Tài liệu hạn chế xem trước, để xem đầy đủ mời bạn chọn Tải xuống
1
/ 54 trang
THÔNG TIN TÀI LIỆU
Thông tin cơ bản
Định dạng
Số trang
54
Dung lượng
3,61 MB
Nội dung
BỘ GIÁO DỤC VÀ ĐÀO TẠO TRƯỜNG ĐẠI HỌC SƯ PHẠM KỸ THUẬT TP.HCM KHOA CƠ KHÍ CHẾ TẠO MÁY ĐỒ ÁN TỐT NGHIỆP NGÀNH CÔNG NGHỆ TỰ ĐỘNG NGHIÊN CỨU HỒN THIỆN QUY TRÌNH ĐÁNH BĨNGMẪU THỬ PHỤC VỤ THÍ NGHIỆM NHIỄU XẠ X - QUANG GVHD: PGS.TS LÊ CHÍ CƯƠNG SVTH: NGUYỄN VĂN NHỰT MSSV: 09112060 SKL 0 4 Tp Hồ Chí Minh, tháng 8/2015 an BỘ GIÁO DỤC VÀ ĐÀO TẠO TRƢỜNG ĐẠI HỌC SƢ PHẠM KỸ THUẬT TP HỒ CHÍ MINH -KHOA CƠ KHÍ CHẾ TẠO MÁY ĐỒ ÁN TỐT NGHIỆP Đề tài: :“NGHIÊN CỨU HỒN THIỆN QUY TRÌNH ĐÁNH BĨNG PHỤC VỤ THÍ NGHIỆM NHIỄU XẠ X - QUANG” GVHD: PGS.TS LÊ CHÍ CƢƠNG SVTH: NGUYỄN VĂN NHỰT MSSV: 09112060 Lớp: 091121A Khóa: 2006 -2017 Thành phố Hồ Chí Minh, tháng 08 năm 2015 an Đồ án tốt nghiệp GVHD: PGS.TS Lê Chí Cƣơng TRƢỜNG ĐH SƢ PHẠM KỸ THUẬT TP.HCMCỘNG HỊA XÃ HỘICHỦ NGHĨA VIỆT NAM KHOA CƠ KHÍ CHẾ TẠO MÁYĐộc lập – Tự – Hạnh phúc - - Bộ môn Công Nghệ Tự Động NHIỆM VỤ CỦA ĐỒ ÁN TỐT NGHIỆP Họ tên:NGUYỄN VĂN NHỰT MSSV: Ngành:Công Nghệ Tự Động NIÊN KHÓA: 2009-2017 09112060 Tên đề tài: “Nghiên cứu hồn thiện quy trình đánh bóng mẫu thử phục vụ thí nghiệm nhiễu xạ X-quang” Số liệu cho trƣớc: Nội dung thiết kế: - Tìm hiểu khái niệm, nguyên lý, sơ đồ quy trình đánh bóng khí đánh bóng điện hóa Tìm hiểu đối tƣợng thực đánh bóng điện hóa thí nghiệm - Tìm hiểu, thiết kế ,thiết bị cấu đánh bóng phục vụ thí nghiệm Tìm hiểu phƣơng pháp nhiễu xạ mẫu đƣợc đánh bóng - Các vẽ: Ngày giao nhiệm vụ: 21/04/2015 Ngày hoàn thành nhiệm vụ: 03/08/2015 Giáo viên hƣớng dẫn: PGS.TS LÊ CHÍ CƢƠNG Giáo viên phản biện : GIÁO VIÊN HƢỚNG DẪN CHỦ NHIỆM BỘ MÔN (Ký, ghi rõ họ tên) (Ký, ghi rõ họ tên) SVTH: Nguyễn Văn Nhựt i an Đồ án tốt nghiệp GVHD: PGS.TS Lê Chí Cƣơng QUY TRÌNH THỰC HIỆN ĐỒ ÁN TỐT NGHIỆP Tìm hiểu thơng tin thiết bị Chuẩn bị 10 mẫu thép CT3 đem ủ 600 ℃,t =15 phút,làm nguôị lị skjnknk Đánh bóng 10 mẫu giấy nhám:180,320,400,600 Chưa đạt đo Đánh bóng vải nỉ Đánh bóng điện hóa Đo nhiễu xạ SVTH: Nguyễn Văn Nhựt ii an Đồ án tốt nghiệp GVHD: PGS.TS Lê Chí Cƣơng NHẬN XÉT CỦA GIÁO VIÊN HƢỚNG DẪN I ) Tinh thần thái độ làm việc: II) Nội dung đồ án: III) Hình thức: IV) Kết luận: □ Đƣợc phép bảo vệ □ Không đƣợc phép bảo vệ Điểm đánh giá: Bằng số : ………… Bằng chữ : ………………… TP HCM, ngày … tháng 07 năm 2015 GVHD ký tên: SVTH: Nguyễn Văn Nhựt iii an Đồ án tốt nghiệp GVHD: PGS.TS Lê Chí Cƣơng NHẬN XÉT CỦA GIÁO VIÊN PHẢN BIỆN