Tổng hợp graphene bằng phương pháp nhiệt thăng hoa trên đế sic và khảo sát độ nhạy với khí no2

I H C QU C GIA THÀNH PH H CHÍ MINH TR NGă I H C BÁCH KHOA  NG QU C TU N T NG H P GRAPHENE B NGăPH NGăPHÁPăNHI T TH NGăHOAăTRÊNă SiC VÀ KH OăSÁTă NH Y V I KHÍ NO2 EPITAXIAL GRAPHENE GROWTH ON SILICON CARBIDE BY SUBLIMATION PROCESS AND INVESTIGATION OF GASEOUS NO2 SENSITIVITY Chuyên ngành: K thu t hóa h c Mã s : 8520301 LU Nă↑ NăTH CăS TP H CHÍ MINH, tháng 08 n mă2022 CỌNGăTRÌNHă TR Cán b h NGă C HOÀN THÀNH T I I H C BÁCH KHOA ậ HQGă-HCM ng d n khoa h c: TS Tr n Th y Tuy t Mai ầầầầầầă Cán b ch m nh n xét 1: TS Nguy n M nh Hu n Cán b ch m nh n xét 2: TS Nguy nă↑ năD ng Lu năv năth căs ăđ c b o v t iăTr ngă Tp HCM ngày tháng n mă2022.ă i h c Bách Khoa,ă HQGă Thành ph n H iăđ ngăđánhăgiáălu n v năth căs ăg m: PGS.TS Nguy n Quang Long .- Ch t ch h iăđ ng TS Nguy n M nh Hu n .- y viên ph n bi n TS Nguy nă↑ năD ng - y viên ph n bi n TS Nguy n Qu c Thi t - y viên TS Ngơ Tr năHồngăD ng - Th ăkỦ Xác nh n c a Ch t ch H iăđ ngăđánhăgiáăL↑ăvàăTr ng Khoa qu n lý chuyên ngành sau lu năv năđưăđ c s a ch a (n u có) CH T CH H Iă NG TR NG KHOA K THU T HÓA H C i I H C QU C GIA TP HCM TR NGă I H C BÁCH KHOA C NG HÒA Xà H I CH NGH Aă VI T NAM c l p ậ T ậ H nh phúc NHI M V LU NăV NăTH CăS H tên : NG QU C TU N MSHV : 1970654 Ngày sinh : 21/04/1993 N iăSinhă: TP H Chí Minh Chuyên ngành : K thu t Hóa h c Mã s : 8520301 1.ăTênăđ tài: T ng h p graphene b ngăph ng pháp nhi tăth ngăhoaătrênăđ SiC kh oăsátăđ nh y v i khí NO2 (Epitaxial graphene growth on silicon carbide by sublimation process and investigation of gaseous NO2 sensitivity) Nhi m v n i dung lu năv n -ăPhátătri năquyătr̀nhăch ăt oăv tăli uăgrapheneătrênăđ ăn năSiCăth ngăm i - Kh oăsátă nhăh ngăc aăc ngăđ ăd̀ngăđi năs ăd ngăvàăth iăgianăápăd̀ngăđi nă đ năb ăm tăv tăli uăgraphene/SiC t ngăh p -ă cătr ngăv tăli uăb ngăph shift ngăphápă nhăch păSEM,ăSEM-EDX, AFM, Raman - ánhăgiáăkh ăn ngăc măbi năkh́ăNO2/N2ă(n ngăđ ăNO2 12 ậ 40 ppm) trênăcácă v tă li uă t ngă h p,ă ă v̀ngă nhi tă đ ă th pă (30ă ậ 150 C) uă ki nă ph̀ngă th́ă nghi m -ăSoăsánhăk tăqu ănghiênăc uăđưăđ tăđ căv iăcácăcôngătr̀nhăkhácăvàăđ ăxu tăti mă n ngăth ngăm iăh́aătrongăvi căs ăd ngăv tăli uăgraphene/SiCăd̀ngăc măbi năkh́ă NO2ă ăv̀ngănhi tăđ ăth p Ngày giao nhi m v : 06/09/2021 Ngày hoàn thành nhi m v : 22/05/2022 Cán b h ng d n: TS TR N TH Y TUY T MAI N i dung yêu c u Lu nă↑ năTh căS ăđưăđ c thông qua b mônăK ăThu tăH́aă LỦăậăPhânăT́ch Tp HCM, ngày tháng n m 2022 CÁN B H NG D N CH NHI M B MỌNă ÀOăT O (H tên ch ký) (H tên ch ký) TS Tr n Th y Tuy t Mai PGS.TS Nguy n Quang Long TR NG KHOA K THU T HÓA H C (H tên ch ký) ii L I C Mă N u tiên em xin g i l i c mă năchânăthànhăđ n Ban giám hi uătr ngă i h c Bách Khoa thành ph H Ch́ăMinhăđưăt oămôiătr ng thu n l i cho em su t th i gian h c t p t iătr ng Em xin chân thành c mă năcácăth y cô khoa K thu t hóa h căđư giúp đ em v ki n th c trình h c t p, th c hi n lu năv n.