(Luận văn thạc sĩ) xác định hàm hấp thu tổng quát dùng nhiễu xạ x quang cho bề mặt ELLIPSOID sử dụng phương pháp đo

BỘ GIÁO DỤC VÀ ĐÀO TẠO TRƯỜNG ĐẠI HỌC SƯ PHẠM KỸ THUẬT THÀNH PHỐ HỒ CHÍ MINH LUẬN VĂN THẠC SĨ NGUYỄN HỒNG THƠNG XÁC ĐỊNH HÀM HẤP THU TỔNG QUÁT DÙNG NHIỄU XẠ X QUANG CHO BỀ MẶT ELLIPSOID SỬ DỤNG PHƯƠNG PHÁP ĐO Ψ NGÀNH: KỸ THUẬT CƠ KHÍ - 60520103 S K C0 4 Tp Hồ Chí Minh, tháng 10/2014 BỘ GIÁO DỤC VÀ ĐÀO TẠO TRƯỜNG ĐẠI HỌC SƯ PHẠM KỸ THUẬT THÀNH PHỐ HỒ CHÍ MINH - - LUẬN VĂN THẠC SĨ NGUYỄN HỒNG THƠNG XÁC ĐỊNH HÀM HẤP THU TỔNG QUÁT DÙNG NHIỄU XẠ X QUANG CHO BỀ MẶT ELLIPSOID SỬ DỤNG PHƯƠNG PHÁP ĐO NGÀNH: KỸ THUẬT CƠ KHÍ - 60520103 Tp.Hồ Chí Minh, tháng 10/2014 BỘ GIÁO DỤC VÀ ĐÀO TẠO TRƯỜNG ĐẠI HỌC SƯ PHẠM KỸ THUẬT THÀNH PHỐ HỒ CHÍ MINH - - LUẬN VĂN THẠC SĨ NGUYỄN HOÀNG THÔNG XÁC ĐỊNH HÀM HẤP THU TỔNG QUÁT DÙNG NHIỄU XẠ X QUANG CHO BỀ MẶT ELLIPSOID SỬ DỤNG PHƯƠNG PHÁP ĐO NGÀNH: KỸ THUẬT CƠ KHÍ – 60520103 Hướng dẫn khoa học: PGS.TS LÊ CHÍ CƯƠNG Tp.Hồ Chí Minh, tháng 10/2014 LÝ LỊCH KHOA HỌC I LÝ LỊCH SƠ LƢỢC: Họ & tên: NGUYỄN HỒNG THƠNG Giới tính: Nam Ngày, tháng, năm sinh: 21/10/1989 Nơi sinh: Bình Dƣơng Quê quán: Bình Dƣơng Dân tộc: Kinh Chỗ riêng địa liên lạc: 85/12/4, P.Phú Lợi, tp.TDM, Bình Dƣơng Điện thoại: 0974.453 626 Điện thoại nhà riêng:0650.3833799 E-mail: hoangthongkcn@gmail.com II QUÁ TRÌNH ĐÀO TẠO: Trung học chuyên nghiệp: Hệ đào tạo: Nơi học (trƣờng, thành phố): Ngành học: Thời gian đào tạo từ…/ … đến …/ …… Đại học: Hệ đào tạo: Chính qui Thời gian đào tạo từ 09/2007 đến 06/2012 Nơi học (trƣờng, thành phố): ĐH Sƣ Phạm Kỹ Thuật tp.Hồ Chí Minh Ngành học: Kỹ Thuật Công Nghiệp Tên đồ án, luận án môn thi tốt nghiệp:NGHIÊN CỨU, THIẾT KẾ, CHẾ TẠO ĐỒ GÁ THỰC TẬP HÀN Ngày & nơi bảo vệ đồ án, luận án thi tốt nghiệp: 12/2011 ĐH.SPKT tp.HCM Ngƣời hƣớng dẫn:Kỹ sƣ NGUYỄN MINH CHÍNH Trình độ ngoại ngữ: - Tiếng Anh: trình độ B1 - Tiếng Nhật: trung cấp III Q TRÌNH CƠNG TÁC CHUN MÔN KỂ TỪ KHI TỐT NGHIỆP ĐẠI HỌC: Thời gian Từ 12/2013 Nơi công tác Công việc đảm nhiệm Cty CỔ PHẦN TƠN ĐƠNG Á i Kỹ sƣ khí LỜI CAM ĐOAN Tơi cam đoan cơng trình nghiên cứu Các số liệu, kết nêu luận văn trung thực chƣa đƣợc cơng bố cơng trình khác Tp Hồ Chí Minh, ngày … tháng … năm 201… ii MỤC LỤC Trang tựa TRANG Quyết định giao đề tài Lý lịch khoa học i Lời cam đoan ii Cảm tạ iii Tóm tắt iv Mục lục vi Danh sách ký hiệu viii MỞ ĐẦU 1 Đặt vấn đề Tình hình nghiên cứu ngồi nƣớc 3.Mục đích đề tài 4 Ý nghĩa đề tài Đối tƣợng khách thể nghiên cứu Nhiệm vụ đề tài giới hạn đề tài Phƣơng pháp nghiên cứu Kết cấu luận