Sự thay đổi cấu trúc của mô hình vật liệu khối tinh thể SiC

Đề tài Sự thay đổi cấu trúc của mô hình vật liệu khối tinh thể SiC khảo sát sự thay đổi cấu trúc của mô hình vật liệu khối tinh thể SiC bằng phương pháp mô phỏng động lực học phân tử sử dụng thế tương tác Tersoff. Sự thay đổi cấu trúc của mô hình SiC được phân tích thông qua hàm tổng năng lượng trên mỗi nguyên tử, nhiệt dung riêng, hàm phân bố xuyên tâm, phân bố số phối trí, phân bố khoảng cách và trực quan hóa mô hình. Mời các bạn cùng tham khảo!

SỰ THAY ĐỔI CẤU TRÚC CỦA MƠ HÌNH VẬT LIỆU KHỐI TINH THỂ SIC Hà Tuấn Anh1 Email: anhht@tdmu.edu.vn TĨM TẮT Chúng tơi khảo sát thay đổi cấu trúc mơ hình vật liệu khối tinh thể SiC phương pháp mô phỏng động lực học phân tử sử dụng tương tác Tersoff Sự thay đổi cấu trúc mơ hình SiC phân tích thơng qua hàm tổng lượng nguyên tử, nhiệt dung riêng, hàm phân bố xuyên tâm, phân bố số phối trí, phân bố khoảng cách trực quan hố mơ hình Kết mơ phỏng cho thấy nhiệt độ nóng chảy mơ hình vật liệu khối tinh thể SiC Tm=4250 K Chúng tơi tìm thấy chuyển pha mơ hình vật liệu chuyển pha loại Các kết mô phỏng so sánh với kết công bố trước Từ khố: Mơ phỏng động lực học phân tử; nhiệt độ nóng chảy; thay đổi cấu trúc, cấu trúc GIỚI THIỆU Silic cacbua ngày nhận ý tính chất học điện tử độc đáo nó, trở thành ứng cử viên đầy hứa hẹn cho vật liệu kỹ thuật quang điện tử, đặc biệt ứng dụng có cơng suất cao, tần số cao nhiệt độ cao [1-6] Trọng lượng nhẹ, độ bền cao, ổn định hóa học, dẫn nhiệt cao giãn nở nhiệt thấp cho phép nó sử dụng ứng dụng công nghệ tuabin khí, trao đổi nhiệt quạt gốm Khoảng cách vùng cấm rộng, tính linh động điện tử cao rào cản phá vỡ điện tử cao khiến trở nên lý tưởng sử dụng cho radar, vi sóng, pin mặt trời thiết bị điện áp cao Cacbua silic dạng hợp kim vơ định hình, a-SixC1-x mối quan tâm công nghệ bổ sung tính ổn định nhiệt độ đặc tính bán dẫn điều chỉnh nó, cho phép ứng dụng độc đáo điều kiện khắc nghiệt động nhiệt độ cao, tuabin lò phản ứng Đối với ứng dụng hợp kim a-SiC thiết bị mới, điều cần thiết phải hiểu sâu sắc thuộc tính cách chúng liên quan đến cấu trúc quy mơ ngun tử nó, phạm vi ngắn trung bình Việc mơ tả đặc tính thay đổi có khuyết tật kết cấu cần thiết Vì mục đích này, nghiên cứu tán xạ neutron không đàn hồi phân tán trung tính sử dụng thành công để mô tả cấu trúc động lực học vật liệu vơ định hình thủy tinh [7-15] Theo tìm hiểu chúng