(Đồ án hcmute) nghiên cứu và chế tạo màng dẫn điện loại p sno2 đồng pha tạp sb và n từ bia sno2 pha tạp sb2o3 trong hỗn hợp khí ( ar +x% n2 )

BỘ GIÁO DỤC VÀ ĐÀO TẠO TRƯỜNG ĐẠI HỌC SƯ PHẠM KỸ THUẬT THÀNH PHỐ HỒ CHÍ MINH ĐỒ ÁN TỐT NGHIỆP NGÀNH CÔNG NGHỆ VẬT LIỆU NGHIÊN CỨU VÀ CHẾ TẠO MÀNG DẪN ĐIỆN LOẠI P SnO2 ĐỒNG PHA TẠP Sb VÀ N TỪ BIA SnO2 PHA TẠP Sb2O3 TRONG HỖN HỢP KHÍ ( Ar +X% N2 ) GVHD: LÊ TRẤN GVHD: ĐẶNG HỮU PHÚC SVTH: NGUYỄN TRẦN NGHĨA MSSV: 16130044 SKL 0 5 Tp Hồ Chí Minh, tháng 08/2020 an TRƯỜNG ĐẠI HỌC SƯ PHẠM KỸ THUẬT THÀNH PHỐ HỒ CHÍ MINH KHOA KHOA HỌC ỨNG DỤNG BỘ MÔN CÔNG NGHỆ VẬT LIỆU KHÓA LUẬN TỐT NGHIỆP NGHIÊN CỨU VÀ CHẾ TẠO MÀNG DẪN ĐIỆN LOẠI P SnO2 ĐỒNG PHA TẠP Sb VÀ N TỪ BIA SnO2 PHA TẠP Sb2O3 TRONG HỖN HỢP KHÍ ( Ar +X% N2 ) GVHD: SVTH: MSSV: KHĨA: TS LÊ TRẤN TS ĐẶNG HỮU PHÚC NGUYỄN TRẦN NGHĨA 16130044 2016 Tp Hồ Chí Minh, tháng năm 2020 an TRƯỜNG ĐẠI HỌC SƯ PHẠM KỸ THUẬT THÀNH PHỐ HỒ CHÍ MINH KHOA KHOA HỌC ỨNG DỤNG BỘ MƠN CƠNG NGHỆ VẬT LIỆU KHĨA LUẬN TỐT NGHIỆP NGHIÊN CỨU VÀ CHẾ TẠO MÀNG DẪN ĐIỆN LOẠI P SnO2 ĐỒNG PHA TẠP Sb VÀ N TỪ BIA SnO2 PHA TẠP Sb2O3 TRONG HỖN HỢP KHÍ ( Ar +X% N2 ) GVHD: SVTH: MSSV: KHÓA: TS LÊ TRẤN TS ĐẶNG HỮU PHÚC NGUYỄN TRẦN NGHĨA 16130044 2016 Tp Hồ Chí Minh, tháng năm 2020 an TRƯỜNG ĐẠI HỌC SƯ PHẠM KỸ THUẬT TP.HCM CỘNG HÒA XÃ HỘI CHỦ NGHĨA VIỆT NAM KHOA KHOA HỌC ỨNG DỤNG BỘ MÔN CÔNG NGHỆ VẬT LIỆU Độc lập – Tự – Hạnh phúc TP Hồ Chí Minh, ngày 15 tháng 01 năm 2020 NHIỆM VỤ KHÓA LUẬN TỐT NGHIỆP Giáo viên hướng dẫn: TS Lê Trấn TS Đặng Hữu Phúc Cơ quan công tác GV hướng dẫn: Trường Đại học Khoa học Tự nhiên – Đại học Quốc Gia TP.HCM Sinh viên thực hiện: Nguyễn Trần Nghĩa MSSV: 16130044 Tên đề tài: Nghiên cứu chế tạo màng dẫn điện loại p sno2 đồng pha tạp Sb N từ bia SnO2 pha tạp Sb2O3 hỗn hợp khí ( Ar + x% N2 ) Nội dung khóa luận Chương 1: Tổng quan vật liệu SnO2 Tình hình nghiên cứu ngồi nước, cấu trúc tinh thể ứng dụng SnO2 Chương 2: Quy trình thực nghiệm Phương pháp tạo màng, hệ đo đặc trưng tính chất vật liệu Chương 3: Kết bàn luận Nhận xét hình thái bề mặt, tính chất quang điện màng SNTO-6-x ( với x = 0, 15, 30, 45, 60, 75, 90) thơng qua kết đo tính chất đặc trưng Các sản phẩm dự kiến: Bài báo cáo Bảng số liệu Ngày giao đồ án: 15 – 01 – 2020 Ngày nộp đồ án: 19 – 08 – 2020 Ngơn ngữ trình bày: Bản báo cáo: Tiếng Anh  Tiếng Việt  Trình bày bảo vệ: Tiếng Anh  Tiếng Việt TRƯỞNG BỘ MÔN (Ký, ghi rõ họ tên)  GIẢNG VIÊN HƯỚNG DẪN (Ký, ghi rõ họ tên) i an KHOA KHOA HỌC ỨNG DỤNG CỘNG HÒA XÃ HỘI CHỦ NGHĨA VIỆT NAM BỘ MÔN CÔNG NGHỆ VẬT LIỆU Độc lập – Tự – Hạnh phúc ******* NHẬN XÉT CỦA GIÁO VIÊN HƯỚNG DẪN Họ tên Sinh viên: Nguyễn Trần Nghĩa MSSV: 16130044 Ngành: Công nghệ vật liệu Tên đề tài: Nghiên cứu chế tạo màng dẫn điện loại p sno2 đồng pha tạp Sb N từ bia SnO2 pha tạp Sb2O3 hỗn hợp khí (Ar +x% N2 ) Họ tên giáo viên hướng dẫn: TS Lê Trấn TS Đặng Hữu Phúc Cơ quan công tác GV hướng dẫn: Trường Đại học Khoa học Tự nhiên – Đại học Quốc Gia TP.HCM Địa chỉ: 227, Nguyễn Văn Cừ, Phường 4, Quận 5, Thành phố Hồ Chí Minh NHẬN XÉT Về nội dung đề tài