253
TẠP CHÍ KHOA HỌC, Đại học Huế, tập 73, số 4, năm 2012
ẢNH HƯỞNGCỦACHẾĐỘ Ủ ĐẾNMỘTSỐTÍNHCHẤTVẬTLÝ
CỦA HỆGỐMPZT-PZN-PMnN
Lê Đại Vương, Hồ Thị Thanh Hoa, Nguyễn Thị Thu Hà, Phan Đình Giớ
Trường Đại học Khoa học, Đại học Huế
Tóm tắt. Hệgốm 0,65PZT – 0,275PZN – 0,075PMnN đã được chế tạo theo công
nghệ gốm truyền thống kết hợp với phương pháp columbit. Sau thiêu kết, ảnh
hưởng của nhiệt độủ và thời gian ủđếnmộtsốtínhchấtvậtlýcủahệgốm đã được
khảo sát. Các kết quả thực nghiệm cho thấy với nhiệt độủ 750
0
C và thời gian ủ 6
giờ gốm có tínhchất điện môi, sắt điện, áp điện khá tốt so với gốm không ủ: hệsố
liên kết điện cơ k
p
= 0,51, k
t
= 0,44, hệsố phẩm chất cơ học Q
m
có giá trị cao
(1104), hệsố tổn hao điện môi tanδ thấp (0,004). Như vậy gốm được ủ nhiệt với
chế độủ thích hợp sẽ cải thiện đáng kể các tính chấtvậtlýcủavật liệu.
1. Mở đầu
Hệ vật liệu PZTPZN được nhiều nhà khoa học trong nước và thế giới quan tâm
nghiên cứu trong những năm gần đây như 0,9PZT0,1PZN [7], 0,35Pb(Zn
1/3
Nb
2/3
)O
3
0,65Pb(Zr
0,47
Ti
0,53
)O
3
[5] do chúng có hằng số điện môi lớn, hệsố liên kết điện cơ k
p
lớn, độ phân cực dư P
r
lớn. Tuy nhiên, hệgốm PZTPZN có hệsố phẩm chất cơ học Q
m
chưa được cao, tổn hao điện môi tan tương đối lớn nên đã làm hạn chế ứng dụng của
chúng trong mộtsố ứng dụng về công suất [3, 7]. Vì vậy, cần phải cải thiện hơn nữa
các tínhchất áp điện, nâng cao tínhchất cơ học và giảm tổn hao điện môi củagốm
PZT–PZN.
Một số các công trình nghiên cứu gần đây đã chứng tỏ rằng sự kết hợp hai hệ
PZT-PZN và PZT-PMnN với nhau là một phương pháp hiệu quả nhằm tạo mộthệvật
liệu bốn thành phần vừa có tínhchất điện cơ tốt (Q
m
lớn), tổn hao điện môi bé, tínhchất
sắt điện, áp điện tốt (k
p
lớn) và hằng số điện môi cao [4, 6].
Mới đây chúng tôi đã nghiên cứu chế tạo thành công hệvật liệu PZT-PZN-
PMnN có các tínhchấtvậtlý khá tốt [1, 2]. Để nâng cao hơn nữa các thông sốcủavật
liệu, trong bài báo này sẽ trình bày mộtsố kết quả nghiên cứu về ảnh hưởngcủachếđộ
ủ nhiệt đếnmộtsốtínhchấtvậtlýcủahệgốm áp điện 0,65Pb(Zr
0,47
Ti
0,53
)O
3
–
0,275Pb(Zn
1/3
Nb
2/3
)O
3
– 0,075Pb(Mn
1/3
Nb
2/3
)O
3
, đồng thời xác định chếđộủ tối ưu để
hệ vật liệu có tínhchất điện môi tốt, áp điện mạnh, hệsố phẩm chất Q
m
lớn và tổn hao
tan thấp.
254
2. Thực nghiệm
Gốm được chế tạo theo công thức: 0,65Pb(Zr
0,47
Ti
0,53
)O
3
–0,275Pb(Zn
1/3
Nb
2/3
)O
3
– 0,075Pb(Mn
1/3
Nb
2/3
)O
3
bằng phương pháp chế tạo gốm truyền thống kết hợp với
phương pháp columbit.