I) Tinh thần thái độ làm việc: II) Nội dung đồ án: III) Hình thức: IV) Kết luận: □ Đƣợc phép bảo vệ Điểm đánh giá: Bằng số : ………… □ Không đƣợc phép bảo vệ Bằng chữ : ………………… TP HCM, ngày … tháng 07 năm 2015 GVPB ký tên: SVTH: Nguyễn Văn Nhựt iv an Đồ án tốt nghiệp GVHD: PGS.TS Lê Chí Cƣơng NHẬN XÉT CỦA HỘI ĐỒNG BẢO VỆ Tp.HCM, ngày … tháng 07 năm 2015 HỘI ĐỒNG BẢO VỆ SVTH: Nguyễn Văn Nhựt v an Đồ án tốt nghiệp GVHD: PGS.TS Lê Chí Cƣơng LỜI CAM KẾT - Tên đề tài:“Nghiên cứu hồn thiện quy trình đánh bóng mẫu thử phục vụ thí nghiệm nhiễu xạ X-quang” - GVHD:PSG.TS LÊ CHÍ CƢƠNG - Họ tên sinh viên: NGUYỄN VĂN NHỰT MSSV: 09112060 Số điện thoại: 01682258273 Lớp: 091121A Email: nhutmourinhoronaldo@gmail.com - Ngày nộp khóa luận tốt nghiệp (ĐATN): - Lời cam kết: “Tơi xin cam đoan khóa luận tốt nghiệp (ĐATN) cơng trình tơi nghiên cứu thực Tôi không chép từ viết đƣợc công bố mà khơng trích dẫn nguồn gốc Nếu có sai phạm tơi xin chịu hồn tồn trách nhiệm” 16/7/2015 Tp Hồ Chí Minh, ngày 16 tháng 07 năm 2015 Ký tên SVTH: Nguyễn Văn Nhựt vi an Đồ án tốt nghiệp GVHD: PGS.TS Lê Chí Cƣơng LỜI CẢM ƠN Trong thời gian thực đề tài khóa luận tốt nghiệp, dƣới hƣớng dẫn tận tình giáo viên hƣớng dẫn đƣợc phía nhà trƣờng tạo điều kiện thuận lợi, chúng em có trình nghiên cứu, tìm hiểu học tập nghiêm túc để hoàn thành đề tài Kết thu đƣợc không nỗ lực cá nhân, nhóm sinh viên làm đề tài mà cịn có giúp đỡ q thầy cơ, gia đình bạn Chúng em xin chân thành cảm ơn! Các thầy khoa Cơ khí chế tạo máy khoa Sƣ phạm trƣờng Đa ̣i Ho ̣c Sƣ Ph ạm Kỹ Thuật TP.HCM truyền đạt kiến thức quý báu để từ chúng em phát triển thêm vốn hiểu biết vận dụng cơng việc sau Ban giám hiê ̣u trƣờng Đa ̣i Ho ̣c Sƣ Ph ạm Kỹ Thuật TP.HCM đã ta ̣o mo ̣i điề u kiê ̣n thuâ ̣n lơ ̣i giúp đỡ chúng em quá trình học tập hồn thành luận văn Đặc biệt chúng em xin chân thành cảm ơn thầy, PGS.TS Lê Chí Cƣơng, thầy trực tiếp hƣớng dẫn đề tài Trong trình làm luận văn, thầy tận tình hƣớng dẫn thực đề tài, giúp chúng em giải vấn đề nảy sinh q trình làm luận văn hồn thành luận văn định hƣớng ban đầu Trong trình thực khoá luận tốt nghiệp, em đƣợc giúp đỡ, hỗ trợ động viên từ gia đình bạn Nhờ mà chúng em hồn thành đƣợc luận văn nhƣ mong muốn, xin cho phép chúng em đƣợc gửi lời cám ơn sâu sắc Xin chân thành cảm ơn các thầ y cô hô ̣i đồ ng chấ m luâ ̣n văn đã cho chúng em nhƣ̃ng đóng góp quý báu để luận văn thêm hoàn chỉnh Một lần xin chân thành cảm ơn Chúc tất ngƣời sức khỏe thành đạt! Trong trình thực trình bày