Tài liệu hạn chế xem trước, để xem đầy đủ mời bạn chọn Tải xuống
1
/ 106 trang
THÔNG TIN TÀI LIỆU
Thông tin cơ bản
Định dạng
Số trang
106
Dung lượng
2,92 MB
Nội dung
BỘ GIÁO DỤC VÀ ĐÀO TẠO
TRƯỜNG ĐẠI HỌC SƯ PHẠM THÀNH PHỐ HỒ CHÍ MINH
NGUYỄN THANH TUẤN
NGHIÊN CỨUPHÂNBỐHIỆUSUẤTCỦADETECTOR
HPGe KIỂUpBẰNGCHƯƠNGTRÌNHMCNP5
LUẬN VĂN THẠC SĨ VẬT LÝ
Thành phố Hồ Chí Minh – 2011
BỘ GIÁO DỤC VÀ ĐÀO TẠO
TRƯỜNG ĐẠI HỌC SƯ PHẠM THÀNH PHỐ HỒ CHÍ MINH
NGUYỄN THANH TUẤN
NGHIÊN CỨUPHÂNBỐHIỆUSUẤTCỦADETECTOR
HPGe KIỂUpBẰNGCHƯƠNGTRÌNHMCNP5
Chuyên ngành: Vật lý nguyên tử, hạt nhân và năng lượng cao
Mã số: 60.44.05
LUẬN VĂN THẠC SĨ VẬT LÝ
Người hướng dẫn khoa học: TS. TRẦN VĂN HÙNG
Thành phố Hồ Chí Minh – 2011
3
LỜI CẢM ƠN
Trong quá trình thực hiện và hoàn thành luận văn này, tác giả đã nhận được sự
quan tâm và giúp đỡ rất lớn từ thầy cô, bạn bè và gia đình. Tôi xin được bày tỏ lòng
biết ơn chân thành của mình đến:
Thầy TS. Trần Văn Hùng, người hướng dẫn khoa học, đã tận tình hướng dẫn
phương pháp nghiêncứu khoa học, chỉ bảo kiến thức và giúp tôi vượt qua những
vướng mắc trong suốt quá trình thực hiện luận văn.
Thầy TS. Võ Xuân Ân, người đã gợi ý những phương hướng nghiên cứu, đóng
góp những ý kiến quý báu, truyền đạt tinh thần làm việc hăng say, lòng tự tin trong
nghiên cứu khoa học.
Bạn Trịnh Hoài Vinh đã hỗ trợ, giúp đỡ và cùng giải quyết những khó khăn gặp
phải trong quá trình làm luận văn một cách rất nhiệt tình.
Quý thầy cô Trường Trung học Phổ thông chuyên Lê Quý Đôn Tỉnh Bà Rịa -
Vũng Tàu đã tạo mọi điều kiện thuận lợi nhất về thời gian, công việc để tôi có thể
chuyên tâm hoàn thành luận văn này.
Cuối cùng, xin cảm ơn gia đình, bạn bè luôn ủng hộ, động viên để tôi có thể hoàn
thành tốt khóa học.
4
MỤC LỤC
0TLỜI CẢM ƠN0T 3
0TMỤC LỤC0T 4
0TBẢNG CÁC CHỮ VIẾT TẮT0T 7
0TMỞ ĐẦU0T 8
0TCHƯƠNG 1: TỔNG QUAN0T 11
0T1.1. TƯƠNG TÁC CỦA PHOTON VỚI VẬT CHẤT0T 11
0T1.1.1. Hiệu ứng quang điện (photoelectric effect)0T 11
0T1.1.2. Tán xạ Compton (Compton scattering)0T 14
0T1.1.3. Hiệu ứng tạo cặp (pair production)0T 17
0T1.1.4. Tán xạ Rayleigh (Rayleigh scattering)0T 19
0T1.2. DETECTOR GHI BỨC XẠ GAMMA0T 19
0T1.2.1. Các loại detector và nguyên lý hoạt động0T 19
0T1.2.1.1. Detector chứa khí0T 19
0T1.2.1.2. Detector nhấp nháy0T 20
0T1.2.1.3. Detector bán dẫn0T 21
0T1.2.2. Hiệu suất0T 23
0T1.2.3. Các yếu tố ảnh hưởng đến hiệusuất ghi của detector0T 25
0TCHƯƠNG 2: PHƯƠNG PHÁP MONTE CARLO VÀ CHƯƠNGTRÌNH
MÔ PHỎNG VẬN CHUYỂN BỨC XẠ MCNP5
0T 26
0T2.1. PHƯƠNG PHÁP MONTE CARLO0T 26
0T2.1.1. Giới thiệu chung0T 26
5
0T2.1.2. Đặc trưng của phương pháp Monte Carlo0T 27
0T2.2. CHƯƠNGTRÌNH MÔ PHỎNG VẬN CHUYỂN BỨC XẠ MCNP50T 28
0T2.2.1. Giới thiệu0T 28
0T2.2.2. Thư viện số liệu và phản ứng hạt nhân trong MCNP50T 30
0T2.2.3. Các mô hình tương tác của photon với vật chất trong MCNP50T 30
0T2.2.4. Các bước thực hiện bài toán mô phỏng0T 36
0T2.2.5. Đánh giá phânbố độ cao xung - Tally F80T 37
0T2.3. PHƯƠNG PHÁP MÔ PHỎNG TRONG NGHIÊNCỨU HỆ PHỔ KẾ GAMMA0T 40
