1. Trang chủ
  2. Giáo Dục - Đào Tạo

LUẬN văn tốt NGHIỆP

66 7 0
LUẬN văn tốt NGHIỆP

Đang tải... (xem toàn văn)

Tài liệu hạn chế xem trước, để xem đầy đủ mời bạn chọn Tải xuống

Thông tin tài liệu

Ngày đăng: 09/05/2022, 11:44

Xem thêm: LUẬN văn tốt NGHIỆP

Hình ảnh liên quan

Bảng 1. 2: - LUẬN văn tốt NGHIỆP

Bảng 1..

2: Xem tại trang 7 của tài liệu.
Bảng 1.1 - LUẬN văn tốt NGHIỆP

Bảng 1.1.

Xem tại trang 7 của tài liệu.
Hình 1.4: - LUẬN văn tốt NGHIỆP

Hình 1.4.

Xem tại trang 14 của tài liệu.
k là tham số hình học phụ thuộc vào sự sắp xếp của 4 điện cực. - LUẬN văn tốt NGHIỆP

k.

là tham số hình học phụ thuộc vào sự sắp xếp của 4 điện cực Xem tại trang 16 của tài liệu.
Hình 1.5: Sự phân bố điện thế gây ra bởi một cặp điện cực dòng đặt cách nhau 1m, với dòng điện 1 A trong môi trường nửa không gian đồng nhất có điện trở suất 1 m - LUẬN văn tốt NGHIỆP

Hình 1.5.

Sự phân bố điện thế gây ra bởi một cặp điện cực dòng đặt cách nhau 1m, với dòng điện 1 A trong môi trường nửa không gian đồng nhất có điện trở suất 1 m Xem tại trang 16 của tài liệu.
Hình 1.6 - LUẬN văn tốt NGHIỆP

Hình 1.6.

Xem tại trang 17 của tài liệu.
Hình 1.6, trình bày các mô hình thiết bị thông dụng sử dụng trong thăm dò điện cùng với các tham số hình học của chúng: - LUẬN văn tốt NGHIỆP

Hình 1.6.

trình bày các mô hình thiết bị thông dụng sử dụng trong thăm dò điện cùng với các tham số hình học của chúng: Xem tại trang 18 của tài liệu.
Đối với thiết bị bốn cực đối xứng (Hình 1.7), sự chênh lệch điện thế giữa các điện cực đo được là: - LUẬN văn tốt NGHIỆP

i.

với thiết bị bốn cực đối xứng (Hình 1.7), sự chênh lệch điện thế giữa các điện cực đo được là: Xem tại trang 18 của tài liệu.
Hình2.1 - LUẬN văn tốt NGHIỆP

Hình 2.1.

Xem tại trang 21 của tài liệu.
Theo Hình 2.2, hàm Y0(mr) vô hạn ở gốc tọa độ do đó hai nghiệm riêng sau không thích hợp với bài toán đang xét - LUẬN văn tốt NGHIỆP

heo.

Hình 2.2, hàm Y0(mr) vô hạn ở gốc tọa độ do đó hai nghiệm riêng sau không thích hợp với bài toán đang xét Xem tại trang 25 của tài liệu.
Hình2.3: - LUẬN văn tốt NGHIỆP

Hình 2.3.

Xem tại trang 31 của tài liệu.
Hình 3.2 - LUẬN văn tốt NGHIỆP

Hình 3.2.

Xem tại trang 42 của tài liệu.
Bảng 3.3: Chiều sâu khảo sát trung bình (Ze) cho các thiết bị khác nhau (Ater Adward,1977) - LUẬN văn tốt NGHIỆP

Bảng 3.3.

Chiều sâu khảo sát trung bình (Ze) cho các thiết bị khác nhau (Ater Adward,1977) Xem tại trang 44 của tài liệu.
Trong Hình 3.4a, các đường đẳng trị của hàm độ nhạy đối với thiết bị Wenner- Wenner-alpha hầu như phân bố nằm ngang bên dưới tâm thiết bị, do tính chất này nên thiết bị Wenner tương đối nhạy đối với sự thay đổi điện trở suất của môi trường theo phương t - LUẬN văn tốt NGHIỆP

rong.