tơi, chưa có nghiên cứu a-SiC số nghiên cứu thực nghiệm lý thuyết khác a-SiC thực với nỗ lực trả lời câu hỏi như: Cấu trúc tầm ngắn có bao gồm liên kết hạt nhân, Si – C , tinh thể c-SiC, liên kết hạt nhân, Si – Si C – C, hỡn hợp chúng Có khác biệt cấu trúc Si C không tiểu kết? Có phân ly, phân tách pha, khoảng trống? Làm để mô tả cấu trúc liên kết trung gian? Thật không may, kết nghiên cứu gần khác có kết luận trái ngược Vấn đề chính điều tra nghiên cứu trật tự hóa học, tức là, liệu hợp kim có cấu tạo từ liên kết hạt nhân không 161 Hầu hết nghiên cứu thực nghiệm cho thấy trật tự hóa học, mức độ khác Ví dụ, Katayama cộng sự[16] Trong nghiên cứu hấp thụ tia X hấp thụ tia hồng ngoại dạng hydro hóa a-SiC, a-SiC: H, diện liên kết hạt nhân, cho thấy cấu trúc hoàn toàn có trật tự Sử dụng quang phổ hồng ngoại quang phổ khả kiến Rovira Alvarez [17] đưa kết luận tương tự Dựa nhiễu xạ điện tử lọc lượng màng a-SiC điều chế cách bay chân không Sproul cộng [18] đến kết luận có liên kết silicon-carbon Sử dụng cấu trúc mịn hấp thụ tia x mở rộng (EXAFS) tổn thất lượng điện tử mở rộng (EXELFS) a-SiC a-SiC, H, Kaloyeros cộng [19] trật tự hóa học chứng minh liên kết Si-C giống chiều dài c-SiC Tuy nhiên, cách sử dụng XAFS tán xạ tia x (XRS), Meneghini cộng [20,21] diện liên kết hạt nhân C-C, xu hướng trật tự hóa học mạnh mẽ Sử dụng EXAFS, Pascarelli cộng đạt kết luận tương tự Do phức tạp liên kết cộng hóa trị có nghiên cứu lý thuyết a-SiC hạn chế Kelires [23] thực mô không gian liên tục Monte Carlo (MC) cách sử dụng điện Tersoff [24] Trong nghiên cứu nghiên cứu Kelires cộng [23, 25-27] mô tả hợp kim a-SiC chất vơ định hình với bậc đáng kể, có diện liên kết C – C đơn nhân ba nguyên tử C phối trí Tuy nhiên, nghiên cứu Finocchi cộng [28] thực mô động lực học phân tử (MD) với lực tính tốn từ nguyên tắc [29] a-SiC có trật tự hóa học khơng đáng kể đối mặt với tương phản rõ ràng, kết Finocchi cộng Kelires [23], Tersoff [30] kết hiểu được, xem xét 15% nguyên tử C Finocchi cộng mô tách biệt vùng graphit Loại trừ vùng khỏi thống kê đếm, người ta suy trật tự hóa học vừa phải Các nghiên cứu gần cho thấy mức độ khác trật tự hóa học a-SiC [27,31,32] Tuy nhiên, Ivashchenko cộng [32] nghiên cứu MD liên kết chặt chẽ cách máy tính tạo mẫu cuối có kết khác đáng kể tùy thuộc vào yếu tố cấu hình ban đầu, họ tìm thấy trật tự hóa học mạnh mẽ tất mẫu Màng a-SiC thường làm từ trình lắng đọng hóa