ă c bi t em xin c m năcôăTr n Th y Tuy tăMaiăđưăt năt̀nhăh ng d n em su t trình làm lu n v n ng th i,ăemăc ngăxinăchânăthànhăc mă năt t c anh ch em t i Trung tâm nghiên c u tri n khai Khu công ngh cao, nh ngăng iăđưăluônăgiúpăđ ,ăđ ng viên em th i gian làm vi c, th c hi n lu năv n.ă Do ki n th c th i gian th c hi n lu nă v nă ćă h n nên cu n lu nă v nă nàyă nhi u h n ch R t mong nh năđ c s đ́ngăǵpăỦăki n c a q th y b năđ lu năv năđ c hoàn thi năh n iii TÓM T T ↑i căphátăhi n x ălỦăcácăkh́ăgâyăh iăđ năs căkh eăconăng đ i v năđ đangă c quan tâm hi nănay.ăTrongăđ́ăv tăli uăc m bi n khí phát hi n dioxide (NO2) l a ch n mà gi iă phápă môiă tr này,ăchúngătôiăđưăs d ngăph ng c n quan tâm nghiên c u Trong lu nă v nă ngăphápănhi tăth ngăhoaătrênăđ ăSiCăth t ng h pămàngăm ngăgrapheneănh m ng d ng ch t o c m bi năkh́ă(đ ngăm iăđ căkỦăhi uă GS) Các phân tích Raman,ă nhă ch pă SEM,ă thànhă ph n nguyên t b ng k thu tă SEM-EDX,ăầăđưăch ngăminhăs ăh̀nhăthànhăc aăl pămàngăm ngăgrapheneătrênăđ ă n năSiC.ăCácăkh oăsátă nhăh ngăc aănhi tăđ ălàmăvi că(30,ă100,ă150ăC)ăvàăn ngă đ ă kh́ă NO2 (12, 18 vàă 40ă ppm)ă đ nă s ă thayă đ iă nă tr ă c mă bi nă đưă đ nghi m.ă că th ă ănh yăkh́ăSNO2 vàăch ăs ăh iăph căRIăc aăv tăli uăt ngăh păGS3ăkhiăc mă bi nălàmăvi că ă100ăC,ă40ăppmăl năl tălàă4%ăvàă104.3%.ăK tăqu ăghiănh năv tăli uă GS3ă ćă SNO2ă vàă RIă t tă h nă soă v iă m tă s ă v tă li uă màngă m ngă grapheneă khácă đưă đ căbáoăcáo iv ABSTRACT Detecting and treating harmful gases to human health are much concerns, nowadays NO2 gas-sensor is one of attracted options for environmental issues In this work, heat sublimation process via control of directly applied current intensity in commercial SiC substrate was utilized for selective development of graphene layers on the substrate Additionally, aging time was also study to observe the growth of graphene layers on SiC substrate Three prepared samples of layergraphene/SiC denoted by GS1, GS3 and GS4 would be characterized and sequently conducted gas sensoring with NO2 Evidences from Raman spectroscopy analysis, SEM images, SEM-EDX technique for elemental composition and AFM analysis revealed few layers of graphene grown on SiC substrate over the three GS1, GS3 and GS4 More defects exhibited on the surface of GS1 prevented its application in NO2-gaseous sensor testing The effects of working temperature (30, 100, 150 C) and NO2ăconcentrationă(12,ă18ăvàă40ăppm)ăonăgasăsensitivityăwereăinvestigated over GS3 and GS4 Noticeably, the change in resistance of GS materials under NO2 exposure was used to evaluate the performance of the synthesized GS ones Sensitivity of gaseous NO2 (SNO2) and recovery index (RI) for GS3 were 4% and 104.3%, respectively at 100 C of working temperature and 40 ppm of NO2/N2 GS3 presents better performances of SNO2, RI and fast reponse time than that from other graphene-sensor reports in detections of pollutant NO2 This reveals a feasiable fabrication of GS3-gaseous sensor in Viet Nam v L IăCAMă OAN Lu nă v nă nàyă đ c th c hi nă d is h ng d n khoa h c c a TS Tr n Th y Tuy tăMai.