Nguyên liệu ban đầu là các oxyt: PbO (99%), ZrO
2
(99%), TiO
2
(99%), Nb
2
O
5
(99,9% Merck), ZnO (99%) và MnO
2
(99%). Quá trình tổng hợp dung dịch rắn PZT–
PZN–PMnN bao gồm hai giai đoạn sau:
Giai đoạn 1: Chế tạo hợp chất Columbit ZnNb
2
O
6
và MnNb
2
O
6
. Trộn các oxit
(ZnO, Nb
2
O
5
) và (ZnO, MnO
2
) nghiền trong 8 giờ và nung ở nhiệt độ 1050
0
C trong 2
giờ để tạo thành các columbit ZnNb
2
O
6
và MnNb
2
O
6
tương ứng.
Giai đoạn 2: Tổng hợp dung dịch rắn PZT-PZN-PMnN. Trộn hỗn hợp Columbit
đã nghiền 6 giờ với hỗn hợp các oxyt PbO, ZrO
2
, TiO
2
theo tỷ lệ ứng với mẫu. Hỗn hợp
sau khi nghiền trộn 8 giờ, được nung sơ bộ tại nhiệt độ 850
0
C trong 2 giờ, sau đó nghiền
16 giờ, ép thủy lực thành những viên có đường kính 12mm và nung thiêu kết tại nhiệt
độ 1150
0
C trong 2 giờ. Mẫu sau khi thiêu kết được ủ nhiệt trong 5 giờ tại các nhiệt độ
650
0
C, 700
0
C, 750
0
C và 800
0
C ký hiệu M
1
, M
2
, M
3,
M
4
và được so sánh với mẫu không
ủ M
0
. Chọn nhiệt độủ tối ưu và ủ mẫu tại nhiệt độ tối ưu trong 3 giờ, 4 giờ, 5 giờ, 6 giờ,
7 giờ, ký hiệu mẫu tương ứng T
1
,
T
2
, T
2
, T
3
, T
4
.
Sự hình thành pha của các mẫu trước và sau khi ủ được nghiên cứu bởi phương
pháp nhiễu xạ tia X (D8 ADVANCE). Tỷ trọng củagốm được xác định bằng phương
pháp Archimedes. Các mẫu gốm được tạo điện cực bằng bạc và phân cực trong dầu
silicon tại nhiệt độ 130
0
C, điện trường 30 kV/cm trong 15 phút. Các phổ dao động cộng
hưởng và các thông số điện môi được đo từ các hệđo tự động hóa HIOKI 3532,
Impedance HP 4193A. Đường trễ sắt điện được xác định bằng phương pháp Sawyer-
Tower.
3. Kết quả và thảo luận
3.1. Ảnhhưởngcủa nhiệt độủđếntínhchấtvậtlýcủahệgốm PZT- PZN-
PMnN
3.1.1. Ảnhhưởngcủa nhiệt độủđến mật độgốm PZT- PZN- PMnN
Bảng 1. Sự phụ thuộc của mật độgốm vào nhiệt độủcủa các mẫu
Mẫu M
0
M
1
M
2
M
3
M
4
Tỉ trọng (g/cm
3
) 7,75 7,76 7,80 7,86 7,82
Kết quả cho thấy, việc gia tăng nhiệt độủ đã cải thiện đáng kể mật độ gốm. Khi
tăng nhiệt độ ủ, mật độgốmcủa các mẫu có xu hướng tăng và đạt cực đại ở nhiệt độủ
750
0
C (7,86g/cm
3
), sau đó giảm. Có thể giải thích là quá trình ủ nhiệt đã làm biến đổi vi
255
cấu trúc trong vật liệu sau thiêu kết, loại bỏ các sai hỏng, các lỗ xốp làm cho các hạt xếp
chặt và đồng đều hơn dođó mật độ tăng. Tuy nhiên, khi nhiệt độủ cao do sự bay hơi
của PbO nên mật độgốm giảm[10].
