Thông tin tài liệu
BỘ GIÁO DỤC VÀ ĐÀO TẠO TRƯỜNG ĐẠI HỌC SƯ PHẠM KỸ THUẬT THÀNH PHỐ HỒ CHÍ MINH LUẬN VĂN THẠC SĨ NGUYỄN HỒNG THƠNG XÁC ĐỊNH HÀM HẤP THU TỔNG QUÁT DÙNG NHIỄU XẠ X QUANG CHO BỀ MẶT ELLIPSOID SỬ DỤNG PHƯƠNG PHÁP ĐO Ψ NGÀNH: KỸ THUẬT CƠ KHÍ - 60520103 S K C0 4 Tp Hồ Chí Minh, tháng 10/2014 Luan van BỘ GIÁO DỤC VÀ ĐÀO TẠO TRƯỜNG ĐẠI HỌC SƯ PHẠM KỸ THUẬT THÀNH PHỐ HỒ CHÍ MINH - - LUẬN VĂN THẠC SĨ NGUYỄN HỒNG THƠNG XÁC ĐỊNH HÀM HẤP THU TỔNG QUÁT DÙNG NHIỄU XẠ X QUANG CHO BỀ MẶT ELLIPSOID SỬ DỤNG PHƯƠNG PHÁP ĐO NGÀNH: KỸ THUẬT CƠ KHÍ - 60520103 Tp.Hồ Chí Minh, tháng 10/2014 Luan van BỘ GIÁO DỤC VÀ ĐÀO TẠO TRƯỜNG ĐẠI HỌC SƯ PHẠM KỸ THUẬT THÀNH PHỐ HỒ CHÍ MINH - - LUẬN VĂN THẠC SĨ NGUYỄN HỒNG THƠNG XÁC ĐỊNH HÀM HẤP THU TỔNG QUÁT DÙNG NHIỄU XẠ X QUANG CHO BỀ MẶT ELLIPSOID SỬ DỤNG PHƯƠNG PHÁP ĐO NGÀNH: KỸ THUẬT CƠ KHÍ – 60520103 Hướng dẫn khoa học: PGS.TS LÊ CHÍ CƯƠNG Tp.Hồ Chí Minh, tháng 10/2014 Luan van LÝ LỊCH KHOA HỌC I LÝ LỊCH SƠ LƢỢC: Họ & tên: NGUYỄN HỒNG THƠNG Giới tính: Nam Ngày, tháng, năm sinh: 21/10/1989 Nơi sinh: Bình Dƣơng Quê quán: Bình Dƣơng Dân tộc: Kinh Chỗ riêng địa liên lạc: 85/12/4, P.Phú Lợi, tp.TDM, Bình Dƣơng Điện thoại: 0974.453 626 Điện thoại nhà riêng:0650.3833799 E-mail: hoangthongkcn@gmail.com II QUÁ TRÌNH ĐÀO TẠO: Trung học chuyên nghiệp: Hệ đào tạo: Nơi học (trƣờng, thành phố): Ngành học: Thời gian đào tạo từ…/ … đến …/ …… Đại học: Hệ đào tạo: Chính qui Thời gian đào tạo từ 09/2007 đến 06/2012 Nơi học (trƣờng, thành phố): ĐH Sƣ Phạm Kỹ Thuật tp.Hồ Chí Minh Ngành học: Kỹ Thuật Cơng Nghiệp Tên đồ án, luận án môn thi tốt nghiệp:NGHIÊN CỨU, THIẾT KẾ, CHẾ TẠO ĐỒ GÁ THỰC TẬP HÀN Ngày & nơi bảo vệ đồ án, luận án thi tốt nghiệp: 12/2011 ĐH.SPKT tp.HCM Ngƣời hƣớng dẫn:Kỹ sƣ NGUYỄN MINH CHÍNH Trình độ ngoại ngữ: - Tiếng Anh: trình độ B1 - Tiếng Nhật: trung cấp III Q TRÌNH CƠNG TÁC CHUN MƠN KỂ TỪ KHI TỐT NGHIỆP ĐẠI HỌC: Thời gian Từ 12/2013 Nơi công tác Cơng việc đảm nhiệm Cty CỔ PHẦN TƠN ĐƠNG Á i Luan van Kỹ sƣ khí LỜI CAM ĐOAN Tơi cam đoan cơng trình nghiên cứu Các số liệu, kết nêu luận văn trung thực chƣa đƣợc công bố cơng trình khác Tp Hồ Chí Minh, ngày … tháng … năm 201… ii Luan van LỜI CẢM TẠ Sau hai năm theo học chƣơng trình đào tạo sau đại học trƣờng Đại học Sƣ Phạm Kỹ Thuật Thành phố Hồ Chí Minh, em trang bị đƣợc kiến thức bổ ích cho chun mơn Với đề tài nghiên