học tăng cường plasma từ SiH4 CH4 Seekamp Bauhofer [33] việc ủ nhiệt màng làm tăng trình phát quang chúng, khẳng định kết thay đổi cấu trúc với hình thành liên kết Si-C bổ sung Gần Ishimaru cộng sử dụng hai mô kính hiển vi điện tử truyền qua (TEM) mô MD cách rõ ràng tỷ lệ hạt nhân hạt nhân liên kết hạt nhân thay đổi ủ Họ kết luận trật tự hóa học phát triển trình ủ diễn a-SiC có thứ tự cao tương ứng với trạng thái hoàn toàn thoải mái a-SiC Trong báo này, báo cáo cấu trúc a-SiC có thứ tự cao tạo mơ MD, sử dụng lịch trình ủ chậm Chúng nghiên cứu cấu trúc liên kết a-SiC mẫu phạm vi ngắn trung bình Tầm ngắn thứ tự mơ tả hàm phân phối cặp tổng phần, yếu tố cấu trúc, số phối trí góc liên kết Thứ tự phạm vi trung gian mô tả thông qua thống kê vòng đường ngắn PHƯƠNG PHÁP TÍNH TỐN Mơ hình vật liệu khối tinh thể SiC với cấu trúc hexagonal bao gồm 7200 nguyên tử có kích thước hộp mơ Lx= 46.4522 Å, Ly=42.9107 Å, Lz=37.9281 Å với mật độ 162 ρ=3.17 g/cm3 Điều kiện biên tuần hoàn áp dụng cho tất hướng Các nguyên tử mô hình tương tác với thơng qua tương tác Tersoff có dạng: E = ∑𝑖 𝐸𝑖 = ∑𝑖≠𝑗 𝑉𝑖𝑗 , 𝑉𝑖𝑗 = 𝑓𝐶 (𝑟𝑖𝑗 )[𝑓𝑅 (𝑟𝑖𝑗 ) + 𝑏𝑖𝑗 𝑓𝐴 (𝑟𝑖𝑗 )] 𝑓𝑅 (𝑟𝑖𝑗 ) = 𝐴𝑖𝑗 𝑒𝑥𝑝(−𝜆𝑖𝑗 𝑟𝑖𝑗 ), 𝑓𝐴 (𝑟𝑖𝑗 ) = −𝐵𝑖𝑗 𝑒𝑥𝑝(−𝜇𝑖𝑗 𝑟𝑖𝑗 ) 1, 𝑟𝑖𝑗 < 𝑅𝑖𝑗 𝑓𝐶 (𝑟𝑖𝑗 ) = 1 + 𝑐𝑜𝑠[𝜋(𝑟𝑖𝑗 − 𝑅𝑖𝑗 )/(𝑆𝑖𝑗 − 𝑅𝑖𝑗 )], 𝑅𝑖𝑗 < 𝑟𝑖𝑗 < 𝑆𝑖𝑗 2 0, 𝑟𝑖𝑗 > 𝑆𝑖𝑗 { 𝑏𝑖𝑗 = 𝜒𝑖𝑗 (1 + 𝑛 𝑛 𝛽𝑖 𝑖 𝜍𝑖𝑗𝑖 )2𝑛𝑖 , 𝜍𝑖𝑗 = ∑𝑘≠𝑖,𝑗 𝑓𝐶 (𝑟𝑖𝑘 )𝜔𝑖𝑘𝑔 (𝜃𝑖𝑗𝑘 ) , 𝑐2 g(𝜃𝑖𝑗𝑘 ) = + 𝑑𝑖2 − 𝑐𝑖2 /[𝑑𝑖2 + (ℎ𝑖 − 𝑐𝑜𝑠𝜃𝑖𝑗𝑘 )2 ]; 𝑖 𝜆𝑖𝑗 = 𝜆𝑖 +𝜆𝑗 , 𝜇𝑖𝑗 = 𝜇𝑖 +𝜇𝑗 , 1 1 𝐴𝑖𝑗 = (𝐴𝑖 𝐴𝑗 )2 , 𝐵𝑖𝑗 = (𝐵𝑖 𝐵𝑗 )2 , 𝑅𝑖𝑗 = (𝑅𝑖 𝑅𝑗 )2 𝑆𝑖𝑗 = (𝑆𝑖 𝑆𝑗 )2 𝑈 = ∑ ∑ 𝑈2 (𝑟𝑖𝑗 ) + 𝜆 ∑ ∑ ∑ 𝑈3 (𝑟𝑖𝑗 , 𝑟𝑖𝑘 , 𝜃𝑖𝑗𝑘 𝑖 𝑗>𝑖 𝑖 𝑗≠𝑖 𝑘>𝑗 Số hạng U2 bao gồm tương tác đẩy khoảng cách gần lực hút khoảng cách gần: 𝜎 𝜎 𝑝 𝜎 𝑞 𝑈2 (𝑟) = 𝐴𝜀[𝐵 ( ) − ( ) ]𝑒 (𝑟−𝑎.𝜎) 𝑟 𝑟 Số hạng U3 số hạng tương tác ba hạt có dạng: 𝑈3 (𝑟𝑖𝑗 , 𝑟𝑖𝑘 , 𝜃𝑖𝑗𝑘 ) = 𝜀[𝑐𝑜𝑠𝜃𝑖𝑗𝑘 − 𝑐𝑜𝑠𝜃𝑜 ] 𝛾𝜎 𝛾𝜎 ( ) 𝑟𝑖𝑗−𝑎.𝜎 (𝑟𝑖𝑘−𝑎.𝜎 ) 𝑒 𝑒 Tất hệ số lấy nghiên cứu [34] Thế tương tác sử dụng để tính tốn cho hệ silic cho kết phù hợp tốt với thực nghiệm Trong nghiên cứu này, sử dụng phần mềm LAMMPS cho mơ hệ với thuật tốn Verlet bước thời gian mô 0,001 ps [35] Mơ hình vật liệu khối tinh thể SiC ban đầu tạo nhiệt độ 300 K hồi phục thời gian 105 bước mô hệ đạt trạng thái cân Sau đó, hệ nung nóng từ 300 K đến 5000 K với tốc độ nung nóng 1012 K/s chế độ NPT với áp suất GPa Để kiểm sốt áp suất chúng tơi sử dụng điều áp Nose-Hoover thực LAMMPS [35] Để trực quan hố mơ hình vật liệu khối