ăTôiăxinăcamăđoanănh ng s li u trình lu năv nănàyăhồnă tồn trung th c, thông tin tham kh o lu năv nănàyăđ uăđưăđ c trích d n ngu n g c rõ ràng Tơi xin ch u hồn tồn ch u trách nhi m v lu năv năc a Thành ph H Ch́ăMinh,ăngàyăầ.thángăầ n mầầ Ch ký h c viên ng Qu c Tu n vi M CL C NHI M V LU NàVĂNàTH CàSĨ .i L I C Mà N ii TÓM T T iii ABSTRACT iv L IàCáMàĐOáN v M C L C vi DANH M C B NG viii DANH M C HÌNH ix DANH M C CH VI T T T x M Đ U C à 1.1 V t li 1.2 V t li u graphene 1.3 C n n SiC à t o v t li u graphene 1.3.1 P à 1.3.2 P à 1.3.3 P à à à à ànhi à c à à à 10 11 ng h p graphene n n SiC 11 1.4 P 1.5 C 1.6 M t s cơng trình nghiên c u 16 1.7 Tính m C 2.1 lý thuy t kh o sát nh y khí NO2 15 à à à o 17 TH C NGHI M 19 T ng h p v t li u graphene 19 2.1.1 X lý b m t m u: 19 2.1.2 T ng h C 2.2 à à à à t li u 22 à n t quét SEM (Scanning Electron Microscope) 22 P à 2.2.2 P à 2.2.3 P à à y khí NO2 c a c m bi Đ à à n n SiC 20 2.2.1 2.3 C T NG QUAN à Raman 23 n vi l c nguyên t 24 àGSà 26 K T QU VÀ BÀN LU N 30 vii 3.1 Đ à t li u graphene 30 3.2 K t qu kh o sát y u t ng q trình nh y khí 37 3.2.1 Kh o sát àGS àGS à 3.2.2 Kh o sát 3.2.3 So sánh v i cơng trình khác 47 K T LU N VÀ KI N NGH 49 C ng c a nhi à à à à à àNO2à 37 ng n khí NO2 44 4.1 K T LU N 49 4.2 KI N NGH 50 CƠNG TRÌNH KHOA H C 51 TÀI LI U THAM KH O 52 LÝ L CH TRÍCH NGANG 55 viii DANH M C B NG B ngă 3.1:ă i u ki n thí nghi m nh SEM c a m u graphene (graphene sensor, GS) 30 B ng 3.2: Giá tr n tr ,ăđ nh yăphátăhi năkh́ăNO2 (SNO2) ch s ph c h iă(RI)ă c aă v tă li uă c m bi nă GS3ă ă m tă s ă nhi tă đ ă làmă vi că khácă nhau,ă n ng đ NO2ă trongăkh́ăN2ălàă40ppm.ăRIjăt ngă ngăđ ăph căh iăc aăv tăli uăc măbi năkhiăk tăthúcă chuăk ăj 37 B ng 3.3: Giá tr n tr ,ăđ nh yăphátăhi năkh́ăNO2 (SNO2) ch s ph c h iă(RI)ă c aă v tă li uă c m bi nă GS4ă ă m tă s ă nhi tă đ ă làmă vi că khácă nhau,ă n ngă đ NO2ă trongăkh́ăN2ălàă40ppm.ăRIjăt ngă ngăđ ăph căh iăc aăv tăli uăc măbi năkhiăk tăthúcă chuăk ăj 40 B ng 3.4: Giá tr n tr ,ăđ nh yăphátăhi năkh́ăNO2 (SNO2) ch s ph c h iă(RI)ă c aăv tăli uăc m bi năGS3ă ănhi tăđ ălàmăvi că150 oC, n ngăđ NO2ătrongăkh́ăN2 khác RIjăt ngă ngăđ ăph căh iăc aăv tăli uăc măbi năkhiăk tăthúcăchuăk ăj 44 B ng 3.5: So sánh k t qu kh o sát c a nghiên c u v i cơng trình khác 47 41 30 C 100 C 42 150 C Hình 3.7: S thay đ i n tr c a c m bi n ẢS4 chu k làm vi c khác N ng đ NO2 40 ppm; nhi t đ làm vi c c a ẢS4 30 C, 100 C 150 C Hình 3.7 ghiănh năs ăthayăđ iăđi nătr ăc aăc măbi năGS4ă ăcácăchuăk ălàmă vi căkhácănhauăv iăn ngăđ NO2 40 ppmăvàănhi tăđ ălàmăvi căc aăGS4ă ă30ăC, 100 Căvàă150ăC K t qu thí nghi m Hình 3.7 cho th y gi m xu t hi n khí NO2,ătuyănhiênăđ 30 oC,ăđi n tr c m bi n ng bi u di n s ăthayăđ iăđi nătr ătrongă quáătr̀nhăti păxúcăv iăNO2 điăxu ng có đ ăd căth pă(soăv iăm uăGS3)ă góc tù l năvàăkhơngăđ u dù n tr khơngăđ n ngăđ khí Khi gi i h păđ ph c h i c m bi n, c tr v giá tr banăđ u tr i qua nhi u chu kì th̀ăgiáătr ăđi nătr ă t iăm iăđ uăchuăk ăm i gi m r tăđángăk ăsoăv iăR0 (th hi n qua giá tr RI gi m kho ng 0.7% qua m iăchuăk̀).ă i uăđ́ăchoăth y nhi tăđ phòng, v t li u GS4 ćăđ nh y khí NO2ăkhơngăcaoăvàăkh n ngăph c h i kháăth p 100 oC 150 oC,ăđi n tr gi m r tănhanhăch́ng,ăđápă ng l p t c tín hi u xu t hi n NO2.ăCácăv̀ngăđáyăđ u ăcùng n ngăđ khí kh o sát S150oC = 6.8% > S100oC = 4.5% cho th y 150 oC th hi n tín hi u t tă h nă 100 oC Tuy 43 nhiên, gi i h p ph c h i c m bi n 100 oC 150 oC cho giá tr n tr ngày gi m d n (ch s RI gi m qua m i chu kì, l năl tăt ngă ng v i 100 oC 150 oC ~0.4% ~0.7%) H̀nhă3.6ăvàă3.7ăchoăth yăđi nătr ăc aăv tăli uăGS4ăcaoăg pă~2ăl năsoăv iăđi nă tr ăc aăv tăli uăGS3ăt ngă ngă ăc ă3ăch ăđ ănhi tăđ ălàmăvi că(30,ă100ăvàă150ăC)ă ph năánhăkh ăn ngăd năđi năc aăv tăli uăGS3ăt tăh năsoăv iăv tăli uăGS4.ăK tăqu ă nàyăph̀ăh păv iăm căđ ăđ ngăđ uăkháăcaoăc aăb ăm tăm uăGS3ăsoăv iăb ăm tăm uă GS4 thơngăquaă nhăch păSEM (B ngă3.1).ăK tăqu ănàyăhồnăph̀ăh păv iăk tăqu ă phânăt́chăthànhăph nănguyênăt ăt ăEDXăkhiăt ăs ănC/nSiălàă3.3ătrênăb ăm tăm uăGS3ă caoăg pă1.3ăl năsoăv iăgiáătr ăt ăs ănC/nSi (2.5) đ căghiănh nătrênăGS4 44 3.2.2 Kh o sát nhăh ng n ngăđ khí NO2 B ng 3.4: Giá tr n tr , đ nh y phát hi n khí NO2 (SNO2) ch s ph c h i (RI) c a v t li u c m bi n ẢS3 khác RIj t nhi t đ làm vi c 150 oC, n ng đ NO2 khí N2 ng ng đ ph c h i c a v t li u c m bi n k t th́c chu k j N ngăđ NO2 (ppm) d̀ngăkh́ăN2 40 18 12 Ro () 38.6 37.7 37.7 5.3 4.8 4.5 RI1 (%) 100.4 101.3 100.9 RI2 (%) 99.4 100.9 100.8 RI3 (%) 99.1 100.8 100.8 RI4 (%) 98.7 100.7 100.4 RI5 (%) 98.6 100.6 100.4 RI6 (%) 98.4 100.4 100.3  45 40 ppm 18 ppm 46 12 ppm Hình 3.8: S thay đ i n tr c a c m bi n ẢS3 Nhi t đ làm vi c c a ẢS3 chu k làm vi c khác 150 C N ng đ NO2 40 ppm, 18 ppm 12 ppm Hình 3.8 ghi nh năs ăthayăđ iăđi nătr ăc aăc măbi năGS3ă ăcácăchuăk ălàmă vi că khácă nhau.ă Nhi tă đ ă làmă vi că c aă GS3ă ă 150ă C N ngă đ NO2 40 ppm, 18 ppm 12 ppm K t qu cho th y gi i h p 150 oC th iăgianăt ngăđ i (chúng th c hi n ti ng), giá tr n tr R0 g nănh ănhau (38.6; 37.7 37.7 ), cho th yăđ ph c h i c m bi n graphene t t 4.8 4.5% l năl tt đ khí NO2 có nhăh nhi tăđ cao nh y SNO2 5.3; ng ng v i n ngăđ NO2 40, 18 12 ppm ph năánh n ng ng đ n kh n ngănh y khí c a c m bi n GS3 47 3.2.3 So sánh v i cơng trình khác B ng 3.5: So sánh k t qu kh o sát c a nghiên c u v i cơng trình khác Tên m u Nhi tăđ làm vi c (C) GS3 100 N ng nh y đ NO2 kh́ăt ng kh o đ i