khối lượng thực hiện: - Về nội dung đề tài: Sinh viên Nguyễn Trần Nghĩa thực đề tài nghiên cứu chế tạo màng dẫn điện loại p SnO2 đồng pha tạp Sb N Trong năm gần đây, vật liệu SnO2 quan tâm nghiên cứu ưu điểm tính chất quang điện khả ứng dụng rộng rãi nhiều lĩnh vực Khóa luận khảo sát tính chất quang điện màng SnO2 đồng pha tạp Sb N chế tạo, từ đánh giá khả ứng dụng màng SNTO thiết bị quang điện - Về khối lượng thực hiện: sinh viên Nguyễn Trần Nghĩa hoàn thành việc chế tạo màng dẫn điện loại p SnO2 đồng pha tạp Sb N Các kết tính chất quang điện đo đạt từ màng SNTO chế tạo hoàn toàn phù hợp cho ứng dụng thiết bị quang điện Tinh thần học tập, nghiên cứu sinh viên: - Do tính chất phức tạp đề tài, bao gồm nhiều lý thuyết cần phải học thêm khả thục việc sử dụng thiết bị phục vụ cho việc chế tạo màng SNTO, sinh viên Nguyễn Trần Nghĩa thể tinh thần ham học hỏi, cần cù khả nghiên cứu khoa học với việc tìm tòi kiến thức ii an 3.Ưu điểm: - Ưu điểm khóa luận sinh viên Nguyễn Trần Nghĩa thực thể khối lượng công việc lớn, cho thấy hiểu biết phép đo đánh giá kết đo cách xác Các kết thu so với cơng trình nghiên cứu trước đây, phát triển thêm hồn thiện viết báo khoa học Khuyết điểm: - Bên cạnh ưu điểm khơng thể tránh khỏi thiếu sót, đề tài có khối lượng kiến thức lớn thực khoảng thời gian học kì, sinh viên Nguyễn Trần Nghĩa chưa thể chọn lọc kết tốt để đưa Nhưng khuyết điểm hoàn toàn chấp nhận đề tài nghiên cứu cấp sinh viên Đề nghị cho bảo vệ hay không? - Với phân tích đánh giá trên, với tư cách giáo viên hướng dẫn, đồng ý cho sinh viên Nguyễn Trần Nghĩa bảo vệ đề tài Điểm: 10 (Bằng chữ: Mười) Tp.Hồ Chí Minh, ngày 19 tháng năm 2020 Giáo viên hướng dẫn TS Lê Trấn iii an KHOA KHOA HỌC ỨNG DỤNG BỘ MƠN CƠNG NGHỆ VẬT LIỆU CỘNG HỊA XÃ HỘI CHỦ NGHĨA VIỆT NAM Độc lập – Tự – Hạnh phúc ******* NHẬN XÉT CỦA GIÁO VIÊN PHẢN BIỆN Họ tên Sinh viên: Nguyễn Trần Nghĩa MSSV: 16130044 Ngành: Công nghệ vật liệu Tên đề tài: Nghiên cứu chế tạo màng dẫn điện loại p SnO2 đồng pha tạp Sb N từ bia SnO2 pha tạp Sb2O3 hỗn hợp khí (Ar + x%N2) Họ tên giáo viên phản biện: Nguyễn Thụy Ngọc Thủy Cơ quan công tác GV phản biện: ĐH Sư phạm kỹ thuật TP HCM Địa chỉ: số Võ Văn Ngân, Q Thủ Đức, TP HCM NHẬN XÉT Về nội dung đề tài khối lượng thực hiện: Đề tài nghiên cứu màng dẫn điện loại P SnO2 đồng pha tạp Sb N chế tạo phương pháp phún xạ DC magnetron Sinh viên khảo sát tính chất quang điện màng SnO2 đồng pha tạp Sb N nhằm đánh giá khả ứng dụng màng chế tạo vào thiết bị quang điện Ngoài ra, cấu trúc thành phần nguyên tố màng pha tạp phân tích đánh giá qua kết đo EDX XRD Ưu điểm: - Đề tài dùng phương pháp phân tích đại, có độ tin cậy cao Các kết phân tích thống với - Cơ chế hình thành màng dẫn loại P SnO2 đồng pha tạp Sb N giải thích rõ ràng - Định hướng nghiên cứu đề tài tốt, kết thu được đánh giá cao, có khả ứng dụng thiết bị quang điện - Luận văn viết tốt, cấu trúc rõ ràng, mạch lạc Khuyết điểm: Kiến nghị câu hỏi: Câu hỏi 1: dựa vào yếu tố mà sinh viên nhận định trình pha tạp Sb N vào vật liệu SnO2 pha tạp theo chế thay ? iv an Đề