TÍNH CHẤT VẬN CHUYỂN CỦA KHÍ ĐIỆN TỬ HAI CHIỀU TRONG GIẾNG THẾ SiGe/Si/SiGe DƯỚI ẢNH HƯỞNG CỦA NHIỆT ĐỘ VÀ TỪ TRƯỜNG

Tạp chí Khoa học Trường Đại học Cần Thơ Tập 57, Số 5A (2021): 78-85 DOI:10.22144/ctu.jvn.2021.144 TÍNH CHẤT VẬN CHUYỂN CỦA KHÍ ĐIỆN TỬ HAI CHIỀU TRONG GIẾNG THẾ SiGe/Si/SiGe DƯỚI ẢNH HƯỞNG CỦA NHIỆT ĐỘ VÀ TỪ TRƯỜNG Nguyễn Thị Thúy Quỳnh1*, Lý Hoàng Diễm1, Nguyễn Thị Quế Trinh1 Phạm Tiến Phát2 Khoa Sư phạm Xã hội Nhân văn, Trường Đại học Kiên Giang Cựu học viên Trường Đại học Khoa học Tự nhiên, Đại học Quốc gia Thành phố Hồ Chí Minh *Người chịu trách nhiệm viết: Nguyễn Thị Thúy Quỳnh (email: nttquynh@vnkgu.edu.vn) Thông tin chung: ABSTRACT Ngày nhận bài: 19/05/2021 Ngày nhận sửa: 21/07/2021 Ngày duyệt đăng: 29/10/2021 The mobility of two-dimensional electron gas in SiGe/Si/SiGe quantum well at finite temperatures is investigated for two cases: with and without in-plane magnetic field, considering two scattering mechanisms: remote charged-impurity and interface-roughness scattering Exchangecorrelation effects and multiple–scattering effects are also taken into account The dependence of critical density of the metal–insulator transition on the carrier density, layer thickness, remote doping distance, temperature and magnetic field are studied For temperatures lesser than K, the calculation is in good agreement with previous results The results can be used as guideline to grow Sillicon samples and control the temperature of system when measuring critical density and obtain information about the scattering mechanisms in the SiGe/Si/SiGe quantum well Title: Transport properties of twodimensional electron gas in SiGe/Si/SiGe quantum well under effects of temperature and in-plane applied magnetic field Từ khóa: Chuyển pha kim loại–cách điện, giếng thế, khí điện tử, Si/SiGe, tán xạ giao diện nhám, tán xạ tạp chất xa Keywords: Electron gas, interface– roughness scattering, metal– insulator transition, quantum well, remote charged–impurity scattering, Si/SiGe TÓM TẮT Nghiên cứu thực nhằm khảo sát độ linh động khí điện tử hai chiều giếng lượng tử SiGe/Si/SiGe tại nhiệt độ khơng có từ trường bị phân cực từ trường, xem xét tới hai chế tán xạ: tán xạ tạp chất xa tán xạ giao diện nhám có tính tới hiệu ứng tương quan–trao đổi hiệu chỉnh trường cục Bên cạnh đó, phụ thuộc mật độ tới hạn vào mật độ hạt tải, bề rộng giếng thế, khoảng cách lớp tạp chất, nhiệt độ từ trường nghiên cứu Tại nhiệt độ K, kết nghiên cứu phù hợp với kết trước Các kết sử dụng để định hướng thực nghiệm việc nuôi cấy mẫu kiểm soát nhiệt độ hệ đo đạc mật độ tới hạn thông tin chế tán xạ giếng lượng tử SiGe/Si/SiGe thấp với kết phù hợp tốt với thực nghiệm (Gold, 2010, 2011) Bằng hướng tiếp cận đó, Gold (2010) cho thấy tán xạ tạp chất xa (RIS) chế chủ yếu gây MIT mẫu giếng lượng tử (QW) SiGe/Si/SiGe số liệu thực nghiệm Wilamowski et al (2001) có nhận định sơ tác dụng tán xạ giao diện nhám (IRS) GIỚI THIỆU Khi tính đến hiệu ứng tương quan–trao đổi (ECE) đa tán xạ (MSE), tính tốn cho độ linh động khí điện tử hai chiều (2DEG) cấu trúc điện tử khác với chế tán xạ khác giải thích xuất chuyển pha kim loại–cách điện (MIT) mật độ hạt tải 78 Tạp chí Khoa học Trường Đại học Cần Thơ Tập 57, Số 5A (2021): 78-85 trở nên đáng kể QW có bề rộng hẹp hơn, tức việc thay đổi bề rộng QW, tăng cường giảm nhẹ tác dụng IRS lên MIT  z   sin   ,  a  0,   z  a,  ( z) =  a Trong nghiên cứu này, định lượng phụ thuộc MIT vào bề rộng QW khảo sát nhằm xác nhận QW hẹp phù hợp để nghiên cứu MIT gây chế IRS tác dụng chế tán xạ trở nên rõ rệt Hơn nữa, mơ hình sử dụng tiếp cận giá trị nhiệt độ tiệm cận K, nhờ đánh giá tính hợp lý cách tiếp cận Gold (2010) tác giả dùng mơ hình độ tuyệt đối để đối chiếu với số liệu thực nghiệm đo nhiệt độ 0,36 K Qua đó, giới hạn mật độ - nhiệt độ mơ hình đề xuất mà kết tính tốn đáng tin cậy (1) z  hay z  a a bề rộng QW 2.2 Độ linh động điện tử mơ hình dải Khi từ trường B song song với phương xy áp vào hệ, mật độ hạt tải n spin lên/xuống không Gọi n = n+ + n− tổng mật độ hạt tải Bs giá trị trường bão hòa cho g  B Bs = EF , g hệ số spin điện tử,  B Bohr magneton EF lượng Fermi Bên cạnh đó, nghiên cứu tác dụng nhiệt độ giá trị 40 K lên độ linh động mật độ tới hạn đáng kể chí tương tác phonon–hạt tải yếu thông qua ảnh hưởng lên hiệu ứng chắn Các kết nghiên cứu mở rộng cho trường hợp 2DEG bị phân cực từ trường có giá trị bão hịa Đối với T > 0, n xác định từ (Das Sarma & Hwang, 2005) n − e 2b / t + (e 2b / t − 1) + 4e 2(b +1)/ t n+ = t ln , (2) 2 n− = n − n+ , CƠ SỞ LÝ THUYẾT 2.1 Mơ hình giếng lượng tử hình chữ nhật b = B /Bs , t = T /TF với TF nhiệt độ Fermi Khi t đủ gần 0, hệ phương trình (2) tiến dạng Điện tử lớp Si cấu trúc SiGe/Si/SiGe xem 2DEG bên QW hình chữ nhật Do đó, trạng thái điện tử bị lượng tử hóa thành dải Với mật độ hạt tải nhỏ 30×1011 cm-2, tính tốn Zeller and Abstreiter (1986) cho thấy dải bị chiếm đóng Theo Gold (1987), dải có quy luật tán sắc parabolic khối lượng hiệu dụng m = 0,19me theo phương giao diện SiGe/Si (mặt phẳng xy vng góc với phương ni z), cịn khối lượng hiệu dụng theo phương z mz = 0,916me với me khối n B    , B  Bs  Bs  n+ = n, n− = 0, B  Bs n = (3) Trong gần thời gian hồi phục, biểu thức tính thời gian hồi phục trung bình cho thành phần  cho lý thuyết Drude-Boltzmann nhiệt độ hữu hạn lượng điện tử tự  = Các ước lượng cho mức Fermi mật độ 10×1011 cm2 bề