S (%) sát 40 ppm 4.0 GS3 100 18 ppm 4.8 100.4 120 GS4 C m bi n graphene t ng h pătrênăđ n n SiC,ăđ căđ t chén nung Ta Ar 12001600C C m bi n graphene t ng h p t graphene oxideăđ c kh b ng hydrazine 300 C 100 40 ppm 4.5 99.7 120 100 ppb 3.1 98 6000 100 ppb 8.8 93.2 7000 100 ppb 9.4 9.4 8000 300 16 ppm 8.5 73 RI (%) Th i gian h i ph c (giây) 104.3 120 Hình 3.9: Ph n ng ti p xúc v i h n h p khí ch a khí NO2 graphene đ c phát tri n b ng cách 500 Tài li u tham kh o Cơng trình [30] [38] 100oC đ i v i Ar [30] 48 Hình 3.10: Ph n ng ti p xúc v i h n h p khí ch a khí NO2 graphene đ c phát tri n t graphene oxide đ 300oC đ i v i c kh b ng hydrazine [38] 49 Ch 4.1 ngă4 K T LU N VÀ KI N NGH K T LU N ưăkh oăsátăch ăđ ăc - ngăđ ăd̀ngăđi nă(45ămA)ăvàăth iăgianăc păd̀ngăđi nă choăquáătr̀nhăh́aăh iăSiăvàăSiyCxătrênăn năSiCăth ngăm i - ưăt ngăh păthànhăcôngăv tăli uămàngăm ngăgrapheneătrênăđ ăn năSiC - ưă kh oă sátă đ că tr ngă v tă li uă b ngă ph ngă phápă nhă ch pă SEM,ă SEM- EDX,ăphânăt́chăRamanăshift, AFM M uăGS3ăvàăGS4ăćăc cm-1ăth păx păx ăđ ngăđ ăDăbandă ă1357ă ngăn n.ăT ăs ăI2D/IGăvàoăkho ngă0.76ăvàă0.85ăl năl tăđ căghiă nh nătrênăGS3ăvàăGS4.ăK tăqu ăph năánhămàngăm ngăc aăm tăvàiăl păgrapheneăđưă đ căh̀nhăthànhătrênăđ ăn năSiC - Kh ă n ngă phátă hi nă nhanhă NO2ă 40ă ppmă trênă GS3ă vàă GS4ă đưă đ că th ă nghi măvàăk tăqu ăkh ngăđ nhăc ă2ăm uănàyăđ uăćăth ăc măbi năNO2 ưăkh oăsátă nhăh ngăc aănhi tăđ ălàmăvi căđ năkh ăn ngăc măbi năNO2ăc aă GS3ăvàăGS4.ăK tăqu ăghiănh năv tăli uăGS4ăv iăk tăc uăb ăm tăkémăđ ngăđ uăh nă GS3ăchoăk tăqu ăv ăđi nătr ăcaoăg pă2ăl năsoăv iăđi nătr ăc aăv tăli uăGS4ă ăc ă3ă ch ăđ ănhi tăđ ălàmăvi că(30,ă100ăvàă150ăC) ăđápă ngănh yăkh́ă(SNO2)ăvàăđ ăph căh iă(RI)ăc aăGS3ă ănhi tăđ ălàmăvi că 150 Căl năl tălà 5.3% t 98.5%ăđ n 100.4% qua chu k ăGiáătr ăSNO2ăvàăRIă c aăGS4ă ă150ăoCăl năl ưăđánhăgiáă nhăh tălàă6.8% thayăđ iăt 98.6%ăđ n 100.5% qua chu k ngăc aăn ngăđ ăNO2ăđ năkh ăn ngănh yăkh́ăc aăGS3ă 150 C.ăK tăqu ăchoăth yăkhiăt ngăn ngăđ ăNO2ăt ă12;ă18ăvàă40ăppmăgiáătr ăSNO2 t ngăt ă4.5ălênă5.3ă%ă vàăgiáătr RIăgi măt ă ~100%ă xu ngă ~98%ăsauă6ăchuăk ăth ă nghi m Th iăgianăc măbi năNO2ătrênăGS3ă ngăv iă12ăppmăNO2ălàă95ăgiây.ăTh iăgiană c măbi năc aăGS3 trongăđi uăki năkh oăsátănàyăch ăvàoăkho ngă1/5ăth iăgianăphátă hi nă16 ppm NO2ătrênăh ăc măbi năRGO 50 Th i gian ph c h i c a GS3 120 giây 100C, qua nhi u chu k làm vi căđi n tr ph c h i g nănh ăhoànătoànăv giá tr banăđ u R0 Th i gian ph c h i c a cơng trình tr c r t lâu (500 giây, t 6000ăđ nă8000ăgiây),ăđi n tr gi m nhi u qua nhi u chu k làm vi c ă xu tă v tă li uă GS3ă t ngă h pă làă v tă li uă phátă hi nă nhanhă NO2ă trongă v̀ngă n ngăđ ă12ăậ 40ăppm,ăv iănhi tăđ ăc măbi năt ă30ăậ 150 C 4.2 - KI N NGH Kh o sát ch t o v t li u nhi uăđi u ki năkhácănhauă(t ngăgi măc ngăđ d̀ngăđi n/nhi tăđ ,ăt ngăgi m th i gian ph n ng, ầ)ăđ t iă uăđ nh