tinh thể SiC, sử dụng phần mềm VMD [36] Cần lưu ý để phân tích thơng số cấu trúc, mơ hình nhận mỡi nhiệt độ hồi phục khoảng thời gian 105 bước mô Để tính phân bố số phối trí phân bố khoảng cách chúng tơi chọn bán kính cắt 2.45 Å vị trí nhỏ hàm PBXT nhiệt độ 5000 K KẾT QUẢ VÀ THẢO LUẬN Hình 3.1 mơ tả thay đổi tổng lượng mỗi nguyên tử theo nhiệt độ (Etổng) Chúng ta thấy khoảng nhiệt độ từ 300 K đến 5000 K, tổng lượng mỡi ngun tử biến đổi tuyến tính với nhiệt độ, vùng nhiệt độ nguyên tử chủ yếu thực dao động nhiệt nhẹ xung quanh vị trí cân chúng Điều cho thấy mô hình SiC 163 trạng thái rắn Khi nhiệt độ tăng từ 4150 K đến 4350 K, tổng lượng mỗi nguyên tử tăng đột ngột, nghĩa mơ hình chuyển sang trạng thái nóng chảy Trong khoảng nhiệt độ lớn 4350 K, tổng lượng mỡi ngun tử lại tăng tuyến tính với nhiệt độ Điều có nghĩa mơ hình chuyển sang trạng thái nóng chảy hồn tồn Có thể thấy q trình nóng chảy diễn khoảng từ 4150 K đến 4350 K Như vậy, nhiệt độ nóng chảy mơ hình Tm= (4150 K+4350 K)/2=4250 K Giá trị cao giá trị 3775 K tính tốn phương pháp mơ động lực học phân tử tác giả Devanathan cộng [37] Điều liên quan đến cấu trúc tinh thể mơ hình thiếu khuyết tật cấu trúc Tuy nhiên, giá trị Tm=4250 K thấp nhiều so với giá trị mô 5600 K tác giả Shen cộng tính tốn cho ống nano SiC [38] Nhiệt độ nóng chảy vật liệu SiC xác định thơng qua việc tính tốn nhiệt dung riêng Cp mơ tả Hình 3.1 (đường màu xanh da trời) Nhiệt ∆𝐸 dung riêng áp suất khơng đổi P=0 GPa xác định thông qua hệ thức 𝐶𝑝 = ∆𝑇 , đó ∆T 50 K Có thể thấy nhiệt dung riêng có đỉnh cao giá trị nhiệt độ Tm=4250 K Ở nhiệt độ lớn Tm vùng nhiệt độ nhỏ Tm, nhiệt dung riêng Cp có độ cao đỉnh nhỏ dao động nhẹ Điều cho thấy Tm nhiệt độ nóng chảy mơ hình vật liệu khối tinh thể SiC Có nghĩa chuyển pha mơ hình chuyển pha loại Hình 3.1: Tổng lượng nguyên tử nhiệt dung riêng nhiệt độ khác Hình 3.2 hàm phân bố xuyên tâm rõ nhiệt độ tăng đến 5000 K nhiệt độ khác Chúng ta thấy nhiệt độ 300 K, hàm PBXT có nhiều đỉnh sắc nhọn cao, vị trí đỉnh nằm vị trí 1,87 Å Điều cho thấy mơ hình trạng thái tinh thể rắn Tuy nhiên, nhiệt độ tăng đến 4150 K độ cao đỉnh giảm mạnh đồng thời đỉnh mở rộng hơn, điều có nghĩa trình nóng chảy bắt đầu xảy Mơ hình chuyển sang trạng thái nóng chảy nhiệt độ tăng đến 4250 K, đó mơ hình tồn đồng thời trạng thái rắn trạng thái lỏng, trật tự cấu trúc giảm mạnh Q trình nóng chảy xảy hoàn toàn nhiệt độ tăng đến 