khóa luận khơng thể tránh khỏi sai sót hạn chế, chúng em mong nhận đƣợc góp ý, nhận xét phê bình q thầy cô bạn SVTH: Nguyễn Văn Nhựt vii an Đồ án tốt nghiệp GVHD: PGS.TS Lê Chí Cƣơng TĨM TẮT ĐỒ ÁN Đánh bóng kim loại đời phát triển hàng trăm năm Ngày có nhiều phƣơng pháp đánh bóng kim loại trở thành ngành kỹ thuật phát triển mạnh mẽ hầu hết nƣớc giới, phục vụ cách đắc lực cho ngành khoa học kỹ thuật sản xuất đời sống văn minh ngƣời Từ nhu cầu thực tiễn sản xuất, nhƣ u thích lĩnh vực này, nhóm xác định việc nghiên cứu đề tài: “Nghiên cứu hoàn thiện quy trình đánh bóng mẫu thử phục vụ thí nghiệm nhiễu xạ X-quang” nhằm xây dựng mơ hình mơ thí nghiệm hồn chỉnh kỹ thuật đánh bóng điện hóa rút kết luận từ việc làm thực nghiệm Luận văn gồm có ba phần, đó: Phần mở đầu: Nêu rõ lý do, mục tiêu, nhiệm vụ, đối tƣợng nghiên cứu, phƣơng pháp nghiên cứu, giả thuyết nghiên cứu, giới hạn nội dung ý nghĩa đóng góp đề tài Phần nội dung: Trình bày chƣơng, tập trung vào vấn đề sau: Giới thiệu chung kỹ thuật đánh bóng, đánh bóng điện hóa, thực nghiệm đánh bóng khí đánh bóng điện hóa, q trình nhiễu xạ Phần kết luận khuyến nghị: Trình bày kết đạt đƣợc trình nghiên cứu SVTH: Nguyễn Văn Nhựt viii an Đồ án tốt nghiệp GVHD: PGS.TS Lê Chí Cƣơng Bảng Kết đo độ nhám bề mặt Đánh bóng khí 𝜇𝑚 Đo Đánh bóng khí→đánh bóng điện hóa 𝜇𝑚 Mẫu Mẫu Mẫu Mẫu Mẫu Mẫu Mẫu Mẫu Mẫu Mẫu 10 0.136 0.100 0.127 0.142 0.126 0.037 0.033 0.037 0.036 0.038 0.134 0.102 0.125 0.139 0.128 0.033 0.031 0.039 0.032 0.031 0.134 0.107 0.127 0.138 0.130 0.034 0.034 0.035 0.040 0.034 0.138 0.103 0.124 0.134 0.127 0.039 0.032 0.035 0.032 0.037 0.135 0.105 0.126 0.145 0.126 0.033 0.040 0.039 0.029 0.034 Đánh giá mức độ chiều sâu biến cứng Hình 5Thước kẹp panme Micromaster SVTH: Nguyễn Văn Nhựt 25 an Đồ án tốt nghiệp GVHD: PGS.TS Lê Chí Cƣơng Bảng Kết đo độ dày mẫu sau đánh bóng điện hóa Mấu Đánh bóng khí (mm) Đánh bóng điện hóa (mm) Số 6.749 6.682 Nhận xét:Qua bảng 4.2 cho ta việc đánh bóng điện hóa lấy bề mặt lớp kim loại.Qua số liệu cho ta thấy lớp kim loại dày khoảng 0.067mm 4.3 Quá trình nhiễu xạ Sau hồn thành đánh bóng khí (giấy nhám) đánh bóng điện hóa ta thực đo nhiễu xạ mẫu 4.3.1 Hiện tƣợng nhiễu xạ tia X tinh thể Tia X có bƣớc sóng nhỏ ánh sáng miền UV-Vis Năm 1912, Max Von Laue nhận thấy theo lý thuyết cấu tạo vật rắn, mạng tinh thể đƣợc cấu tạo từ nguyên tử hay ion phân bố cách đặn không gian theo quy luật xác định Khoảng cách nguyên tử vào khoảng vài angstrom, tức vào khoảng bƣớc