y c a c m bi n - Kh o sát thayăđ i nhi tăđ làm vi c c a c m bi n đ t iă uăbàiătoánăkinhăt vàăn ngăl - ng Phát tri năđ nhăl ng n ngăđ khí NO2 c a v t li u c m bi n thông qua nhi u th nghi m v i n ngăđ khí khác (10, 20, 30 60ăppm)ăt v i t ngăđ nh y SNO2 nh m xây d ngăđ - Phát tri n h th ng th (ppb) ngă ng ng chu n n ngăđ khí ậ đ nh y nghi m phát hi n NO2 vùng n ngă đ th p 51 CƠNG TRÌNH KHOA H C T M Tran-Thuy, H H Lam, Q T Dang, T S Phan, D N Truong-Pham, V D Nguyen and T Dang-Bao,ă“Heterogeneousăcatalyticăozonationăofăacidăblueă62ăoveră nanorod Fe-OMS-2,”ă Chemical Engineering Transactions, vol 78, pp 385-390, 2020 N T Nguyen, Q T Dang, V D Nguyen and T M Tran-Thuy.ă “Iron doped cryptomelane: morphological alternation and efficient catalytic performance in ozonation of Acid Blue 62,” at The Japan Institute of Metals and Materials, Mar 26, 2022 52 TÀI LI U THAM KH O [1] "Air Quality Guide for Nitrogen Dioxide." United States Enviromental Protection Agency [Online] Available: https://www.airnow.gov/sites/default/files/2018-06/no2.pdf, 2021 [2] "Outdoor air pollution." European Lung Foundation [Online] Available: https://europeanlung.org/en/information-hub/keeping-lungs-healthy/outdoorair-pollution/, 2021 [3] "Protection of groundwater against pollution." European Union [Online] https://eur-lex.europa.eu/legalAvailable: content/EN/TXT/?uri=LEGISSUM%3Al28139, 2021 [4] "Air." European Commission [Online] Available: https://ec.europa.eu/environment/air/quality/existing_leg.htm, 2021 [5] M Hjiri, et al.,ă “NO2 selectiveă sensoră basedă onă -Fe2O3 nanoparticles synthesized via hydrothermală technique,” Sensors, vol 19, no 1, pp 167, 2019 [6] T T N Hoa, et al., “HighlyăselectiveăH2S gas sensor based on WO3-coated SnO2ă nanowires,” Materials Today Communications, vol 26, pp 102094, 2021 [7] N L Kazanskiy, et al.,ă “Carbonă dioxide gas sensor based on polyhexamethylene biguanide polymer deposited on silicon nano-cylinders metasurface,” Sensors, vol 21, no 2, pp 378, 2021 [8] R Nohria, et al.,ă “Humidityă sensoră basedă onă ultrathină polyanilineă filmă deposited using layer-by-layer nano-assembly,” Sensors and Actuators B: Chemical, vol 114, no 1, pp 218-222, 2006 [9] "Silicon Carbide: Properties, Production, and Applications." Matmatch [Online] Available: https://matmatch.com/learn/material/silicon-carbide, 2021 [10] I Shtepliuk, et al., “Combiningăgrapheneăwithăsiliconăcarbide:ăsynthesisăandă propertiesậaăreview,”Semiconductor Science and Technology, vol 31, no 11, pp 113004, 2016 [11] IIăJeăYu.ă“SiliconăCarbide”ăinăIARC Monograph, vol.111, pp 243-313, 2017 [12] →.ă Zhou,ă Y.ă Zhang,ă X.Niu,ă andă G.ă Min.ă “One-dimensional SiC nanostructures:ăSynthesisăandăproperties,”ăSpringer, pp 17-59, 2008 [13] U.ă ↑etter.ă “Lanthanide doped wide band gap semiconductors: Intra-4f luminescenceă andă latticeă locationă studies,”ă Doctoral dissertation, Göttingen, Univ., Diss , 2003 53 [14] E.