nghị cho bảo vệ hay không? Đồng ý cho sinh viên bảo vệ Điểm: 9.5 (Bằng chữ: chín điểm rưỡi) Tp Hồ Chí Minh, ngày … tháng … năm 2020 Giáo viên phản biện v an LỜI CẢM ƠN Đầu tiên, xin gửi lời biết ơn sâu sắc đến ba mẹ người gia đình ln chỗ dựa tinh thần, nguồn động viên to lớn cho lúc khó khăn để thuận lợi vượt qua hồn thành tốt nhiệm vụ Tiếp đến, xin gửi lời biết ơn chân thành đến thầy hướng dẫn Ts Lê Trấn Cảm ơn thầy tận tình hướng dẫn, truyền đạt kinh nghiệm mà thầy tích lũy sau nhiều năm làm khoa học cho Thầy dạy lối suy nghĩ làm việc khoa học, dạy phải trở thành người linh hoạt, chủ động trước tình Con chúc thầy ln khỏe mạnh, ngày thành công đường nghiên cứu khoa học mà thầy chọn Chúc thầy lui vui vẻ, lạc quan, thêm nhiều nguồn cảm hứng để nâng bước hệ sau Em xin cảm ơn anh Ts Đặng Hữu Phúc, anh đốc thúc em cố gắng để hồn thành tốt luận án tốt nghiệp Em xin chân thành cảm ơn anh, chúc anh nhiều sức khỏe ngày thành công công việc Cuối em xin cảm ơn quý Thầy (Cô) trường Đại học Sư Phạm Kỹ Thuật TP.HCM đặc biệt quý Thầy (Cô) thuộc khoa Khoa Học Ứng Dụng giúp em có tảng tri thức hỗ trợ để em hồn thành tốt khóa luận tốt nghiệp Dù cố gắng nhiều suốt q trình làm khóa luận tốt nghiệp, thiếu sót điều khơng thể tránh khỏi, mong nhận góp ý sửa chữa Thầy (Cơ) để khóa luận tốt nghiệp hồn thành cách tốt Xin chân thành cảm ơn tất người! Trân trọng Thành phố Hồ Chí Minh, ngày 19 tháng năm 2020 Nguyễn Trần Nghĩa vi an LỜI CAM ĐOAN Em xin cam đoan luận văn tốt nghiệp “ Nghiên cứu chế tạo màng dẫn điện loại p SnO2 đồng pha tạp Sb N từ target (bia) SnO2 pha tạp Sb2O3 hỗn hợp khí (Ar + x% N2) cơng trình nghiên cứu thân hướng dẫn Thầy Ts Lê Trấn anh Ts Đặng Hữu Phúc Những phần sử dụng tài liệu tham khảo luận văn nêu rõ phần tài liệu tham khảo Các số liệu, kết trình bày luận văn hoàn toàn trung thực, em xin chịu hoàn tồn trách nhiệm, kỷ luật mơn nhà trường đề có vấn đề phát sinh sau Thành phố Hồ Chí Minh, ngày 19 tháng năm 2020 Nguyễn Trần Nghĩa vii an Hình 3.2 Phổ truyền qua màng SNTO-6-x (với x = 0, 15, 30, 45, 60, 75, 90) lắng đọng 300C 30 an 3.4 Cấu trúc tinh thể màng SNTO-6-x Hình 3.3 Giản đồ nhiễu xạ tia X màng SNTO-6-x lắng đọng 300°C với x% N2 (x = 0, 15, 30, 45, 60, 75, 90) 31 an Cấu trúc tinh thể màng SNTO-6-x khảo sát phương pháp đo nhiễu xạ tia X nhằm mục đích quan sát ảnh hưởng N đến mạng chủ SnO2 Giản đồ nhiễu xạ tia X màng SNTO-6-x với x% N2 (x = 0, 15, 30, 45, 60, 75, 90) lắng đọng nhiệt độ 300°C trình bày Hình 3.3 Kết cho ta thấy phần trăm pha tạp N2 thấp (x = 0, 15, 30) màng SNTO-6-x có cấu trúc tứ giác rutile với mặt SnO2 (002) mặt trội, nguyên nhân xuất khuyết VO mạng chủ SnO2 bắt nguồn từ thay Sn4+ Sb3, kết hồn tồn tương đồng với cơng trình [20] (Trong cơng trình này, màng SnO2 chế tạo điều kiện áp suất riêng phần oxy khác cho thấy mặt rutile (002) phát triển trội) Bên cạch đó, ta nhận thấy tăng phần trăm pha tạp N2 kích thước hạt màng SNTO-6-x tăng theo (Bảng 3.3.) Giải thích cho điều thay Sn4+ Sb3+ phần trăm N2 hỗn hợp khí phún xạ thấp chiếm ưu O2- thay N3- Tuy nhiên phần trăm