sóng tia X Khi chiếu chùm tia X vào bề mặt tinh thể vào bên tinh thể mạng tinh thể đóng vai trò nhƣ cách tử nhiễu xạ đặc biệt Khi đó, tập hợp tia phản xạ từ họ mặt nguyên tử song song tinh thể đảm bảo giao thoa tăng cƣờng tạo nên phổ nhiễu xạ tia X Hình 6Nhiễu xạ tia X tinh thể Từ giả thuyết này, ngƣời ta chiếu chùm tia X vào mẫu đồng sunfat (CuSO4) ghi ảnh lại phim Ngƣời ta quan sát thấy vệt gây nên chùm tia X nhiễu xạ tập trung SVTH: Nguyễn Văn Nhựt 26 an Đồ án tốt nghiệp GVHD: PGS.TS Lê Chí Cƣơng xung quanh vệt lớn, nơi chùm tia X lớn đập vào phim Thí nghiệm chứng tỏ rằng, tinh thể tạo thành nguyên tử đƣợc xếp có trật tự mạng khơng gian 4.3.2 Phƣơng trình Bragg Sau Laue cộng cơng bố kết quả, Wiliam Lawrence Bragg thiết kế thiết bị nhiễu xạ tia X khác để nghiên cứu chất tia X Ông cho chiếu chùm tia X vào mẫu khống nhận thấy rằng, góc tia tới thay đổi góc nhiễu xạ thay đổi Các nghiên cứu tinh thể NaCl, KCl, ZnS, CaCO3,… cho thấy nhiễu xạ xảy ứng với số hƣớng định tia tới so với mặt tinh thể, bƣớc sóng tia tới phải có giá trị vào khoảng cách d mặt tinh thể Nhƣ vậy, mạng tinh thể nguyên tử hay ion nằm mặt, gọi mặt phẳng nguyên tử song song P1, P2, P3,… Hình 7Đường tia X tinh thể Giả sử P1, P2 hai mặt phẳng nguyên tử song song cách khoảng d Tia hai tia có bƣớc sóng λ, góc θ góc chùm tia X tới với mặt phẳng phản xạ Hiệu quang trình tia 2C2” 1A1” Δ = BC + CD Tam giác ABC tam giác vuông nên BC = AC.sinθ = d.sinθ Từ đó, suy Δ = 2d.sinθ Theo điều kiện giao thoa, để sóng phản xạ hai mặt phẳng P1 P2 pha hiệu quang trình phải số nguyên lần bƣớc sóng: Δ = 2d.sinθ = n.λ (3.4) SVTH: Nguyễn Văn Nhựt 27 an Đồ án tốt nghiệp GVHD: PGS.TS Lê Chí Cƣơng Trong đó, d: khoảng cách hai mặt nguyên tử λ: bƣớc sóng tia X n: bậc nhiễu xạ ( n=1, 2, 3,…) Đây phƣơng trình Bragg, phƣơng trình cho việc xác định bƣớc sóng tia X hay khảo sát cấu trúc tinh thể Nhận thấy rằng, họ mặt tinh thể thỏa mãn điều kiện Bragg cho chùm tia nhiễu xạ quan sát đƣợc, nghĩa xạ có bƣớc sóng λ ≤ 2d Điều kiện Bragg điều kiện cần song chƣa đủ để nhiễu xạ tia X tinh thể Nó hồn tồn cho mạng có ngun tử phân bố đỉnh, cịn mạng có ngun tử nằm vị trí khác (tâm mặt, tâm khối, ) có số tia nhiễu xạ Đối với mạng lập phƣơng tâm khối, có mặt (h k l) với tổng h+k+l số chẵn cho tia nhiễu xạ Ở mạng lập phƣơng tâm mặt, mặt có số h, k, l số chẵn số lẻ cho tia nhiễu xạ Tính tốn kích thƣớc hình dạng sở thơng qua vị trí góc cực đại nhiễu xạ Ta có khoảng cách hai mặt phẳng nguyên tử kề (h k l) hệ tinh thể lập phƣơng đƣợc xác định theo công thức [15]: h2 k l d2 a2 (3.11) Ngồi ra, theo cơng thức định luật Bragg, nhiễu xạ bậc có dạng: λ = 2dsinθ Kết hợp hai phƣơng trình ta đƣợc: h k l sin d2 a2 2 (3.12) 2 sin h k l 4a (3.13) SVTH: Nguyễn Văn Nhựt 28 an Đồ án tốt nghiệp GVHD: PGS.TS Lê Chí Cƣơng 2 số tinh thể nên sin2θ tỷ lệ với h2 + k2 + l2 Do vậy, góc θ 4a Do tăng mặt Miller có số cao nhiễu xạ Từ phƣơng trình (3.13) áp dụng cho hai mặt phẳng nguyên tử khác ta có: sin 1 h12 k12 l12 sin h22 k22 l22 (3.14) Xác định số mạng từ phƣơng trình (3.13), ta có: a a 2 h sin sin k2 l2 h2 k l (3.15) (3.16) Giá trị h2 + k2 + l2 nhận giá trị sau: + Lập phƣơng đơn giản: 1, 2, 3, 4, 5, 6, 8, 9, 10, 11, 12, 13, 14, 16… + Lập phƣơng tâm khối: 2, 4, 6, 8, 10, 12, 14, 16 + Lập phƣơng tâm mặt: 3, 4, 8, 11, 12, 16, 19, 20, 24, 27, 32… Giá trị h k l tuân theo quy tắc: + Lập phƣơng đơn giản: h, k, l + Lập phƣơng tâm khối: h + k + l = số chẵn + Lập phƣơng tâm mặt: h, k, l chẵn lẻ Vậy, từ góc cực đại nhiễu xạ ta xác định xác mặt Miller đỉnh phổ nhiễu xạ, khoảng mặt nguyên tử số mạng tinh thể cần khảo sát 4.3.3 Quá trình nhiễu xạ Đo mẫu hệ máy nhiễu xạ X’Pert Pro SVTH: Nguyễn Văn Nhựt 29 an Đồ án tốt nghiệp GVHD: PGS.TS Lê Chí Cƣơng Hình 8Hệ máy nhiễu xạ tia X X’Pert Pro Phƣơng án thí nghiệm đo nhiễu xạ tia X mẫu hệ máy nhiễu xạ X’Pert tìm mối tƣơng quan thay đổi thơng tin (vị trí đỉnh phổ, độ mở rộng FWHM; độ rộng tích phân đƣờng nhiễu xạ; cƣờng độ cực đại nhiễu xạ…) phổ nhiễu xạ tia X mẫu ứng với chu kỳ ứng suất gây mỏi khác Từ đó, giải đoán đánh giá mức độ bền học mẫu nghiên cứu Mẫu sau đƣợc xử lý đƣợc đƣa vào hệ máy X’Pert đo nhiễu xạ Thiết lập cấu hình đo X’Pert Collection Data với góc qt, bƣớc qt, thời gian qt thích hợp cho đủ thơng tin thống kê để phân tích cấu trúc Các thơng số cấu hình đo khảo sát mỏi mẫu nhƣ sau: Mẫu thép: Điện nguồn phát tia X: kV = 45; mA = 40 Bƣớc qt (step size): 0.015 [02θ] Góc qt: Từ 40 ÷ 120 [02θ] Kết đƣợc hiển thị hình máy tính kết nối với hệ máy.Thơng tin dạng đƣờng nhiễu xạ (profile) số đỉnh (peak list) Mỗi mẫu đƣợc đo lần cấu hình đo, để tìm lập lại thí nghiệm v.v… Các yếu tố khoa học khảo sát ứng suất tồn dƣ mẫu bao gồm dịch chuyển đỉnh phổ độ mở rộng đỉnh phổ phổ nhiễu xạ Từ đó, ta xác định sai hỏng mạng đánh giá mỏi mẫu độ bền SVTH: Nguyễn Văn Nhựt 30 an Đồ án tốt nghiệp GVHD: PGS.TS Lê Chí Cƣơng 4.3.4 Kết nhiễu xạ thảo luận Mẫu đánh bóng khí(giấy nhám) Hệ số a=0.000690,hệ số b=0.828154 Sin2𝜃=0; 