THUYẾT MINH DỰ THẢO TCQG BÁO CÁO ĐỀ TÀI KH&CN Tên đề tài: TƯƠNG THÍCH ĐIỆN TỪ (EMC) – PHƯƠNG PHÁP ĐO VÀ THỬ- MIẾN NHIỄU ĐỐI VỚI HIỆN TƯỢNG PHÓNG TĨNH ĐIỆN

BỘ THÔNG TIN VÀ TRUYỀN THÔNG HỌC VIỆN CÔNG NGHỆ BƯU CHÍNH VIỄN THƠNG VIỆN KHOA HỌC KỸ THUẬT BƯU ĐIỆN HỌC VIỆN CƠNG NGHỆ BƯU CHÍNH VIỄN THƠNG VIỆN KHOA HỌC KỸ THUẬT BƯU ĐIỆN THUYẾT MINH DỰ THẢO TIÊU CHUẨN QUỐC GIABÁO CÁO ĐỀ TÀI KHOA HỌC VÀ CƠNG NGHỆ Tên đề tài : RÀ SỐT, CẬP NHẬT TCVN 8421-4-2:2009 TƯƠNG THÍCH ĐIỆN TỪ (EMC) – PHẦN 4-23 : PHƯƠNG PHÁP ĐO VÀ THỬ - MIẾN NHIỄU ĐỐI VỚI HIỆN TƯỢNG PHÓNG TĨNH ĐIỆN Mã số : 43-12-KHKT-TC HÀ NỘI -, 20132 Mục lục Giới thiệu 1.1 Tên gọi ký hiệu TCVN đề tài: 1.2 Đặt vấn đề .5 Mã số: 43-12-KHKT-TC Thuộc lĩnh vực: Tiêu chuẩnSở xây dựng yêu cầu kỹ thuật 3.1 Các tổ chức tiêu chuẩn quốc tế 3.2 Sự thay đổi tài liệu tham chiếu gốc IEC 61000-4-2 3.3 Giải thích nội dung TCVN .10 3.4 Nhu cầu thực tếế khả áp dụng: 10 So sánh nội dung dự thảo tiêu chuẩn với tài liệu tham chiếu 10 Giới thiệu 1.1 Tên gọi ký hiệu TCVN đề tài: “ Rà soát, cập nhật TCVN 8241-4-2:2009 Tương thích điện từ (EMC) – Phần 4-3 : Phương pháp đo thử - Miễn nhiễm tượng phóng tĩnh điện” TCVN xxxx8241-4-2:2013xx 1.2 Đặt vấn đề Quản lý tương thích điện từ Việt Nam thực thi nhiều năm qua Hiện nay, công tác nâng cấp lực quản lý đo kiểm tương thích điện từ Bộ TT&TT tích cực triển khai Việt Nam xây dựng hệ thống tiêu chuẩn EMC đầy đủ theo phương pháp chấp thuận nguyên vẹn tiêu chuẩn quốc tế IEC, ITU, ETSI, có tiêu chuẩn TCVN 8241-4- 2: 2009 - Tương thích điện từ (EMC) – Miễn nhiễm tượng phóng tĩnh điện – Phương pháp đo thử” Tiêu chuẩn xây dựng sở chấp thuận nguyên vẹn tiêu chuẩn IEC 61000-4-2:2001 IEC Tiêu chuẩn qui định yêu cầu miễn nhiễm phương pháp thử cho thiết bị điện, điện tử tượng phóng tĩnh điện trực tiếp từ người khai thác sử dụng từ đối tượng kề bên Ngoài ra, tiêu chuẩn xác định mức thử tương ứng với điều kiện lắp đặt, điều kiện môi trường khác thủ tục thực phép thử Mục đích tiêu chuẩn đưa qui định chung, có khả tái tạo lại việc đánh giá chất lượng thiết bị điện, điện tử phải chịu ảnh hưởng tượng phóng tĩnh điện Tiêu chuẩn bao gồm trường hợp phóng tĩnh điện từ người khai thác sử dụng tới đối tượng kề bên thiết bị kiểm tra Tiêu chuẩn tiêu chuẩn EMC dùng cho quan quản lý sản phẩm Các quan quản lý sản phẩm có trách nhiệm định việc có áp dụng tiêu chuẩn đo thử miễn nhiễm hay không, áp dụng, quan quản lý sản phẩm có trách nhiệm định mức thử phù hợp tiêu chí chất lượng Tuy nhiên phiên IEC 61000-4-2:2001 lạc hậu so với tiêu chuẩn quốc tế cập nhật Hiện IEC ban hành phiên IEC 61000-4-2:2008 Phiên có thay đổi nhiều so với phiên IEC61000-4-2:2001 Do vậy, tiêu chuẩn IEC 61000-4-2:2008 dùng làm tài liệu tham chiếu để rà soát, cập nhật tiêu chuẩn TCVN8241-4-2:2009 “Tương thích điện từ (EMC) - Miễn nhiễm tượng phóng tĩnh điện – Phương pháp đo thử” Với lý trên, TCVN xxxx8241-4-2:2013xx xây dựng dự sở : - Nghiên cứu, cập nhật phiên IEC 61000-4-2:2008 - Rà soát, cập nhật tiêu chuẩn với nội dung : + Các mức thử; + Thiết bị thử; + Thiết lập cấu hình phép thử; + Thủ tục thực phép thử Mã số: 43-12-KHKT-TC Thuộc lĩnh vực: Tiêu chuẩnSở xây dựng yêu cầu kỹ thuật 3.1 Các tổ chức tiêu chuẩn quốc tế Tương thích điện từ (EMC) mơ tả tình trạng môi trường điện từ tượng tự nhiên thiết bị điện, điện tử tạo không gây nhiễu lên hệ thống thiết bị điện tử khác Để đạt điều này, cần phải giảm phát xạ điện từ (EM) từ nguồn điều khiển tăng khả miễn nhiễm điện từ thiết bị bị ảnh hưởng, phải thực hai điều Các tổ chức tiêu chuẩn quốc tế ITU, IEC quan tâm nhiều đến vấn đề Hệ thống tiêu chuẩn EMC tổ chức tiêu chuẩn hóa quốc tế IEC, ITU, CISPR… xây dựng hoàn chỉnh bổ sung, cập nhật thường xuyên Vấn đề tiêu chuẩn hóa EMC tập trung vào mảng sau: − Các tiêu chuẩn EMC bao gồm phương pháp đo thử phát xạ miễn nhiễm; − Các tiêu chuẩn EMC tổng quan Các tiêu chuẩn xác định tập hợp loại