cảm tính pha tạp thực nhiều cách biến [12; tr 12] khác nhau, phương pháp biến tính bề mặt Việc pha tạp ngun tố kim loại xúc tác vào ơxít kim phương pháp đơn giản, dễ dàng thực nhằm loại bán dẫn cải thiện cách đáng kể tính nâng cao độ đáp ứng tính chọn lọc cảm biến nhạy khí vật liệu, bao gồm tăng cường độ đáp ứng Có nhiều cơng trình nghiên cứu cơng bố kết (a) (b) nghiên cứu biến tính bề 200 ppm H mặt màng mỏng ơxít kim @ Ag (5 nm) loại nhằm tăng cường tính nhạy khí cảm biến Từ sớm, K Colbow [15] 50 ppm H cộng tiến hành pha tạp Ag nhằm biến tính bề mặt màng mỏng SnO2 để đo khí H2, nghiên cứu Nhiệt độ ( C) sau bề mặt biến tính độ đáp ứng tăng Hình Ảnh SEM màng mỏng SnO2/Ag (a) tính chất nhạy khí H2 màng mỏng Ag (dày nm) theo nhiệt độ (b) [15] lên nhiệt độ làm việc Độ đáp ứng (Ra/Rg) 2 201 VJE Tạp chí Giáo dục, Số đặc biệt Kì tháng 5/2018, tr 200-205 cải thiện thời gian hồi đáp Việc pha tạp vào khối bán dẫn thường làm thay đổi nồng độ hạt tải vật liệu, nhiên tính xúc tác nguyên tố pha tạp bị hạn chế Tính chất xúc tác kim loại thể rõ ràng chúng biến tính pha tạp bề mặt vật liệu nhạy khí Một số kim loại Pd, Pt [16], [17] pha tạp theo chế Năm 2002, nhóm tác giả O A Safonova cộng sử dụng phương pháp pha tạp kim loại Pd, Ru, Rh vào màng mỏng SnO2 phương pháp nhiệt thủy phân [18] Nhóm tác giả nghiên cứu ảnh hưởng tỉ lệ kim loại pha tạp lên kích thước hạt, đồng thời nghiên cứu tính nhạy khí vật liệu Trên hình kết phân bố kích thước cảm biến chiếu sáng tia UV (365 nm) đo nhiệt độ phịng Nhóm chế tạo đảo xúc tác Pd với chiều dày màng khác để đo khí CH4 đo mơi trường có chiếu sáng tia UV (365 nm) [11], [12], [20] 2.2.2.2 Cảm biến màng mỏng ơxít biến tính với đảo xúc tác khác loại hạt tải Việc kết hợp bán dẫn loại p (hạt tải lỗ trống) bán dẫn loại n (hạt tải điện tử) để làm cảm biến nhà khoa học quan tâm nghiên cứu từ sớm, khoảng năm 2003 [7; tr 17] Ngày nay, việc kết hợp chế tạo cảm biến kiểu tiếp xúc p-n cấu trúc (b) Kích thước hạt (nm) (a) Tỷ lệ khối lượng kim loại dung dịch (%) Hình Phân bố kích thước hạt theo tỉ lệ kim loại pha tạp (a) đặc trưng điện trở màng khơng pha tạp Rh có pha tạp Rh (b) [19] hạt theo tỉ lệ kim loại pha tạp Việc pha tạp sử dụng nano thu hút nhiều nhà khoa học quan tâm phương pháp có ưu điểm dễ dàng thay nghiên cứu chúng cho độ nhạy tốt nhiều đổi hàm lượng pha tạp Tuy nhiên, việc pha tạp có so với cảm biến sử dụng vật liệu dạng riêng lẻ [21] thể làm thay đổi kích thước tinh thể sản phẩm, từ Ở mơi trường khơng khí, bề mặt màng mỏng ảnh hưởng đến tính nhạy khí vật liệu SnO2 hình thành vùng nghèo điện tử Khi biến tính bề Vào khoảng năm đầu kỉ XXI, nhóm mặt hạt CuO, vùng nghèo điện tử bề mặt phân nghiên cứu giáo sư V Gupta (Cộng hòa Ấn Độ) chia hai pha mở rộng phía màng SnO2 làm cơng bố hàng loạt cơng trình cơng bố cảm biến màng giảm độ rộng kênh dẫn điện tử làm tăng điện trở Về mỏng biến tính đảo xúc tác [11], [12] Cụ thể, dựa mặt lượng, hai vật liệu bán dẫn có mức Fermi chế tràn (spillover) tác giả D Haridas cộng (EF) chênh lệch kết hợp với nhau, điện tử từ vật liệu có chế tạo màng SnO2 có chiều dày 90 nm phương mức Fermi cao qua lớp phân cách tới vật liệu pháp phún xạ hoạt hóa, sau phún xạ màng mỏng Pt có mức lượng thấp cho hai mức Fermi trở qua mặt nạ cứng tạo đảo xúc tác có kích thước 600 nên cân Trong