4350 K, thấy hàm PBXT có đỉnh với độ cao giảm mạnh, mơ hình chuyển Hình 3.2: Hàm phân bố xuyên tâm nhiệt độ khác sang trạng thái lỏng hoàn toàn Hiện tượng thể 164 Để làm rõ trình nóng chảy vật liệu SiC ảnh hưởng nhiệt độ, chúng tơi thực phân tích phân bố số phối trí nhiệt độ khác Hình 3.3 phân bố số phối trí nhiệt độ 300 K, 4150 K, 4250 K 4350 K Có thể thấy nhiệt độ thấp (300 K), hầu hết số phối trí Điều có nghĩa mơ hình trạng thái rắn tinh thể Khi nhiệt độ tăng đến 4150 K, số phối trí giảm xuống chiếm tỷ lệ chủ yếu mơ hình (khoảng 62 %) đồng thời xuất số phối trí 3, 4, 5, 6, Điều cho thấy q trình nóng chảy mơ hình bắt đầu xảy Ở nhiệt độ 4250 K, số phối trí giảm mạnh chiếm khoảng 38 %, đó số phối trí tăng với khoảng 20 % Khi nhiệt độ tăng đến 4350 K, số phối trí giảm mạnh đồng thời số phối trí chiếm tỷ lệ lớn Điều liên quan đến hình thành vòng phá vỡ vòng mơ hình xảy nóng chảy Hình 3.3: Phân bố số phối trí nhiệt độ khác Chi tiết q trình nóng chảy vật liệu thấy qua Hình 3.4 Hình 3.4 cho thấy phân bố khoảng cách nhiệt độ khác Chúng ta thấy nhiệt độ thấp (ở 900 K), phân bố khoảng cách phân bố vùng hẹp độ cao đỉnh lớn, vị trí đỉnh tập trung 1.87 Å tương ứng với giá trị khoảng cách hàm phân bố xuyên tâm (PBXT) (ở Hình 3.2) Khi nhiệt độ tăng đến 4150 K, vị trí đỉnh phân bố khoảng cách dịch đến khoảng cách lớn gần không đổi nhiệt độ tăng đến 5000 K Điều liên quan đến việc hình thành vịng có kích thước lớn 165 Hình 3.4 Phân bố khoảng cách Si-C nhiệt độ khác Q trình nóng chảy mơ hình SiC xem xét thơng qua trực quan mơ hình hai chiều xung quanh nhiệt độ nóng chảy Hình 3.5 Hình 3.5 cho thấy cấu trúc mơ hình vật liệu SiC xung quanh nhiệt độ nóng chảy Chúng ta thấy nhiệt độ 4150 K cấu trúc tinh thể mơ hình bị méo Điều ảnh hưởng dao động nhiệt nguyên tử nhiệt độ tăng Có nghĩa nhiệt độ 4150 K q trình nóng chảy bắt đầu xảy Q trình nóng chảy xảy rõ ràng nhiệt độ tăng đến 4250 K Tuy nhiên, cấu trúc tinh thể chưa bị phá vỡ hoàn tồn, mơ hình tồn đồng thời trạng thái rắn – lỏng Q trình nóng chảy xả hồn toàn nhiệt độ tăng đến 4350 K, cấu trúc tinh thể bị phá vỡ hồn tồn Hình 3.5: Mơ hình trực quan vật liệu SiC xung quanh nhiệt độ nóng chảy 166 KẾT LUẬN Mơ hình vật liệu khối tinh thể SiC nghiên cứu phương pháp mô động lực học phân tử Các kết mô rằng, nhiệt độ tăng cấu trúc tinh thể bị phá vỡ Khoảng cách nguyên tử Si-C tăng nhẹ trình nóng chảy bắt đầu xảy Chúng tơi quan sát