nhiễu bản, phương pháp đo thử mức thử tương ứng cho lớp mơi trường (ví dụ khu dân cư) phát xạ miễn nhiễm − Tiêu chuẩn họ sản phẩm EMC liên quan đến lớp thiết bị tiêu chuẩn họ sản phẩm liên quan tới loại thiết bị cụ thể tiêu chuẩn sản phẩm (các tiêu chuẩn thường bao gồm phát xạ miễn nhiễm) − Giới hạn phát xạ EM (cả nhiễu dẫn nhiễu phát xạ) cho tất sản phẩm Các tiêu chuẩn EMC xây dựng chủ yếu IEC, ITU, CISPR , ETSI thường tập trung xây dựng tiêu chuẩn EMC họ sản phẩm Trong năm gần đây, tiêu chuẩn quốc tế EMC cập nhật, sửa đổi để có nội dung hồn thiện hơn, có tiêu chuẩn lựa chọn làm sở xây dựng tiêu chuẩn Việt Nam rà soát, cập nhật : Các tiêu chuẩn IEC IEC 61000-4-2 “Electromagnetic compatibility (EMC) – Part 4-2: Testing and measurement techniques – Electrostatic discharge”, 12/2008 IEC 61000-4-3 “Electromagnetic compatibility (EMC) – Part 4-3 : Testing and measurement techniques – Radiated, radio – frequency, electromagnetic field immunity test”, 04/2010 IEC 61000 - – 11 “Electromagnetic compatibility (EMC) - Part 4-11: Testing and measurement techniques - Voltage dips, short interruptions and voltage variations immunity tests” IEC 61000-4-5 “Electromagnetic compatibility (EMC) - Part 4-5: Testing and measurement techniques - Surge immunity test” IEC 61000-4-8 “Electromagnetic compatibility (EMC) - Part 4-8: Testing and measurement techniques – Power frequency magnetic field immunity test ” Các tiêu chuẩn khác CENELEC EN 55024 “Information technology equipment - Immunity characteristics Limits and methods of measurement” CISPR 24 “Information technology equipment – Immunity characteristics – Limits and methods of measurement” Bộ tiêu chuẩn xeri ETSI EN 301 489 “Electromagnetic compatibility and Radio spectrum Matters (ERM); ElectroMagnetic Compatibility (EMC) standard for radio equipment and services” 3.2 Sự thay đổi tài liệu tham chiếu gốc IEC 61000-4-2 Tiêu chuẩn quốc tế IEC 61000-4-2 xây dựng tiểu ban 77B: Hiện tượng tần số cao trực thuộc Ủy ban kỹ thuật IEC 77: Tương thích điện từ Tiêu chuẩn có ấn áp dụng cho thiết bị điện tử vào năm 1995 Hiện IEC ban hành phiên IEC 61000-4-2 vào tháng 12 năm 2008 IEC 6100-4-2:2008 Phiên có nhiều thay đổi so với phiên IEC 1000-4-2:1999 phiên sửa đổi IEC 61000-4-2:2001 (xem bảng để biết thêm chi tiết) Việc công bố ấn thứ hai bị chậm nhiều so với chu kỳ sửa đổi năm Năm 1984 1991 1995 1997 1998 Phiên IEC 801-2:1984 Edition IEC 801-2:1991 Edition IEC 1000-4-2:1995 Edition IEC 61000-4-2:1995 Edition IEC 61000-4-2:1995 +A1:1998 IEC 61000-4-2:1995 +A1:1998+A2:2000 2000 IEC 61000-4-2:2001 Edition 1.2 Ghi Tài liệu tham chiếu gốc TCVN 8241-4-2 : 2009 Năm 2008 Phiên Ghi IEC 61000-4-2:2008 Edition Tài liệu tham chiếu gốc dự thảo tiêu chuẩn cập nhật sửa đổi Những thay đổi so với phiên sửa đổi phiên sau: Các mức thử : - Giữ nguyên mức thử bảng 1, việc tiến hành thử mức thấp khơng cần thiết phép thử phóng tĩnh điện chế độ tiếp xúc Bộ tạo tín hiệu thử : - Chi tiết đầu điện cực phóng điện - Thay đổi đặc điểm kỹ thuật máy phát dựa thông số đầu không qui định cụ thể giá trị C R - Cải thiện chi tiết / vẽ dạng sóng dịng phóng với cơng thức tốn học, hàm bao mà khơng thay đổi dòng chuẩn Khảo sát thêm mạch tương đương với máy phát ESD tiến tiến ( ví dụ mơ hình hóa) để tạo dạng sóng dịng phóng đầu máy phát phụ lục tham khảo - Vị trí cáp hồi tiếp gắn với với mặt phẳng thẳng đứng kiểm tra và/hoặc hiệu chuẩn - Bổ xung thêm ví dụ thơng tin giải thích suy hao sử dụng trình kiểm tra/ hiệu chuẩn máy phát - Thực thay đổi nhỏ cấu hình thiết lập phép thử để cải thiện khả lặp lại phép thử Các vấn đề cần thảo luận thiết lập phép thử bao gồm vấn đề hoạt động súng phóng, bố trí cáp EUT, kích thước mặt phẳng ghép - Bổ sung cấu hình thiết lập phép thử áp dụng cho thiết bị sử dụng pin, đặc biệt vấn đế tiếp đất - Xác định rõ vị trí cách sử dụng mặt phẳng ghép đứng (VCP) thực thiện phép thử phóng trực tiếp - Cải thiện phương pháp khử tích điện từ mặt phẳng khơng tiếp đấp (phương pháp ưu tiên, dùng chổi than vv) - Thủ tục kiểm tra đánh giá kết thử - Vấn đề xử lý kết thử Các phụ lục : - Bổ sung thêm giải thích ảnh hưởng phát xạ ( phụ lục tham khảo) khả giảm thiểu ảnh hưởng - Các chi tiết kỹ thuật cảm biến dòng mở rộng lên đến GHz Một ví dụ cảm biến dịng thỏa mãn yêu cầu kỹ thuật qui định - Làm rõ vấn đề độ khơng đảm bảo đo theo hướng nhóm TC77 Một số nghiên cứu độ không đảm bảo đo với việc đưa ví dụ quỹ dự phịng độ khơng đảm bảo đo - Nâng cao việc đo lường kiểm định dạng sóng, bổ sung phụ lục theo dự thảo trước nhóm 77B/378/CDV, phụ lục tham khảo bắt buộc Công việc đánh giá qua buổi sửa chữa để định phụ lục thích hợp để bổ sung vào tiêu chuẩn Một vài phụ lục kết hợp lại - Băng tần 1GHz sử dụng để kiểm tra/ hiệu chuẩn phát ESD - Thêm hướng dẫn tác động ý muốn trường xạ đo thử mạch tốc độ cao - Các thủ tục xác nhận cảm biến hiệu chuẩn dịng phóng xác nhận hệ thống đo Các sửa đổi khác : - Giá trị cụ thể tụ điện tích trữ lượng 150 pF điện trở phóng 330 Ω khơng sử dụng làm chuẩn nữa, dạng sóng dịng phóng chuẩn lập thành công thức - Qui định thêm dung sai kích thước cho tất phương tiện thiết lập phép thử - Chiều dài cáp hồi tiếp qui định m ± cm - Khơng sử dụng ion hóa để khử điện tích Ấn IEC 61000-4-:2008 IEC cơng bố : - Phiên lần hai hủy bỏ thay ấn xuất vào năm 1995, sửa đổi lần (1998) sửa đổi lần (2000) Nó tạo thành Phần 4-2 IEC 61000 Nó có tư cách ấn phẩm EMC phù hợp với Hướng dẫn 107 IEC - Ủy ban định nội dung ấn phẩm không thay đổi ngày kết sửa đổi ghi trang web IEC "http://webstore.iec.ch" liệu liên quan đến việc công bố cụ thể Vào ngày này, ấn phẩm + khẳng định lại, + thu hồi, + thay phiên sửa đổi, + sửa đổi Kết luận : lý trên, tiêu chuẩn IEC 61000-4-2:2008 tài liệu tham chiếu gốc để xây dựng dự thảo TCVN xxxx8241-4-2:2013xx 3.3 Giải thích nội dung TCVN 3.4 Nhu cầu thực tếế khả áp dụng: Tiêu chuẩn tiêu chuẩn EMC dùng cho quan quản lý sản phẩm Các quan quản lý sản phẩm có trách nhiệm định việc có áp dụng tiêu chuẩn đo thử miễn nhiễm hay không, áp dụng, quan quản lý sản phẩm có trách nhiệm định mức thử phù hợp tiêu chí chất lượng So sánh nội dung dự thảo tiêu chuẩn với tài liệu tham chiếu Bảng đối chiếu nội dung TCVN với tài liệu tham khảo Bảng đối chiếu nội dung TCVN tài liệu tham khảo Mục tiêu, nội dung kết đề tài: Mục tiêu: Rà soát , bổ sung TCVN tương thích điện từ, phương pháp đo thử miễn nhiễm tượng phóng tĩnh điện theo tiêu chuẩn quốc tế cập nhật Nội dung: − Nghiên cứu nhu cầu sử dụng tình hình chuẩn hóa tương thích điện từ phương pháp đo thử miễn nhiễm tượng phóng tĩnh điện − Nghiên cứu, cập nhật phiên IEC 61000-4-2:2008 − Rà soát tiêu chuẩn với nội dung : + Các mức thử; + Thiết bị thử; + Thiết lập cấu hình phép thử; + Thủ tục thực phép thử Kết quả: − Báo cáo đề tài − Thuyết minh tiêu chuẩn − Dự thảo tiêu chuẩn tương thích điện từ (EMC) : Phương pháp đo thử - Miễn nhiễm tượng phóng tĩnh điện Sơ lược tình hình nghiên cứu, điều tra nước, nước 10 15 TCVN 69891:2003 Quy định kỹ thuật thiết bị đo phương pháp đo nhiễu miễn nhiễm tần số rađiô Phần 1: Thiết bị đo nhiễu miễn nhiễm tần số rađiô 16 TCVN 6989-11:2008 17 TCVN 6989-13:2008 18 TCVN 6989-15:2008 19 TCVN 69892:2001 20 TCVN 6989-22:2008 Yêu cầu kỹ thuật thiết bị đo phương pháp đo nhiễu miễn nhiễm tần số rađiô Phần 1-1: Thiết bị đo nhiễu miễn nhiễm tần số rađiô Thiết bị đo Yêu cầu kỹ thuật thiết bị đo phương pháp đo nhiễu miễn nhiễm tần số rađiô Phần 1-3: Thiết bị đo nhiễu miễn nhiễm tần số rađiô Thiết bị phụ trợ Công suất nhiễu Yêu cầu kỹ thuật thiết bị đo phương pháp đo nhiễu miễn nhiễm tần số rađiô Phần 1-5: Thiết bị đo nhiễu miễn nhiễm tần số rađiô Vị trí thử nghiệm hiệu chuẩn anten dải tần từ 30 MHz đến 1000 MHz Quy định kỹ thuật phương pháp đo thiết bị đo nhiễu miễn nhiễm Rađiô Phần 2: Phương pháp đo nhiễu