văn Chƣơng 1.TỔNG QUAN 1.1 Giới thiệu tia X 1.2 Lịch sử tia X 1.3 Tạo tia X 1.4 Đặc tính đƣờng xạ 1.5 Ứng dụng tia X 1.6 Các nghiên cứu hàm hấp thu trƣớc 10 vi Chƣơng 2.CƠ SỞ LÝ THUYẾT 17 2.1 Hiện tƣợng nhiễu xạ tia X 17 2.2 Mạng tinh thể 18 2.3 Định luật Bragg 21 2.4Các yếu tố ảnh hƣởng đến cƣờng độ nhiễu xạ LPA (Lorenz, hệ số phân cực, hàm hấp thụ) 24 2.5 Các phƣơng pháp đo ứng suất dùng nhiễu xạ X quang 28 Chƣơng 3.XÂY DỰNG MƠ HÌNH BÀI TỐN 32 3.1 Xác định điều kiện ban đầu 32 3.2 Phân tố nhiễu xạ 34 3.3 Xác định hàm hấp thu 34 Chƣơng KHẢO SÁT HÀM HẤP THU TỔNG QUÁT 40 4.1 Trƣờng hợp cố định góc η 40 4.2 Trƣờng hợp cố định góc η0 42 4.3 Trƣờng hợp nhiễu xạ lên mặt trụ 46 4.4 Trƣờng hợp nhiễu xạ lên mặt phẳng 49 KẾT LUẬN VÀ KIẾN NGHỊ 54 TÀI LIỆU THAM KHẢO 55 PHỤ LỤC 57 vii MỞ ĐẦU Đặt vấn đề Ứng suất dư tồn chi tiết, phát sinh q trình gia cơng nhiệt, gia cơng q trình luyện thép, ngun nhân gây biến dạng phá hủy chi tiết Do đó, xác định ứng suất dư đóng vai trị quan trọng trình xử lý cải thiện điều kiện làm việc chi tiết Ngày nay, phương pháp đo lường ứng suất không phá hủy nghiên cứu ứng dụng ngày nhiều Trong đó, phương pháp nhiễu xạ X quang sử dụng phổ biến với ưu điểm rõ rệt: xác định xác ứng suất dư dễ dàng tự động hóa Trong phương pháp nhiễu xạ X quang, ứng suất dư xác định từ vị trí đỉnh đường nhiễu xạ Để xác định vị trí đỉnh đường nhiễu xạ việc tính tốn ảnh hưởng hệ số LPA (yếu tố Lotentz, yếu tố phân cực yếu tố hấp thụ) chi tiết phải xác Yếu tố Lorenzt yếu tố phân cực, có nhiều phép đo phổ biến,ít tác động đến vị trí đỉnh so với yếu tố hấp thụ Vì việc nghiên cứu yếu tố hấp thụ có vai trị quan trọng phương pháp đo ứng suất dùng nhiễu xạ X quang.Koistinen lần đầu tìm cơng thức tính hệ số hấp thụ phương pháp đo Ω (iso-inclination) cố định góc ψ Tuy nhiên, đo lường ứng suất nhiễu xạ sử dụng phương pháp đo khác phép đo Ω cố định góc ψ0 phép đo ψ (side-inclination) cố định góc η η0 Hơn nữa, việc xác định ứng suất diện tích bề mặt mẫu giới hạn diện tích chiếu xạ tia X Điều làm cho cường độ nhiễu xạ giảm, chiếu xạ diện tích giới hạn với góc ψ tăng Do đó, diện tích chiếu xạ phải tính đến Từ phương pháp nhiễu xạ Ω (iso-inclination) ψ (side-inclination) dẫn đến hai trường hợp tính tốn giới hạn khơng giới hạn diện tích chiếu xạ Vì tác Trang động hệ số LPA đến giá trị ứng suất phụ thuộc vào bề rộng đường nhiễu xạ, nên ảnh hưởng hệ số LPA cần kiểm tra vật mẫu có bề rộng đường nhiễu xạ khác Chiều sâu nhiễu xạ cần kiểm tra so sánh với nhiều phương pháp đo Diện tích chiếu xạ tia X tương đối