cứu dƣới hình thức luận văn thạc sĩ, tơi vận dụng kiến thức mà đƣợc trang bị để tiến hành giải tốn đặt ra.Vì đề tài luận văn nghiên cứu giải vấn đề mẻ nên lúc đầu tiếp cận em gặp nhiều khó khăn, vƣớng mắc Nhƣng với tận tình thầy hƣớng dẫn PGS.TS Lê Chí Cƣơng, với hỗ trợ từ phía gia đình, bạn bè đồng nghiệp, luận văn em đạt đƣợc kết nhƣ mong muốn - Đầu tiên, cho phép em gửi lời tri ân sâu sắc đến Quý thầy cô trƣờng Đại học Sƣ phạm Kỹ thuật Hồ Chí Minh đặc biệt thầyLê Chí Cƣơng tận tình hƣớng dẫn em thời gian qua - Cám ơn bố mẹ anh chị gia đình ln bên cạnh, động viên em suốt trình học tập qua - Và cuối bạn bè, đồng nghiệp giúp đỡ, tạo điều kiện thuận lợi cho em hoàn thành tốt chƣơng trình học Một lần em xin chân thành cảm ơn giúp đỡ, hỗ trợ, động viên nhiệt tình tất ngƣời Xin trân trọng cảm ơn! Thành phố Hồ Chí Minh, tháng 10 năm 2014 Học viên thực luận văn iii Luan van TÓM TẮT Xác định hàm hấp thu vật liệu nhiễu xạ tia X đƣợc nghiên cứu từ lâu Trong kể tới nghiên cứu Koistinen, Cullity, Taizo,…;các sở lý thuyết tảng cho tính tốn máy nhiễu xạ đơn tinh thể Tuy nhiên, hấp thụ tia X vật liệu bị ảnh hƣởng biên dạng vật mẫu, việc áp dụng cơng thức tính tốn biên dạng sẽgây hạn chế sai số nhiễu xạ cho biên dạng khác Do đó, tác giả chọn đề tài: “XÁC ĐỊNH HÀM HẤP THU TỔNG QUÁT DÙNG NHIỄU XẠ X QUANG CHO BỀ MẶT ELLIPSOID SỬ DỤNG PHƢƠNG PHÁP ĐO ” Từ đó, ta tìm cơng thức tổng quát, biến đổi nhiễu xạ bề mặt khác Sau trình nghiên cứu, tác giả tìm đƣợc hàm hấp thu tổng quát cho bề mặt Ellipsoid phép đo ψ, cố định góc η cố định góc η0 Sau đó, sử dụng phần mềm Matlab tiến hành phân tích, kiểm nghiệm công thức mở rộng trƣờng hợp mặt trụ, mặt phẳng cụ thể iv Luan van ABSTRACT Determination of the absorption factor of the material by the X-ray diffraction has been investigated for a long time Which may mention studies of Koistinen, Cullity, Taizo,…;this theoriesare the basis for the calculation of the single-crystal diffraction machine currently.However, the absorption factor of the material is affected by specimen profiles, so the application of a formula profile will be limited and cause errors when diffraction for the otherprofiles Therefore, the writerchose topic: “DETERMINATION GENERAL ABSORPT FUNCTION USE X-RAY DIFFRACTION ON ELLIPSOID SURFACE APPLY BY Ψ MEASUREMENT METHOD” From that, I find a the general