miễn nhiễm Yêu cầu kỹ thuật thiết bị đo phương pháp đo nhiễu miễn nhiễm tần số rađiô Tiêu chuẩn tiêu chuẩn thuộc CISPR 16, quy định đặc tính tính thiết bị dùng để đo điện áp, dòng điện trường nhiễu tần số rađio dải từ kHz đến 18 GHz Tiêu chuẩn áp dụng cho thiết bị chuyên dùng để đo nhiễu không liên tục Các yêu cầu kỹ thuật gồm phép đo nhiễu tần số rađiô loại băng tần rộng băng tần hẹp Tiêu chuẩn tiêu chuẩn bản, quy định đặc tính tính thiết bị dùng để đo điện áp, dịng điện trường nhiễu tần số rađiơ dải tần kHz đến 18 GHz CISPR 161:1999 CISPR 16-11:2006 Tiêu chuẩn tiêu chuẩn CISPR quy định đặc điểm hiệu chuẩn 16-1kẹp hấp thụ dùng cho phép đo công 3:2004 suất nhiễu tần số rađiô dải tần từ 30 MHz đến GHz Tiêu chuẩn tiêu chuẩn bản, CISPR quy định yêu cầu vị trí 16-1thử nghiệm hiệu chuẩn sử 5:2003 dụng để thực hiệu chuẩn anten đặc tính anten thử nghiệm, quy trình kiểm tra vị trí hiệu chuẩn tiêu chí phù hợp vị trí Tiêu chuẩn qui định phương CISPR pháp đo tượng tương thích điện 16từ 2:1999 Tiêu chuẩn tiêu chuẩn CISPR quy định phương pháp đo công 16-2suất nhiễu sử dụng kẹp hấp thụ 2:2005 dải tần từ 30 MHz đến 1000 MHz 15 Phần 2-2: Phương pháp đo nhiễu miễn nhiễm Đo công suất nhiễu Yêu cầu kỹ thuật thiết bị đo phương pháp đo nhiễu miễn nhiễm tần số rađiô Phần 2-4: Phương pháp đo nhiễu miễn nhiễm Đo miễn nhiễm Thiết bị công nghệ thông tin Đặc tính nhiễu tần số rađio Giới hạn phương pháp đo 21 TCVN 6989-24:2008 22 TCVN 7189:2002 23 TCVN 7317:2003 Thiết bị cơng nghệ thơng tin Đặc tính miễn nhiễm Giới hạn phương pháp đo 24 TCVN 37181:2005 Quản lý an toàn trường xạ tần số rađio Phần 1: Mức phơi nhiễm lớn dải tần từ kHz đến 300 GHz 25 TCVN 37182:2007 Quản lý an toàn trường xạ tần số rađiô Phần 2: Phương pháp khuyến cáo để đo trường điện từ tần số rađio liên quan đến phơi nhiễm người dải tần từ 100 kHz đến 300 Tiêu chuẩn tiêu chuẩn CISPR quy định phương pháp đo miễn 16-2nhiễm với tượng EMC 4:2003 dải tần từ kHz đến 18 GHz Tiêu chuẩn áp dụng cho thiết bị công nghệ thông tin (ITE) Tiêu chuẩn đưa quy trình đo mức tín hiệu giả phát từ ITE quy định giới hạn dải tần số từ kHz đến 400 GHz cho thiết bị cấp A cấp B Các phép đo mức tín hiệu tần số khơng quy định giới hạn khơng cần thực Mục đích tiêu chuẩn thiết lập yêu cầu đồng mức nhiễu tần số rađio thiết bị thuộc phạm vi áp dụng tiêu chuẩn, ấn định giới hạn nhiễu, mô tả phương pháp đo tiêu chuẩn hoá điều kiện làm việc thể kết Tiêu chuẩn áp dụng cho thiết bị công nghệ thông tin (ITE) quy định TCVN 7189:2002 (CISPR 22) Tiêu chuẩn xác định quy trình cho phép đo ITE quy định giới hạn cho ITE trọng phạm vi dải tần từ Hz đến 400 GHz Tiêu chuẩn quy định giới hạn mức hấp thụ riêng, mức trường dẫn xuất việc phơi nhiễm phần toàn thể người trường tần số rađio (RF) dải tần từ kHz đến 300 GHz CISPR 22:1997 CISPR 24:1997 Tài liệu kỹ thuật WHO, ICNIRP, IRPA Tiêu chuẩn đưa phương TCVN pháp khuyến cáo để đo trường điện 3718từ tần số rađiô mà người 1:2005 bị phơi nhiễm Ngồi ra, tiêu chuẩn cịn quy định phương pháp thích hợp để đo trường dòng điện cảm ứng thể người bị phơi nhiễm trường dải tần từ 100kHz đến 300 GHz 16 QCVN 31:2011/BT TTT 27 QCVN 17:2010/B TTTT GHz Quy chuẩn kỹ thuật quốc gia phổ tần số tương thích điện từ thiết bị phát hình quảng bá mặt đất sử dụng kỹ thuật số DVB-T Quy chuẩn kỹ thuật quốc gia phổ tần tương thích điện từ thiết bị phát hình sử dụng công nghệ tương tự Quy chuẩn áp dụng cho loại máy phát dùng cho dịch vụ phát hình quảng bá mặt đất sử dụng kỹ thuật số theo tiêu chuẩn DVB-T Châu Âu, với độ rộng băng tần kênh MHz, hoạt động băng tần CEPT Hiện tại, băng tần số nằm băng truyền hình III, IV, V Quy chuẩn áp dụng cho loại thiết bị phát hình quảng bá sử dụng công nghệ tương tự, với độ rộng băng tần kênh MHz, điều chế âm, EN 302 296 v1.1.1 (200501), EN 301 4891 v1.8.1 (200804) EN 301 489-14 v1.2.1 (200305) ETSI EN 302 297 v1.1.1 (200501) hoạt động băng