3.1.2. Ảnhhưởngcủa nhiệt độủđếntínhchất điện môi gốm PZT- PZN- PMnN
Hình 1 biểu diễn sự phụ thuộc của hằng số điện môi tại nhiệt độ phòng đo tại tần
số 1kHz của các mẫu theo nhiệt độ ủ.
600 650 700 750 800 850
900
950
1000
1050
1100
NhiÖt ®é ñ (
0
C)
H»ng sè ®iÖn m«i
Hình 1. Sự phụ thuộc của hằng số điện môi vào nhiệt độủ
Từ hình 1 cho thấy, hằng số điện môi tăng nhẹ khi nhiệt độủ tăng, đạt giá trị lớn
nhất (1033) tại nhiệt độủ là 750
0
C. Sau đó hằng số điện môi giảm khi tiếp tục tăng
nhiệt độ ủ. Như vây, quá trình ủ đã ảnhhưởng đáng kể đến hằng số điện môi của gốm.
Trên hình 2 và 3 là sự phụ thuộc của hằng số điện môi và tổn hao điện môi vào
nhiệt độđo tại tần số 1kHz tương ứng với các nhiệt độủ khác nhau.
0 50 100 150 200 250
0
1000
2000
3000
4000
5000
6000
7000
8000
9000
10000
M4
M3
M2
M1
M0
NhiÖt ®é T (
0
C)
H»ng sè ®iÖn m«i
Hình 2. Sự phụ thuộc của hằng số điện môi theo
nhiệt độđo tại tần số 1kHz ứng với các nhiệt độ
ủ khác nhau
0.00
0.02
0.04
0.06
0.08
0.10
0.12
0.14
0.16
0.18
0.20
0 50 100 150 200 250 300
M1
M4
Tæn hao tan
M3
M2
M0
NhiÖt ®é
(
0
C
)
Hình 3. Sự phụ thuộc của tổn hao điện môi
theo nhiệt độcủa các mẫu tại 1 kHz
Từ hình 2 cho thấy, khi tăng nhiệt độủ đỉnh của hằng số điện môi tăng và đạt giá
256
trị cực đại (ε
max
= 8877) ứng với nhiệt độủ là 750
0
C. Trong khi đó, tổn hao điện môi
giảm khi nhiệt độủ tăng và đạt giá trị nhỏ nhất (tan = 0,005) (hình 5). Nếu tiếp tục
tăng nhiệt độ ủ, ε
max
các mẫu có xu hướng giảm và tổn hao điện môi tăng do sự bay hơi
của chì dẫn đếntínhchất điện môi giảm [10].
3.1.3 Ảnhhưởngcủa nhiệt độủđếntínhchất áp điện gốm PZT- PZN- PMnN
Hình 4 và 5 biểu diễn ảnhhưởngcủa nhiệt độủđếntínhchất áp điện củagốm
PZT- PZN- PMnN.
0.40
0.42
0.44
0.46
0.48
0.50
0.52
0.54
k
t
NhiÖt ®é ñ (
0
C)
HÖ sè ¸p ®iÖn d
31
(10
-12
C/N)
HÖ sè liªn kÕt ®iÖn c¬ k
p
, k
t
k
p
600 650 700 750 800 850
72
75
78
81
84
87
90
93
Hình 4. Sự phụ thuộc củahệsố liên kết điện
cơ k
p
, k
t
và hệsố áp điện d
31
vào nhiệt độủ
600 650 700 750 800 850
700
800
900
1000
1100
1200
Tæn hao ®iÖn m«i tan
HÖ sè phÈm chÊt c¬ häc Q
m
NhiÖt ®é ñ (
0
C)
0.005
0.006
0.007
0.008
0.009
Hình 5. Sự phụ thuộc củahệsố phẩm chất Q
m
và tổn hao điện môi tan
vào nhiệt độủ
Kết quả cho thấy, với mẫu không ủ, các hệsố áp điện khá thấp: k
p
= 0,43, k
t
=
0,40, d
31
= 77pC/N. Khi tăng nhiệt độủtínhchất áp điện gia tăng. Mẫu có nhiệt độủ
750
o
C trong 5 giờ có tínhchất áp điện tốt nhất thể hiện ở hệsố liên kết điện cơ cao (k
p
=
0,50), hệsố áp điện d
31
= 92 pC/N, hệsố phẩm chất cơ học cao (Q
m
= 1095) và tổn hao
điện môi thấp (tan = 0,005).