formula, which can change when diffraction on defferent surfaces After investigation process, the author found the general absorption function for surface Ellipsoid by ψ method, fixed-η and fixed-η0.Then,writer has used Matlab software to analysising, testing formula and expand in the cylinder case and the plane case v Luan van MỤC LỤC Trang tựa TRANG Quyết định giao đề tài Lý lịch khoa học i Lời cam đoan ii Cảm tạ iii Tóm tắt iv Mục lục vi Danh sách ký hiệu viii MỞ ĐẦU 1 Đặt vấn đề Tình hình nghiên cứu nƣớc 3.Mục đích đề tài 4 Ý nghĩa đề tài Đối tƣợng khách thể nghiên cứu Nhiệm vụ đề tài giới hạn đề tài Phƣơng pháp nghiên cứu Kết cấu luận văn Chƣơng 1.TỔNG QUAN 1.1 Giới thiệu tia X 1.2 Lịch sử tia X 1.3 Tạo tia X 1.4 Đặc tính đƣờng xạ 1.5 Ứng dụng tia X 1.6 Các nghiên cứu hàm hấp thu trƣớc 10 vi Luan van Chƣơng 2.CƠ SỞ LÝ THUYẾT 17 2.1 Hiện tƣợng nhiễu xạ tia X 17 2.2 Mạng tinh thể 18 2.3 Định luật Bragg 21 2.4Các yếu tố ảnh hƣởng đến cƣờng độ nhiễu xạ LPA (Lorenz, hệ số phân cực, hàm hấp thụ) 24 2.5 Các phƣơng pháp đo ứng suất dùng nhiễu xạ X quang 28 Chƣơng 3.XÂY DỰNG MÔ HÌNH BÀI TỐN 32 3.1 Xác định điều kiện ban đầu 32 3.2 Phân tố nhiễu xạ 34 3.3 Xác định hàm hấp thu 34 Chƣơng KHẢO SÁT HÀM HẤP THU TỔNG QUÁT 40 4.1 Trƣờng hợp cố định góc η 40 4.2 Trƣờng hợp cố định góc η0 42 4.3 Trƣờng hợp nhiễu xạ lên mặt trụ 46 4.4 Trƣờng hợp nhiễu xạ lên mặt phẳng 49 KẾT LUẬN VÀ KIẾN NGHỊ 54 TÀI LIỆU THAM KHẢO 55 PHỤ LỤC 57 vii Luan van Hệ số hấp thụ A Góc nhiễu xạ 2θ, độ Hình 4.11: Hệ số hấp thu bề mặt phẳng, R = cm Nhận xét: - Hệ số hấp thụ nhiễu xạ lên mặt phẳng đạt giá trị lớn, góc quét giảm so với trường hợp mặt trụ - Khi R = 20 cm, góc nhiễu xạ tăng hàm hấp thụ tăng theo đạt cực đại góc 2θ = 1200, góc nhiễu xạ tiếp tục tăng giá trị hấp thu giảm dần - Khi bán kính cong danh nghĩa giảm, tỉ số H/R tăng, giá trị hấp thu giảm theo Mẫu nhiễu xạ có xu hướng biến thành mặt cong giá trị hấp thụ giảm Trang 53 Luan van KẾT LUẬN VÀ KIẾN NGHỊ Kết luận - Dựa sở lý thuyết điều kiện thí nghiệm máy nhiễu xạ đơn tinh thể Tác giả xây dựng mơ hình tính tốn cho bề mặt Ellipsoid Từ tìm hàm hấp thu tổng qt phương pháp nhiễu xạ ψ, cố định góc η góc η0 - Thơng qua mở rộng đề tài, tác giả kiểm nghiệm cơng thức tìm với trường hợp vật mẫu nhiễu xạ mặt trụ mặt phẳng Để từ áp dụng để tính tốn xác cường độ nhiễu xạ ứng suất dư