tần quy định nhằm đảm bảo sử dụng hiệu phổ tần không gây can nhiễu đến hệ thống khác Hiện tại, băng tần số nằm băng truyền hình I, III, IV V Nhận xét : − Các tiêu chuẩn quy chuẩn xây dựng hình thức chấp thuận áp dụng nguyên vẹn tiêu chuẩn IEC, ITU-T ETSI Các tiêu chuẩn Bộ Khoa học Công nghệ Bộ Thông tin truyền thông ban hành dạng − tiêu chuẩn quy chuẩn quốc gia Bộ tiêu chuẩn EMC thuộc xeri IEC 61000-4- chuyển đổi sang TCVN : + TCVN 8241-4-2:2009 (IEC 61000-4-2:2001) : Tương thích điện từ (EMC) – Phần + 4-2: Phương pháp đo thử - Miễn nhiễm tượng phóng tĩnh điện TCVN 8241-4-3:2009 (IEC 61000-4-3:2006) : Tương thích điện từ (EMC) – Phần 4-3: Phương pháp đo thử - Miễn nhiễm nhiễu phát xạ tần số vô tuyến + TCVN 8241-4-5:2009(IEC 61000-4-5:2005) : Tương thích điện từ (EMC) - Phần 4-5: Phương pháp đo thử - Miễn nhiễm xung 17 + TCVN 8241-4-6:2009 (IEC 61000-4-6:2004) : Tương thích điện từ (EMC) - Phần 4-6: Phương pháp đo thử - Miễn nhiễm nhiễu dẫn tần số vô tuyến Các tổ chức tiêu chuẩn quốc tế Tương thích điện từ (EMC) mơ tả tình trạng môi trường điện từ tượng tự nhiên thiết bị điện, điện tử tạo không gây nhiễu lên hệ thống thiết bị điện tử khác Để đạt điều này, cần phải giảm phát xạ điện từ (EM) từ nguồn điều khiển tăng khả miễn nhiễm điện từ thiết bị bị ảnh hưởng, phải thực hai điều Các tổ chức tiêu chuẩn quốc tế ITU, IEC quan tâm nhiều đến vấn đề Hệ thống tiêu chuẩn EMC tổ chức tiêu chuẩn hóa quốc tế IEC, ITU, CISPR… xây dựng hoàn chỉnh bổ sung, cập nhật thường xuyên Vấn đề tiêu chuẩn hóa EMC tập trung vào mảng sau: Các tiêu chuẩn EMC bao gồm phương pháp đo thử phát xạ miễn nhiễm; Các tiêu chuẩn EMC tổng quan Các tiêu chuẩn xác định tập hợp loại nhiễu bản, phương pháp đo thử mức thử tương ứng cho lớp mơi trường (ví dụ khu dân cư) phát xạ miễn nhiễm Tiêu chuẩn họ sản phẩm EMC liên quan đến lớp thiết bị tiêu chuẩn họ sản phẩm liên quan tới loại thiết bị cụ thể tiêu chuẩn sản phẩm (các tiêu chuẩn thường bao gồm phát xạ miễn nhiễm) Giới hạn phát xạ EM (cả nhiễu dẫn nhiễu phát xạ) cho tất sản phẩm Các tiêu chuẩn EMC xây dựng chủ yếu IEC, ITU, CISPR , ETSI thường tập trung xây dựng tiêu chuẩn EMC họ sản phẩm Trong năm gần đây, tiêu chuẩn quốc tế EMC cập nhật, sửa đổi để có nội dung hồn thiện hơn, có tiêu chuẩn lựa chọn làm sở xây dựng tiêu chuẩn Việt Nam rà soát, cập : Các tiêu chuẩn IEC IEC 61000-4-2 “Electromagnetic compatibility (EMC) – Part 4-2: Testing and measurement techniques – Electrostatic discharge”, 12/2008 IEC 61000-4-3 “Electromagnetic compatibility (EMC) – Part 4-3 : Testing and measurement techniques – Radiated, radio – frequency, electromagnetic field immunity test”, 04/2010 IEC 61000 - – 11 “Electromagnetic compatibility (EMC) - Part 4-11: Testing and measurement techniques - Voltage dips, short interruptions and voltage variations immunity tests” IEC 61000-4-5 “Electromagnetic compatibility (EMC) - Part 4-5: Testing and measurement techniques - Surge immunity test” IEC 61000-4-8 “Electromagnetic compatibility (EMC) - Part 4-8: Testing and measurement techniques – Power frequency magnetic field immunity test ” Các tiêu chuẩn khác CENELEC EN 55024 “Information technology equipment - Immunity characteristics Limits and methods of measurement” CISPR 24 “Information technology equipment – Immunity characteristics – Limits and methods of measurement” Bộ tiêu chuẩn xeri ETSI EN 301 489 “Electromagnetic compatibility and Radio spectrum Matters (ERM); ElectroMagnetic Compatibility (EMC) standard for radio equipment and services” bao gồm phần sau: Phần 1: "Common technical requirements"; Phần 2: "Specific conditions for radio paging equipment"; Phần 3: "Specific conditions for Short-Range Devices (SRD) operating on frequencies between kHz and 40 GHz"; 18 Phần 4: "Specific conditions for fixed radio links and ancillary equipment and services"; Phần 5: "Specific conditions for Private