1. Trang chủ
  2. » Giáo Dục - Đào Tạo

LUẬN văn tốt NGHIỆP

66 7 0

Đang tải... (xem toàn văn)

Tài liệu hạn chế xem trước, để xem đầy đủ mời bạn chọn Tải xuống

THÔNG TIN TÀI LIỆU

Thông tin cơ bản

Tiêu đề Nghiên Cứu, Ứng Dụng Phương Pháp Đo Sâu Điện Trở Suất Trong Đánh Giá Khả Năng Và Dấu Hiệu Chứa Nước Ngầm Của Khu Vực Địa Chất (Nằm Tại Góc Giao Nhau Giữa Đường Nguyễn Sinh Sắc Và Đường Chúc Động, Tp. Đà Nẵng) Theo Hướng Đông – Tây Nhằm Phục Vụ Cho Việc Xây Dựng Công Trình Dân Dụng Tại Đây
Tác giả Hồ Thị Quyên
Người hướng dẫn Th.S Lương Văn Thọ
Trường học Đại học Đà Nẵng
Chuyên ngành Cử nhân Vật lý
Thể loại khóa luận tốt nghiệp
Năm xuất bản 2013
Thành phố Đà Nẵng
Định dạng
Số trang 66
Dung lượng 2,8 MB

Nội dung

Ngày đăng: 09/05/2022, 11:44

HÌNH ẢNH LIÊN QUAN

Bảng 1. 2: - LUẬN văn tốt NGHIỆP
Bảng 1. 2: (Trang 7)
Bảng 1.1 - LUẬN văn tốt NGHIỆP
Bảng 1.1 (Trang 7)
Hình 1.4: - LUẬN văn tốt NGHIỆP
Hình 1.4 (Trang 14)
k là tham số hình học phụ thuộc vào sự sắp xếp của 4 điện cực. - LUẬN văn tốt NGHIỆP
k là tham số hình học phụ thuộc vào sự sắp xếp của 4 điện cực (Trang 16)
Hình 1.5: Sự phân bố điện thế gây ra bởi một cặp điện cực dòng đặt cách nhau 1m, với dòng điện 1 A trong môi trường nửa không gian đồng nhất có điện trở suất 1 m - LUẬN văn tốt NGHIỆP
Hình 1.5 Sự phân bố điện thế gây ra bởi một cặp điện cực dòng đặt cách nhau 1m, với dòng điện 1 A trong môi trường nửa không gian đồng nhất có điện trở suất 1 m (Trang 16)
Hình 1.6 - LUẬN văn tốt NGHIỆP
Hình 1.6 (Trang 17)
Hình 1.6, trình bày các mô hình thiết bị thông dụng sử dụng trong thăm dò điện cùng với các tham số hình học của chúng: - LUẬN văn tốt NGHIỆP
Hình 1.6 trình bày các mô hình thiết bị thông dụng sử dụng trong thăm dò điện cùng với các tham số hình học của chúng: (Trang 18)
Đối với thiết bị bốn cực đối xứng (Hình 1.7), sự chênh lệch điện thế giữa các điện cực đo được là: - LUẬN văn tốt NGHIỆP
i với thiết bị bốn cực đối xứng (Hình 1.7), sự chênh lệch điện thế giữa các điện cực đo được là: (Trang 18)
Hình2.1 - LUẬN văn tốt NGHIỆP
Hình 2.1 (Trang 21)
Theo Hình 2.2, hàm Y0(mr) vô hạn ở gốc tọa độ do đó hai nghiệm riêng sau không thích hợp với bài toán đang xét - LUẬN văn tốt NGHIỆP
heo Hình 2.2, hàm Y0(mr) vô hạn ở gốc tọa độ do đó hai nghiệm riêng sau không thích hợp với bài toán đang xét (Trang 25)
Hình2.3: - LUẬN văn tốt NGHIỆP
Hình 2.3 (Trang 31)
Hình 3.2 - LUẬN văn tốt NGHIỆP
Hình 3.2 (Trang 42)
Bảng 3.3: Chiều sâu khảo sát trung bình (Ze) cho các thiết bị khác nhau (Ater Adward,1977) - LUẬN văn tốt NGHIỆP
Bảng 3.3 Chiều sâu khảo sát trung bình (Ze) cho các thiết bị khác nhau (Ater Adward,1977) (Trang 44)
Trong Hình 3.4a, các đường đẳng trị của hàm độ nhạy đối với thiết bị Wenner- Wenner-alpha hầu như phân bố nằm ngang bên dưới tâm thiết bị, do tính chất này nên thiết bị Wenner tương đối nhạy đối với sự thay đổi điện trở suất của môi trường theo phương t - LUẬN văn tốt NGHIỆP
rong Hình 3.4a, các đường đẳng trị của hàm độ nhạy đối với thiết bị Wenner- Wenner-alpha hầu như phân bố nằm ngang bên dưới tâm thiết bị, do tính chất này nên thiết bị Wenner tương đối nhạy đối với sự thay đổi điện trở suất của môi trường theo phương t (Trang 46)
3.4.1. Mô hình lý thuyết phân lớp ngang. - LUẬN văn tốt NGHIỆP
3.4.1. Mô hình lý thuyết phân lớp ngang (Trang 48)

TRÍCH ĐOẠN

Bài toán ngược đo sâu điện

.5 Mơ hình thực tế phân lớp ngang

Các dụng cụ phổ biến cần thiết Quy trình đo Giải đoán kết quả và nhận xét

TÀI LIỆU CÙNG NGƯỜI DÙNG

w