rộng giếng nm, 10 nm, 20 nm 48,0 meV, 6,7 meV 3,6 meV chiều cao rào khoảng 370 meV Năng lượng nhiệt điện tử nhiệt độ 40 K vào cỡ 3,4 meV – đủ bé để điện tử từ dải thấp khó nhảy lên dải phía (Gold, 1987) Do đó, mơ hình giếng sâu vơ hạn sử dụng Hơn tỉ số (m/mz )2 = 0,04 đủ bé để bỏ qua hiệu ứng − f  ( )  ( ) d   f  ( ) −    d  f ( ) = Fermi, (4)  + exp[  −  (T )] −1  = ( k BT ) , = 2  k / (2m ) hàm     = ln[exp(  EF ) − 1] / EF lượng xuyên rào điện tử từ bên QW vào lớp SiGe (Laikhtman & Kiehl, 1993) Khi đó, hàm sóng điện tử theo phương z có dạng Fermi cho thành phần spin tìm từ 79 Tạp chí Khoa học Trường Đại học Cần Thơ  EF =  (k F ) Tập 57, Số 5A (2021): 78-85 , kF =   2 n /gv , kF = 4 n /gv 2m g v = suy biến valley hệ phục theo lượng,  k biểu diễn theo số sóng Các lý luận phần 2.1 cho thấy điện tử chiếm dải thấp nên chế tán xạ bên dải quan tâm Hơn nữa, Laikhtman and Kiehl (1993) cho thấy tương tác spin-quỹ đạo bỏ qua khoảng phân tách trạng thái hiệu ứng cỡ 40 meV Khi đó,  k cho lý thuyết vận chuyển tuyến k = 2   q dq 2q 4k − q 2 (10) + − dz  ( z ) U i ( q, z ) ảnh (11) 2.3 Các chế tán xạ khảo sát Hai chế tán xạ nghiên cứu RIS IRS, chế tán xạ RIS xuất mặt phẳng tạp chất mang điện có mật độ Ni hình thành cách giao diện SiGe/Si khoảng cách zi minh họa Gold (1987), theo ACF chế có dạng  2 e   U1 (q)  = N i   FR (q, zi )  q  L   B > Bs,   =  +  ,  −  = −  ) /  Vì chưa có lý thuyết cho LFC có tính tới tương tác hai loại spin lên/xuống nên hai trường hợp nghiên cứu không phân cực B = 0,   =  +  =  −  phân cực coi hoàn toàn spin xác định từ (Das Sarma & Hwang, 2005)  0 = e  / m Ngoài ra, để hàm điện mơi phương trình (6) mơ tả tốt ảnh hưởng tương quan–trao đổi mật độ thấp, dạng hiệu chỉnh trường cục (LFC) G ( q ) cho Gold (1997) sử dụng Hàm phân cực bất khả quy cho 2DEG nhiệt độ hữu hạn tổng  ( q, T ) =  + ( q, T ) +  − ( q, T ) với thành phần (9) Khi biết thời gian hồi phục trung bình, độ linh động 2DEG tìm từ cơng thức aq   (7) 8 32 1− e aq + −  2 2 2 2  aq a q 4 + a q  4 + a q   d   cosh  (  Dạng cụ thể ACF cho chế tán xạ giới thiệu phần 2.3  ) F  tải cho phương trình (1)  U i (q)  ACF thừa số dạng tính tới hiệu ứng bề rộng khác lớp 2DEG QW, có dạng (Gold, 1987)   ( q, T ) = Fourier tán xạ thứ i (chưa tính tới hiệu ứng chắn) với trọng mật độ xác suất  ( z ) hạt Coulomb, V (q) = 2 e2 / ( Lq) ,  L = 12,5 số điện môi hệ khảo sát FC (q )   ( q,  ) i đó, U i ( q ) = Trong phương trình (6), V ( q ) ảnh Fourier    U (q) (5) ứng chắn Trong xấp xỉ pha ngẫu nhiên, có dạng (6) q = + V (q) FC (q)(q, T )[1 − G(q)]   F i q hàm điện môi đặc trưng cho hiệu FC (q ) =  2k  1−   ( q − 2k  q  quy tắc Matthiessen  U (q)  =  U (q)   1 −   U (q)  hàm