bề mặt mẫu - Hạn chế: từ kết hàm hấp thu tác giả chưa tiến hành tính tốn ứng suất cụ thể, chưa có phép so sánh với kết nghiên cứu khác Kiến nghị - Tiến hành tạo mẫu thí nghiệm kiểm nghiệm kết đo với kết tính tốn từ cơng thức hàm hấp thu vừa tìm - Mở rộng công thức hàm hấp thụ, áp dụng cho trường hợp nhiễu xạ phép đo Ω, nhiễu xạ mặt cong lõm - Nghiên cứu hấp thụ tia X vật liệu màng mỏng Trang 54 Luan van TÀI LIỆU THAM KHẢO TIẾNG VIỆT [1] Lê Công Dưỡng, Kỹ Thuật Phân Tích Cấu Trúc Bằng Tia RONTGEN , Nhà xuất Khoa Ho ̣c Kỹ Thuật Hà Nội, 1999, 304 trang [2] PGS.TS Pha ̣m Ngo ̣c Ngun , Giáo Trình Phân Tích Vật Lý , NXB Khoa Ho ̣c Kỹ Thuật Hà Nội, 2005, 317 trang [3] Nguyễn Vĩnh Phối, Khảo sát ảnh hưởng tính đẳng hướng đến hàm hấp thu tổng quát trình đo ứng suất dùng nhiễu xạ X quang, Luận văn Thạc sĩ ĐH Sư Phạm Kỹ Thuật tp.HCM, 2009,70 trang [4] Nguyễn Thị Hồng, Xác định hàm hấp thu tổng quát cho bề mặt Ellipsoid đo ứng suất dùng nhiễu xạ X quang, Luận văn Thạc sĩ ĐH Sư Phạm Kỹ Thuật tp.HCM, 2009, 69 trang [5] Lê Minh Tấn, Phân tích ảnh hưởng hình dạng bề mặt đến hàm hấp thụ tổng qt tính tốn bằng nhiễu xạ X quang, Luận văn Thạc sĩ ĐH Sư Phạm Kỹ Thuật tp.HCM, 2008, 52 trang TIẾNG NƢỚC NGOÀI [6] B.D.Cullity, Element of X – Ray Diffraction, Prentice Hall Upper Ssddle River, 664 trang [7] Viktor Hauk, Structural and Residual Stress Analysis by Nondestructive Method, Elsevier, 1997,640 trang Trang 55 Luan van [8] Le C.Cuong, Development of Automated X – Ray Stress Analyzer and Its Appications in Stress Mesurement of Textured Matarials, Doctoral Thesis, 2004, 110 trang [9] John V Gilfrich , Advances in X – Ray Analysis, Plenum Press,1997, 911 trang [10] Taizo Oguri, AnApplication of X – Ray Stress Mearsurement to Curved Surface – Residual Stress of Cylindrical Surface, Material Science Research International, 2000, trang 645-650 [11] Taizo Oguri, AnApplication of X – Ray Stress Mearsuring Technique to Curved Surface – Residual Stress on Spherical Surface, Material Science Research International, 2002, trang 74-81 [12] M.E Fitzpatrick, Determination of Residual Stresses by X-ray Diffraction – Issue 2, National Physical Laboratory,2005, 77 trang Trang 56 Luan van PHỤ LỤC Bảng 1: Hệ số hấp thụ tuyến tính Metal Fe Al Cu Ni Ti 1437.6 873.3 691.4 552.6 445.3 2490.6 288.5 693.8 421.1 333.3 255.2 202.1 130.0 