Quá trình ủ nhiệt có tác dụng cung cấp năng lượng dưới dạng nhiệt cho các trạng
thái vi mô về mặt cấu trúc trong vật liệu sau thiêu kết, loại bỏ các sai hỏng tạo ra do
nhiệt độ thiêu kết cao và thay đổi quá nhanh (ở quá trình hạ nhiệt độ thiêu kết). Bên
cạnh đó, các lổ trống oxi, chì hình thành sau thiêu kết sẽ được “lấp đầy”, làm giảm tính
bất đồng nhất trong cấu trúc vật liệu. Tuy nhiên, nếu nhiệt độủ quá lớn sẽ không thu
được các kết quả mong muốn mà thậm chí còn làm vật liệu xấu đi do sự bay hơi của
PbO.
Từ các kết quả trên nghiên cứu ở trên, chúng tôi đã xác định nhiệt độủ thích hợp
cho hệgốm là 750
0
C (mẫu M
3
)
.
3.2. Ảnhhưởngcủa thời gian ủđếntínhchấtvậtlýcủahệgốm PZT-PZN-
PMnN
Với nhiệt độủ thích hợp, thời gian ủ nhiệt là một yếu tố rất quan trọng đối với
quá trình ủ nhiệt mẫu sau thiêu kết. Quá trình tái tương tác giữa các oxi, chì của môi
trường ủ với các lỗ trống oxi, chì trong cấu trúc vật liệu, quá trình loại bỏ các sai hỏng
257
mạng phải cần thời gian đủ lâu. Để nghiên cứu ảnhhưởngcủa thời gian ủđếntínhchất
vật lýcủahệ gốm, chúng tôi ủ mẫu ở nhiệt độ tối ưu 750
0
C và thay đổi thời gian ủ
tương ứng là 3 giờ, 4 giờ, 5 giờ, 6 giờ và 7 giờ.
2 3 4 5 6 7 8
7.70
7.75
7.80
7.85
7.90
7.95
Thêi gian ñ (giê)
MËt ®é gèm (g/cm
3
)
Hình 6. Sự phụ thuộc của mật độgốm vào
thời gian ủ
2 3 4 5 6 7 8
900
950
1000
1050
1100
1150
Thêi gian ñ (giê)
H»ng sè ®iÖn m«i
Hình 7. Sự phụ thuộc của hằng số điện môi
vào thời gian ủ
Hình 6 và 7 biểu diễn sự phụ thuộc của mật độgốm và hằng số điện môi ở nhiệt
độ phòng vào thời gian ủ nhiệt. Kết quả cho thầy rằng, tại nhiệt độủ là 750
o
C và thời
gian ủ là 6 giờ gốm có mật độ lớn nhất (7,86 g/cm
3
) và hằng số điện môi đạt giá trị cao
nhất ( = 1100). Từ hình 8 cũng cho thấy, tương ứng với nhiệt độủ là 750
o
C và thời
gian ủ là 6 giờ, đỉnh của phổ hằng số điện môi theo nhiệt độ có giá trị lớn nhất (
max
=
10.802). Theo tác giả Mohan [13], quá trình ủ nhiệt tại nhiệt độ và thời gian thích hợp
đã làm giảm được lượng chì dư ở biên pha nên hằng số điện môi tăng.
0
2000
4000
6000
8000
10000
12000
0 50 100 150 200 250 300
H»ng sè ®iÖn m«i
NhiÖt ®é T (
0
C)
T5
T4
T3
T2
T1
Hình 8. Sự phụ thuộc của hằng số điện môi vào nhiệt độ
tương ứng với thời gian ủ khác nhau
Để xác định tínhchất áp điện củavật liệu, phổ cộng hưởng dao động radian và
phổ cộng hưởng dao động theo bề dày của các mẫu đã được đo ở nhiệt độ phòng. Từ
các phổ dao động, hệsố liên kết điện cơ k
p
, k
t
, hệsố áp điện d
31
, hệsố phẩm chất Q
m
đã
258
được xác định. Kết quả cho thấy, hệsố liêt kết điện cơ k
p
, k
t
và hệsố áp điện d
31
, hệsố
phẩm chất Q
m
và tổn hao tan đều phụ thuộc của vào thời gian ủ nhiệt (hình 9 và 10).
