1. Trang chủ
  2. » Giáo Dục - Đào Tạo

LUẬN văn tốt NGHIỆP

66 7 0

Đang tải... (xem toàn văn)

Tài liệu hạn chế xem trước, để xem đầy đủ mời bạn chọn Tải xuống

THÔNG TIN TÀI LIỆU

Thông tin cơ bản

Định dạng
Số trang 66
Dung lượng 2,8 MB

Nội dung

Ngày đăng: 09/05/2022, 11:44

HÌNH ẢNH LIÊN QUAN

Bảng 1. 2: - LUẬN văn tốt NGHIỆP
Bảng 1. 2: (Trang 7)
Bảng 1.1 - LUẬN văn tốt NGHIỆP
Bảng 1.1 (Trang 7)
Hình 1.4: - LUẬN văn tốt NGHIỆP
Hình 1.4 (Trang 14)
k là tham số hình học phụ thuộc vào sự sắp xếp của 4 điện cực. - LUẬN văn tốt NGHIỆP
k là tham số hình học phụ thuộc vào sự sắp xếp của 4 điện cực (Trang 16)
Hình 1.5: Sự phân bố điện thế gây ra bởi một cặp điện cực dòng đặt cách nhau 1m, với dòng điện 1 A trong môi trường nửa không gian đồng nhất có điện trở suất 1 m - LUẬN văn tốt NGHIỆP
Hình 1.5 Sự phân bố điện thế gây ra bởi một cặp điện cực dòng đặt cách nhau 1m, với dòng điện 1 A trong môi trường nửa không gian đồng nhất có điện trở suất 1 m (Trang 16)
Hình 1.6 - LUẬN văn tốt NGHIỆP
Hình 1.6 (Trang 17)
Hình 1.6, trình bày các mô hình thiết bị thông dụng sử dụng trong thăm dò điện cùng với các tham số hình học của chúng: - LUẬN văn tốt NGHIỆP
Hình 1.6 trình bày các mô hình thiết bị thông dụng sử dụng trong thăm dò điện cùng với các tham số hình học của chúng: (Trang 18)
Đối với thiết bị bốn cực đối xứng (Hình 1.7), sự chênh lệch điện thế giữa các điện cực đo được là: - LUẬN văn tốt NGHIỆP
i với thiết bị bốn cực đối xứng (Hình 1.7), sự chênh lệch điện thế giữa các điện cực đo được là: (Trang 18)
Hình2.1 - LUẬN văn tốt NGHIỆP
Hình 2.1 (Trang 21)
Theo Hình 2.2, hàm Y0(mr) vô hạn ở gốc tọa độ do đó hai nghiệm riêng sau không thích hợp với bài toán đang xét - LUẬN văn tốt NGHIỆP
heo Hình 2.2, hàm Y0(mr) vô hạn ở gốc tọa độ do đó hai nghiệm riêng sau không thích hợp với bài toán đang xét (Trang 25)
Hình2.3: - LUẬN văn tốt NGHIỆP
Hình 2.3 (Trang 31)
Hình 3.2 - LUẬN văn tốt NGHIỆP
Hình 3.2 (Trang 42)
Bảng 3.3: Chiều sâu khảo sát trung bình (Ze) cho các thiết bị khác nhau (Ater Adward,1977) - LUẬN văn tốt NGHIỆP
Bảng 3.3 Chiều sâu khảo sát trung bình (Ze) cho các thiết bị khác nhau (Ater Adward,1977) (Trang 44)
Trong Hình 3.4a, các đường đẳng trị của hàm độ nhạy đối với thiết bị Wenner- Wenner-alpha hầu như phân bố nằm ngang bên dưới tâm thiết bị, do tính chất này nên thiết bị Wenner tương đối nhạy đối với sự thay đổi điện trở suất của môi trường theo phương t - LUẬN văn tốt NGHIỆP
rong Hình 3.4a, các đường đẳng trị của hàm độ nhạy đối với thiết bị Wenner- Wenner-alpha hầu như phân bố nằm ngang bên dưới tâm thiết bị, do tính chất này nên thiết bị Wenner tương đối nhạy đối với sự thay đổi điện trở suất của môi trường theo phương t (Trang 46)
3.4.1. Mô hình lý thuyết phân lớp ngang. - LUẬN văn tốt NGHIỆP
3.4.1. Mô hình lý thuyết phân lớp ngang (Trang 48)
3.4.3. Bảng các thiết bị đo. - LUẬN văn tốt NGHIỆP
3.4.3. Bảng các thiết bị đo (Trang 50)
Theo bảng các thiết bị nêu trên, C1C2/2 là khoảng cách giữa cực phát và tâm cố định O, P1P2 /2 là khoảng cách giữa cực thu và tâm cố định O - LUẬN văn tốt NGHIỆP
heo bảng các thiết bị nêu trên, C1C2/2 là khoảng cách giữa cực phát và tâm cố định O, P1P2 /2 là khoảng cách giữa cực thu và tâm cố định O (Trang 51)
Hình 3.9 : Hệ thiết bị đo (máy Diapir E, Diapir 10R, do Hungari sản xuất, nguồn 150V, các điện cực và cuộn cáp) - LUẬN văn tốt NGHIỆP
Hình 3.9 Hệ thiết bị đo (máy Diapir E, Diapir 10R, do Hungari sản xuất, nguồn 150V, các điện cực và cuộn cáp) (Trang 52)
+ Một vài hình ảnh về thiết bị đo và tuyến đo thực tế: - LUẬN văn tốt NGHIỆP
t vài hình ảnh về thiết bị đo và tuyến đo thực tế: (Trang 52)
Hình 3.10: Hình ảnh về tuyến đo trên bản đồ và thực tế - LUẬN văn tốt NGHIỆP
Hình 3.10 Hình ảnh về tuyến đo trên bản đồ và thực tế (Trang 53)
- Trước hết phải dự kiến mô hình Vật lý-địa chất của đối tượng nghiên cứu tại nhằm xác lập thiết bị khảo sát, lựa chọn nguồn và dòng thích hợp - LUẬN văn tốt NGHIỆP
r ước hết phải dự kiến mô hình Vật lý-địa chất của đối tượng nghiên cứu tại nhằm xác lập thiết bị khảo sát, lựa chọn nguồn và dòng thích hợp (Trang 54)
Theo kết quả đường cong đo sâu điện xử lý từ hình 4.1, ta thấy xét theo hướng Đông-Tây thì cấu trúc địa chất ở khu vực này gồm thành 6 lớp (xét trong phạm vi độ sâu khoảng 20m của đối tượng), phân bố theo phương nằm ngang hoặc gần nằm ngan - LUẬN văn tốt NGHIỆP
heo kết quả đường cong đo sâu điện xử lý từ hình 4.1, ta thấy xét theo hướng Đông-Tây thì cấu trúc địa chất ở khu vực này gồm thành 6 lớp (xét trong phạm vi độ sâu khoảng 20m của đối tượng), phân bố theo phương nằm ngang hoặc gần nằm ngan (Trang 56)

TRÍCH ĐOẠN

Bài toán ngược đo sâu điện

.5 Mơ hình thực tế phân lớp ngang

Các dụng cụ phổ biến cần thiết Quy trình đo Giải đoán kết quả và nhận xét

TÀI LIỆU CÙNG NGƯỜI DÙNG

TÀI LIỆU LIÊN QUAN

w