0T2.3.1. Các nghiêncứu trên thế giới0T 41
0T2.3.2. Các nghiêncứu trong nước0T 46
0TCHƯƠNG 3: PHÂNBỐHIỆUSUẤTCỦADETECTORHPGe GEM 15P4
KIỂU p
0T 48
0T3.1. XÂY DỰNG INPUT CHO CHƯƠNGTRÌNH MCNP50T 48
0T3.1.1. Hệ phổ kế gamma phông thấp tại Trường ĐHSP TP HCM0T 48
0T3.1.1.1. DetectorHPGe GEM 15P40T 49
0T3.1.1.2. Buồng chì0T 52
0T3.1.2. Mô hình hoá hệ phổ kế gamma bằngchươngtrình MCNP50T 52
0T3.1.3. Kiểm tra độ tin cậy củachương trình0T 55
0T3.1.4. Input mẫu cho bài toán nghiêncứuphânbốhiệu suất0T 59
0T3.2. XÁC ĐỊNH PHÂNBỐHIỆU SUẤT0T 60
0T3.2.1. Phânbốhiệusuất theo vị trí đặt nguồn0T 60
0T3.2.2. Phânbốhiệusuất theo năng lượng0T 67
0T3.2.3. Phânbốhiệusuất theo mật độ0T 75
6
0TCHƯƠNG 4: KẾT LUẬN CHUNG0T 90
0TKIẾN NGHỊ VỀ NHỮNG NGHIÊNCỨU TIẾP THEO0T 92
0TTÀI LIỆU THAM KHẢO0T 93
0TPHỤ LỤC0T 99
7
BẢNG CÁC CHỮ VIẾT TẮT
Chữ viết tắt
Tiếng Việt
Tiếng Anh
ACTL
Thư viện số liệu ACTL
ACTivation Library
CYLTRAN
Chương trình mô phỏng
Monte Carlo CYLTRAN
CYLTRAN
An electron/photon transport code
DE
Thoát đôi
Double Escape
DETEFF
Chương trình mô phỏng
Monte Carlo DETEFF
DETector EFFiciency
ĐHSP
Đại học Sư phạm
-
EGS
Chương trình mô phỏng
Monte Carlo EGS
Electron Gamma
A Monte Carlo simulation code of
the coupled transport of electrons
and photon
ENDF
Thư viện số liệu ENDF
Evaluated Nuclear Data File
ENDL
Thư viện số liệu ENDL
Evaluated Nuclear Data Library
FWHM
Độ rộng đỉnh năng lượng
toàn phần tại một nữa chiều
cao cực đại
Full Width at Half Maximum
Ge(Li)
Detector germanium khuếch
tán lithium
Germanium(Lithium)
GEANT
Chương trình mô phỏng
Monte Carlo GEANT
GEANT
A toolkit for the simulation of the
passage of particles through matter
GESPECOR
Chương trình mô phỏng
Monte Carlo GESPECOR
Germanium SPEctroscopy
CORrection Factors
HPGe
Detector germanium siêu tinh
khiết
High Purity Gemanium
MCNG
Chương trình Monte Carlo
ghép cặp neutron - gamma
Monte Carlo Neutron Gamma
MCNP
Chương trình mô phỏng
Monte Carlo MCNP
Monte Carlo N – Particle
P/C
Tỉ số đỉnh/Compton
Peak/Compton
PENELOPE
Chương trình mô phỏng
Monte-Carlo PENELOPE
PENetration and Energy LOss of
Positron and Electrons
PTN
Phòng thí nghiệm
-
SE
Thoát đơn
Single Escape
TPHCM
Thành phố Hồ Chí Minh
-
8
MỞ ĐẦU
Việc chế tạo thành công các loại detector bán dẫn germanium siêu tinh khiết
(high purity germanium - HPGe) với độ phân giải và hiệusuất đếm cao vào những năm
1980 là một bước ngoặt trong lịch sử phát triển các thiết bị ghi nhận bức xạ tia X và tia
gamma vì nó đã cải thiện đáng kể độ chính xác của các phép phân tích bằng phương
pháp hạt nhân. Hiện nay trên thế giới detectorHPGe ngày càng được sử dụng rộng rãi
trong các phép đo phổ gamma của các mẫu phóng xạ. Ở nước ta nhiều nơi như Viện
Nghiên cứu Hạt nhân Đà Lạt, Trung tâm Hạt nhân TPHCM, Trường ĐHSP TPHCM…
đã trang bị và ứng dụng hệ phổ kế gamma dùng detectorHPGe trong nghiêncứu khoa
học và triển khai ứng dụng. Trong các bài toán do thực tiễn đặt ra như phân tích mẫu