Hình 3.4a, các đường đẳng trị của hàm độ nhạy đối với thiết bị Wenner- Wenner-alpha hầu như phân bố nằm ngang bên dưới tâm thiết bị, do tính chất này nên thiết bị Wenner tương đối nhạy đối với sự thay đổi điện trở suất của môi trường theo phương t Xem tại trang 46 của tài liệu.
3.4.1. Mô hình lý thuyết phân lớp ngang. - LUẬN văn tốt NGHIỆP

3.4.1..

Mô hình lý thuyết phân lớp ngang Xem tại trang 48 của tài liệu.
3.4.3. Bảng các thiết bị đo. - LUẬN văn tốt NGHIỆP

3.4.3..

Bảng các thiết bị đo Xem tại trang 50 của tài liệu.
Theo bảng các thiết bị nêu trên, C1C2/2 là khoảng cách giữa cực phát và tâm cố định O, P1P2 /2 là khoảng cách giữa cực thu và tâm cố định O - LUẬN văn tốt NGHIỆP

heo.

bảng các thiết bị nêu trên, C1C2/2 là khoảng cách giữa cực phát và tâm cố định O, P1P2 /2 là khoảng cách giữa cực thu và tâm cố định O Xem tại trang 51 của tài liệu.
Hình 3.9 : Hệ thiết bị đo (máy Diapir E, Diapir 10R, do Hungari sản xuất, nguồn 150V, các điện cực và cuộn cáp) - LUẬN văn tốt NGHIỆP

Hình 3.9.

Hệ thiết bị đo (máy Diapir E, Diapir 10R, do Hungari sản xuất, nguồn 150V, các điện cực và cuộn cáp) Xem tại trang 52 của tài liệu.
+ Một vài hình ảnh về thiết bị đo và tuyến đo thực tế: - LUẬN văn tốt NGHIỆP

t.

vài hình ảnh về thiết bị đo và tuyến đo thực tế: Xem tại trang 52 của tài liệu.
Hình 3.10: Hình ảnh về tuyến đo trên bản đồ và thực tế - LUẬN văn tốt NGHIỆP

Hình 3.10.

Hình ảnh về tuyến đo trên bản đồ và thực tế Xem tại trang 53 của tài liệu.
- Trước hết phải dự kiến mô hình Vật lý-địa chất của đối tượng nghiên cứu tại nhằm xác lập thiết bị khảo sát, lựa chọn nguồn và dòng thích hợp - LUẬN văn tốt NGHIỆP

r.

ước hết phải dự kiến mô hình Vật lý-địa chất của đối tượng nghiên cứu tại nhằm xác lập thiết bị khảo sát, lựa chọn nguồn và dòng thích hợp Xem tại trang 54 của tài liệu.
Theo kết quả đường cong đo sâu điện xử lý từ hình 4.1, ta thấy xét theo hướng Đông-Tây thì cấu trúc địa chất ở khu vực này gồm thành 6 lớp (xét trong phạm vi độ sâu khoảng 20m của đối tượng), phân bố theo phương nằm ngang hoặc gần nằm ngan - LUẬN văn tốt NGHIỆP

heo.

kết quả đường cong đo sâu điện xử lý từ hình 4.1, ta thấy xét theo hướng Đông-Tây thì cấu trúc địa chất ở khu vực này gồm thành 6 lớp (xét trong phạm vi độ sâu khoảng 20m của đối tượng), phân bố theo phương nằm ngang hoặc gần nằm ngan Xem tại trang 56 của tài liệu.

Trích đoạn

Bài toán ngược đo sâu điện

.5 Mơ hình thực tế phân lớp ngang

Các dụng cụ phổ biến cần thiết

Quy trình đo

Giải đoán kết quả và nhận xét

Tài liệu cùng người dùng

Tài liệu liên quan