N2 hỗn hợp khí phún xạ đạt 45% cường độ mặt SnO2 (002) có sụt giảm đáng kể đồng thời xuất thêm mặt SnO2 (101) pha cubic với mặt mạng cubic (111) mặt ưu tiên Nguyên nhân lượng N3- thay O2- mạng chủ SnO2 (NO) đủ lớn để gây tượng nén mạng tương đồng tạo nên chuyển pha từ rutile sang cubic Điều khẳng định cường độ mặt cubic (111) tăng theo phần trăm pha tạp N2 (x > 45%), đạt giá trị lớn x = 75% (SNTO-6-75) tương ứng với thay O2- N3- lớn Tuy nhiên tăng phần trăm pha tạp N2 hỗn hợp khí lên đến 90% (SNTO-6-90), ta lại nhận thấy cường độ mặt cubic (111) giảm thay nhiều, vượt giới hạn hòa tan N vào mạng chủ SnO2 từ gây sai hỏng khơng mong muốn mạng chủ 32 an Bảng 3.3 Hằng số mạng màng SNTO-6-x lắng đọng 300°C từ bia SnO2 pha tạp 6% Sb2O3 với phần trăm N2 khác (x) hổn hợp khí phún xạ Góc nhiễu xạ 2θ (độ) Độ bán rộng (FWHM) (rad) Kích thước tinh thể D (nm) Hằng số mạng a (Å) Mật độ lệch mạng SNTO-6-0 SnO2 Rutile (002) 57.68 1.21 7.50 - 0.0178 SNTO-6-15 SnO2 Rutile (002) 57.69 0.77 11.78 - 0.0072 SNTO-6-30 SnO2 Rutile (002) 58.00 0.58 15.67 - 0.0041 SNTO-6-45 SnO2 Cubic (111) 30.22 0.39 21.11 4.5654 0.0022 SNTO-6-60 SnO2 Cubic (111) 30.17 0.36 22.87 4.5579 0.0019 SNTO-6-75 SnO2 Cubic (111) 30.11 0.32 25.72 4.5488 0.0015 SNTO-6-90 SnO2 Cubic (111) 29.94 0.43 19.13 4.5231 0.0027 Pha-Mặt mạng (hkl) Mẫu 33 an 3.5 Hình thái bề mặt màng SNTO-6-x Để làm rõ thêm cho phần cấu trúc màng SNTO-6-x ( với x = 0, 15, 30, 45, 60, 75, 90), ảnh hình thái bề mặt màng khảo sát kính hiển vi lực nguyên tử (AFM) Hình 3.4 hiển thị hình ảnh AFM màng SNTO-6-x chế tạo nhiệt độ 300°C với phần trăm Nito khác Kết cho thấy kích thước hạt màng tương đối nhỏ tăng dần theo phần trăm pha tạp khí N2 Độ gồ ghề màng (RMS) giảm, nguyên nhân thay Sn4+ Sb3+ O2- N3- trở nên chiếm ưu thế, bề mặt màng trở nên đồng Kích thước hạt phân bố hạt màng SNTO-6-x x = 45 không đồng đều, giải thích cho điều màng SNTO-6-45 tồn lúc nhiều mặt mạng (cả rutile lẫn cubic), giai đoạn chuyển pha từ rutile sang cubic màng, điều phù hợp với kết nhiễu xạ tia X nêu phần 3.4 Khi chuyển pha hồn tồn từ rutile sang cubic (chỉ có mặt trội cubic (111)) màng SNTO-6-x (x >45)), thấy kích thước hạt màng tăng dần phân bố hạt màng đồng hơn, kích thước hạt màng đạt lớn màng SNTO-6-75 với giá trị độ gồ ghề RMS thấp đạt 0.92 nm Tuy nhiên x = 90 màng SNTO-6-x lại có độ gồ ghề RMS tăng kích thước hạt lại giảm, điều thay O2- N3- màng nhiều, vượt giới hạn hòa tan N mạng chủ SnO2 đề cập phần cấu trúc màng SNTO-6-x 34 an Hình 3.4 Ảnh AFM hình thái bề mặt màng SNTO-6-x với x% N2 (x = 0, 15, 30, 45, 60, 75, 90) lắng đọng nhiệt độ 300°C 3.6 Khảo sát đặc trưng I-V tiếp xúc p-SNTO/n-Si Bên cạnh kết khảo sát tính chất quang, điện cấu trúc tinh thể màng SNTO, tính chất điện loại p khả ứng dụng làm cảm biến quang học màng SNTO cịn khẳng định thơng qua đặc trưng dòng-thế (I-V) tiếp xúc dị thể p-SNTO-6-x/n-Si điều kiện chiếu sáng không chiếu sáng (Hình 3.5.) Kết cho thấy đặc trưng phi tuyến tính hay chỉnh lưu diode với hầu hết tiếp xúc dị thể có dịng nghịch xấp xỉ Giá trị dòng rò