land Mobile Radio (PMR) and ancillary equipment (speech and non-speech)"; Phần 6: "Specific conditions for Digital Enhanced Cordless Telecommunications (DECT) equipment"; Phần 7: "Specific conditions for mobile and portable radio and ancillary equipment of digital cellular radio telecommunications systems (GSM and DCS)"; Phần 8: "Specific conditions for GSM base stations"; Phần 9: "Specific conditions for wireless microphones, similar Radio Frequency (RF) audio link equipment, cordless audio and in-ear monitoring devices"; Phần 10: "Specific conditions for First (CT1 and CT1+) and Second Generation Cordless Telephone (CT2) equipment"; Phần 11: "Specific conditions for terrestrial sound broadcasting service transmitters"; Phần 12: "Specific conditions for Very Small Aperture Terminal, Satellite Interactive Earth Stations operated in the frequency ranges between GHz and 30 GHz in the Fixed Satellite Service (FSS)"; Phần 13: "Specific conditions for Citizens' Band (CB) radio and ancillary equipment (speech and non-speech)"; Phần 14: "Specific conditions for analogue and digital terrestrial TV broadcasting service transmitters"; Phần 15: "Specific conditions for commercially available amateur radio equipment"; Phần 16: "Specific conditions for analogue cellular radio communications equipment, mobile and portable"; Phần 17: "Specific conditions for 2,4 GHz wideband transmission systems, GHz high LAN equipment and 5,8 GHz Broadband Data Transmitting Systems"; Phần 18: "Specific conditions for Terrestrial Trunked Radio (TETRA) equipment"; Phần 19: "Specific conditions for Receive Only Mobile Earth Stations (ROMES) operating in the 1,5 GHz band providing data communications"; Phần 20: "Specific conditions for Mobile Earth Stations (MES) used in the Mobile Satellite Services (MSS) Phần 22: "Specific conditions for ground based VHF aeronautical mobile and fixed radio equipment"; Phần 23: "Specific conditions for IMT-2000 CDMA Direct Spread Base Station (BS) radio, repeater and ancillary equipment"; 19 Phần 24: "Specific conditions for IMT-2000 CDMA Direct Spread for Mobile and portable (UE) radio and ancillary equipment"; Phần 25: "Specific conditions for CDMA 1x spread spectrum Mobile Stations and ancillary equipment"; Phần 26: "Specific conditions for CDMA 1x spread spectrum Base Stations, repeaters and ancillary equipment"; Phần 27: "Specific conditions for Ultra Low Power Active Medical Implants (ULP-AMI) and related peripheral devices (ULP-AMI-P)"; Phần 28: "Specific conditions for wireless digital video links"; Phần 31: "Specific conditions for equipment in the kHz to 315 kHz band for Ultra Low Power Active Medical Implants (ULP-AMI) and related peripheral devices (ULP-AMI-P)"; Phần 32: "Specific conditions for Ground and Wall Probing Radar applications" Lý mục đích rà sốt tiêu chuẩn Lý u cầu quản lý − Luật Tiêu chuẩn quy chuẩn kỹ thuật nhà nước năm 2006 quy định: − Hệ thống tiêu chuẩn chia thành hai loại: Tiêu chuẩn Quy chuẩn kỹ thuật; − Hệ thống tiêu chuẩn Việt nam bao gồm: Tiêu chuẩn quốc gia (kí hiệu TCVN) Tiêu chuẩn sở (ký hiệu TCCS); − Hệ thống quy chuẩn kĩ thuật Việt nam bao gồm: Quy chuẩn kỹ thuật quốc gia (kí hiệu QCVN) Quy chuẩn kỹ thuật địa phương (kí hiệu QCĐP); − Bộ trưởng, Thủ trưởng quan ngang bộ, Thủ trưởng quan thuộc Chính phủ tổ chức xây dựng dự thảo tiêu chuẩn quốc gia đề nghị thẩm định, công bố; − Các tổ chức xây dựng công bố tiêu chuẩn sở bao gồm: Tổ chức kinh tế; Cơ quan nhà nước; Đơn vị nghiệp; Tổ chức xã hội - nghề nghiệp; − Bộ trưởng, Thủ trưởng quan ngang tổ chức xây dựng ban hành quy chuẩn kỹ thuật quốc gia phạm vi ngành, lĩnh vực phân công quản lý; − Uỷ ban nhân dân tỉnh, thành phố trực thuộc trung ương xây dựng ban hành quy chuẩn kỹ thuật địa phương để áp dụng phạm vi quản lý địa phương sản phẩm, hàng hố, dịch vụ, q trình đặc thù địa phương yêu cầu cụ thể