13.2 2212.2 1343.9 1064.0 850.3 685.3 455.9 432.7 1997.8 1213.9 960.8 767.2 618.8 411.6 394.3 513.0 2739.3 2167.9 1731.9 1395.3 927.5 107.9 X ray Ti-Kα Cr-Kα Mn-Kα Fe-Kα Co-Kα Cu-Kα Mo-Kα Nguồn: Theo Viktor Hauk, Structural and Residual Stress Analysis by Nondestructive Method, Elsevier, 1997 Trang 57 Luan van Bảng 2: Kết Matlab vẽ đồ thị hình 4.1 Góc nhiễu xạ 2θ (độ) 80 84 88 92 96 100 104 108 112 116 120 124 128 132 136 140 144 148 152 156 160 164 168 172 176 180 Hệ số hấp thụ A Ra=4 cm, Rb=7 cm, ψ=100 Ra=4 cm, Rb=7 cm, ψ=200 0.1052 0.1174 0.1303 0.1437 0.1576 0.1720 0.1868 0.2019 0.2174 0.2332 0.2491 0.2651 0.2811 0.2971 0.3129 0.3285 0.3438 0.3586 0.3728 0.3863 0.3989 0.4105 0.4206 0.4290 0.4351 0.4378 0.1008 0.1125 0.1248 0.1377 0.1510 0.1510 0.1648 0.1790 0.1935 0.2084 0.2234 0.2387 0.2540 0.2694 0.2999 0.3149 0.3292 0.3424 0.3544 0.3652 0.3749 0.3833 0.3905 0.3905 0.4001 0.4017 Trang 58 Luan van Bảng 3: Kết Matlab vẽ đồ thị hình 4.2 Góc nhiễu xạ 2θ (độ) 80 84 88 92 96 100 104 108 112 116 120 124 128 132 136 140 144 148 152 156 160 164 168 172 176 180 Hệ số hấp thụ A Ra=4 cm, Rb=7 cm, ψ=300 Ra=6 cm, Rb=9 cm, ψ=300 0.0935 0.1044 0.1158 0.1277 0.1401 0.1528 0.1660 0.1796 0.1932 0.2072 0.2214 0.2354 0.2486 0.2616 0.2733 0.2848 0.2956 0.3058 0.3153 0.3241 0.3321 0.3391 0.3451 0.3499 0.3533 0.3548 0.1299 0.1450 0.1609 0.1774 0.1946 0.2123 0.2306 0.2495 0.2684 0.2878 0.3076 0.3269 0.3453 0.3634 0.3796 0.3955 0.4106 0.4248 0.4380 0.4501 0.4612 0.4709 0.4793 0.4860 0.4907 0.4927 Trang 59 Luan van Bảng 4: Kết Matlab vẽ đồ thị hình 4.3 Góc nhiễu xạ 2θ (độ) 80 84 88 92 96 100 104 108 112 116 120 124 128 132 136 140 144 148 152 156 160 164 168 172 176 180 Hệ số hấp thụ A Ra = cm, Rb = cm, ψ = 100 Ra = cm, Rb = cm, ψ = 200 0.1052 0.1175 0.1303 0.1437 0.1576 0.1720 0.1868 0.2019 0.2175 0.2332 0.2491 0.2651 0.2812 0.2971 0.3130 0.3286 0.3439 0.3586 0.3728 0.3863 0.3989 0.4104 0.4207 0.4280 0.4314 0.4311 0.1008 0.1125 0.1249 0.1377 0.1510 0.1648 0.1790 0.1935 0.2083 0.2234 0.2387 0.2540 0.2694 0.2847 0.2999 0.3149 0.3296 0.3437 0.3573 0.3702 0.3823 0.3933 0.4031 0.4102 0.4134 0.4131 Trang 60 Luan van Bảng 5: Kết Matlab vẽ đồ thị hình 4.4 Góc nhiễu xạ 2θ (độ) 80 84 88 92 96 100 104 108 112 116 120 124 128 132 136 140 144 148 152 156 160 164 168 172 176 180 Hệ số hấp thụ A Ra = cm, Rb = cm, ψ = 300 0.0936 