Bên cạnh việc chế tạo và nghiên cứu các tính chất đặc trưng của vật liệu dẫn ion La(2/3)-xLi3xTi03 dạng khối, để ứng dụng một cách có hiệu quả vật liệu rắn dẫn ion này, nhiều nhóm nghiên cún trong nước cũng như trên thế giới đã tập trung nghiên cứu và chế tạo nó dưới dạng màng mỏng. Morales và cộng sự đã chế tạo màng mỏng LLTO bằng phương pháp phún xạ xoay chiều (rf) [31]. Fu đã chế tạo màng mỏng LLTO bằng phương pháp bốc bay chùm điện tử và cho thấy công suất chùm tia điện tử ảnh hưởng rõ rệt tới phẩm chất của màng LLTỌ Độ dẫn ion liti và năng lượng
27 7
hoạt hóa của màng nhận được, tương ứng là l,8xl0"7 s.crn"1 và 0,32eV [30]. Ahn và Yoon [3], [4] đã chế tạo thành công màng mỏng LLTO vô định hình bằng PLD có độ dẫn ion -1СГ5 s.cm"1 thích hợp làm chất điện li của các pin màng mỏng. Furusawa và cộng sự [22] cũng đã nhận được độ dẫn Li+ của màng vô định hình LLTO chế tạo bằng PLD có giá trị 10'4 s.cm'1 cao hơn độ dẫn của các màng LLTO tinh thể.
Tóm lại, mặc dù đã được nhiều tập thể khoa học tập trung nghiên cứu nhưng các kết quả đã báo cáo đều cho thấy màng mỏng LLTO đều có độ dẫn ion thấp hơn vật liệu LLTO dạng khối (ơ = 10"7 -ỉ- 1СГ4 s.cm'1 so với 10’3 s.cm'1) và năng lượng hoạt hóa lớn hon (1,05 eV). Trong nhiều công trình nghiên cứu, các kết quả nhận được có sự khác biệt khá lớn về giải thích cơ chế dẫn ion, về vi cấu trúc của LLTỌ Ảnh hưởng của chế độ công nghệ, hàm lượng liti lên độ dẫn cao của mẫu cũng không được giải thích một cách thống nhất trong nhiều công trình. Vì vậy, việc tìm kiếm công nghệ chế tạo vật liệu nhằm nâng Cãỡ độ dân iõĩi đặc biệt là màng mỏng LLTO vân là vân đê có ý nghĩa khoa học và ứng dụng thực tiễn caọ
Trong luận văn này, chúng tôi trình bày các kết quả nhận được khi chế tạo mảng mỏng LLTO bằng kĩ thuật bốc bay chùm tia điện tử để.
Chương 2 THỰC NGHIỆM CHẾ TẠO MẪU
• • •
VÀ PHƯƠNG PHÁP NGHIÊN CỦtJ 2.1. Phương pháp chế tạo mẫu