Slide 1 Trêng®¹ihäcb¸chkhoahµnéiTrêng®¹ihäcb¸chkhoahµnéi ViÖn®µot¹ovµbåidìngsau®¹ihäcViÖn®µot¹ovµbåidìngsau®¹ihäc ViÖnvËtlýküthuËt ViÖnvËtlýküthuËt M«n M«n VË[.]
Trườngưđạiưhọcưbáchưkhoaưhàưnội Việnưđàoưtạoưvàưbồiưdưỡngưsauưđạiưhọc Việnưvậtưlýưkỹưthuật Môn:ưVậtưlýưvàưcôngưnghệưvậtưliệuưhiệnư đại Đề tài:ưCôngưnghệưepytaxyưchùmưphânư tử ưưưưưưưưưưưưưHọcưviên:ưVũưĐìnhưPhước Lớpưcaoưhọc:ư2006-2008 Công nghệ tạo lớp epytaxy bề mặt đế đợc tiến hành nhiều phơng pháp, nguyên liệu cung cấp cho lớp epytaxy nhận đợc từ pha hơi, pha lỏng từ chùm phân tử Trong ta tìm hiểu công nghệ epytaxy chùm phân tử (MBE) Epytaxy chùm phân tử trình epytaxy đ ợc tạo thành hay nhiều chùm nguyên tử hay phân tử đậu bề mặt tinh thể điều kiện chân không cực cao Phơng pháp ta kiểm soát đợc hai thông số: * Lợng pha tạp * Thành phần pha tạp Phơng pháp dùng để tạo cấu trúc nhiều lớp đơn tinh thể với thông số chiều dầy lớp vào cỡ nguyên tử Dới ta có sơ đồ mô tả thiết bị epytaxy chùm phân tử: Sơ đồ thờng đợc dùng để tạo màng epytaxy GaAs hợp chất thuộc nhóm III - V Các lò phún xạ đợc làm từ loại gốm nitơric - bo để chứa chất phản ứng nh: gali, asen, Các lò phún xạ đợc đặt buồng chân không cực cao, nhiệt độ lò phún xạ đợc điều chỉnh cho phù hợp với tốc độ bay chất phản ứng Các đế bán dẫn đợc gá đĩa quay liên tục nhằm đạt đợc độ đồng Để làm bề mặt đế ta thờng dùng hai cách sau: * Nung đế nhiệt độ cao để phân huỷ oxyt đà bám bề mặt, chất hấp thụ khác bị bay bị khuếch tán vào đế * Dùng chùm ion lợng thấp khí trơ để thổi bề mặt sau ®ã đ ë nhiƯt ®é thÊp ®Ĩ t¸i håi phơc cấu trúc mạng lớp bề mặt Phơng pháp epytaxy chùm phân tử đợc dùng rộng rÃi để pha tạp loại tạp chất kiểm soát xác lợng pha tạp Quá trình pha tạp thông lợng nguyên tử tạp bay đến bề mặt đế phát triển đợc xếp vào mạng tinh thể Nhiệt độ đế công nghệ epytaxy chùm phân tử đợc 400 trì 900 , C khoảng tốc độ m / mọc phut trì 0,001 - 0,3 Epytaxy chùm phân tử đà chế tạo đợc nhiều cấu trúc nh tạo siêu mạng gồm nhiều lớp khác cực mỏng, xen kẽ có chu kỳ bé khoảng cách tựAldo bình điện tử ( ví dụ nh víi x Gatrung l − x As hỵpΑ chÊt có chiều dầy nhỏ 100 ) Bài trình bày em đến kết thúc Em xin chân thành cảm ơn! ... Nhiệt độ đế công nghệ epytaxy chùm phân tử đợc 400 trì 900 , C khoảng tốc độ m / mọc phut trì 0,0 01 - 0,3 Epytaxy chùm phân tử đà chế tạo đợc nhiều cấu trúc nh tạo siêu mạng gồm nhiều lớp khác cực... bé khoảng cách tựAldo bình điện tử ( ví dụ nh víi x Gatrung l − x As hỵpΑ chÊt có chiều dầy nhỏ 10 0 ) Bài trình bày em đến kết thúc Em xin chân thành cảm ơn!