nhỏ (1mm2 100mm2) nên nhiễu xạ lên mẫu phẳng mẫu có bán kính cong lớn xem phần tiếp xúc tia X mẫu đo mặt phẳng Nhưng bán kính cong mẫu giảm tiếp xúc tia X mẫu đo mặt cong, độ cong mẫu ảnh hưởng trực tiếp tới giá trị hấp thu tia X mẫu Tuy nhiên, máy nhiễu xạ đơn tinh thể áp dụng công thức hấp thu bề mặt phẳng để tính tốn cho nhiều trường hợp khác Điều dẫn tới kết đo có sai số nhiễu xạ lên mặt cong Do đó, việc xác định hàm hấp thu tổng quát áp dụng cho mặt phẳng mặt cong vấn đề cấp thiết Tình hình nghiên cứu nƣớc 2.1 Nghiên cứu nước - Cullity chứng minh cường độ nhiễu xạ bị hấp thụ bề mặt phẳng Từ công thức Cullity, Koistinen tìm cơng thức hàm hấp thụ tia X mặt phẳng với phương pháp đo kiểu  Các nghiên cứu mở hướng góp phần xác định xác yếu tố ảnh hưởng đến cường độ nhiễu xạ tia X - Taizo Oguri tìm hàm hấp thu bề mặt trụ bề mặt cầu với diện tích chiếu xạ bị giới hạn Trong nghiên cứu này, Taizo xét phân tố nhiễu xạ từ bề mặt vật mẫu tới lớp vật liệu có chiều sâu thấm τ0 (khi góc ω = ψ = 00) Tuy nhiên, tia X dừng lại chiều sâu thấm τ0 (chiếm 96% lượng tia X) mà cịn tiếp tục xun qua.Vì dừng lại chiều sâu thấm τ0khi nghiên cứu nhiễu xạ dẫn tới sai sót giá trị cường độ tổng Trang - Thầy Lê Chí Cương nghiên cứu hàm hấp thu bề mặt phẳng cho phương pháp đo   giới hạn không giới hạn diện tích nhiễu xạ Đây nghiên cứu hoàn thiện, làm sở cho nghiên cứu, tính tốn sau 2.2 Nghiên cứu nước - Lê Minh Tấn xác định hàm hấp thụ bề mặt hình trụ phương pháp đo kiểu cố định góc tới  o mà khơng khống chế tiết diện tia X Trong nghiên cứu này, tác giả không đề cập tới chiều dài trụ giá trị chiều dài xuyên thấu  cụ thể - Nguyễn Thị Hồng nghiên cứu hàm hấp thu phương pháp đo kiểu  không giới hạn diện tích tia X bề mặt Ellipsoid.Nghiên cứu đưa hàm hấp thu bề mặt tổng quát, áp dụng bề mặt khác phương pháp đo  Tuy nhiên, chị Hồng chưa đưa áp dụng cụ thể - Nguyễn Vĩnh Phối nghiên cứu hàm hấp thu vật liệu phi đẳng hướng, dạng mặt phẳng, phương pháp đo ψ, Ω.Tác giả vận dụng nhiều giả thuyết đàn hồi tia X áp dụng cho vật liệu Texture tiến hành mô cho trường hợp khác Nghiên cứu mở hướng mới, áp dụng phương pháp nhiễu xạ X quang cho vật liệu phi đẳng hướng để xác định ứng suất dư Ở Việt Nam, nhu cầu tính tốn ứng suất dư chi tiết máy ngày tăng, nghiên cứu tính ứng suất dùng nhiễu xạ X quang cịn nhiều thiếu sót chưa hồn chỉnh Xuất phát từ lý đó, tác giả chọn đề tài: “Xác định hàm hấp thu tổng quát dùng nhiễu xạ X quang cho bề mặt Ellipsoid sử dụng phƣơng pháp đo ”, với mong muốn góp phần xây dựng phát triển lĩnh vực nghiên