giảm ta tăng tỉ lệ phần trăm pha tạp N2 (tăng x SNTO-6-x), dòng nghịch tối đạt giá trị thấp 35 an tiếp xúc SNTO-6-75/n-Si lần khẳng định chất lượng tinh thể tốt màng nêu phần 3.4 3.5 Tuy nhiên đặc trưng tối thể tính chất điện chưa làm rõ tính chất quang màng đặc trưng I-V cần khảo sát điều kiện chiếu sáng Kết từ Hình 3.5 cho thấy tất tiếp xúc dị thể cho dịng sáng phía phân cực nghịch cao gấp nhiều lần so với dịng tối Từ cho thấy vai trò lớp bán dẫn p SNTO tiếp xúc dị thể có tính chất quang điện photodiode, hiệu ứng quang điện tốt tiếp xúc SNTO-6-75/nSi lần khẳng định tính chất loại p màng SNTO-6-75 tốt nhất, phù hợp với kết phần trước Hình 3.5 Đặc trưng I-V màng SNTO-6-x lắng đọng 300°C với x% N2 ( x = 0, 15, 30, 45, 60, 75, 90) điều kiện không chiếu sáng chiếu sáng biễu diễn dạng đồ thị log I-V 36 an KẾT LUẬN Trong khóa luận lần này, nhóm nghiên cứu chúng tơi nghiên cứu chế tạo thành công màng dẫn điện suốt SNTO loại p với độ tinh thể cao phương pháp phún xạ Magnetron DC Màng có tính chất điện loại p tốt chế tạo điều kiện nhiệt độ 3000C môi trường chứa hỗn hợp khí Ar N2 màng SNTO-6-75, với giá trị điện trở suất, độ linh động, nồng độ hạt tải màng  = 10 x 10-3 Ω 𝑐𝑚, µ = 4,26 𝑐𝑚2 𝑉𝑠 , n = 1,46 x 1020 cm-3 Độ truyền qua trung bình màng ghi nhận vùng khả kiến khoảng 80% Đồng thời nhóm nghiên cứu chế tạo thành công tiếp xúc dị thể p-SNTO/nSi với tiềm ứng dụng linh kiện photodiode Với ưu điểm độ nhạy sáng cao, ổn định thời gian dài có giá thành rẻ tương đối so với vật liệu khác màng dẫn điện suốt SNTO (loại p) hứa hẹn có khả phát triển mạnh mẽ việc chế tạo cảm biến ánh sáng tương lai 37 an HƯỚNG NGHIÊN CỨU VÀ PHÁT TRIỂN ĐỀ TÀI Nhằm mục đích mở rộng việc nghiên cứu đề tài tiềm này, chúng tơi đề nghị số hướng có khả phát triển : - Khảo sát điều kiện xử lý mẫu cho bề mặt mẫu đạt hiệu bắt giữ ánh sáng tốt - Khảo sát độ bền màng theo thời gian nhiệt độ - Nghiên cứu khả ứng dụng làm cảm biến quang vùng tử ngoại cách chế tạo màng loại p-SNTO đế loại n khác 38 an TÀI LIỆU THAM KHẢO Arif, M., et al., A Bi2WO6-based hybrid heterostructures photocatalyst with enhanced photodecomposition and photocatalytic hydrogen evolution through Z-scheme process Journal of industrial and engineering chemistry, 2019 69: p 345-357 Autin, O., et al., Evaluation of a UV-light emitting diodes unit for the removal of micropollutants in water for low energy advanced oxidation processes Chemosphere, 2013 92(6): p 745-751 Babu, B., et al., Sunlight-driven photocatalytic activity of SnO2 QDs-g-C3N4 nanolayers Materials Letters, 2018 212: p 327-331 Babu, B., et al., Enhanced visible-light-active photocatalytic performance using CdS nanorods decorated with colloidal SnO2 quantum dots: optimization of core–shell nanostructure Journal of Industrial and Engineering Chemistry, 2019 76: p 476-487 Babu, B., et al., Enhanced visible light photocatalytic activity of Cu-doped SnO2 quantum dots by solution combustion synthesis Journal of Alloys and Compounds, 2017 703: p 330-336 Babu, B., et al., Novel in-situ synthesis of Au/SnO2 quantum dots for enhanced visible-light-driven photocatalytic applications Ceramics International, 2019 45(5): p 5743-5750 Bera, A., et al., Perovskite oxide SrTiO3 as an efficient electron transporter for hybrid perovskite solar cells The Journal of Physical Chemistry C, 2014 118(49): p 28494-28501 Chen, J., S Loeb, and J.