môi trường cho phù hợp với đặc điểm địa lý, khí hậu, thuỷ văn, trình độ phát triển kinh tế - xã hội địa phương Tài liệu tham chiếu gốc thay đổi Tiêu chuẩn quốc tế IEC 61000-4-2 xây dựng tiểu ban 77B: Hiện tượng tần số cao trực thuộc Ủy ban kỹ thuật IEC 77: Tương thích điện từ Tiêu chuẩn có ấn áp dụng cho thiết bị điện tử vào năm 1995 Hiện IEC ban hành phiên IEC 61000-4-2 vào tháng 12 năm 2008 IEC 6100-4-2:2008 Phiên có nhiều thay đổi so với phiên IEC 1000-4-2:1999 phiên sửa đổi IEC 61000-4-2:2001 (xem bảng để biết thêm chi tiết) Việc công bố ấn thứ hai bị chậm nhiều so với chu kỳ sửa đổi năm 20 Năm 1984 1991 1995 1997 1998 2000 2008 Phiên IEC 801-2:1984 Edition IEC 801-2:1991 Edition IEC 1000-4-2:1995 Edition IEC 61000-4-2:1995 Edition IEC 61000-4-2:1995 +A1:1998 IEC 61000-4-2:1995 +A1:1998+A2:2000 Ghi IEC 61000-4-2:2001 Edition 1.2 Tài liệu tham chiếu gốc TCVN 8241-4-2 : 2009 IEC 61000-4-2:2008 Edition Tài liệu tham chiếu gốc dự thảo tiêu chuẩn cập nhật sửa đổi Những thay đổi so với phiên sửa đổi phiên sau: Các mức thử : − Giữ nguyên mức thử bảng 1, việc tiến hành thử mức thấp khơng cần thiết phép thử phóng tĩnh điện chế độ tiếp xúc Bộ tạo tín hiệu thử : − − Chi tiết đầu điện cực phóng điện Thay đổi đặc điểm kỹ thuật máy phát dựa thông số đầu không qui định cụ thể giá trị C R − Cải thiện chi tiết / vẽ dạng sóng dịng phóng với cơng thức tốn học, hàm bao mà khơng thay đổi dòng chuẩn Khảo sát thêm mạch tương đương với máy phát ESD tiến tiến ( ví dụ mơ hình hóa) để tạo dạng sóng dịng phóng đầu máy phát phụ lục tham khảo − Vị trí cáp hồi tiếp gắn với với mặt phẳng thẳng đứng kiểm tra và/hoặc hiệu chuẩn − Bổ xung thêm ví dụ thơng tin giải thích suy hao sử dụng trình kiểm tra/ hiệu chuẩn máy phát − Thực thay đổi nhỏ cấu hình thiết lập phép thử để cải thiện khả lặp lại phép thử Các vấn đề cần thảo luận thiết lập phép thử bao gồm vấn đề hoạt động súng phóng, bố trí cáp EUT, kích thước mặt phẳng ghép − Bổ sung cấu hình thiết lập phép thử áp dụng cho thiết bị sử dụng pin, đặc biệt vấn đế tiếp đất 21 − Xác định rõ vị trí cách sử dụng mặt phẳng ghép đứng (VCP) thực thiện phép thử phóng trực tiếp − Cải thiện phương pháp khử tích điện từ mặt phẳng khơng tiếp đấp (phương pháp ưu tiên, dùng chổi than vv) − Thủ tục kiểm tra đánh giá kết thử − Vấn đề xử lý kết thử Các phụ lục : − Bổ sung thêm giải thích ảnh hưởng phát xạ ( phụ lục tham khảo) khả giảm thiểu ảnh hưởng − Các chi tiết kỹ thuật cảm biến dòng mở rộng lên đến GHz Một ví dụ cảm biến dòng thỏa mãn yêu cầu kỹ thuật qui định − Làm rõ vấn đề độ khơng đảm bảo đo theo hướng nhóm TC77 Một số nghiên cứu độ không đảm bảo đo với việc đưa ví dụ ngân sách độ không đảm bảo đo − Nâng cao việc đo lường kiểm định dạng sóng, bổ sung phụ lục theo dự thảo trước nhóm 77B/378/CDV, phụ lục tham khảo bắt buộc Công việc đánh giá qua buổi sửa chữa để định phụ lục thích hợp để bổ sung vào tiêu chuẩn Một vài phụ lục kết hợp lại − Băng tần 1GHz sử dụng để kiểm tra/ hiệu chuẩn phát ESD − Thêm hướng dẫn tác động ý muốn trường xạ đo thử mạch tốc độ cao − Các thủ tục xác nhận cảm biến hiệu chuẩn dịng phóng xác nhận hệ thống đo Các sửa đổi khác − Giá trị cụ thể tụ điện tích trữ lượng 150 pF điện trở phóng 330 Ω không sử dụng làm chuẩn nữa, dạng sóng dịng phóng chuẩn lập thành cơng thức − Qui định thêm dung sai kích thước cho tất phương tiện thiết lập phép thử − Chiều dài cáp hồi tiếp qui định m ± cm − Không sử dụng ion hóa để khử điện tích Ấn IEC 61000-4-:2008 IEC công bố : 22 − Phiên lần hai hủy bỏ thay ấn xuất vào năm 1995, sửa đổi lần (1998) sửa đổi lần (2000) Nó tạo thành Phần 4-2 IEC 61000 Nó có tư cách ấn phẩm EMC phù hợp với Hướng dẫn 107 IEC − Ủy ban định nội dung ấn phẩm không thay đổi ngày kết sửa đổi ghi trang web IEC "http://webstore.iec.ch" liệu liên quan đến việc công bố cụ thể Vào ngày này, ấn phẩm + khẳng định lại, + thu hồi, + thay phiên sửa đổi, + sửa