cứu ứng suất dư dùng nhiễu xạ X quang Trang Hệ số hấp thụ A Góc nhiễu xạ 2θ, độ Hình 4.11: Hệ số hấp thu bề mặt phẳng, R = cm Nhận xét: - Hệ số hấp thụ nhiễu xạ lên mặt phẳng đạt giá trị lớn, góc quét giảm so với trường hợp mặt trụ - Khi R = 20 cm, góc nhiễu xạ tăng hàm hấp thụ tăng theo đạt cực đại góc 2θ = 1200, góc nhiễu xạ tiếp tục tăng giá trị hấp thu giảm dần - Khi bán kính cong danh nghĩa giảm, tỉ số H/R tăng, giá trị hấp thu giảm theo Mẫu nhiễu xạ có xu hướng biến thành mặt cong giá trị hấp thụ giảm Trang 53 KẾT LUẬN VÀ KIẾN NGHỊ Kết luận - Dựa sở lý thuyết điều kiện thí nghiệm máy nhiễu xạ đơn tinh thể Tác giả xây dựng mơ hình tính tốn cho bề mặt Ellipsoid Từ tìm hàm hấp thu tổng quát phương pháp nhiễu xạ ψ, cố định góc η góc η0 - Thơng qua mở rộng đề tài, tác giả kiểm nghiệm công thức tìm với trường hợp vật mẫu nhiễu xạ mặt trụ mặt phẳng Để từ áp dụng để tính tốn xác cường độ nhiễu xạ ứng suất dư bề mặt mẫu - Hạn chế: từ kết hàm hấp thu tác giả chưa tiến hành tính tốn ứng suất cụ thể, chưa có phép so sánh với kết nghiên cứu khác Kiến nghị - Tiến hành tạo mẫu thí nghiệm kiểm nghiệm kết đo với kết tính tốn từ cơng thức hàm hấp thu vừa tìm - Mở rộng cơng thức hàm hấp thụ, áp dụng cho trường hợp nhiễu xạ phép đo Ω, nhiễu xạ mặt cong lõm - Nghiên cứu hấp thụ tia X vật liệu màng mỏng Trang 54 TÀI LIỆU THAM KHẢO TIẾNG VIỆT [1] Lê Công Dưỡng, Kỹ Thuật Phân Tích Cấu Trúc Bằng Tia RONTGEN , Nhà xuất Khoa Ho ̣c  Kỹ Thuật Hà Nội, 1999, 304 trang [2] PGS.TS Pha ̣m Ngo ̣c Nguyên , Giáo Trình Phân Tích Vật Lý , NXB Khoa Ho ̣c  Kỹ Thuật Hà Nội, 2005, 317 trang [3] Nguyễn Vĩnh Phối, Khảo sát ảnh hưởng tính đẳng hướng đến hàm hấp thu tổng quát trình đo ứng suất dùng nhiễu xạ X quang, Luận văn Thạc sĩ ĐH Sư Phạm Kỹ Thuật tp.HCM, 2009,70 trang [4] Nguyễn Thị Hồng, Xác định hàm hấp thu tổng quát cho bề mặt Ellipsoid đo ứng suất dùng nhiễu xạ X quang, Luận văn Thạc sĩ ĐH Sư Phạm Kỹ Thuật tp.HCM, 2009, 69 trang [5] Lê Minh Tấn, Phân tích ảnh hưởng hình dạng bề mặt đến hàm hấp thụ tổng qt tính tốn bằng nhiễu xạ X quang, Luận văn Thạc sĩ ĐH Sư Phạm Kỹ Thuật tp.HCM, 2008, 52 trang TIẾNG NƢỚC NGOÀI [6] B.D.Cullity, Element of X – Ray Diffraction, Prentice Hall Upper Ssddle River, 664 trang [7] Viktor Hauk, Structural and Residual Stress Analysis by Nondestructive Method, Elsevier, 1997,640 trang Trang 55 [8] Le C.Cuong, Development of Automated X – Ray Stress Analyzer and Its Appications in Stress Mesurement of Textured Matarials, Doctoral Thesis, 2004, 110 trang [9] John V Gilfrich , Advances in X – Ray Analysis, Plenum Press,1997, 911 trang [10] Taizo Oguri, AnApplication of X – Ray Stress Mearsurement to Curved Surface – Residual Stress of Cylindrical Surface, Material Science Research International, 2000, trang 645-650 [11] Taizo Oguri, AnApplication of X – Ray Stress Mearsuring Technique to Curved Surface – Residual Stress on Spherical Surface, Material Science Research International, 2002, trang 74-81 [12] M.E Fitzpatrick, Determination of Residual Stresses by X-ray Diffraction – Issue 2, National Physical Laboratory,2005, 77 trang Trang 56 PHỤ LỤC Bảng 1: Hệ số hấp thụ tuyến tính Metal Fe Al Cu Ni Ti 1437.6 873.3 691.4 552.6 445.3 2490.6 288.5 693.8 421.1 333.3 255.2 202.1 130.0 13.2 2212.2 1343.9 1064.0 850.3 685.3 455.9 432.7 1997.8 1213.9 960.8 767.2 618.8 411.6 394.3 513.0 2739.3 2167.9 1731.9 1395.3 927.5 107.9 X ray Ti-Kα Cr-Kα Mn-Kα Fe-Kα Co-Kα Cu-Kα Mo-Kα Nguồn: Theo Viktor Hauk, Structural and Residual Stress Analysis by Nondestructive Method, Elsevier, 1997 Trang 57 Bảng 2: Kết Matlab vẽ đồ thị hình 4.1 Góc nhiễu xạ 2θ (độ) 80 84 88 92 96 100 104 108 112 116 120 124 128 132 136 140 144 148 152 156 160 164 168 172 176 180 Hệ số hấp thụ A Ra=4 cm, Rb=7 cm, ψ=100 Ra=4 cm, Rb=7 cm, ψ=200 0.1052 0.1174 0.1303 0.1437 0.1576 0.1720 0.1868 0.2019 0.2174 0.2332 0.2491 0.2651 0.2811 0.2971 0.3129 0.3285 0.3438 0.3586 0.3728 0.3863 0.3989 0.4105 0.4206 0.4290 0.4351 0.4378 0.1008 0.1125 0.1248 0.1377 0.1510 0.1510 0.1648 0.1790 0.1935 0.2084 0.2234 0.2387 0.2540 0.2694 0.2999 0.3149 0.3292 0.3424 0.3544 0.3652 0.3749 0.3833 0.3905 0.3905 0.4001 0.4017 Trang 58 Bảng 3: Kết Matlab vẽ đồ thị hình 4.2 Góc nhiễu xạ 2θ (độ) 80 84 88 92 96 100 104 108 112 116 120 124 128 132 136 140 144 148 152 156 160 164 168 172 176 180 Hệ số hấp thụ A Ra=4 cm, Rb=7 cm, ψ=300 Ra=6 cm, Rb=9 cm, ψ=300 0.0935 0.1044 0.1158 0.1277 0.1401 0.1528 0.1660 0.1796 0.1932 0.2072 0.2214 0.2354 0.2486 0.2616 0.2733 0.2848 0.2956 0.3058 0.3153 0.3241 0.3321 0.3391 0.3451 0.3499 0.3533 0.3548 0.1299 0.1450 0.1609 0.1774 0.1946 0.2123 0.2306 0.2495 0.2684 0.2878 0.3076 0.3269 0.3453 0.3634 0.3796 0.3955 0.4106 0.4248 0.4380 0.4501 0.4612 0.4709 0.4793 0.4860 0.4907 0.4927 Trang 59 Bảng 4: Kết Matlab vẽ đồ thị hình 4.3 Góc nhiễu xạ 2θ (độ) 80 84 88 92 96 100 104 108 112 116 120 124 128 132 136 140 144 148 152 156 160 164 168 172 176 180 Hệ số hấp thụ A Ra = cm, Rb = cm, ψ = 100 Ra = cm, Rb = cm, ψ = 200 0.1052 0.1175 0.1303 0.1437 0.1576 0.1720 0.1868 0.2019 0.2175 0.2332 0.2491 0.2651 0.2812 0.2971 0.3130 