môi trường, nghiêncứu sự hấp thụ của gamma trong các môi trường khác nhau để thiết
kế che chắn bức xạ… người làm thực nghiệm phải tiến hành đo đạc cường độ chùm tia
gamma ở nhiều đỉnh năng lượng đối với các chất nền khác nhau và cách bố trí hình học
đo cũng thay đổi tùy theo đặc điểm cụ thể của từng loại mẫu. Để xác định cường độ
chùm tia gamma, điều cần thiết là phải biết chính xác hiệusuất đỉnh năng lượng toàn
phần ở cấu hình đo tương ứng. Do đó, để sử dụng hệ phổ kế gamma dùng detector
HPGe một cách có hiệu quả đòi hỏi người làm thực nghiệm phải theo dõi sự thay đổi
hiệu suấtcủadetector ứng với các đỉnh năng lượng khác nhau, cũng như theo các cách
bố trí hình học đo khác nhau. Một trong những công việc đó là cần phải khảo sát sự
phân bốhiệusuất c
ủa detectorHPGe theo vị trí đặt nguồn, theo năng lượng tia gamma
và mật độ vật chất xung quanh detector.
Có hai cách để giải quyết vấn đề này, đó là cách tiếp cận thực nghiệm và cách
tiếp cận mô phỏng. Đối với cách tiếp cận thực nghiệm, để khảo sát phânbốhiệusuất
theo các vị trí đặt nguồn khác nhau, ứng với các đỉnh năng lượng khác nhau đòi hỏi
9
người làm thực nghiệm phải chuẩn bị rất nhiều nguồn chuẩn phóng xạ và tiến hành một
số rất lớn các phép đo, do đó sẽ gây tốn kém rất nhiều chi phí, thời gian và sức lực.
Trong điều kiện như vậy thì cách tiếp cận mô phỏng bằng phương pháp Monte Carlo
ứng dụng trong chươngtrìnhMCNP5 là một trong những công cụ toán học mạnh để
giải quyết vấn đề.
Chương trìnhMCNP5 cho phép mô hình hóa các cấu trúc hình học đo phức tạp
bất kì, hơn nữa không cần phải trang bị các nguồn đơn năng khác nhau mà chỉ cần
thông số của các nguồn này, chúng có thể lấy từ các bảng số liệu hạt nhân hoặc do nhà
sản xuất cung cấp. Như vậy cách tiếp cận mô phỏng bằng phương pháp Monte Carlo
ứng dụng trong chươngtrìnhMCNP5 sẽ giúp các nhà khoa học vật lí hạt nhân giảm
thiểu được rất nhiều chi phí, thời gian và công sức.
Trong nước và trên thế giới đã có hàng ngàn công trình sử dụng phương pháp
Monte Carlo để chuẩn hiệusuất cho detector gamma [17], [21], [26]. Không chỉ khẳng
định hiệu lực trong việc tính toán hiệu suất, các nghiêncứu còn cho thấy nhiều ưu
điểm khác của phương pháp này. Một khi đã mô hình hóa chính xác detector, phương
pháp Monte Carlo có thể mô phỏng phổ gamma của các nguồn phóng xạ ở nhiều
matrix và cấu hình khác nhau [8]; tính toán các hệ số hiệu chỉnh trong các hiệu ứng
trùng phùng, hiệu ứng matrix và hiệu ứng mật độ cho một loại mẫu bất kỳ [1], [25],
[33]; khảo sát các yếu tố liên quan đến đáp ứng củadetector đối với bức xạ gamma tới
[4], [12]; thiết kế hệ phổ kế triệt nền Compton [48]. Ngoài ra đây còn là một công cụ lý
thuyết mạnh để đánh giá và theo dõi sự thay đổi của hệ phổ kế gamma theo thời gian
[7], [9], [42]. Chính nhờ ưu điểm này mà phương pháp Monte Carlo đã được ứng dụng
rộng rãi, đặc biệt các chươngtrình mô phỏng dựng sẵn như MCNP5 đã góp phần thúc
đẩy việc sử dụng phương pháp mô phỏng trong lĩnh vực nghiêncứu vật lý hạt nhân.