Khi thời gian ủ tăng, tínhchất áp điện được cải thiện thể hiện ở giá trị k
p
, k
t
, Q
m
đều tăng, tổn hao điện môi tan giảm. Ứng với thời gian ủ nhiệt là 6 giờ tại nhiệt độ
750
0
C các tínhchấtvậtlýcủahệ đạt giá trị tốt nhất (hệ số liêt kết điện cơ k
p
= 0,51, k
t
=
0,44, hệsố áp điện d
31
= 97 pC/N, hằng số điện môi = 1.100, hệsố phẩm chất cơ Q
m
=
1.104 và tổn hao điện môi tan = 0,004). Tuy nhiên, nếu tiếp tục tăng thời gian ủ nhiệt,
các tínhchấtcủahệ giảm. Với thời gian ủ quá dài lượng PbO bay hơi càng nhiều là
giảm tínhchấtcủavật liệu.
2 3 4 5 6 7 8
d
31
k
t
k
p
Thêi gian ñ (giê)
HÖ sè ¸p ®iÖn d
31
(pC/N)
HÖ sè liªn kÕt ®iÖn c¬ k
p
, k
t
0.36
0.38
0.40
0.42
0.44
0.46
0.48
0.50
0.52
0.54
0.56
0.58
0.60
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
110
120
Hình 9. Sự phụ thuộc củahệsố liên kết điện
cơ k
p
, k
t
và hệsố áp điện d
31
vào thời gian ủ
2 3 4 5 6 7 8
760
800
840
880
920
960
1000
1040
1080
1120
1160
1200
Thêi gian ñ (giê)
Tæn hao Tan
HÖ sè phÈm chÊt c¬ häc Q
m
0.003
0.004
0.005
0.006
0.007
0.008
0.009
Hình 10. Sự phụ thuộc củahệsố phẩm chất
Q
m
và tổn hao điện môi tan
vào thời gian ủ
3.3. Ảnh hưởngcủachếđộ ủ nhiệt đến cấu trúc và tínhchất sắt điện củahệ
gốm PZT- PZN- PMnN
Hình 11 là giản đồ nhiễu xạ tia X của các mẫu gốmPZT-PZN-PMnN trước và
sau khi ủ nhiệt. Như đã thấy, đối với mẫu chưa ủ nhiệt, cấu trúc củagốm vẫn còn tồn tại
pha thứ hai PbO với hàm lượng khá nhỏ bên cạnh pha perovskit chiếm đa số. Khi mẫu
được ủ nhiệt tại nhiệt độ 750
0
C trong 6 giờ pha PbO biết mất, gốm có cấu trúc đơn pha.
20 30 40 50 60 70 80
C
êng ®é (a.u)
G èc 2 ®é )
Tr íc k hi ñ n hiÖt
Sa u kh i ñ n hiÖt
P bO d
Hình 11. Ảnhhưởngcủachếđộủ nhiệt đến
cấu trúc củagốm PZT- PZN- PMnN
-40 -30 -20 -10 0 10 20 30 40
-40
-30
-20
-10
0
10
20
30
40
Sau khi ñ nhiÖt
P
r
(C/cm
2
)
E
c
(kV/cm)
Tríc khi ñ nhiÖt
Hình 12. Ảnh hưởngcủachếđộ ủ nhiệt đến
tính chất sắt điện củagốm PZT- PZN- PMnN
259
Hình 12 là dạng đường trễ sắt điện của các mẫu gốmđo bằng phương pháp
Sawyer-Tower. Đường trễ có dạng đặc trưng củavật liệu sắt điện. Từ dạng đường trễ
của các mẫu, độ phân cực dư P
r
và trường điện kháng E
c
đã được xác định. Bảng 2 là sự
phụ thuộc củađộ phân cực dư P
r
và trường điện kháng E
c
của các mẫu trước và sau khi
ủ nhiệt tại nhiệt độ 750
0
C trong 6 giờ.
Bảng 2. Sự phụ thuộc củađộ phân cực dư P
r
và trường điện kháng E
c
của các mẫu trước và sau
khi ủ nhiệt
Mẫu P
r
(C/cm
2
) E
c
(kV/cm)
Trước khi ủ nhiệt 14,05 9,96
Sau khi ủ nhiệt 21,06 9,88
Từ bảng 2 cho thấy rằng, mẫu được ủ nhiệt có độ phân cực dư P
r
lớn hơn và
trường kháng E
c
giảm hơn so với mẫu chưa ủ nhiệt. Điều này hoàn toàn phù hợp với các
kết quả nghiên cứu tínhchất điện môi và áp điện của gốm. Quá trình ủ nhiệt đã loại bỏ
pha PbO dư làm cải thiện các tínhchất điện môi, áp điện và sắt điện củavật liệu [13].
4. Kết luận
Ảnh hưởngcủachếđộủ nhiệt sau thiêu kết đếnmộtsốtínhchấtvậtlýcủahệ
gốm PZT-PZN-PMnN đã được nghiên cứu. Các kết quả đạt được như sau:
- Đã chế tạo thành công hệgốm 0,65Pb(Zr
0,47
Ti
0,53
)O
3
– 0,275Pb(Zn
1/3
Nb
2/3
)O
3
–
0,075Pb(Mn
1/3
Nb
2/3
)O
3
có mật độ khá cao từ 7,75 g/cm
3
khi chưa ủ. Sau khi ủ nhiệt, mật
độ gốm tăng và đạt giá trị lớn nhất là (7,86g/cm
3
) ứng với nhiệt độủ là 750
0
C trong 6
giờ.
- Tương ứng với nhiệt độủ là 750
0
C và thời gian ủ 6 giờ, mẫu có tínhchất điện
môi, áp điện và tínhchất sắt điện tốt: k
p
= 0,51, k
t
= 0,44, d
31
= 97 pC/N), hằng số điện
môi = 1.100, hệsố phẩm chất cơ Q
m
= 1.104, tổn hao điện môi thấp (tan = 0,004) và
độ phân cực dư P
r
= 21,06 C/cm
2
.
Với các tínhchất như trên, hệgốm 0,65PZT – 0,275PZN – 0,075PMnN sau khi
ủ có thể ứng dụng để chế tạo các biến tử siêu âm công suất.
TÀI LIỆU THAM KHẢO
1. Phan Đình Giớ và Lê Đại Vương, Ảnhhưởngcủa nồng độ PMnN đến cấu trúc và các
tính chất áp điện củagốm PZT-PZN-PMnN, Tạp chí khoa học Đại học Huế, số 65,
(2011), 63-71.
2. Phan Đình Giớ và Lê Đại Vương, Tínhchất điện môi, sắt điện củagốm PZT-PZN-
PMnN, Tạp chí khoa học Đại học Huế, số 65, (2011), 53-61.
3. Feng Gao, Li-hong Cheng, Rong-zi Hong, Jiaji Liu, Chun-juan Wang and Changsheng
260
Tian, Crystal structure and piezoelectric properties of xPb(Mn
1/3
Nb
2/3
)O
3
–
(0,2 − x)Pb(Zn
1/3
Nb
2/3
)O
3
– 0,8Pb(Zr
0,52
Ti
0,48
)O
3
ceramic, Ceramics International 35,
(2009), 1719–1723.
4. Cheng-Che Tsai a, Sheng-Yuan Chub, Chih-Kuo Liang, Low-temperature sintered
PMnN-PZT based ceramics using the B-site oxide precursor method for therapeutic
transducers, Journal of Alloys and Compounds, (2009), 1-7.
5. Phan Dinh Gio, Vo Duy Dan, Some dielectric, feroelectric, piezoelectric of 0,35PZN-
0,65PZT ceramic, Journal of Alloys and Compounds, (2006).