tự tương quan (ACF) tán xạ không gian vector sóng Khi chế tán xạ yếu độc lập nhau,  U (q)  xác định 2  Phương trình (5) cho thấy chế tán xạ ảnh hưởng tới thời gian hồi phục  k thông qua đại lượng tính có dạng 2k gv m với  ( x) hàm bước  ( ) phương trình (4) thời gian hồi    ( q, EF ) = (8) (12) với N i mật độ tạp chất mang điện mặt   (q,  ) hàm phân cực nhiệt độ T = , cho phẳng zi 80 Tạp chí Khoa học Trường Đại học Cần Thơ Tập 57, Số 5A (2021): 78-85  qzi − aq  e (1 − e ), zi   8  − qzi − q ( a − zi ) a q 2   zi  FR (q, zi ) = − e + sin  1 − e  ,  zi  a aq 4 + a q  2 2  a   −q(a− z ) i (1 − e− aq ), zi  a  e 2 thừa số dạng tán xạ RIS lên 2DEG QW khảo sát Hình biểu diễn kết tính tốn nhiệt độ khác cho độ linh động  2DEG với chế tán xạ RIS khơng có mặt từ trường ( B = 0, g s = 2) Các nốt tròn liệu từ thực nghiệm Wilamowski et al (2001) 0,36 K Kết nghiên cứu cho thấy độ linh động nhiệt độ K gần với độ linh động K với sai lệch khơng q 4,4% Do đó, liệu từ thực nghiệm hồn tồn sử dụng để so sánh với độ linh động tính tốn K với độ xác cao, điều cho thấy kết Gold (2010) đáng tin cậy ACF chế IRS cho (Gold, 1987)   4   m     (  ) e − q  / (14)    F   a   mz   k F a   biểu diễn độ nhám trung bình giao diện  biểu diễn tham số độ dài tương quan nhám mặt phẳng xy 2DEG  U (q)  =  (13) Ngoài ra, tương tác phonon-hạt tải bỏ qua khơng đáng kể khoảng nhiệt độ khảo sát (Walukiewicz et al., 1984) 2.4 Mật độ tới hạn Các kết luận Gold (1997, 2011) MSE cần thiết để mô tả MIT mật độ thấp Gọi nMIT mật độ xảy chuyển pha (mật độ tới hạn)  độ linh động 2DEG có tính tới MSE, theo Gold (1986, 2010), n  nMIT , độ linh động viết thành  = 0 (1 − A), ( A  1), đó, (15)  xác định phương trình (11) Tham số A mơ tả tác dụng MSE, phụ thuộc vào tán xạ, hiệu ứng chắn hệ số nén 2DEG sau: Hình Biểu diễn độ linh động theo mật độ hạt tải nhiệt độ khác khơng có mặt từ trường Các nốt tròn biểu diễn số liệu thực nghiệm từ Wilamowski et al (2001)   U (q )  (q ) A= dq q (16) 2 n 0 q2 Hình cho thấy thay đổi rõ rệt mật độ tới hạn nMIT theo nhiệt độ (các giao điểm đồ thị trục hồnh) Hình cung cấp nhìn chi tiết phụ thuộc Đối với mẫu QW này, tác dụng nhiệt độ lên MIT đáng kể nhiệt độ K Cụ thể MIT xuất mật độ hạt tải bé tăng nhiệt độ hệ gia tăng ảnh hưởng dao động nhiệt Vấn đề khảo sát kĩ phần 3.2 Mật độ tới hạn nMIT tìm từ việc giải phương trình A = Khi n  nMIT , độ linh động  KẾT QUẢ VÀ THẢO LUẬN 3.1 Sự phụ thuộc độ linh động vào nhiệt độ từ trường tác dụng RIS Khi phân cực hệ khí từ trường có giá trị bão hịa Bs , MIT xuất mật độ tới hạn Các tính tốn phần sử dụng giá trị tham số a = 200 Å, zi = -125 Å, Ni = 0,92×1011 cm2 , Δ = Å, Λ = 30 Å lấy từ Gold (2010) cao so với khơng có từ trường (Hình 3) Như 81 Tạp chí Khoa học Trường Đại học Cần Thơ Tập 57, Số 5A (2021): 78-85 vậy, từ trường làm hệ chuyển pha từ “dẫn điện” sang “cách điện”, đặc điểm tạo tiền đề cho ứng dụng vi điện tử chẳng hạn công tắc ngắt mạch từ trường Hình Biểu diễn độ linh động theo mật độ hạt tải nhiệt độ khác từ trường B = Bs Để quan sát chi tiết tác dụng nhiệt độ từ trường lên 2DEG, tính tốn độ linh động vùng mật độ cao 5×1011 cm-2 tới 10×1011 cm-2 thực hiên Kết biểu diễn Hình (phải) cho thấy từ trường có tác dụng làm giảm độ linh động giá trị nhiệt độ khảo sát Chú ý thang biểu diễn đồ thị log cho trục, độ linh động vùng mật độ có dáng điệu tuyến tính Kết cho thấy vùng mật độ (Hình 4) mật độ thấp (Hình Hình 3), hệ pha “dẫn điện”, độ linh động tăng theo nhiệt độ Hình Biểu diễn mật độ tới hạn theo nhiệt độ khác B = Hình Biểu diễn độ linh động theo mật độ hạt tải nhiệt độ khác B = (trái) B = 2Bs (phải) cho trường hợp RIS 82 Tạp chí Khoa học Trường Đại học Cần Thơ Tập 57, Số 5A (2021): 78-85 3.2 Sự phụ thuộc mật độ chuyển pha vào nhiệt độ khoảng cách lớp tạp chất Trong hai trường hợp trên, lớp tạp chất nằm gần QW (zi = - bề mặt zi = a/2 - bên QW) ảnh hưởng nhiệt độ lên mật độ tới hạn rõ rệt Nhìn chung tạp chất nằm xa QW, làm MIT xảy mật độ thấp phụ thuộc vào nhiệt độ Cụ thể, Hình 5, đường biểu diễn ứng với trường hợp zi = -a zi = -a/2 nằm thấp có dáng điệu phẳng so với hai trường hợp zi = zi = a/2 Điều hàm ý tán xạ ngẫu nhiên tầm xa tăng cường tính định xứ điện tử đáy dải con, khiến chúng nhạy cảm với nhiệt độ Trong phần này, phụ thuộc mật độ tới hạn vào nhiệt độ cho chế RIS theo khoảng cách zi lớp tạp chất khảo sát Các tham số giữ nguyên phần 3.1 nhiên zi nhận giá trị a/2, 0, -a/2 -a với a bề rộng QW Hình (trái) cho thấy khơng có từ trường, với giá trị nhiệt độ K, xem mật độ chuyển pha không thay đổi Trên K, mật độ tới hạn giảm đơn điệu theo nhiệt độ Tuy nhiên, 2DEG bị phân cực mạnh thể Hình (phải), thay đổi mật độ tới hạn theo nhiệt độ khơng cịn đơn điệu mà có qua cực đại Hình Biểu diễn mật độ tới hạn theo nhiệt độ khoảng cách tạp chất khác cho RIS B = (trái) B = Bs (phải) 3.3 Tác dụng bề rộng QW từ trường lên mật độ chuyển pha IRS nhanh hơn, nghĩa đóng góp IRS vào nMIT giảm nhanh so với RIS tăng bề rộng QW Cụ thể, a > 70 Å, có chế RIS tham gia chủ yếu vào hình thành MIT Với a < 30 Å, đóng góp IRS trở nên trội RIS Điều củng cố nhận định Gold (2010) cho QW hẹp phù hợp để nghiên cứu MIT gây chế IRS Kết giải thích IRS không tham gia vào chế hình thành MIT thực nghiệm Wilamowski et al (2001) bề dày QW mẫu lên tới 200 Å đóng góp IRS lên MIT đáng kể 70 Å K Trong phần này, phụ thuộc mật độ tới hạn vào bề rộng QW nhiệt độ cho trường hợp chế IRS nghiên cứu Để quán với Gold (2010), tham số phần 3.1 sử dụng, thay đổi bề rộng a QW Khanh and Quan (2013) khảo sát mật độ tới hạn theo bề rộng a QW cho chế tán xạ RIS thấy tăng bề rộng a từ 20 Å tới 200 Å, mật độ tới hạn nMIT giảm Nói cách khác chuyển pha xảy mật độ hạt tải thấp QW rộng Kết tính tốn cho thấy tượng tương tự cho chế IRS (Hình 6) Tuy nhiên, dáng điệu đồ thị Hình dốc xuống Đáng ý, tác dụng IRS lên MIT bị dập nhanh chóng có tham gia nhiệt độ Trong miền bề rộng khảo sát, từ 20 Å đến 100 83 Tạp chí Khoa học Trường Đại học Cần Thơ Tập 57, Số 5A (2021): 78-85 (đường nét liền Hình 6) Trong đó, với có mặt nhiệt độ, đồ thị nMIT trở nên dốc đứng tương ứng bề rộng tới hạn 36,40 Å, 41,8 Å, 47,2 Å, 53,2 Å 62.2 Å Nhiệt độ cao, bề rộng tới hạn nhỏ Tại a = 20 Å, tác dụng RIS lên mật độ tới hạn chiếm 0,0750% so với IRS (các đường nét đứt) gặp giá trị gọi bề rộng tới hạn Cụ thể, T 40 K, 20 K, 10 K, K K, đóng góp IRS vào MIT bị dập tắt Vì QW 200 Å xem rộng nên kết mục 3.1 3.2 xét riêng RIS đảm bảo thêm IRS vào chế tán xạ Å, K, giá trị nMIT IRS gây giảm từ từ Hình Biểu diễn mật độ tới hạn theo bề rộng QW nhiệt độ khác B = Bề rộng tới hạn 2DEG bị phân cực từ trường B = Bs khảo sát Hình cho thấy từ trường có tác dụng nâng nhẹ giá trị mật độ tới hạn nMIT bề rộng QW tác dụng dập tắt ảnh hưởng IRS lên MIT nhiệt độ xảy bề rộng tới hạn lớn chút Với mức nhiệt độ 40 K, 20 K, 10 K, K, K, giá trị bề rộng tới hạn 37 Å, 42 Å, 47,4 Å, 53,4 Å 62,4 Å Hình Biểu diễn mật độ tới hạn theo bề rộng QW nhiệt độ khác B = Bs Các tính tốn nghiên cứu giả sử khối lượng hiệu dụng 2DEG không phụ thuộc vào mật độ điện tử Trong cấu trúc Silic MOSFET với độ linh động cao, khối lượng hiệu dụng khơng cịn số, đặc biệt quanh mật độ tới hạn (Kravchenko & Sarachik, 2004), điều cần 84 Tạp chí Khoa học Trường Đại học Cần Thơ Tập 57, Số 5A (2021): 78-85 thực nghiệm kiểm tra lại Hơn nữa, giá trị từ trường bão hòa sử dụng nghiên cứu vốn định nghĩa cho hệ không tương tác chưa tính tới nhiệt độ Tuy nhiên, Khanh (2011) kết dựa từ trường bão hịa có giá trị cho mật độ đủ cao hoặc/và nhiệt độ đủ thấp correction in two and three dimensions Physical Review B, 48(16), 11622-11637 Gold, A (1994) Local-field correction for the electron gas: Effects of the valley degeneracy Physical Review B, 50(7), 4297-4305 Gold, A (1997) The local-field correction for the interacting electron gas: many-body effects for unpolarized and polarized electrons Zeitschrift für Physik B, 103(3), 491-500 Gold, A (2010) Mobility and metal–insulator transition of the two-dimensional electron gas in SiGe/Si/SiGe quantum wells Journal of Applied Physics, 108(6), 063710 Gold, A (2011) Metal–insulator