Từ những phân tích trên chúng tôi lựa chọn đề tài “Nghiên cứuphânbốhiệu
suất củadetectorHPGekiểupbằngchươngtrình MCNP5”.
10
Mục tiêu nghiêncứucủa luận văn này là: (1) xây dựng input cho MCNP5; (2)
khảo sát phânbốhiệusuất theo vị trí đặt nguồn; (3) khảo sát phânbốhiệusuất theo
năng lượng; (4) khảo sát phânbốhiệusuất theo mật độ vật chất xung quanh detector.
Đối tượng nghiêncứucủa luận văn này là detectorHPGe GEM 15P4 loại p được
sản xuất bởi EG&G Ortec (Oak Ridge, Tennessee) đặt tại PTN Vật lý hạt nhân,
Trường ĐHSP TPHCM.
Phương pháp nghiêncứucủa luận văn này là phương pháp mô phỏng Monte
Carlo ứng dụng trong chươngtrìnhMCNP5 được xây dựng bởi PTN quốc gia Los
Alamos, Hoa Kỳ. Trong luận văn này chươngtrìnhMCNP5 đã được sử dụng dưới sự
cho phép của Cục An toàn Bức xạ và Hạt nhân.
Nội dung luận văn sẽ được trình bày trong 4 chương như sau:
Chương 1: TỔNG QUAN, giới thiệu một cách khái quát các vấn đề về tương tác
của photon với vật chất, các loại detector và phương pháp tính toán hiệusuất
detector.
Chương 2: PHƯƠNG PHÁP MONTE CARLO VÀ CHƯƠNGTRÌNH MÔ
PHỎNG VẬN CHUYỂN BỨC XẠ MCNP5, giới thiệu phương pháp mô phỏng
Monte Carlo với chươngtrình MCNP5, các bước thực hiện bài toán mô phỏng,
những nghiêncứu trong và ngoài nước liên quan đến đề tài.
Chương 3: PHÂNBỐHIỆUSUẤTCỦADETECTORHPGe GEM 15P4 KIỂU
p, trình bày cách thức xây dựng input mẫu cho bài toán nghiêncứuphânbốhiệu
suất, xác định phânbốhiệusuất theo vị trí đặt nguồn, theo năng lượng tia gamma
và theo mật độ vật chất xung quanh detector.
Chương 4: KẾT LUẬN VÀ KIẾN NGHỊ, tổng kết và đánh giá các kết quả đạt
được, đưa ra kiến nghị về những hướng nghiêncứu khác liên quan đến nội dung
luận văn.
[...]... nhiên phânbố đều trên khoảng (0, 1) và có mật độ xác suấtbằng 1 Có nhiều phương ph p tạo ra t p số ngẫu nhiên: phương ph p biến đổi ngược, phương ph p ch p nhận - loại bỏ, phương ph p đồng dư tuyến tính… Trong đó phương ph p đồng dư tuyến tính được dùng phổ biến nhất trong nhiều ngôn ngữ l p 28 trình C, Fortran… Đồng thời cũng là phương ph p chính được sử dụng trong chươngtrìnhMCNP5 2.2 CHƯƠNG TRÌNH... điện, hiệusuất t p h p điện tích và đóng g pcủa các nhiễu điện tử làm cho quang đỉnh của phổ gamma thực nghiệm có dạng Gauss Do đó quá trình mô phỏng phổ gamma còn sử dụng tùy chọn GEB (Gauss Energy Broadening) của thẻ FT8 trong chươngtrìnhMCNP5 Khi đó phổ gamma mô phỏng phù h p tốt với phổ gamma thực nghiệm Dựa trên cơ sở phổ gamma mô phỏng này hiệusuất tính toán củadetector được xác định bằng. .. Những tính toán này chủ yếu là các tính toán tới hạn lò phản ứng và các phânbố trường liều bức xạ 30 Trong luận văn này, phương ph p mô phỏng Monte Carlo dựa trên cơ sở chươngtrìnhMCNP5 đã được sử dụng để mô hình hóa cấu hình detector - buồng chì và nghiên cứuphân bố hiệu suấtcủa detector 2.2.2 Thư viện số liệu và phản ứng hạt nhân trong MCNP5MCNP5 sử dụng các thư viện số liệu hạt nhân và nguyên... - Phần bức xạ đi khỏi detector - Góc nhìn của nguồn đối với detector - Vấn đề hạn chế của hàm đ p ứng thời