ă Fredă Schubert.ă “Historyă ofă light-emittingă diodes.”ă Cambridge University Press [Online] Available: http://assets.cambridge.org/052182/3307/excerpt/0521823307_excerpt.pdf, 2021 [15] H.ă K.ă Natarajan.ă “Studyă ofă siliconă carbide-reinforced aluminum matrix compositeă brakeă rotoră foră motorcycleă application,” The International Journal of Advanced Manufacturing Technology, vol 94, no 1, pp 1461-1475, 2018 [16] K Nassau.ă“Syntheticămoissanite:ăAănewăman-madeăjewel,” Current Science Bangalore, vol 79, no 11, pp 1572-1577, 2000 [17] S E Saddow.ă“SiliconăCarbide Technology for Advanced Human Healthcare Applications,” Micromachines, vol 13, no 3, pp 346, 2022 [18] A Armano and S.ă Agnello.ă “Two-dimensional carbon: a review of synthesis methods, and electronic, optical, and vibrational properties of single-layer graphene,” C, vol 5, no 4, pp 67, 2019 [19] "Electronics." Graphene-info [Online] Available: https://www.grapheneinfo.com/tags/Graphene-applications/electronics, 2021 [20] "Graphene thermal conductivity - introduction and lastest news." Grapheneinfo [Online] Available: https://www.graphene-info.com/Graphene-thermal, 2021 [21] "Photonics." Graphene-info [Online] Available: https://www.grapheneinfo.com/tags/Graphene-applications/photonics, 2021 [22]ăR.ăRudrapati.ă“Graphene:ăFabricationămethods,ăproperties,ăandăapplications in modernăindustries,” Graphene Production and Application, pp 9-22, 2020 [23] M Losurdo, et al., “Grapheneă C↑Dă growthă onă copperă andă nickel:ă roleă ofă hydrogenă ină kineticsă andă structure,” Physical Chemistry Chemical Physics, vol 13, no 46, pp 20836-20843, 2011 [24] A Azizi, et al., “Adsorptionă performanceă ofă modifiedă grapheneă oxideă nanoparticles for the removal of toluene, ethylbenzene, and xylenes from aqueousă solution,” Desalination and Water Treatment, vol 57, no 59, pp 28806-28821, 2016 [25] N Blomquist.ă “Large-Scale Nanographite Exfoliation for Low-Cost MetalFreeăSupercapacitors.”ă2016 [26] N Mishra, et al.,ă “Grapheneă growthă onă siliconă carbide:ă Aă review,” physica status solidi (a), vol 213, no 9, pp 2277-2289, 2016 54 [27] I ShtepliukKhranovskyy, et al., “Combiningă grapheneă withă siliconă carbide:ă synthesis and propertiesậaă review,” Semiconductor Science and Technology, vol 31, no 11, pp 113004, 2016 [28] N Lim, et al.,ă “Enhancedă NO2ă sensingă performanceă ofă grapheneă withă thermallyăinducedădefects,” Materials, vol 14, no 9, pp 2347, 2021 [29] D.ă Cheung.ă “Theă adverseă effectsă ofă Leă Chatelier'să principleă onă teacheră understandingă ofă chemicală equilibrium,” Journal of Chemical Education, vol 86, no 4, pp 514-518, 2009 [30] S Novikov, et al.,ă “Highlyă Sensitiveă NO2 Graphene Sensor Made on SiC GrownăinăTaăCrucible,”ăIn Materials Science Forum, vol 858, pp 1149-1152, 2016 [31] C Melios, et al.,ă “Detectionă ofă ultralowă concentrationă NO2 in complex environment using epitaxial grapheneăsensors,” ACS sensors, vol 3, no 9, pp 1666-1674, 2018 [32] Y Chabal.