thấy chuyển pha mơ hình SiC chuyển pha loại Kết tính tốn thơng qua hàm tổng lượng nhiệt dung riêng cho thấy nhiệt độ nóng chảy mơ hình 4250 K Giá trị thấp nhiều so với giá trị tính tốn cho ống nano SiC Lời cảm ơn: Các kết nghiên cứu tính tốn hệ thống máy tính hiệu cao (HPCC) trường Đại học Thủ Dầu Một, Bình Dương TÀI LIỆU THAM KHẢO Emin, T L Aselage, C Wood, and Materials Research Society (1987), Novel efractory Semiconductors: Symposium held April 21–23, Anaheim, California (Materials Research Society, Pittsburgh, PA) M E Levinshteæin, S L Rumyantsev, and M Shur (2001), Properties of Advanced Semiconductor Materials: GaN, AlN, InN, BN, SiC, SiGe (Wiley, New York) R C Marshall, J W Faust, C E Ryan, Air Force Cambridge Research Laboratories (U.S.), and U o S Carolina, Silicon Carbide (1973), Proceedings (University of South Carolina Press, Columbia) J R O’Connor, J Smiltens, and Air Force Cambridge Research Laboratories (U.S.) Electronics Research Directorate, Silicon Carbide, A High Temperature Semiconductor; Proceedings (Symposium Publications Division, Pergamon Press, Oxford, 1960) A Pechenik, R K Kalia, and P Vashishta, Computer-Aided Design of High-Temperature Materials (Oxford University Press, New York, 1999) M F Thorpe, M I Mitkova, and N A T O S A Division, Amorphous Insulators and Semiconductors (Kluwer Academic, Dordrecht, 1997) C K Loong, K Suzuya, D L Price, B C Sales, and L A Boatner, Physica B 241, 890 (1997) D L Price and A J G Ellison, J Non-Cryst Solids 177, 293 (1994) S Sampath, C J Benmore, K M Lantzky, J Neuefeind, K Leinenweber, D L Price, and J L Yarger, Phys Rev Lett 90, 115502 (2003) 10 P Armand, M Beno, A J G Ellison, G S Knapp, D L Price, and M L Saboungi, Europhys Lett 29, 549 (1995) 11 D L Price, M L Saboungi, S Susman, K J Volin, and A C Wright, J Phys.: Condens Matter 3, 9835 (1991) 12 K Suzuya, D L Price, C K Loong, and S W Martin, J NonCryst Solids 234, 650 (1998) 13 D.D.Klug, C.A.Tulk, E.C Svensson, and C K Loong, Phys Rev Lett 83, 2584 (1999) 14 A I Kolesnikov, J C Li, S F Parker, R S Eccleston, and C K Loong, Phys Rev B 59, 3569 (1999) 15 A I Kolesnikov, J C Li, N C Ahmad, C K Loong, J Nipko, D Yocum, and S F Parker, Physica B 263, 650 (1999) 16 Y Katayama, K Usami, and T Shimada, Philos Mag B 43, 283 (1981) 17 P I Rovira and F Alvarez, Phys Rev B 55, 4426 (1997) 167 18 Sproul, D R McKenzie, and D J H Cockayne, Philos