gian củadetector làm trùng phùng số đếm các gamma nối tầng trong nguồn phân rã đa năng dẫn đến sự thêm hoặc mất số đếm ở đỉnh năng lượng toàn phần 26 CHƯƠNG 2: PHƯƠNG PH P MONTE CARLO VÀ CHƯƠNGTRÌNH MÔ PHỎNG VẬN CHUYỂN BỨC XẠ MCNP5 2.1 PHƯƠNG PH P MONTE CARLO 2.1.1 Giới thiệu chung Phương ph p. .. hoạt củadetector 24 Hiệusuất đỉnh và hiệusuất toàn phần được liên hệ với nhau qua tỉ số đỉnh / toàn phần, gọi là tỉ số P/ T P /T = p εt (1.9) Do xác suấtcủa mỗi cơ chế tương tác phụ thuộc vào năng lượng của photon tới nên hiệusuất đỉnh và tỉ số P/ T cũng phụ thuộc vào năng lượng Trong đo đạc thực nghiệm trên hệ phổ kế gamma, khái niệm hiệusuất được hiểu là hiệusuất đỉnh năng lượng toàn phần... g p trong quang đỉnh R R R R R R của phổ gamma thực nghiệm (N pe ), cường độ phát xạ của tia gamma (y) và hoạt độ R R nguồn đo (A) tương ứng Trong tính toán MCNP5, hiệusuấtcủadetector được xác định bằng công thức [27] 25 εc = N pc Ns (1.12) Trong đó: ε c , N s , N pc lần lượt là hiệusuất tính toán, số photon phát ra từ nguồn theo mọi hướng và số photon đóng g p vào quang đỉnh của phổ gamma mô phỏng... đối của hiệusuất tính toán được xác định theo công thức Uc = 1 N pc (1.13) 1.2.3 Các yếu tố ảnh hưởng đến hiệusuất ghi củadetector Các yếu tố ảnh hưởng đến hiệusuấtdetector bao gồm: - Phần bức xạ đi trực ti p từ vật liệu phóng xạ vào detector - Phần bức xạ sẽ tán xạ ngược vào detector sau khi phát ra từ vật liệu phóng xạ nhưng không đi đến detector - Phần bức xạ bị h p thụ bởi l p bao bọc detector. .. nhận một phần Dựa vào đặc điểm trên, có hai loại hiệusuất được định nghĩa [19], [23]: - Hiệusuất toàn phần (total efficiency) ε t : đó là xác suấtcủa một photon phát ra từ R R nguồn để lại bất cứ năng lượng nào khác không trong thể tích vùng hoạt củadetector - Hiệusuất đỉnh (peak efficiency) ε p : được xác định bằng xác suấtcủa một photon R R phát ra từ nguồn để lại toàn bộ năng lượng của nó trong... và năng lượng của tia gamma tán xạ sau đó lại được xác định bằng việc lấy mẫu theo các hàm phânbố xác suất thích h p Các sản phẩm con cháu (electron quang điện, electron vỏ K, tia X của quá trình quang điện; electron và tia gamma tán xạ của quá trình tán xạ Compton; electron, positron và các photon hủy c pcủa quá trình tạo c p ) sẽ ti p tục tương tác bên trong thể tích hoạt động củadetector cho đến... lớn nhất, nâng cao hiệu suấtcủa detector bằng cách chế tạo các đơn tinh thể bán dẫn lớn hơn hoặc lựa chọn hình học đo giữa nguồn và detector thích h p 1.2.2 Hiệu suấtHiệusuất ghi củadetector được xác định như là tỉ lệ phần trăm của bức xạ ion hóa đi vào detector và được ghi nhận Cơ chế ghi nhận củadetector dựa theo tương tác của bức xạ trong môi trường vật chất củadetector Một photon tới tương . SƯ PHẠM THÀNH PHỐ HỒ CHÍ MINH
NGUYỄN THANH TUẤN
NGHIÊN CỨU PHÂN BỐ HIỆU SUẤT CỦA DETECTOR
HPGe KIỂU p BẰNG CHƯƠNG TRÌNH MCNP5. 3: PHÂN BỐ HIỆU SUẤT CỦA DETECTOR HPGe GEM 1 5P4
KIỂU p
0T 48
0T3.1. XÂY DỰNG INPUT CHO CHƯƠNG TRÌNH MCNP50 T 48
0T3.1.1. Hệ phổ kế gamma phông th p tại