đổi Kết luận : lý trên, tiêu chuẩn IEC 61000-4-2:2008 tài liệu tham chiếu gốc để xây dựng dự thảo TCVN 8241-4-2:20xx Mục đích Sốt xét tên, phạm vi áp dụng nội dung tiêu chuẩn; thực bổ sung, sửa đổi cần thiết Xây dựng dự thảo Tiêu chuẩn quốc gia theo khuôn dạng Đối chiếu dự thảo tiêu chuẩn TCVN 8241-4-2 : 20xx so với TCVN 8241-42:2009 23 Dự thảo TCVN xxxx8241-42:2013xx IEC 61000-4-2:2008 Phạm vi áp dụng Sửa đổi bổ sung Tự xây dựng Tài liệu viện dẫn Normative references Áp dụng nguyên vẹn Qui định chung General Áp dụng nguyên vẹn Thuật ngữ định nghĩa Terms and definitions Áp dụng nguyên vẹn 4.3 3.3 Hiệu chuẩn (calibration) calibration Một loạt hoạt động, tham chiếu tới tiêu chuẩn, tạo mối liên hệ phần hiển thị kết kết đo điều kiện xác định set of operations which establishes, by reference to standards, the relationship which exists, under specified conditions, between an indication and a result of a measurement CHÚ THÍCH : thuật ngữ dựa phương pháp tiếp cận "không chắn" CHÚ THÍCH : Mối quan hệ phần hiển thị kết kết đo đạc thể hiện, nguyên tắc, sơ đồ hiệu chuẩn [IEV 311-01-09] NOTE This term is based on the "uncertainty" approach NOTE The relationship between the indications and the results of measurement can be expressed, in principle, by a calibration diagram [IEV 311-01-09] 4.4 Phép thử tuân thủ (conformance test) Thử nghiệm mẫu đại diện thiết bị với mục tiêu xác định xem thiết bị, thiết kế sản xuất, đáp ứng yêu cầu tiêu chuẩn 3.4 conformance test test on a representative sample of the equipment with the objective of determining whether the equipment, as designed and manufactured, can meet the requirements of this standard 4.17 3.17 Thời gian tăng (rise time) rise time Khoảng thời gian instants mà giá trị tức thời xung đạt đến giới hạn quy định mức mức interval of time between the instants at which the instantaneous value of a pulse first reaches the specified lower and upper limits CHÚ THÍCH : Trừ có quy định khác, giá trị mức mức cố định mức 90 % 10 % độ lớn xung [IEV 161-02-05, có sửa đổi] 4.18 Xác nhận (verification) Tập hoạt động sử dụng để kiểm tra hệ thống thiết bị kiểm tra (ví dụ, máy phát tín hiệu thử cáp kết NOTE Unless otherwise specified, the lower and upper values are fixed at 10 % and 90 % of the pulse magnitude [IEV 161-02-05, modified] 3.18 verification set of operations which are used to check the test 24 Dự thảo TCVN xxxx8241-42:2013xx IEC 61000-4-2:2008 nối) để chứng minh hệ thống kiểm tra thực chức equipment system (e.g., the test generator and the interconnecting cables) and to demonstrate that the test system is functioning CHÚ THÍCH : phương pháp sử dụng để xác nhận khác với phướng pháp sử dụng để hiệu chỉnh CHÚ THÍCH : mục đích tiêu chuẩn EMC này, định nghĩa khác với định nghĩa đưa IEV 311-01-13 Các mức thử Sửa đổi bổ sung NOTE The methods used for verification can be different from those used for calibration NOTE For the purpose of this basic EMC standard this definition is different from the definition given in IEV 311-0113 Test levels Áp dụng nguyên vẹn Test generator Áp dụng nguyên vẹn Máy phát tín hiệu thử 6.1 General – charging resistor Rc; – energy-storage capacitor Cs; – distributed capacitance Cd; – discharge resistor Rd; – voltage indicator; – discharge switch; – charge switch; – interchangeable tips of the discharge electrode (see Figure 3); – discharge return cable; – power supply unit Cấu hình thử 6.2 Các đặc tính chất lượng máy phát ESD Test setup6.2 Characteristics and performance of the ESD generator Áp dụng nguyên vẹn Thủ tục thực phép thử Test procedure Áp dụng nguyên vẹn Đánh giá kết thử Xác nhận thiết lập ESD Evaluation of test results Áp dụng nguyên vẹn 10 Biên thửCấu hình thử 10 Test report Áp dụng nguyên vẹn Phụ lục A (Tham khảo) Annex A (informative) Explanatory notes Áp dụng nguyên vẹn Các thông tin giải thích bổ sungThiết bị thử 25