trường hợp CuO/SnO2, điện tử µm Tác giả cơng bố kết nghiên cứu tính từ màng SnO2 chuyển sang hạt CuO kết hợp với chất nhạy khí LPG sở màng mỏng SnO2 biến tính lỗ trống dẫn tới tạo vùng nghèo hạt tải hai với đảo Pt [11], [12] có chiều dày khác có vật liệu Mơ hình sơ đồ mức lượng bán dẫn loại chiếu sáng tia UV (365 nm) Các kết n biến tính khác loại hạt tải hình cảm biến màng mỏng SnO2/Pt đo với 200 ppm khí Năm 2003, nhóm tác giả Chowdhuri cộng LPG thể tính nhạy khí tốt màng đảo xúc tác cơng bố báo việc biến tính màng mỏng SnO2 có chiều dày nằm khoảng từ 8-10 nm Các cảm đảo CuO để đo khí H2S [7] Nhóm tác giả so biến có nhiệt độ hoạt động thấp 220ºC, sánh độ đáp ứng khí H2S cảm biến SnO2 biến tính 202 VJE Tạp chí Giáo dục, Số đặc biệt Kì tháng 5/2018, tr 200-205 Mức chân không Mức chân không (a) O- (b) O- O- O- O- Φn EC Φn Φp EF O- CuO O - O - O- O- O- SnO2 Re EC EF EF EF EV O- EC EC Φp O- Re-O O- EV EV Re O- O- O- O- CuO O- Re-O O- EV CuO Vùng nghèo hạt tải SnO2 CuO/SnO2 SnO2 Hình Sơ đồ mức lượng sau kết hợp hai vật liệu bán dẫn loại p/n đảo CuO màng mỏng CuO liên tục Mơ hình cảm biến thể hình Ngồi ra, nhóm tiến hành nghiên cứu giữ nguyên kích thước, cấu trúc cảm biến, đồng thời tập trung nghiên cứu ảnh hưởng kiểu xúc tác dạng màng liên tục dạng đảo, kích thước đảo CuO 0,6 mm Nhóm tác giả giải thích chế cải thiện tính nhạy khí cảm biến SnO2 biến tính CuO sau: đo với khí H2S, phân tử H2S phản ứng với CuO tạo thành CuS theo phản ứng: CuO + H2S → CuS + H2O Màng mỏng SnO2 vật liệu bán dẫn loại n, tiếp xúc Đảo CuO Màng CuO Điện cực Pt Màng SnO2 Màng SnO2 Đế thủy tinh Đế thủy tinh (a) (b) Hình Cảm biến màng mỏng SnO2 biến tính màng mỏng CuO (a) đảo CuO (b) [7] với vật liệu CuO bán dẫn loại p tạo thành tiếp xúc p-n Tiếp xúc p-n tạo vùng nghèo hạt tải bản, tùy thuộc vào kiểu biến tính màng CuO liên tục hay đảo CuO, cấu trúc vùng nghèo khác Đối với kiểu xúc tác màng CuO liên tục, phân tử khí H2S phản ứng với lớp mỏng CuO bề mặt không ảnh hưởng đến độ rộng vùng nghèo tạo tiếp xúc p-n, khả cải thiện đáp ứng khí H2S cảm biến khơng đáng kể Tuy nhiên, với cảm biến màng mỏng SnO2 biến tính đảo CuO, phân tử khí H2S tiếp xúc với lớp tiếp giáp pn CuO SnO2 Phản ứng xảy Hình Độ đáp ứng cảm biến theo nồng độ (a) theo nhiệt độ (b) [7] dẫn tới thay đổi vùng nghèo bề mặt tiếp xúc CuO-SnO2 Tương Các kết đo nhạy khí cho thấy cảm biến có đảo xúc tác có độ đáp ứng tốt theo nồng độ khí H2S khác hình 5a theo nhiệt độ khác hình 5b Cảm biến cho độ đáp ứng tốt 150ºC (a) (b) Độ đáp ứng (Ra/Rg) Độ đáp ứng (Ra/Rg) @ 150 C Nồng độ khí (ppm) Nhiệt độ ( ºC) 203 VJE Tạp chí Giáo dục, Số đặc biệt Kì tháng 5/2018, tr 200-205 tác điện tử chủ yếu tương tác bề mặt có tiếp xúc lớp CuO với khí H2S, chuyển tiếp p-n hình thành qua biên giới hạt SnO2 Sự tăng cường độ nhạy đáp ứng cảm biến có đảo CuO kết trực tiếp tràn điện li khí hydro phản ứng với hấp phụ khí ơxy Độ đáp ứng tăng cao thời gian đáp ứng nhanh phần giải thích dựa chế tràn (spillover) [7] Chính vậy, độ nhạy cảm biến tăng dần so sánh cảm biến màng mỏng SnO2, cảm biến màng mỏng SnO2 biến tính màng mỏng CuO cảm biến màng mỏng SnO2 biến tính đảo CuO Việc giải thích chế nhạy khí cảm biến sở hình thành tiếp xúc khác loại hạt tải p-n nhóm tác giả Patil L A cộng cơng bố vào năm 2006 [22] Tác giả nghiên cứu mối quan