0.3286 0.3439 0.3586 0.3728 0.3863 0.3989 0.4104 0.4207 0.4280 0.4314 0.4311 0.1008 0.1125 0.1249 0.1377 0.1510 0.1648 0.1790 0.1935 0.2083 0.2234 0.2387 0.2540 0.2694 0.2847 0.2999 0.3149 0.3296 0.3437 0.3573 0.3702 0.3823 0.3933 0.4031 0.4102 0.4134 0.4131 Trang 60 Bảng 5: Kết Matlab vẽ đồ thị hình 4.4 Góc nhiễu xạ 2θ (độ) 80 84 88 92 96 100 104 108 112 116 120 124 128 132 136 140 144 148 152 156 160 164 168 172 176 180 Hệ số hấp thụ A Ra = cm, Rb = cm, ψ = 300 0.0936 0.1044 0.1158 0.1277 0.1401 0.1529 0.1661 0.1795 0.1932 0.2073 0.2214 0.0936 0.2499 0.2641 0.2782 0.2921 0.3057 0.3189 0.3315 0.3436 0.3548 0.3650 0.3742 0.3807 0.3836 0.3834 Trang 61 Ra = cm, Rb = cm, ψ = 300 0.1299 0.1450 0.1609 0.1774 0.1946 0.2123 0.2306 0.2493 0.2684 0.2879 0.3075 0.3273 0.3471 0.3668 0.3864 0.4057 0.4246 0.4428 0.4604 0.4772 0.4927 0.5070 0.5196 0.5287 0.5328 0.5325 Bảng 6: Kết Matlab vẽ đồ thị hình 4.5, 4.6 Hệ số hấp thụ A Góc nhiễu xạ 2θ (độ) Ra = cm, Rb = cm, ψ = 300 Ra = cm, Rb = cm, ψ = 300 Ra = 10 cm, Rb = cm, ψ = 300 140 142 144 146 148 150 152 154 156 158 160 162 164 166 168 170 172 174 176 178 180 0.0336 0.0343 0.0350 0.0356 0.0363 0.0369 0.0376 0.0382 0.0388 0.0394 0.0399 0.0404 0.0410 0.0414 0.0419 0.0423 0.0427 0.0430 0.0432 0.0434 0.0435 0.0588 0.0600 0.0612 0.0624 0.0635 0.0646 0.0657 0.0668 0.0679 0.0689 0.0698 0.0708 0.0717 0.0725 0.0733 0.0740 0.0747 0.0752 0.0757 0.0760 0.0761 0.0841 0.0858 0.0874 0.0891 0.0907 0.0923 0.0939 0.0954 0.0969 0.0984 0.0998 0.1011 0.1024 0.1036 0.1047 0.1057 0.1067 0.1075 0.1081 0.1086 0.1088 Trang 62 Bảng 7: Kết Matlab vẽ đồ thị hình 4.9, 4.10, 4.11 Góc nhiễu xạ 2θ (độ) 100 102 104 106 108 110 112 114 116 118 120 122 124 126 128 130 132 134 136 138 140 142 144 Hệ số hấp thụ A R = 20 cm R = 10 cm R = cm 0.0366 0.0367 0.0369 0.0371 0.0372 0.0373 0.0374 0.0375 0.0375 0.0376 0.0376 0.0376 0.0376 0.0376 0.0376 0.0375 0.0375 0.0374 0.0373 0.0372 0.0370 0.0369 0.0367 0.0336 0.0339 0.0342 0.0344 0.0346 0.0348 0.0350 0.0351 0.0353 0.0354 0.0355 0.0356 0.0356 0.0357 0.0357 0.0357 0.0357 0.0357 0.0357 0.0356 0.0356 0.0355 0.0354 0.0260 0.0271 0.0279 0.0288 0.0298 0.0307 0.0317 0.0326 0.0336 0.0346 0.0355 0.0364 0.0373 0.0381 0.0388 0.0395 0.0401 0.0407 0.0413 0.0417 0.0422 0.0426 0.0430 Trang 63  Code chƣơng trình Matlab vẽ đồ thị hàm hấp thu luận văn Khi nhiễu xạ lên bề mặt Ellipsoid, cố định góc η clc clear all r=sym('r','real'); z=sym('z','real'); omega=sym('omega','real'); muy=sym('muy','real'); Ra=4; Rb=7; muy=873.3; si=30*pi/180; wt=[]; t=0; for theta=40:2:90 t=t+1; kt=2*theta; theta=theta*pi/180; gama=theta+si; beta=theta-si; x(t)=kt; Q = triplequad(@(z,omega,r) r.