ă “↑ibratională Spectroscopyă andă Surfaceă Reactions.”ă Surface Science [Online] pp.2 Available: http://www2.avs.org/symposium2009/ProgramBooks/ProgramBook_Topic_SS pdf, 2022 [33] A Ben Gouider Trabelsi, et al.,ă“RamanăSpectroscopyăImagingăofăExceptională Electronic Properties in Epitaxial Graphene Grown on SiC,” Nanomaterials, vol 10, no 11, pp 2234, 2020 [34] "Graphene Number of Layers Calculator From ID/IG and I2D/IG Ratio via Raman Spectroscopy." InstaNANO [Online] Available: https://instanano.com/characterization/calculator/raman/Graphene-layers/, 2022 [35] E Moreau, et al.,ă“GrapheneăgrowthăbyămolecularăbeamăepitaxyăonătheăcarbonfaceăofăSiC,” Applied Physics Letters, vol 97, no 24, pp 241907-1 ậ 2419073, 2010 [36] A Pradeepkumar, et al., “p-Type epitaxial graphene on cubic silicon carbide on silicon for integratedă siliconă technologies” ACS Applied Nano Materials, vol 3, no 1, pp 830-841, 2019 [37] S Novikov, et al.,ă “Grapheneă basedă sensoră foră environmentală monitoringă ofă NO2,” Sensors and Actuators B: Chemical, vol 236, pp 1054-1060, 2016 [38] Y Zhou, et al.,ă “Impactă ofă furtheră thermală reductionă onă few-layer reduced grapheneă oxideă filmă andă itsă npă transitionă foră gasă sensing,”ă Sensors and Actuators B: Chemical, vol 235, pp 241-250, 2016 55 LÝ L CH TRÍCH NGANG H tên: ng Qu c Tu n NgƠy,ătháng,ăn măsinh: 21/04/1993 N iăsinh: Thành ph H Chí Minh a ch liên l c: Trung tâm Nghiên c u Tri n khai Khu Công ngh cao, lô I3, đ ng N2, Khu Công ngh cao,ăph ng Tân Phú, Tp Th c, Tp.HCM QUÁăTRỊNHă ÀOăT O B căđƠoăt o ih c N iăđƠoăt o Chuyên ngành N măt t nghi p Tr ngă HăBáchă Khoa H Chí Minh K thu t hóa h c 2019 Q TRÌNH CƠNG TÁC Th i gian V trí cơng tác T ch c cơng tác a ch T ch c 7/2019 ậ 3/2020 C ng tác viên Trung tâm Nghiên c u Tri n khai Khu Công ngh cao LôăI3,ă ng N2, Khu Công ngh cao,ăph ng Tân Phú, Tp.Th c TP.HCM 3/2020 ậ Nghiên c u viên Trung tâm Nghiên c u Tri n khai Khu Công ngh cao LôăI3,ă ng N2, Khu Công ngh cao,ăph ng Tân Phú, Tp.Th c TP.HCM ... ng h p graphene b ngăph ng pháp nhi tăth ng? ?hoa? ?trên? ?đ SiC kh o? ?sát? ?đ nh y v i khí NO2 (Epitaxial graphene growth on silicon carbide by sublimation process and investigation of gaseous NO2 sensitivity)... đưă ch t oă graphene? ? trên? ? đ SiC chén nung Ta, thu đ c graphene? ?ćăđ dày 1-3 l p, s d ng graphene làm ch t nh y khí NO2. ăNh́măđưăcơngăb c m bi n v iăđi n c c Ti/Au phát hi n khí NO2 và? ?đi u ki... n h p khí ch a khí NO2 100oCă đ i v i graphene? ?đ c phát tri n b ng cách Ar [30] 47 Hình 3.10: Ph n ng ti p xúc v i h n h p khí ch a khí NO2 300oCăđ i v i graphene? ?đ c phát tri n t graphene? ?oxideăđ