0.03;0.09.d= 0.8215; 0.8214;0.8209 Ứng suất: -135.33 MPa Sai số tuyệt đối là: 23.45MPa Sai số tƣơng đối là: -17.327% d 𝜃 Hình 9Biểu đồ đo nhiễu xạ mẫu đánh bóng khí SVTH: Nguyễn Văn Nhựt 31 an Đồ án tốt nghiệp GVHD: PGS.TS Lê Chí Cƣơng Hình 10Đường nhiễu xạ mẫu đánh bóng khí sin2𝜃= Hình 11Đường nhiễu xạ mẫu đánh bóng khí sin2𝜃= 0.03 SVTH: Nguyễn Văn Nhựt 32 an Đồ án tốt nghiệp GVHD: PGS.TS Lê Chí Cƣơng Hình 12Đường nhiễu xạ mẫu đánh bóng khí sin2𝜃= 0.09 Mẫu đánh bóng điện hóa Hệ số a=0.000119;b=0.82781 Sin2𝜃= 0; 0.03; 0.09 d= 0.82798; 0.82798;0.82797 Ứng suất: -23.337 MPa Sai số tuyệt đối: 7.946MPa Sai số tƣơng đối là: -34.050% SVTH: Nguyễn Văn Nhựt 33 an Đồ án tốt nghiệp GVHD: PGS.TS Lê Chí Cƣơng d 𝜃 Hình 13Biểu đồ đo nhiễu xạ mẫu đánh bóng điện hóa Hình 14Đường đo nhiễu xạ mẫu đánh bóng điện hóa sin2𝜃= SVTH: Nguyễn Văn Nhựt 34 an Đồ án tốt nghiệp GVHD: PGS.TS Lê Chí Cƣơng Hình 15Đường đo nhiễu xạ mẫu đánh bóng điện hóa sin2𝜃= 0.03 Hình 16Đường nhiễu xạ mẫu đánh bóng điện hóa sin2𝜃=0.09 SVTH: Nguyễn Văn Nhựt 35 an Đồ án tốt nghiệp GVHD: PGS.TS Lê Chí Cƣơng Thảo luận: Đƣờng nhiễu xạ:ta thấy đƣờng nhiễu xạ mẫu đánh bóng điện hóa đẹp nghĩa đƣờng nhiễu xạ mẫu đánh bóng điện hóa nhấp nhơ đƣờng chuẩn máy đo,cho ta thấy bề mặt mẫu đánh bóng điện hóa nhấp nhơ phẳng mẫu đánh bóng khí(giấy nhám) Vị trí đỉnh nhiễu xạ: ta thấy vị trí đỉnh đánh bóng điện hóa (d= 0.82798; 0.82798 ;0.82797) cao sơ với đỉnh mẫu đánh bóng khí (d= 0.8215 ; 0.8214;0.8209),đỉnh nhiễu xạ cao ứng suất dƣ thấp dựa công thức: d E ( hkl) d sin Úng suất cho ta thấy ta tạo ứng suất mài nhám bề mặt sau đo ta đánh bóng khí đánh bóng điện hóa để giảm ứng suất kéo bề mặt,khi đánh bóng điện hóa giảm ứng suất kéo đáng kể so với đánh bóng khí.(đánh bóng điện hóa: -23,337MPa,đánh bóng khí -135,324MPa).Mà ứng suất nhỏ dẫn đến cấu trúc lớp kim loại bề mặt bị thay đổi, độ bền mỏi tăng.Sở dĩ đánh bóng điện hóa lấy gần hết lớp ứng suất tạo điện hóa lấy bề mặt lớp kim loại gần nhƣ bề mặt kim loại thiết mà Độ rộng nửa đỉnh phổ (FWHM) B(2 ) K L cos Trong đó: B: Độ rộng nửa đỉnh phổ (FWHM) L: Kích thƣớc trung bình tinh thể l: bƣớc sóng tia X θ: góc cực đại nhiễu xạ K= 0.62 ÷ 2.08: số vật liệu Suy độ rộng đỉnh phổ mẫu đánh bóng điện hóa thấp vói đánh bóng khí dẫn đến độ lệch mạng ứng suất mẫu đánh bóng điện hóa thấp SVTH: Nguyễn Văn Nhựt 36 an Đồ án tốt nghiệp GVHD: PGS.TS Lê Chí Cƣơng CHƢƠNG : KẾT LUẬN - KIẾN NGHỊ 5.1 Kết luận Đồ án tiến hành áp dụng, phân tích, so sánh phƣơng pháp