Nhiệt độ đóng vai trò vô cùng quan trọng đối với phản ứng phân hủy nhiệt. Nhiệt độ giúp đẩy nhanh tốc độ phản ứng. Với cùng khối lượng xúc tác, chất phản ứng, điều kiện phản ứng như nhau, khi thay đổi nhiệt độ phản ứng, hiệu suất phản ứng cũng thay đổi rõ rệt.
Có thể biểu diễn ảnh hưởng của nhiệt độ đến hiệu suất phân hủy nhiệt xúc tác PCBs ở hình 3.7 sẽ thấy rõ hơn xu hướng ảnh hưởng của nhiệt độ, tỉ lệ thành phần xúc tác đến phân hủy PCBs.
Hình 3.7: Sự ảnh hưởng nhiệt độ đến hiệu suất phân hủy PCBs
Như vậy: Hiệu suất phân hủy PCBs tăng theo chiều tăng của nhiệt độ từ 400 đến 5500C ở cả 6 hệ xúc tác; theo đó:
Đối với hệ xúc tác BA-T1, khi tăng dần nhiệt độ từ 400; 450; 500 đến 5500C thì hiệu suất phân hủy nhiệt xúc tác PCBs cũng tăng dần tương ứng theo thứ tự sau: 88,42%; 90,42%; 95,58%, 98,41%.
Đối với hệ xúc tác BA-T2, hiệu suất phân hủy tăng từ 90,56% tại nhiệt độ 4000C đến 99,2% tại 5500C. Vậy, ở nhiệt độ 5500C hiệu suất phân hủy nhiệt xúc tác PCBs tăng 1,096 lần so với nhiệt độ 4000
C.
Đối với hệ xúc tác BA-T3, hiệu suất phân hủy PCBs đạt 93,13% tại nhiệt độ 4000C; 96,53% tại nhiệt độ 4500C; 97,35% tại nhiệt độ 5000C và đạt 99,72% tại 5500C.
Đối với các hệ xúc tác BA-T4, BA-T5, BA-T6 chỉ có một thành phần xúc tác CeO2, hiệu suất phân hủy PCBs thấp hơn và cũng tăng dần theo nhiệt độ. Ở nhiệt độ 4000C hiệu suất phân hủy PCBs của hệ BA-T4, BA-T5, BA-T6 lần lượt là 78,67%; 79,24%; 79,62%. Còn đến nhiệt độ 5500C thì hiệu suất phân hủy PCBs tăng lên và
đạt 85,79% đối với hệ BA-T4; đạt 85,84% đối với hệ BA-T5; đạt 86,29% đối với hệ BA-T6.
Hiệu suất phân hủy của các hệ xúc tác BA-T1; BA-T2; BA-T3; BA-T4; BA- T5; BA-T6 tại 5500C tăng gấp 1,113; 1,096; 1,071; 1,09; 1,083; 1,084 lần so với ở 4000C. Điều này phù hợp với lý thuyết, khi nhiệt độ tăng làm hằng số tốc độ phản ứng tăng, dẫn đến tốc độ phản ứng tăng. Mặt khác nhiệt độ tăng đã làm tăng hoạt tính xúc tác của oxit kim loại chuyển tiếp CuO, Cr2O3 và CeO2. Hệ BA-T4, BA-T5, BA-T6 hiệu quả xử lý khá ổn định, không có sự tăng nhiều như hệ BA-T1, BA-T2, BA-T3 trong khoảng nhiệt độ khảo sát 400 đến 5500C.