*exp(-muy*(abs(sqrt((Ra*sqrt(1(z.^2/Rb))).^2-r.^2.*cos(gama+omega).^2)-r.*sin(gama+omega)) +abs(sqrt((Ra*sqrt(1-(z.^2/Rb))).^2r.^2.*cos(beta-omega).^2)-r.*sin(beta-omega)))), -Rb, Rb, -pi/2, pi/2, 0, Ra); y(t)=Q end plot(x,y) Khi nhiễu xạ lên bề mặt Ellipsoid, cố định góc η0 clc clear all r=sym('r','real'); z=sym('z','real'); omega=sym('omega','real'); Ra=4; Rb=7; muy=873.3; si=30*pi/180; wt=[]; t=0; for theta=40:2:90 t=t+1; kt=2*theta; theta=theta*pi/180; Trang 64 gama=78.2*pi/180; beta=2*theta-gama; x(t)=kt; Q = triplequad(@(z,omega,r) r.*exp(-muy*(abs(sqrt((Ra*sqrt(1(z.^2/Rb))).^2-r.^2.*cos(gama+omega).^2)-r.*sin(gama+omega)) +abs(sqrt((Ra*sqrt(1-(z.^2/Rb))).^2r.^2.*cos(beta-omega).^2)-r.*sin(beta-omega)))), -Rb, Rb, -pi/2, pi/2, 0, Ra); y(t)=Q end plot(x,y) Khi nhiễu xạ lên bề mặt trụ, cố định góc η0 clc clear all r=sym('r','real'); z=sym('z','real'); omega=sym('omega','real'); Ra=4; Rb=7; muy=873.3; si=30*pi/180; wt=[]; t=0; for theta=70:1:90 t=t+1; kt=2*theta; theta=theta*pi/180; gama=78.2*pi/180; beta=2*theta-gama; x(t)=kt; Q = triplequad(@(omega,r,z) r.*exp(-muy*(abs(sqrt(Ra.^2r.^2.*cos(gama+omega).^2)-r.*sin(gama+omega)) +abs(sqrt(Ra.^2-r.^2.*cos(beta-omega).^2)r.*sin(beta-omega)))), -(pi/2), (pi/2), 0, Ra, -Rb, Rb); y(t)=Q end plot(x,y) Nhiễu xạ mặt phẳng clc clear all r=sym('r','real'); z=sym('z','real'); omega=sym('omega','real'); Ra=20; Rb=10; th=1; Trang 65 nuy=873.3; t=0; for theta=50:1:72 t=t+1; kt=2*theta; theta=theta*pi/180; gama=30*pi/180; beta=2*theta-gama; si=gama-theta; x(t)=kt; Q = triplequad(@(r,omega,z) r.*exp(-nuy*(abs(sqrt(Ra.^2r.^2.*cos(gama+omega).^2)-r.*sin(gama+omega)) +abs(sqrt(Ra.^2-r.^2.*cos(beta-omega).^2)r.*sin(beta-omega)))), Ra-th, Ra,-asin(0.25),asin(0.25),-Rb/2, Rb/2); y(t)=Q end plot(x,y) Trang 66 S K L 0 ... đến hấp thụ tia X Thơng qua tác giả x? ?c định hàm hấp thu bề mặt Ellipsoid nhiễu x? ?? X quang, sử dụng phương pháp đo  Biến đổi công thức tìm để áp dụng cho bề mặt phẳng bề mặt cong Bề mặt Ellipsoid. .. suất dùng nhiễu x? ?? X quang nhiều thiếu sót chưa hồn chỉnh Xuất phát từ lý đó, tác giả chọn đề tài: ? ?X? ?c định hàm hấp thu tổng quát dùng nhiễu x? ?? X quang cho bề mặt Ellipsoid sử dụng phƣơng pháp đo. .. hàm hấp thụ) Việc x? ?c định x? ?c vị trí đỉnh nhiễu x? ?? điều kiện tiên để x? ?c định ứng suất dư, thực nhiễu x? ?? ứng với mặt phẳng nguyên tử hkl (mặt phản x? ??) góc nhiễu x? ?? 2θ sẻ cho đường nhiễu x? ?? định