6. Grinberg I., Shin Young-Han, and. Rappe A.M, Molecular Dynamics Study of
Dielectric Response in a Relaxor Ferroelectric, PRL 103, 2009.
7. Houa Y. D., Zhua M. K., Tian C. S., Yan H., Structure and electrical properties of
PMZN–PZT quaternary ceramics for piezoelectric transformers, Sensors and Actuators
A 116, (2004), 455–460.
8. Huiquiing Fan and Hyoun-Ee Kim, Effect of Lead content on the structure and
electrical properties of Pb((Zn
1/3
Nb
2/3
)
0,5
(Zr
0,47
Nb
0,53
)
0,5
)O
3
ceramics, Journal.J. Am.
Ceram. Soc. 84 (3), (2001), 636-638.
9. N. Vittayakorn, N. Chaiyo, R. Muanghlua, A. R . Muangphanit and W. C. Vittayakorn,
Effect of Annealing on the Structure and Dielectric Properties in PZT-PCoN Ceramics,
Advanced Materials Research, Vols 55-57, (2008), 49-52.
10. Huiqing Fan, Gun-Tae Park, Jong-Jin Choi, Jungho Ryu, and Hyoun-Ee Kim,
Preparation and improvement in the electrical properties of lead-zinc-niobate–based
ceramics by thermal treatments, J. Mater. Res., Japan, Vol 17, No. 1, (2002).
11. Xiaoli Wang, Zhengkui Xu and Haydn Chen, Microstucture and dielectric properties of
PZN-PT-BT relaxor ferroelectric ceramics, CSJ Series – Publication of the ceramic
Society of Japan, (2002), 15-20.
12. Xiaoli Wang, Haydn Chen, Effect of annealing on the dielectric properties of PZN-PT-
BT ceramics, Materials Science and Engineering B99, (2003), 36-40.
13. D. Mohan , Ram Prasad and S. Banerjee, Effect of post sinter annealing on the
dielectric constants of PMN and PFN, Materials Group, Bhabha Atomic Research
Centre, Mumbai-400 085, India, 2001.
261
INFLUENCE OF ANNEALING REGIMES ON SOME PHYSICAL
PROPERTIES OF PZT-PZN-PMnN CERAMIC SYSTEM
Le Dai Vuong, Ho Thi Thanh Hoa, Nguyen Thi Thu Ha, Phan Dinh Gio
College of Sciences, Hue University
Abstract. The 0,65PZT – 0,275PZN – 0,075PMnN ceramic system was
manufactured by using the columbite precursor method in combination with the
conventional method. After sintering, the effect of annealing time and temperature
on some physical properties of the system ceramics were investigated. The
experimental results showed that with the annealing temperature of 750
0
C and the
annealing time of 6 hours, ceramics have good dielectric, ferroelectric,
piezoelectric properties comparing with that without annealing: electromechanical
coupling coefficient k
p
= 0,51, k
t
= 0,44 , mechanical quality factor Q
m
of high
value (1104), dielectric loss factor tanδ low (0,004). This shows that after sintering,
the ceramic heat annealed with the appropriate annealing regime will significantly
improve the physical properties of the material.
. 3.1. Ảnh hưởng của nhiệt độ ủ đến tính chất vật lý của hệ gốm PZT- PZN- PMnN 3.1.1. Ảnh hưởng của nhiệt độ ủ đến mật độ gốm PZT- PZN- PMnN Bảng 1. Sự phụ thuộc của mật độ gốm vào nhiệt độ ủ của. của chì dẫn đến tính chất điện môi giảm [10]. 3.1.3 Ảnh hưởng của nhiệt độ ủ đến tính chất áp điện gốm PZT- PZN- PMnN Hình 4 và 5 biểu diễn ảnh hưởng của nhiệt độ ủ đến tính chất áp điện của. nâng cao hơn nữa các thông số của vật liệu, trong bài báo này sẽ trình bày một số kết quả nghiên cứu về ảnh hưởng của chế độ ủ nhiệt đến một số tính chất vật lý của hệ gốm áp điện 0,65Pb(Zr 0,47 Ti 0,53 )O 3 – 0,275Pb(Zn 1/3 Nb 2/3 )O 3 –