0.1044 0.1158 0.1277 0.1401 0.1529 0.1661 0.1795 0.1932 0.2073 0.2214 0.0936 0.2499 0.2641 0.2782 0.2921 0.3057 0.3189 0.3315 0.3436 0.3548 0.3650 0.3742 0.3807 0.3836 0.3834 Trang 61 Luan van Ra = cm, Rb = cm, ψ = 300 0.1299 0.1450 0.1609 0.1774 0.1946 0.2123 0.2306 0.2493 0.2684 0.2879 0.3075 0.3273 0.3471 0.3668 0.3864 0.4057 0.4246 0.4428 0.4604 0.4772 0.4927 0.5070 0.5196 0.5287 0.5328 0.5325 Bảng 6: Kết Matlab vẽ đồ thị hình 4.5, 4.6 Hệ số hấp thụ A Góc nhiễu xạ 2θ (độ) Ra = cm, Rb = cm, ψ = 300 Ra = cm, Rb = cm, ψ = 300 Ra = 10 cm, Rb = cm, ψ = 300 140 142 144 146 148 150 152 154 156 158 160 162 164 166 168 170 172 174 176 178 180 0.0336 0.0343 0.0350 0.0356 0.0363 0.0369 0.0376 0.0382 0.0388 0.0394 0.0399 0.0404 0.0410 0.0414 0.0419 0.0423 0.0427 0.0430 0.0432 0.0434 0.0435 0.0588 0.0600 0.0612 0.0624 0.0635 0.0646 0.0657 0.0668 0.0679 0.0689 0.0698 0.0708 0.0717 0.0725 0.0733 0.0740 0.0747 0.0752 0.0757 0.0760 0.0761 0.0841 0.0858 0.0874 0.0891 0.0907 0.0923 0.0939 0.0954 0.0969 0.0984 0.0998 0.1011 0.1024 0.1036 0.1047 0.1057 0.1067 0.1075 0.1081 0.1086 0.1088 Trang 62 Luan van Bảng 7: Kết Matlab vẽ đồ thị hình 4.9, 4.10, 4.11 Góc nhiễu xạ 2θ (độ) 100 102 104 106 108 110 112 114 116 118 120 122 124 126 128 130 132 134 136 138 140 142 144 Hệ số hấp thụ A R = 20 cm R = 10 cm R = cm 0.0366 0.0367 0.0369 0.0371 0.0372 0.0373 0.0374 0.0375 0.0375 0.0376 0.0376 0.0376 0.0376 0.0376 0.0376 0.0375 0.0375 0.0374 0.0373 0.0372 0.0370 0.0369 0.0367 0.0336 0.0339 0.0342 0.0344 0.0346 0.0348 0.0350 0.0351 0.0353 0.0354 0.0355 0.0356 0.0356 0.0357 0.0357 0.0357 0.0357 0.0357 0.0357 0.0356 0.0356 0.0355 0.0354 0.0260 0.0271 0.0279 0.0288 0.0298 0.0307 0.0317 0.0326 0.0336 0.0346 0.0355 0.0364 0.0373 0.0381 0.0388 0.0395 0.0401 0.0407 0.0413 0.0417 0.0422 0.0426 0.0430 Trang 63 Luan van Code chƣơng trình Matlab vẽ đồ thị hàm hấp thu luận văn Khi nhiễu xạ lên bề mặt Ellipsoid, cố định góc η clc clear all r=sym('r','real'); z=sym('z','real'); omega=sym('omega','real'); muy=sym('muy','real'); Ra=4; Rb=7; muy=873.3; si=30*pi/180; wt=[]; t=0; for theta=40:2:90 t=t+1; kt=2*theta; theta=theta*pi/180; gama=theta+si; beta=theta-si; x(t)=kt; Q = triplequad(@(z,omega,r) r.*exp(-muy*(abs(sqrt((Ra*sqrt(1(z.^2/Rb))).^2-r.^2.*cos(gama+omega).^2)-r.*sin(gama+omega)) +abs(sqrt((Ra*sqrt(1-(z.^2/Rb))).^2r.^2.