hệ tiếp xúc dị thể vật liệu CuO SnO2 đo khí H2S vùng nồng độ cỡ ppm tiến hành đo đặc trưng I-V hình Sự thay đổi lớn điện trở loại p-CuO (n-SnO2 /p-CuO) vào mơi trường có độ dẫn cao Cu2S (n-SnO2/Cu2S) dẫn đến làm giảm điện trở [22] Kết luận Để nâng cao chất lượng đào tạo, cần nâng cao chất lượng đội ngũ giảng viên trường đại học Một biện pháp nâng cao chất lượng đội ngũ giảng viên nâng cao lực nghiên cứu khoa học, giải vấn đề mà thực tiễn đặt ra, vận dụng kết nghiên cứu vào thực tiễn giảng dạy Trong khuôn viết, tổng quan tình hình nghiên cứu chế tạo cảm biến khí sở màng mỏng màng mỏng sử dụng loại xúc tác khác nhằm tăng cường tính nhạy khí cảm biến Bài viết hai phương pháp biến tính màng mỏng sử dụng xúc tác kim loại sử dụng xúc tác ôxít kim loại bán dẫn Đối với xúc tác kim loại, kim loại quý Pt, Pd, Au, Ag thường lựa chọn sử dụng nhằm cải thiện tính nhạy khí màng ơxít kim loại bán dẫn với số khí khử H2, CO, NH3, Tùy thuộc vào hoạt tính xúc tác kim loại tiếp xúc kim loại ơxít bán dẫn mà cảm biến cải thiện đáp ứng với số khí định Đối với ơxít kim loại làm xúc tác, chia thành hai loại tùy thuộc vào loại hạt tải chất xúc tác mà có tiếp xúc loại hạt tải (n-n p-p), tiếp xúc khác loại hạt tải (p-n) Phẩm chất cảm biến loại cải thiện cách đáng kể chất xúc tác Hình Đặc trưng I-V tiếp xúc CuO (p)-SnO2 (n) [22] dễ dàng phản ứng với khí phân tích Sử dụng phương pháp phết phủ vật liệu SnO2 sau từ thay đổi chất lớp tiếp xúc cải thiện tính biến tính Cu2+ phương pháp nhúng dung dịch nhạy khí cảm biến CuCl2 sau nung 24 mơi trường nhiệt độ 550ºC để ơxy hóa CuCl2 tạo CuO Đặc trưng I-V thể Tài liệu tham khảo tính phi tuyến điện áp dịng điện, chứng tỏ tiếp xúc p-n hình thành lớp nghèo điện tử, hay hình thành [1] Ban Chấp hành Trung ương (2013) Nghị số 29-NQ/TW ngày 04/11/2013 đổi bản, rào tiếp xúc Khi tiếp xúc với khí H2S, CuO tồn diện giáo dục đào tạo, đáp ứng yêu cầu công chuyển thành CuS Cu2S làm chiều cao rào nghiệp hóa, đại hóa điều kiện kinh tế thị tiếp xúc dị thể n-SnO2 / p-CuO giảm rõ rệt, dẫn đến trường định hướng xã hội chủ nghĩa hội nhập thay đổi lớn điện trở vật liệu, hay cải thiện tính quốc tế nhạy khí H2S cảm biến Thay sử dụng chế hấp phụ - giải hấp khí ơxy bề mặt vật liệu đo khí [2] Đặng Vũ Hoạt (chủ biên) - Hà Thị Đức (2003) Lí luận dạy học đại học NXB Đại học Sư phạm, H2S, nhóm tác giả sử dụng chế thay đổi rào tr 106 lớp tiếp xúc dị thể n-SnO2 / p-CuO tương tác với khí H2S Trong mơi trường có khí H2S gặp phản ứng [3] Bộ GD-ĐT (2012) Thơng tư số 19/2012/TT-BGDĐT khí CuO chuyển hóa thành khí Cu2S theo phương trình ban hành quy định hoạt động nghiên cứu khoa học sinh viên sở giáo dục đại học phản ứng: 4H2S + 6CuO → 3Cu2S + SO2↑+4H2O 204 VJE Tạp chí Giáo dục, Số đặc biệt Kì tháng 5/2018, tr 200-205 [4] Bernd Meier - Nguyễn Văn Cường (2014) Lí luận dạy học đại - Cơ sở đổi mục tiêu, nội dung phương pháp dạy học NXB Đại học Sư phạm [5] Morrison S (1982) Semiconductor gas sensors Sensors and Actuators, pp 329-341 [6] Hoa, N D - Van Quy, N - Jung, H - Kim, D - Kim, H - Hong, S K (2010) Synthesis of porous CuO nanowires and its application to hydrogen detection Sensors and Actuators, B: Chemical, Vol 146 (1), pp 266-272 [7] Chowdhuri, A - Gupta, V - Sreenivas, K (2005) Influence of CuO catalyst in the nanoscale range on SnO2 