-H Kim, LED revolution: fundamentals and prospects for UV disinfection applications Environmental Science: Water Research & Technology, 2017 3(2): p 188-202 Chen, X., et al., The synthesis of ZnO/SnO porous nanofibers for dye adsorption and degradation Dalton Transactions, 2015 44(7): p 3034-3042 10 Chikhale, L., et al., Effect of Bi doping on structural, morphological, optical and ethanol vapor response properties of SnO2 nanoparticles Materials science in semiconductor processing, 2014 27: p 121-129 11 Cong, H.-P., S Xin, and S.-H Yu, Flexible nitrogen-doped graphene/SnO2 foams promise kinetically stable lithium storage Nano Energy, 2015 13: p 482-490 12 Dang, H.P., et al., The optimum fabrication condition of p-type antimony tin oxide thin films prepared by DC magnetron sputtering Journal of Nanomaterials, 2016 2016 39 an 13 Dang, H.P., et al., Eliminating the charge compensation effect in Ga-doped SnO2 films by N doping Journal of Alloys and Compounds, 2019 776: p 276-286 14 Duong, A.Q., H.P Dang, and T Le, Studying and fabricating optical, electrical, and structural properties of p-type Al-and N-co-doped SnO2 (ANTO) films and investigating the photo-electro effect of p-ANTO/n-Si heterojunctions Journal of Photochemistry and Photobiology A: Chemistry, 2020 390: p 112334 15 Exarhos, G.J and X.-D Zhou, Discovery-based design of transparent conducting oxide films Thin solid films, 2007 515(18): p 7025-7052 16 Gholipour, S., et al., Highly Efficient and Stable Perovskite Solar Cells based on a Low‐Cost Carbon Cloth Advanced Energy Materials, 2016 6(20): p 1601116 17 Ginley, D.S and C Bright, Transparent conducting oxides MRS bulletin, 2000 25(8): p 15-18 18 Humayun, M., et al., Exceptional co-catalyst free photocatalytic activities of B and Fe co-doped SrTiO for CO conversion and H evolution Nano Research, 2018 11(12): p 6391-6404 19 Jarzebski, Z and J Marton, Physical properties of SnO2 materials: I preparation and defect structure Journal of the electrochemical Society, 1976 123(7): p 199C 20 Ji, Y.C., et al., Structures, optical properties, and electrical transport processes of SnO2 films with oxygen deficiencies physica status solidi (b), 2013 250(10): p 21452152 21 Jiang, Q., et al., Surface passivation of perovskite film for efficient solar cells Nature Photonics, 2019 13(7): p 460-466 22 Ke, W., et al., Low-temperature solution-processed tin oxide as an alternative electron transporting layer for efficient perovskite solar cells Journal of the American Chemical Society, 2015 137(21): p 6730-6733 23 Kim, H., et al., Doped ZnO thin films as anode materials for organic lightemitting diodes Thin solid films, 2002 420: p 539-543 24 Kim, J.