phân tích đƣờng,đỉnh,dung sai đỉnh nhiễu xạ tia X mẫu đƣợc đánh bóng khi(giấy nhám) đánh bóng điện hóa Kết đƣợc khái quát nhƣ sau: o Độ bóng bề mặt đánh bóng điện hóa cao đánh bóng khí o Ứng suất dƣ bề mặt đánh bóng điện hóa thấp với đánh bóng khí,suy độ bền mỏi đánh bóng điện hóa cao o Thiết bị đánh bóng điện hóa đơn giản rẻ,có thể đánh bóng mặt mặt ngồi o Năng suất gia cơng tăng Ngồi ƣu điểm đánh bóng điện hóa cịn số hạn chế: o Độ bóng bề mặt phụ thuộc vào đồng vật liệu o Khó giữ kích thƣớc,hình dạng cũ o Tuổi thọ dung dịch điện phân có hạn o Chỉ áp dụng đƣợc cho bề mặt không gồ ghề Do vật liệu.điều khiện làm việc khác mà ta chọn cách đánh bóng bề mặt cho phù hợp 5.2 Khuyến nghị Do thời gian nghiên cứu đề tài hạn chế, nhóm đề tài chúng em khơng thể làm thí nghiệm đánh bóng vật liệu khác nhƣ: đồng(cu) hợp kim đồng,nhôm (Al) hợp kim nhơm… Chƣa tìm hiểu sâu nhiễu xạ XRD SVTH: Nguyễn Văn Nhựt 37 an Đồ án tốt nghiệp GVHD: PGS.TS Lê Chí Cƣơng TÀI LIỆU THAM KHẢO [1] Hoàng Trọng Bá; Vật liệu phi kim loại; NXB Khoa học Kỹ thuật; 2007 [2] Trần Quốc Hùng; Giáo trình dung sai – kỹ thuật đo; NXB ĐH Quốc Gia Tp.HCM; 2012 [3] Nguyễn Khƣơng; Mạ điện (tập 1); NXB Khoa học Kỹ thuật; 2006 [4] Nguyễn Khƣơng; Mạ điện (tập 2); NXB Khoa học Kỹ thuật; 2006 [5] Nghiêm Hùng; Vật liệu học sở; NXB Khoa học Kỹ thuật; 2002 [6] Nguyễn Văn Lộc; Sổ tay công nghệ Mạ điện; NXB ĐH Bách khoa Hà Nội; 2011 [7] Sở Khoa học, Công nghệ Môi trƣờng Tp.HCM; Sổ tay hướng dẫn Xử lý ô nhiễm môi trường sản xuất tiểu thủ công nghiệp – Tập 8: Xử lý ô nhiễm ngành mạ điện; Sở Khoa học, Công nghệ Môi trƣờng Tp.HCM; 1998 [8] Phan Lƣơng Cầm – W.A Schultze (1985), Ăn mòn bảo vệ kim loại, Trƣờng Đại học quốc gia Hà Nội [9] Catherine M.Cotell, James A.Sprague, Fred A.Smidt,…;ASM Metals HandBook Volume 05 - Surface Engineering; ASM International; 2002 SVTH: Nguyễn Văn Nhựt 38 an an ... cứu hồn thiện quy trình đánh bóng mẫu thử phục vụ thí nghiệm nhiễu xạ X -quang? ?? nhằm xây dựng mơ hình mơ thí nghiệm hồn chỉnh kỹ thuật đánh bóng điện hóa rút kết luận từ việc làm thực nghiệm Luận... thiệu chung đánh bóng quy trình đánh bóng mẫu thử o Chƣơng 3: Đánh bóng điện hóa o Chƣơng 4: Thực nghiệm đánh bóng khí đánh bóng điện hóa o Chƣơng 5: Kết luận SVTH: Nguyễn Văn Nhựt an Đồ án tốt nghiệp... thí nghiệm? ?? Nghiên cứu, tiến hành thực nghiệm đánh bóng khí đánh bóng điện hóa, đề xuất phƣơng hƣớng cải thiện đánh bóng chi tiết Đề tài nghiên cứu chủ yếu mẫu thép cacbon CT3 Phạm vi nghiên cứu