surface for H2S gas sensing applications PRAMANA - Journal of Physics, Vol 65, No 4, pp 647-652 [8] Hoa, N D - An, S Y - Dung, N Q - Van Quy, N - Kim, D (2010) Synthesis of p-type semiconducting cupric oxide thin films and their application to hydrogen detection Sensors and Actuators, B: Chemical, Vol 146 (1), pp 239-244 [9] Huck, R - Bktger, U - Kohl, D - Heiland, G (1989) Spillover effects in the detection of H2 and CH4 by sputtered SnOz film with Pd and PdO deposits Sensors and Actuators, Vol 17, pp 355359 [10] Eranna, G (2011) Metal-Oxide-Based Gas-Sensor Devices Metal Oxide Nanostructures as Gas Sensing Devices, pp 13-26 [11] Haridas, D - Chowdhuri, A - Sreenivas, K - Gupta, V (2011a) Effect of thickness of platinum catalyst clusters on response of SnO2 thin film sensor for LPG Sensors and Actuators B: Chemical, Vol 153 (1), pp 89-95 [12] Haridas, D - Sreenivas, K - Gupta, V (2008) Improved response characteristics of SnO2 thin film loaded with nanoscale catalysts for LPG detection Sensors and Actuators B: Chemical, Vol 133 (1), pp 270-275 [13] Kosc, I - Hotovy, I - Rehacek, V - Griesseler, R Predanocy, M - Wilke, M - Spiess, L (2013) Sputtered TiO2 thin films with NiO additives for hydrogen detection Applied Surface Science, Vol 269, pp 110-115 [14] H T Giang - H T Duy - P Q Ngan - G H Thai D T A Thu - D T Thu - N N Toan (2011) Hydrocarbons gas sensing of nano-crystalline peroskite oxides LnFeO3 (Ln = La, Nd and Sm) Sensors and Actuators, B 158, pp 246-251 [15] Zhang, J - Colbow, K (1997) Surface silver clusters as oxidation catalysts on semiconductor gas sensors Sensors and Actuators B 40, pp 47-52 [16] Sharma, A - Tomar, M - Gupta, V (2013c) Enhanced response characteristics of SnO2 thin film based NO2 gas sensor integrated with nanoscaled metal oxide clusters Sensors & Actuators: B Chemical, Vol 181 (2), pp 735-742 [17] Sharma, A - Tomar, M - Gupta, V (2013) Enhanced response characteristics of SnO2 thin film based NO2 gas sensor integrated with nanoscaled metal oxide clusters Sensors and Actuators B: Chemical, Vol 181 (2), pp 735-742 [18] Safonova, O V - Delabouglise, G - Chenevier, B - Gaskov, a M - Labeau, M (2002) CO and NO2 gas sensitivity of nanocrystalline tin dioxide thin films doped with Pd, Ru and Rh Materials Science and Engineering C, Vol 21(1-2), pp 105-111 [19] Chowdhuri, A - Gupta, V - Sreenivas, K (2003) Fast response H2S gas sensing characteristics with ultra-thin CuO islands on sputtered SnO2 Sensors and Actuators B: Chemical, Vol 93 (1-3), pp 572579 [20] Haridas, D - Gupta, V - Mahavidyalaya, K (2012) Enhanced Room Temperature Response of SnO2 Thin Film Sensor Loaded with Pd Catalyst Clusters Under UV Radiation for Methane ICMS, pp 758-760 [21] Tyagi, P - Sharma, A - Tomar M - Gupta, V (2016) Metal Oxide Catalyst assisted SnO2 thin film based SO2 gas sensor Sensors and Actuators B: Chemical, Vol 224, pp 282-289 [22] Patil, L - Patil, D R (2006) Heterocontact type CuO-modified SnO2 sensor for the detection of a ppm level H2S gas at room temperature Sensors and Actuators, B: Chemical, Vol 120(1), pp 316-323 [23] Nguyễn Xuân Quý (2015), Một số biện pháp phát triển lực nghiên cứu khoa học cho học sinh dạy học hóa học Tạp chí Khoa học, Trường Đại học Sư phạm TP Hồ Chí Minh, số (72), tr 146-152 205