-S., et al., Indium–tin oxide treatments for single-and double-layer polymeric light-emitting diodes: The relation between the anode physical, chemical, and morphological properties and the device performance Journal of applied physics, 1998 84(12): p 6859-6870 25 Kojima, A., et al., Organometal halide perovskites as visible-light sensitizers for photovoltaic cells Journal of the American Chemical Society, 2009 131(17): p 60506051 40 an 26 Leijtens, T., et al., Overcoming ultraviolet light instability of sensitized TiO with meso-superstructured organometal tri-halide perovskite solar cells Nature communications, 2013 4(1): p 1-8 27 Li, J., et al., Polyaniline modified SnO2 nanoparticles for efficient photocatalytic reduction of aqueous Cr (VI) under visible light Separation and Purification Technology, 2018 201: p 120-129 28 Li, Y., et al., Realizing a SnO 2-based ultraviolet light-emitting diode via breaking the dipole-forbidden rule NPG Asia Materials, 2012 4(11): p e30-e30 29 Liu, K., M Sakurai, and M Aono, ZnO-based ultraviolet photodetectors Sensors, 2010 10(9): p 8604-8634 30 Lu, C., et al., Zn-doped SnO2 hierarchical structures formed by a hydrothermal route with remarkably enhanced photocatalytic performance Ceramics International, 2018 44(13): p 15145-15152 31 Mao, Q., Z Ji, and L Zhao, Mobility enhancement of p‐type SnO2 by In–Ga co‐ doping physica status solidi (b), 2010 247(2): p 299-302 32 Minami, T., Substitution of transparent conducting oxide thin films for indium tin oxide transparent electrode applications Thin solid films, 2008 516(7): p 1314-1321 33 Mori, M., et al., Development of a new water sterilization device with a 365 nm UV-LED Medical & biological engineering & computing, 2007 45(12): p 1237-1241 34 Nguyen, T.T., et al., Studying the influence of deposition temperature and nitrogen contents on the structural, optical, and electrical properties of N-doped SnO2 films prepared by direct current magnetron sputtering Ceramics International, 2019 45(7): p 9147-9156 35 Oh, L.S., et al., Zn2SnO4-based photoelectrodes for organolead halide perovskite solar cells The Journal of Physical Chemistry C, 2014 118(40): p 22991-22994 36 Pirnie, M., et al., Ultraviolet disinfection guidance manual for the final long term enhanced surface water treatment rule: EPA 815-R-06-007 2006: EPA 37 Qin, M., et al., Perovskite solar cells based on low-temperature processed indium oxide electron selective layers ACS applied materials & interfaces, 2016 8(13): p 84608466 38 Roose, B., et al., Mesoporous SnO2 electron selective contact enables UV-stable perovskite solar cells Nano Energy, 2016 30: p 517-522 41 an 39 Roose, B., et al., A Ga-doped SnO mesoporous contact for UV stable highly efficient perovskite solar cells Journal of Materials Chemistry A, 2018 6(4): p 18501857 40 Santos, N.C and M.A Castanho, An overview of the biophysical applications of atomic force microscopy Biophysical chemistry, 2004 107(2): p 133-149 41 Singkammo, S., et al., Electrolytically exfoliated graphene-loaded flame-made Ni-doped SnO2 composite film for acetone sensing ACS applied materials & interfaces, 2015 7(5): p 3077-3092 42 Son, D.