*cos(beta-omega).^2)-r.*sin(beta-omega)))), -Rb, Rb, -pi/2, pi/2, 0, Ra); y(t)=Q end plot(x,y) Khi nhiễu xạ lên bề mặt Ellipsoid, cố định góc η0 clc clear all r=sym('r','real'); z=sym('z','real'); omega=sym('omega','real'); Ra=4; Rb=7; muy=873.3; si=30*pi/180; wt=[]; t=0; for theta=40:2:90 t=t+1; kt=2*theta; theta=theta*pi/180; Trang 64 Luan van gama=78.2*pi/180; beta=2*theta-gama; x(t)=kt; Q = triplequad(@(z,omega,r) r.*exp(-muy*(abs(sqrt((Ra*sqrt(1(z.^2/Rb))).^2-r.^2.*cos(gama+omega).^2)-r.*sin(gama+omega)) +abs(sqrt((Ra*sqrt(1-(z.^2/Rb))).^2r.^2.*cos(beta-omega).^2)-r.*sin(beta-omega)))), -Rb, Rb, -pi/2, pi/2, 0, Ra); y(t)=Q end plot(x,y) Khi nhiễu xạ lên bề mặt trụ, cố định góc η0 clc clear all r=sym('r','real'); z=sym('z','real'); omega=sym('omega','real'); Ra=4; Rb=7; muy=873.3; si=30*pi/180; wt=[]; t=0; for theta=70:1:90 t=t+1; kt=2*theta; theta=theta*pi/180; gama=78.2*pi/180; beta=2*theta-gama; x(t)=kt; Q = triplequad(@(omega,r,z) r.*exp(-muy*(abs(sqrt(Ra.^2r.^2.*cos(gama+omega).^2)-r.*sin(gama+omega)) +abs(sqrt(Ra.^2-r.^2.*cos(beta-omega).^2)r.*sin(beta-omega)))), -(pi/2), (pi/2), 0, Ra, -Rb, Rb); y(t)=Q end plot(x,y) Nhiễu xạ mặt phẳng clc clear all r=sym('r','real'); z=sym('z','real'); omega=sym('omega','real'); Ra=20; Rb=10; th=1; Trang 65 Luan van nuy=873.3; t=0; for theta=50:1:72 t=t+1; kt=2*theta; theta=theta*pi/180; gama=30*pi/180; beta=2*theta-gama; si=gama-theta; x(t)=kt; Q = triplequad(@(r,omega,z) r.*exp(-nuy*(abs(sqrt(Ra.^2r.^2.*cos(gama+omega).^2)-r.*sin(gama+omega)) +abs(sqrt(Ra.^2-r.^2.*cos(beta-omega).^2)r.*sin(beta-omega)))), Ra-th, Ra,-asin(0.25),asin(0.25),-Rb/2, Rb/2); y(t)=Q end plot(x,y) Trang 66 Luan van S K L 0 Luan van ... giả chọn đề tài: ? ?X? ?C ĐỊNH HÀM HẤP THU TỔNG QUÁT DÙNG NHIỄU X? ?? X QUANG CHO BỀ MẶT ELLIPSOID SỬ DỤNG PHƢƠNG PHÁP ĐO ” Từ đó, ta tìm cơng thức tổng quát, biến đổi nhiễu x? ?? bề mặt khác Sau trình... PHẠM KỸ THU? ??T THÀNH PHỐ HỒ CHÍ MINH - - LUẬN VĂN THẠC SĨ NGUYỄN HỒNG THƠNG X? ?C ĐỊNH HÀM HẤP THU TỔNG QUÁT DÙNG NHIỄU X? ?? X QUANG CHO BỀ MẶT ELLIPSOID SỬ DỤNG PHƯƠNG PHÁP ĐO? ?? NGÀNH: KỸ THU? ??T... PHẠM KỸ THU? ??T THÀNH PHỐ HỒ CHÍ MINH - - LUẬN VĂN THẠC SĨ NGUYỄN HỒNG THƠNG X? ?C ĐỊNH HÀM HẤP THU TỔNG QUÁT DÙNG NHIỄU X? ?? X QUANG CHO BỀ MẶT ELLIPSOID SỬ DỤNG PHƯƠNG PHÁP ĐO? ?? NGÀNH: KỸ THU? ??T
Ngày đăng: 02/02/2023, 10:05
Xem thêm:
