PBL 2 KT mạch TT và số đề tài thiết kế mạch OTL ngõ vào đơn

TRƯỜNG ĐẠI HỌC BÁCH KHOA ĐÀ NẴNG KHOA ĐIỆN TỬ - VIỄN THÔNG  PBL 2: KT mạch TT số Đề tài: Thiết kế mạch OTL ngõ vào đơn Giảng viên: Huỳnh Thanh Tùng Nhóm sinh viên thực hiện: STT Họ tên MSSV Lớp Nguyễn Thành Trung 106190135 19DTCLC3 Huỳnh Võ Thiện Tuấn 106190137 19DTCLC3 Đà Nẵng, năm 2021 PHIẾU ĐÁNH GIÁ Q TRÌNH THỰC HIỆN ĐỒ ÁN MƠN HỌC Tên đồ án:Thiết kế mạch OTL ngõ vào đơn STT Họ tên Huỳnh Võ Thiện Tuấn Nguyễn Thành Trung Nhóm học phần: 19.41 Lớp 19DTCLC3 19DTCLC3 Mã số sinh viên 106190137 106190135 Người hướng dẫn: TS HUỲNH THANH TÙNG Tên đề tài: Mạch khuếch đại công suất OTL ngõ vào đơn Thông số thiết kế: + Loại mạch: OTL + Ngõ vào: Đơn + Linh kiện sử dụng: BJT + Công suất: 15 [W] + Điện áp ngõ vào: 0.7 [V] + Trở kháng vào: 200 [KΩ] + Băng thông: 0.05-15 [khz] + Méo phi tuyến: 0.2 [%] + Điện trở loa: [Ω] Quá trình thực đồ án: TT Ngày Nội dung Đánh giá NHD Chữ ký NHD Giao đề tài Đạt yêu cầu Hồn thành tính tốn Đạt u cầu Mơ phỏng/mạch Đạt u cầu Hồn thành báo cáo Đạt yêu cầu Đà Nẵng, ngày 22 tháng 12 năm 2021 Người hướng dẫn TS Huỳnh Thanh Tùng -LỜI MỞ ĐẦUNgành điện tử viễn thông ngành quan trọng với phát triển nhanh của khoa học – công nghệ nhu cầu sử dụng công nghệ máy móc cao điều kiện thuận lợi ngành Điện tử - viễn thông PBL Kỹ thuật mạch điện tử đồ án nhóm em Nó giúp sinh viên chúng em liên hệ kiến thức học với thực tế, biết quy trình tính tốn thiết kế, lắp ráp, sửa chữa, đo đạt linh kiên mạch đồng thời củng cố nâng cao kiến thức chúng em Với hạn chế khinh nghiệm giao tiếp dịch bệnh covid -19 nên chúng em khó tránh sai sót Vì chúng em mong thầy thơng cảm giúp chúng em, bước việc thiết kế mạch khơng tránh khỏi sai xót mong thầy cơ, bạn góp ý giúp đỡ để nhóm em hồn thiện mạch thiết kế CHƯƠNG 1: DIODE BÁN DẪN 1.1 Cấu tạo diode bán dẫn: - Gồm miền tiếp xúc hai bán dẫn khác loại Bán dẫn loại P bán dẫn loại N, có tính chất dẫn điện theo chiều định, thường gọi chuyển tiếp P-N với hai điện cực nối phía miền P gọi anot, phía miền N gọi Katot Diode thường kí hiệu: - Vật liệu chế toạ diode chủ yếu Germanium (Ge) Silic (Si) - Tuỳ theo phạm vi ứng dụng mà ta có loại diode khác diode chỉnh lưu, diode zender, diode biến dung… 1.2 Nguyên lí làm việc diode: - Vì diode có cấu tạo dựa chuyênt tiếp P-N, nên nguyên lí làm việc diode dựa tượng xảy chuyển tiếp P-N -Do có chênh lệch nồng độ Pp >> Pn điện tử Np P Điện trường gây Itrôi hạt tối thiểu số làm cản chuyển động dòng IKT Quá trình tiếp tục lúc Itrơi = IKT Ta nói tiếp xúc P-N trạng thái cân Vậy dòng qua tiếp xúc P-N 1.2.2 Khi tiếp xúc P-N phân cực thuận: - Khi đặt hiêu điện vào tiếp xúc P-N xuất điện trường ngồi có chiều từ P-N Nên ETX giảm, dịng khuếch tán IKT tăng Itrơi giảm Dịng chảy qua tiếp xúc P-N chủ yếu chủ yếu dòng IKT chiều từ P-N - Biểu thức biểu diễn mối quan hệ dòng điện áp I = Is ( eqv/KT – 1) Is: dòng ngược bão hồ, có giá trị nhỏ q : điện tích hạt q = 1,6.10-19 K : số Boltman K = 1,38.10-23 J/K T : nhiệt độ (K) V : điện áp đặt lên đầu tiếp xúc P-N Vậy dòng điện chảy tiếp xúc trường hợp phân cực thuận dòng I KT có chiều từ P -> N Đây đặc trưng chỉnh lưu tiếp xúc P-N 1.2.3 Khi tiếp xúc P-N phân cực nghịch - Khi tiếp xúc P-N phân cực nghịch điện áp gây điện trường E có chiều từ N -> P Điện trường chiều với E TX nên tổng điện trường vùng tiếp xúc làm giảm dòng khuếch tán tăng dịng trơi Nhưng nồng độ hạt thiểu số bé nên dịng trơi có giá trị nhỏ I = Is ( e-qv/KT -1) = -Is 1.3 Đặc tuyến Volt – ampe: Đặc tuyến Volt-Ampere diode đồ thị mơ tả quan hệ dịng điện qua diode theo điện áp UAK đặt vào Có thể chia đặc tuyến thành hai giai đoạn:   Giai đoạn ứng với UAK = 0.7V > mô tả quan hệ dòng áp diode phân cực thuận Giai đoạn ứng với UAK = 0.7V < mô tả quan hệ dòng áp diode phân cực nghịch (UAK lấy giá trị 0,7V với diode Si, với diode Ge thông số khác) Khi diode phân cực thuận và dẫn điện thì dịng điện chủ yếu phụ thuộc vào điện trở của mạch ngồi (được mắc nối tiếp với diode) Dịng điện phụ thuộc vào điện trở thuận diode điện trở thuận nhỏ, thường không đáng kể so với điện trở mạch điện 1.4 Hiện tượng đánh thủng chuyển tiếp: - Khi chuyển tiếp P-N bị phân cực nghịch dịng ngược Is nhỏ Khi tăng điện áp phân cực nghịch đến giá trị dịng Is tăng mạnh làm cho chuyển tiếp PN dẫn điện theo chiều ngược, chuyển tiếp P-N bị đánh thủng  Đánh thủng điện  Đánh thủng nhiệt  Đánh thủng nhiệt điện - Đánh thủng thác lũ: xảy chuyển tiếp P-N có nồng độ pha tạp thấp - Đánh thủng đường hầm xảy chuyển tiếp P-N có nồng độ pha tạp cao Các hạt chuyển động mạnh va chạm vào điện tử khác làm phát sinh hạt dẫn điện Quá trình tiếp diễn đến Is tăng mạnh Ta nói chuyển tiếp P-N bị đánh thủng - Đối vơis bóng dẫn Si có V = 5,6 V 1.5 Các thông số diode: 1.5.1 Điện trở chiều: ( Điện trở thuận, nghịch) Rdc = V / I V : điện áp hai đầu diode I : dòng chạy qua diode 1.5.2 Điện xoay chiều: Ric = ▲V / ▲I ▲V: khoảng biến thiên điện áp ▲I: khoảng biến thiên dòng điện 1.5.3 Dòng điện thuận IF : - Là dòng điện tối đa chảy qua diode diode phân cực thuận 1.5.4 Điện áp ngưỡng: - Là điện áp tối thiểu để diode dẫn 1.5.5 Điện áp ngưỡng cực đại: - Là điện áp tối đa đặt lên diode mà diode không bị đánh thủng BJT CHƯƠNG : GIỚI THIỆU VỀ TRANSISTOR LƯỠNG CỰC 2.1 Cấu tạo: - BJT cấu tạo thành chuyển tiếp P-N nằm gần nhau, có ba lớp bán dẫn tuỳ theo trình tự xếp P-N mà ta có hai loại BJT NPN PNP - Lớp bán dẫn thứ gọi lớp Emitter: cực lấy từ miền Emitter gọi cực Emitter ( cực E ) - Lớp bán dẫn thứ hai gọi miền Base ( gốc ), cực lấy từ miền cực Base ( cực B ) Điện áp DC tiếp giáp CE Q5 là: V CE/ Q 5= V CC 80 −VR 1−V BE /Q 1−V BE /QB 1−V R 1= −( 0,7+0,7−0,6)−0,6−0,6−0,05.0,4¿ 38(V ) 2 ¿> P DC /Q 5=V CE/Q I CQ 5=38.8,4 10−3 =0,319(W ) Vậy ta chọn Q5 thỏa điều kiện sau: I C > I C p=184,8(mA ) V CE >2V CE /Q =76(V ) PC >2 P DC /Q =0,638 ¿)  Tra cứu Datasheet ta chọn Q5 2SA1013: Tính chọn BJT thúc Q6: Transistor Q6 làm nhiệm vụ nâng cao tín hiệu đủ lớn để kích cho tầng thúc làm việc đảo pha cho tầng công suất Q6 chọn làm việc chế độ A Q6 có tải lớn nên hệ số khuyếch đại lớn,ta phải chọn điểm làm việc Q6 cho khơng có tín hiệu vào điện vào cực E củaQB , QB ≈ 0, lúc sụt áp tải ¿ Vì Q6 có điện trở tải lớn nên dễ dàng rơi vào vùng bão hoà gây méo tín hiệu, cần phải mắc hồi tiếp âm chiều lẫn xoay chiều để ổn định điểm làm việc Điện trở R10, R11 làm nhiệm vụ hồi tiếp âm DC, riêng R11 làm nhiệm vụ hồi tiếp âm AC cho Q6 Do Q6 làm việc chế độ A, để tránh suy giảm tín hiệu ta chọn trước điện áp tĩnh điện trở hồi tiếp chiều R10, R11 0,7V Ta có: V R 10+V R 11=0,7 V R 10 V R 10 = R11 V R 11 Để tránh hồi tiếp âm nhiều làm giảm hệ số khuyếch đại Q6, ta chọn R11 > R10 => V R 11>V R 10 { V =0,4 V Chọn V R 11 =0,3 V R 10 { V R 11 0,4 = =47,61( Ω) I C /Q 8,4 10−3 ¿> V 0,3 R 10= R 10 = =35,71(Ω) I C 0/ Q 8,4.10−3 {R 11=50 Ω R 11=  Chọn R10=35 Ω Với hai giá trị trở áp rơi hai điện trở là: V R 11 R 10=( R 11+ R10 ) I CQ6= (50+ 35 ) 8,4 10−3=¿ 0,714 (V ) Điện cực C, E Q6: V CE/ Q 6= ¿ V CC −V VR 1−V EB / Q 2−V EB/ QB 2−V R 11 R 10 80 −( 0,7+0,7−0,6 )−0,6−0,6−0,714=37,286(V ) Công suất tiêu tán tĩnh Q4: −3 P DC/ Q 6=V CE /Q I CQ 6=37,286.8,4 10 =0,313(W ) Vì Q6 làm việc chế độ A nên: Pttmax/ Q 6=P DC /Q =0,313(W ) Từ tính tốn ta chọn Q6 phải thỏa điều kiện sau: I C > I C max/ Q 6=184,8( mA ) V CE >V CC =80(V ) PC > ( ) P ttmax/Q 6=0,626 (W )  Tra cứu Datasheet ta chọn Q6 2SC2383: - Tính tốn tầng nhận tín hiệu vào: Chọn β Q 6=150 ¿> I BQ = I CQ 8,4 10−3 = =56(μA ) βQ6 150 Để không ảnh hưởng đến điểm làm việc Q7, ta chọn I CQ7 ≫ I BQ −6 ¿> I CQ 7=10 I BQ 6=10.56 10 =0,56(mA ) Ta có : I R 14 =I CQ 7−I BQ =0,56.10−3−56 10−6=0,504(mA ) V R 14 =V BE/ Q +V R 11 R 10=0,6+ 0,7=1,3 V ¿> R 14= V R 14 1,3 = =2580(Ω) I R 14 0,504 10−3  Chọn R14 = 2,7 ( K Ω ¿ R12 lớn tác dụng hồi tiếp âm dòng chiều lớn, điểm làm việc Q7 ổn định (1 ) V CC =( ÷ 8)V Chọn V R 12= 10 ÷ 10 ¿> R 12= V R 12 ( ÷ 8)V = =(7,1÷ 14,2) KΩ I CQ7 0.56 10−3  Chọn R12=11 ( KΩ ¿ ¿>V R 12=6,16(V ) Vì Q7 hoạt động chế độ A, để Q7 khuếch đại khơng bị méo có biên độ đủ lớn điểm tải tĩnh phải nằm đường tải động Ta chọn V CE/ Q 7= V CC =20(V ) 2.2 Ta chọn V CE/ Q 7=15 (V ) Ta có :V R 13= ¿ V CC −V R 12−V CE/Q 7−V R 14 80 −6,16−15−1,3=17,54(V ) ¿> R 13= V R 13 17,54 = =31,3( KΩ) I CQ 0,56 10−3  Chọn R13 = 31 ( KΩ ¿ Ta có :V R 17=V BQ =V EQ 7−V BEQ7 V EQ 7= V CC 80 −V R 12= −6,16=33,84(V ) 2 ¿>V R 17=33,84−0,6=33,24 (V ) Ta có : I BQ 7= I CQ7 0,56.10−3 = =2,8(μA) β 200 Chọn I R 17 ≥10 I BQ 7=10.2,8 10−6 =28( μA) ¿> R 17= V R 17 33,24 = =1187143(Ω) I R 17 28.10−6 ¿> R 17 ≤ 1,1(MΩ)  Chọn R17 = 1,1 MΩ Z¿ = R17 R 16 1,1 106 R 16 = =120( KΩ) R 17+ R 16 1,1.106 + R 16 ¿> R 16=134(KΩ)  Chọn R16 = 150 (KΩ) −6 −6 V R 15=V CC −V R 16 −V R 17 =80−150.10 ( 2,8+28 ) 10 −1,110 28 10 =44,58 V ¿> R 15= V R 15 44,58 = =1,6 (MΩ) I R 15=I R 16 28 10−6 ¿> R 15=2( MΩ)  Chọn R15 = (MΩ) Ta có : PttDC /Q 7=V CE/ Q I CQ7 =15.0,56 10−3=8,4 (mW ) I C > I C max / Q 7=0,56 mA V CE > V CC =40 V PC > ( ) P ttmax /Q 7=16,8 mW  Tra cứu Datasheet ta chọn Q7 2SA1015: - Tính mạch bảo vệ: Hoạt động: bình thường mạch khuyếch đại cơng suất làm việc Q3, Q4 tắt Khơng ảnh hưởng đến hoạt động mạch Khi xảy ngắn mạch dòng qua QB1, QB2 lớn đánh thủng BJT công suất điện trở R1, R2 Vì dịng qua hai BJT lớn kích thích mạch bảo vệ hoạt động Mạch hút dòng làm cho dòng qua hai BJT điện trở R1, R2 nhỏ đảm bảo cho hai BJT làm việc an tồn - Dịng đỉnh qua R1, R2: I E =3,92 A p - Chọn dòng để mạch bảo vệ hoạt động là: I E =5 A p - Sụt áp R1: V R 1=¿ I E R 1=5.0,4=2 V p - Chọn dòng tĩnh I CQ3=I CQ 4=1 mA Ta có : V CEQ 3=V CEQ 4=V BEQ 1+V BEQB1 +V R 1=0,6+ 0,6+2=3.2V Công suất tiêu tán Q3, Q4 là: −3 PttQ 3=PttQ 4=V CEQ I CQ3=3,2.1 10 =3.2mW Chọn Q3, Q4 thỏa điều kiện sau: I C > ( ) I CQ3 =2 mA V CE >V CEQ3 =3,2V P> ( ) P tt Q3=6,4 mW  Tra cứu Datasheet ta chọn Q3 2SC1815 ,Q4 2SA1015: 2SC1815 2SA1015 Tính R5, R7, R8, R6 : I 1mA CQ3 Dòng tĩnh cực B Q3: I BQ 3= β = 150 =6,67 μA Q3 Dòng qua R5, R7 : I R ≫ I BQ =¿ I R 5=15 I BQ 3=0,1 m A Khi mạch hoạt động bình thường Q3, Q4 tắt nên I R max =3,92 A ¿>V R max =I R max R 1=3,92.0,4=1,568V R5 + R7 = V R max 1,568 = =15,68 KΩ I R5 0,1 m A R 7= V BEQ3 0,4 = =4 KΩ I R5 0,1 m A Chọn R7= 4,7KΩ ¿> R 5=15,68 k−4,7 k =10,98 KΩ Chọn R5= 10KΩ  Chọn : R7=R8= 4,7KΩ, R5=R6= 11KΩ Tính toán VR3 : ¿ r be 6=r be 6+ ( 1+ β ) R 10=r be +151.35 −3 VT 25 10 ¿ =446 Ω=¿r be 6=5,73 K Ω Với r be 6=β I =150 −3 8,4 10 CQ r co 6=r 06 ¿ r co 5=r 05 (1+ r be 5=β β VR ) rd /¿ R 9+ r be5 +VR VT 25 10−3 =150 =446Ω I CQ 8,4 10−3 rd = ¿>r co 5= VT 25 = =2,98 Ω I CQ 8,4 VT +Vce 150 83,3 (1+ ) I CQ5 2,98/¿ 8+558+ 83,3 ¿ 92,5 KΩ Trở tải Q6 : Z L/Q 6=hie 1+ ( 1+ β ) ( R ∕ / ( r beB + R ) ) + ( 1+ β ) ( 1+ β QB ) RL hie 1=r be1= β1 VT I EQ Q hieB =r beB 1=β QB =75 VT I EQB Q 25 =506,7 Ω 3,7 =55 25 =27,5 Ω 50 ¿> Z L/ Q 6=506,7+ ( 1+ 75 ) ( 220 ∕ / ( 27,5+0,4 ) ) + ( 1+75 ) ( 1+55 ) ¿ 36,44 KΩ ZinB B 2=Z L/Q 2=72,88 KΩ ¿> Z ∑ Q 6=Zin B B /¿ r co5 /¿ r co =9,8 KΩ ¿> A V 6=β Z∑ Q 9,8 =150 =256,5 ¿ r be 5,75 Sơ đồ tương đương tầng thúc r be 7=β Q VT 25 =200 =8,93 KΩ I CQ7 0,56 Zin=120 KΩ Khi chưa có hồi tiếp : ZinQ7 = Zin//r be 7=8,31 KΩ ZinQ =r be + ( 1+ β Q6 ) R 10=5,73 K Ω ( Zin¿¿ Q 6/¿ R 14)+ R 13=32,8 K Ω ¿ Vì r ce ≫8,93 K Ω=¿ Z ∑ Q 7=32,8 K Ω Hệ số khuếch đại Q7 chưa hồi tiếp : AV =β Z∑ Q 32,8 =200 =789 ZinQ 8,31 Vì Q1, Q2 QB1, QB2 mắc kiểu C chung nên Av=1 Hệ số khuếch đại vòng hở mạch: Av=A V A V A VQB 1−Q A VQB 2−Q 7=789.256,5 1=202481 Hệ số khuếch đại có hồi tiếp : A vht= VR (1) VR 3+ R 12 Hệ số khuếch đại mạch : Chọn V ¿ =0.5 V A'v = V Av 31 = L= =43,8 1+ Av A vht V ¿ 0,5 √ ¿> A vht =0.0228(2) Từ (1) (2) ¿>VR 3=256 Ω  Chọn VR3 = 1k Ω sau tinh chỉnh lại  Trở kháng vào : Ta có trở kháng vào chưa có hồi tiếp : R I ≈ r be 7=8,31 KΩ Khi có hồi tiếp : Rif = (1+ K Kht ) R I =1,4 MΩ - Tính tụ: Cho băng thơng từ 30Hz-20KHz Tụ C5 tụ liên lạc tín hiệu vào, tín hiệu vào nhỏ nên để tín hiệu khơng bị giữ tụ : 120 Chọn X C = 50 Zin= 50 =2,4 KΩ Chọn tần số cắt nhỏ 30Hz ¿>C 5= 1 = =2,21 F πf X C 2.3,14 30 2400  Chọn C5 = 0,47 μF /100 V Tụ C3 thoát xoay chiều cho cầu hồi tiếp VR3, R12 Chọn C3 cho tỉ số hồi tiếp phụ thuộc vào VR3, R12 sụt áp xoay chiều C3 nhỏ nhiều so với VR3 256 Chọn X C = 10 VR3= 10 =25,6 Ω ¿>C 3= 1 = =207,3 μF πf X C 2.3,14 30 25,6  Chọn C3 = 220 μF /100 V Tụ C4 tụ lọc nguồn tầng nhận tín hiệu vào chống dao động tự kích 2M Chọn X C 4= 10 R 15= 10 =200 KΩ ¿>C 4= 1 = =0.02uF πf X C 2.3,14 30 200000  Chọn C4 = 0,1 μF /100 V Tụ C2 tụ thoát xoay chiều Q6 50 Chọn X C = 10 R 11= 10 =5 Ω ¿>C 2= 1 = =1061,6 μF πf X C 2.3,14 30  Chọn C2 = 1000 μF /50 V Tụ C1 tụ đưa tín hiệu loa, để tín hiệu không bị giữ lại tụ Chọn X C 1= 10 RL= 10 =0,8 Ω ¿>C 1= 1 = =4700 μF πf X C 2.3,14 30 0,8  Chọn C1 = 3000 μF /50V Tụ CX2 tụ chống dao động tự kích định cắt tần số cắt cao cho mạch Vì tụ có chức cắt dãy tần cao nên điện dung tụ nhỏ :  Chọn CX2 = 100pF Tính mạch lọc ZobelCX , R 18: Cấu tạo loa gồm cuộn cảm điện trở có Z L =RL + j ω L Như vậy, trở kháng loa phụ thuộc vào tần số Khi tần số cao trở kháng loa lớn dẫn đến méo tín hiệu.Mạch lọc Zobel mạch ổn định trở kháng loa không đổi tần số cao C mắc nối tiếp với R tất mắc song song với tải RL Ở tần số cao tụ ngắn mạch giảm tải ngõ tức X L ↑ , X C ↓=¿ RL khơng đổi Ta có: Z L =( R 18+ j ω C )/¿( RL+ j ω L) (¿ R 18+ j ω1C ).( RL+ j ω L) = R 18 RL+ R 18 j ω L+ jωRLC + CL R 18+ + RL+ jω L j ωC R 18+ + RL+ j ω L j ωC Để không phụ thuộc vào tần số Z L =RL ¿> R 18 RL+ R 18 j ω L+ ¿> { RL L RL + =R18 RL+ + RL + j ω L RL jω C C jω C L =RL C R 18 j ω L= j ω L RL=¿ R 18=RL=8Ω Vì L loa thường nhỏ ≈ 0,1 μH ¿>CX 1=  Chọn CX1= 10nF, R18 = 8,2Ω Kiểm tra độ méo phi tuyến: −6 L 0,1.10 = =6,25 nF 64 RL Trong mạch BTT làm việc chế độ A, có QB1, QB2 làm việc chế độ AB nên méo phi tuyến mạch chủ yếu QB1, QB2 định Giả sử tín hiệu vào hình sin Vin = 0.5V Lúc điện áp đặt lên tiếp giáp BE QB1: V BE1 ( t )=V BE Q +V BEm sinωt Có V BE1 Q= 0,6 V V BEm=V BE p−V BE 1Q =0,86−0,6=0,18 V Gọi I C dòng rỉ QB1, QB2 : I C=I C e Khai triễn y=e V BEm sinωt VT V BE 1Q VT e V BEm sinωt VT theo chuỗI Taylor: ( ) y=1+ V BEm V BEm sinωt + sin ωt +… VT VT Méo phi tuyến chủ yếu hài bậc cao gây Loại hài bậc cao biến đổi sin ωt= 1−cos 2ωt ta được: ( ) y=1+ V BEm V BEm V BEm + sinωt − cos ωt VT VT VT √∑ n Theo định nghĩa méo phi tuyến: { Trong : γ= i=2 Iℑ I 1m I m :thành phần dòng I ℑ :biên độ hài Loại bỏ hài bậc cao ta được: V BEm γ= I m VT V BEm = = I m V BEm VT VT Khi chưa có hồi tiếp: γ= V BEm 0,18 = =2,6 VT 4.0,025 γ ' Khi có hồi tiếp: γ = (1+ gm R )g L A 202481 v g: độ sâu hồi tiếp: g= ( 1+ A v A vht ) = A ' = 43,84 =4618,3 v gm hỗ dẫn : gm = γ' = β QB r be/QB = I E 1Q 50 = =2 VT 25 γ 2,6 = =0,0003 %