1. Trang chủ
  2. » Giáo Dục - Đào Tạo

Tìm hiểu mạch cơ bản thông qua Multisim

11 13 0

Đang tải... (xem toàn văn)

Tài liệu hạn chế xem trước, để xem đầy đủ mời bạn chọn Tải xuống

THÔNG TIN TÀI LIỆU

Cấu trúc

  • Mạch chỉnh lưu nửa chu kì

  • Mạch chỉnh lưu cầu

  • Mạch ổn áp dùng Zener

  • Mạch hạn chế trên dưới

  • Mạch phân cực Bazơ

  • Mạch phân cực Emitơ

  • Mạch phân áp

  • Mạch phân cực bằng hồi tiếp Colecto

Nội dung

TRƯỜNG ĐẠI HỌC BÁCH KHOA HÀ NỘI VIỆN ĐIỆN TỬ VIỄN THƠNG Tìm hiểu mạch thơng qua Multisim Bài báo cáo Giảng viên hướng dẫn: Hoàng Quang Huy Sinh viên thực hiện: Diệp Xuân Sơn (20172789) Nguyễn Văn Tuấn (20172889) Lớp: Điện tử viễn thông_04 Mục Lục Mạch chỉnh lưu nửa chu kì Mạch chỉnh lưu cầu Mạch ổn áp dùng Zener .4 Mạch hạn chế .5 Mạch phân cực Bazơ Mạch phân cực Emitơ Mạch phân áp .8 Mạch phân cực hồi tiếp Colectơ Quy ước Các đồ thị sử dụng với qui ước màu đỏ đường điện áp vào, màu xanh đường điện áp Mạch chỉnh lưu nửa chu kì XSC1 Ext Trig + _ B A + _ + _ D MBA V1 110Vpk 50Hz 0° R1 1kΩ C1 20µF Đặc điểm : - Nửa chu kì đầu Diode phân cực thuận, cho dịng chạy qua, nửa chu kì sau điện áp đặt lên Diode đổi chiều nên Diode phân cực ngược, không cho dòng chạy qua - Khi lắp thêm tụ C song song với Rt tụ C tích phóng điện cho Ur ổn định Khơng có tụ C Có tụ C Page Mạch chỉnh lưu cầu XSC1 Ext Trig + _ B A + V1 110Vpk 50Hz 0° D3 D1 D2 D4 _ + _ MBA R1 1kΩ C1 20µF Đặc điểm : - Chỉnh lưu dòng xoay chiều thành dòng chiều tương tự mạch chỉnh lưu nửa chu kì - Có ưu điểm điện áp ngược đặt diode 1/2 mạch chỉnh lưu nửa chu kì dùng diode - Tụ C làm ổn định điện áp Khơng có tụ C Page Có tụ C Mạch ổn áp dùng Zener XSC1 Ext Trig + _ B A + D3 _ + _ D1 MBA V1 110Vpk 50Hz 0° R0 50Ω D2 Page D4 U1 10 V Rt 100kΩ + Khi 0≤ E≤�� => Diode Zener không phân cực => ��� = � + Khi E ≥ �� => Diode Zener phân cực ngược => ��� = �� Kết cho thấy Sau Diode Zener điện áp ổn định khảng ngắt quãng thu hẹp lại đáng kể ��� = �� = 10.17 ( E ≥ �� ) Mạch hạn chế Page XSC1 Ext Trig + _ B A + _ + _ R1 1kΩ V1 110Vpk 50Hz 0° MBA D1 D2 E1 12V E2 -10V Đặc điểm: - Khi Uv ≥ E1, diode D1 phân cực thuận, D2 phân cực ngược : Ur = E1 - Khi −E2 < Uv < E1, diode D2 phân cực ngược, D1 phân cực ngược : Ur =Uv - Khi Uv ≤ −E2, diode D2 phân cực thuận , D1 phân cực ngược : Ur = - E2 - Điện trở R1 có chức tránh đoản mạch trường hợp : U r = E1 Uv = −E2 Page Mạch phân cực Bazơ + - Rb 500kΩ 6.477m A Ic DC 1e-009Ohm Ec 20V Rc 2.2kΩ Ib + 0.038m Q1 2N3904 A + - 5.752 V Uce DC 10MOhm DC 1e-009Ohm + - 6.515m A Ie DC 1e-009Ohm Đặc điểm : - Mạch đơn giản - Điểm làm việc tĩnh chịu nhiều ảnh hưởng nhiệt độ - Ứng dụng chủ yếu chế độ chuyển mạch Tính tốn : Ở chế độ chiều EC - IBRB - UBE = -> EC = IBRB + UBE -> IB = (EC - UBE)/RB IC = βIB -> UCE = EC - ICRC Với giá trị R EC cho hình vẽ, β = 170 ta có : IB = 0.039mA, IC = 6.562mA, IE = 6.601mA, UCE = 5.563V Các giá trị tính tốn lý thuyết sai lệch với thực nghiệm q trình tính tốn ta bỏ qua điện trở Transistor số thông số khác Mạch phân cực Emitơ + - 5.688m Rb1 500kΩ A Ic1 DC 1e-009Ohm Ec1 20V Rc1 2.2kΩ Ib1 + 0.034m Q1 2N3904 A + - 5.482 V Uce1 DC 10MOhm DC 1e-009Ohm Re 350Ω + - 5.723m A Ie1 DC 1e-009Ohm Đặc điểm : - Điểm làm việc chịu ảnh hưởng nhiệt độ mạch phân cực Bazơ - Re chọn không lớn cho (Ure < Ec/10 ) để tránh giảm thiểu hệ số khuyếch đại mạch Tính tốn : IB = (EC - UBE)/(RB + (β +1)RE) IC = βIB UCE = EC - IC(RC + RE) Với giá trị R, EC cho β = 170 ta có : IB = 0.0345mA, IC = 5.86mA, IE = 5.895mA, UCE = 5.057V Các giá trị tính tốn lý thuyết sai lệch với thực nghiệm trình tính tốn ta bỏ qua điện trở Transistor làm trịn số bước tính Mạch phân áp + - Rb1 39kΩ 0.874m A Ic DC 1e-009Ohm Ec 22V Rc 10kΩ Ib + 5.773u Q1 2N3904 A + - 11.936 V Uce DC 10MOhm DC 1e-009Ohm Re1 1.5kΩ Rb2 3.9kΩ + - 0.88m A Ie DC 1e-009Ohm Đặc điểm : - Điểm làm việc tĩnh chịu ảnh hưởng nhiệt độ - Khả ổn định điểm làm việc tĩnh tốt Tính tốn : Rth = Rb1*Rb2/(Rb1+ Rb2) Eth = Ec*Rb2/(Rb1+Rb2) IB = (Eth - UBE)/(Rth +(β+1)RE1) IC = βIB UCE = EC - IC(RC + RE1) Với giá trị R EC cho hình vẽ, β = 140 ta có : IB = 6.05uA, IC = 0.85mA, IE = 0.85mA, UCE = 11.936V Các giá trị tính tốn lý thuyết sai lệch với thực nghiệm q trình tính toán ta bỏ qua điện trở Transistor số thông số Mạch phân cực hồi tiếp Colecto + - 3.332m A Ic DC 1e-009Ohm Ec 20V Rc 2.2kΩ Rb 500kΩ Ib + 0.02m Q1 2N3904 A + - 10.672 V U4 DC 10MOhm DC 1e-009Ohm Re 600Ω + - 3.331m A Ie DC 1e-009Ohm Đặc điểm : - Điểm làm việc chịu nhiều ảnh hưởng nhiệt độ - Re chọn không lớn cho (Ure < EC/10 ) để tránh giảm thiểu hệ số khuyếch đại mạch Tính tốn : IB = (EC - UBE)/(RB + β(RC + RE)) IC = βIB UCE = EC - IC(RC + RE) Với giá trị R, EC cho β = 170 ta có : IB = 0.02mA, IC = 3.362mA, IE = 3.381mA, UCE = 10.586V Các giá trị tính tốn lý thuyết sai lệch với thực nghiệm trình tính tốn ta bỏ qua điện trở Transistor làm trịn số bước tính ...Mục Lục Mạch chỉnh lưu nửa chu kì Mạch chỉnh lưu cầu Mạch ổn áp dùng Zener .4 Mạch hạn chế .5 Mạch phân cực Bazơ Mạch phân cực... Emitơ Mạch phân áp .8 Mạch phân cực hồi tiếp Colectơ Quy ước Các đồ thị sử dụng với qui ước màu đỏ đường điện áp vào, màu xanh đường điện áp Mạch chỉnh lưu nửa... Các giá trị tính tốn lý thuyết sai lệch với thực nghiệm trình tính tốn ta bỏ qua điện trở Transistor số thông số khác Mạch phân cực Emitơ + - 5.688m Rb1 500kΩ A Ic1 DC 1e-009Ohm Ec1 20V Rc1 2.2kΩ

Ngày đăng: 12/02/2022, 15:25

TÀI LIỆU CÙNG NGƯỜI DÙNG

  • Đang cập nhật ...

TÀI LIỆU LIÊN QUAN

w