Mag B 54, 113 (1986) 19 E Kaloyeros, R B Rizk, and J B Woodhouse, Phys Rev B 38, 13 099 (1988) 20 Meneghini, S Pascarelli, F Boscherini, S Mobilio, and F Evangelisti, J Non-Cryst Solids 137, 75 (1991) 21 Meneghini, F Boscherini, F Evangelisti, and S Mobilio, Phys.Rev B 50, 11 535 (1994) 22 Pascarelli, F Boscherini, S Mobilio, and F Evangelisti, Phys Rev B 45, 1650 (1992) 23 C Kelires, Europhys Lett 14, 43 (1991) 24 Tersoff, Phys Rev B 39, 5566 (1989) 25 C Kelires, Phys Rev B 46, 10 048 (1992) 26 C Kelires and P J H Denteneer, Solid State Commun 87, 851 (1993) 27 C Kelires and P J H Denteneer, J Non-Cryst Solids 231, 200 (1998) 28 Finocchi, G Galli, M Parrinello, and C M Bertoni, Phys Rev Lett 68, 3044 (1992) 29 Car and M Parrinello, Phys Rev Lett 55, 2471 (1985) 30 Tersoff, Phys Rev B 49, 16 349 (1994) 31 Mura, L Colombo, R Bertoncini, and G Mula, Phys Rev B 58, 10 357 (1998) 32 I Ivashchenko, P E A Turchi, V I Shevchenko, L A Ivashchenko, and G V Rusakov, Phys Rev B 66, 195201 (2002) 33 Seekamp and W Bauhofer, J Non-Cryst Solids 230, 474 (1998) 34 Tersoff, J J P R B (1989) Modeling solid-state chemistry: Interatomic potentials for multicomponent systems Physical review B, 39(8), 5566 35 Plimpton, S (1995) Fast parallel algorithms for short-range molecular dynamics Journal of computational physics, 117(1), 1-19 36 Humphrey, W., Dalke, A., & Schulten, K (1996) VMD: visual molecular dynamics Journal of molecular graphics, 14(1), 33-38 37 Devanathan, R., Gao, F., & Weber, W J (2007) Atomistic modeling of amorphous silicon carbide using a bond-order potential Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms, 255(1), 130-135 38 Shen, H (2019) MD simulations on the melting and compression of C, SiC and Si nanotubes (Retraction of Vol 42, Pg 6382, 2007) 168 ... Mơ hình trực quan vật liệu SiC xung quanh nhiệt độ nóng chảy 166 KẾT LUẬN Mơ hình vật liệu khối tinh thể SiC nghiên cứu phương pháp mô động lực học phân tử Các kết mô rằng, nhiệt độ tăng cấu trúc. .. cấu trúc tinh thể mơ hình thiếu khuyết tật cấu trúc Tuy nhiên, giá trị Tm=4250 K thấp nhiều so với giá trị mô 5600 K tác giả Shen cộng tính tốn cho ống nano SiC [38] Nhiệt độ nóng chảy vật liệu. .. trực quan hố mơ hình vật liệu khối tinh thể SiC, sử dụng phần mềm VMD [36] Cần lưu ý để phân tích thơng số cấu trúc, mơ hình nhận mỡi nhiệt độ hồi phục khoảng thời gian 105 bước mô Để tính phân