transition in Si/SiGe heterostructures: mobility, spin polarization and Dingle temperature Semiconductor Science and Technology, 26(4), 045017 Khanh, N Q (2011) Transport properties of a spinpolarized quasi-two-dimensional electron gas in an InP/In1-xGaxAs/InP quantum well including temperature effects Physica E, 43(9), 1712-1716 Khanh, N Q., & Quan, N M (2013) Transport properties of a quasi-two-dimensional electron gas in a SiGe/Si/SiGe quantum well including temperature and magnetic field effects Superlattices and Microstructures, 64, 245-250 Kravchenko, S V., & Sarachik, M P (2004) Metal– insulator transition in two-dimensional electron systems Reports on Progress in Physics, 67(1), 1-44 Laikhtman, B., & Kiehl, R A (1993) Theoretical hole mobility in a narrow Si/SiGe quantum well Physical Review B, 47(16), 10515 Walukiewicz, W., Ruda, H E., Lagowski, J., & Gatos, H C (1984) Electron mobility in modulation-doped heterostructures Physical Review B, 30(8), 4571-4582 Wilamowski, Z., Sandersfeld, N., Jantsch, W., Többen, D., & Schäfffler, F (2001) Screening breakdown on the route toward the metalinsulator transition in modulation doped Si/SiGe quantum wells Physical Review Letters, 87(2), 026401 Zeller, Ch., & Abstreiter, G (1986) Electric subbands in Si/SiGe strained layer superlattices Zeitschrift für Physik B, 64(2), 137-143 KẾT LUẬN Kết nghiên cứu cho thấy nhiệt độ hệ khí thí nghiệm Wilamowski et al (2001) xem đủ thấp để xác nhận kết lý thuyết Gold (2010) K, đồng thời gia tăng độ linh động theo mật độ hạt tải nhiệt độ 2DEG có khơng bị phân cực từ trường khảo sát Nghiên cứu cho thấy phụ thuộc bỏ qua mật độ tới hạn vào nhiệt độ, khoảng cách pha tạp bề rộng QW cho hai chế tán xạ RIS IRS Các kết nghiên cứu cung cấp gợi ý cho việc ni cấy mẫu kiểm sốt nhiệt độ đo đạc thực nghiệm củng cố số liệu ghi nhận LỜI CẢM TẠ Chúng tơi muốn bày tỏ lịng biết ơn Trường Đại học Kiên Giang tài trợ tài suốt q trình nghiên cứu Chúng tơi xin cảm ơn vị phản biện quý Tạp chí hỗ trợ mà chúng tơi nhận TÀI LIỆU THAM KHẢO Das Sarma, S., & Hwang, E H (2005) Low-density spin-polarized transport in two-dimensional semiconductor structures: Temperaturedependent magneto resistance of Si MOSFETs in an in-plane applied magnetic field Physical Review B, 72(20), 205303 Gold, A., & Götze, W (1986) Localization and screening anomalies in two-dimensional systems Physical Review B, 33(4), 2495-2511 Gold, A (1987) Electronic transport properties of a two-dimensional electron gas in a silicon quantum-well structure at low temperature Physical Review B, 35(2), 723-733 Gold, A., & Calmels, L (1993) Correlation in Fermi liquids: Analytical results for the local-field 85