-Y., et al., 11% efficient perovskite solar cell based on ZnO nanorods: an effective charge collection system The Journal of Physical Chemistry C, 2014 118(30): p 16567-16573 43 Sun, X., et al., Structural, electronic, and optical properties of N-doped SnO2 The Journal of Physical Chemistry C, 2008 112(26): p 9861-9864 44 Wan, X., et al., A self-powered high-performance graphene/silicon ultraviolet photodetector with ultra-shallow junction: breaking the limit of silicon? npj 2D Materials and Applications, 2017 1(1): p 1-8 45 Wu, Y., et al., Study of p-type AlN-doped SnO2 thin films and its transparent devices Applied Surface Science, 2015 328: p 262-268 46 Yanagi, H., et al., Bipolarity in electrical conduction of transparent oxide semiconductor CuInO with delafossite structure Applied Physics Letters, 2001 78(11): p 1583-1585 47 Yang, L., et al., Efficient hydrogen evolution over Sb doped SnO2 photocatalyst sensitized by Eosin Y under visible light irradiation Nano Energy, 2017 36: p 331-340 48 Zhang, J., et al., Preparation of ultra-thin and high-quality WO3 compact layers and comparision of WO3 and TiO2 compact layer thickness in planar perovskite solar cells Journal of Solid State Chemistry, 2016 238: p 223-228 49 Zhang, Y., J Gao, and Z Chen, A solid-state chemical reduction approach to synthesize graphitic carbon nitride with tunable nitrogen defects for efficient visiblelight photocatalytic hydrogen evolution Journal of colloid and interface science, 2019 535: p 331-340 50 Zheng, X., et al., Photocatalytic degradation of benzene over different morphology BiPO4: Revealing the significant contribution of high–energy facets and oxygen vacancies Applied Catalysis B: Environmental, 2019 243: p 780-789 42 an 51 Zhou, Y., et al., GaN codoping and annealing on the optoelectronic properties of SnO2 thin films Journal of Alloys and Compounds, 2018 732: p 555-560 52 Zhu, L., et al., Mesoporous BaSnO layer based perovskite solar cells Chemical Communications, 2016 52(5): p 970-973 53 Zhu, Z., et al., Enhanced efficiency and stability of inverted perovskite solar cells using highly crystalline SnO2 nanocrystals as the robust electron‐transporting layer Advanced Materials, 2016 28(30): p 6478-6484 43 an an ... đoan lu? ?n v? ?n tốt nghi? ?p “ Nghi? ?n cứu chế tạo màng d? ?n đi? ?n loại p SnO2 đồng pha t? ?p Sb N từ target (bia) SnO2 pha t? ?p Sb2 O3 h? ?n h? ?p khí (Ar + x% N2 ) cơng trình nghi? ?n cứu th? ?n hướng d? ?n Thầy... Nghi? ?n cứu chế tạo màng d? ?n đi? ?n loại p sno2 đồng pha t? ?p Sb N từ bia SnO2 pha t? ?p Sb2 O3 h? ?n h? ?p khí ( Ar + x% N2 ) N? ??i dung khóa lu? ?n Chương 1: Tổng quan vật liệu SnO2 Tình hình nghi? ?n cứu n? ?ớc,... T? ?n đề tài: Nghi? ?n cứu chế tạo màng d? ?n đi? ?n loại p sno2 đồng pha t? ?p Sb N từ bia SnO2 pha t? ?p Sb2 O3 h? ?n h? ?p khí (Ar +x% N2 ) Họ t? ?n giáo vi? ?n hướng d? ?n: TS Lê Tr? ?n TS Đặng Hữu Phúc Cơ quan công