Photodiode PIN là bộ tách sóng dùng để biến đổi tín hiệu quang thành tín hiệu điện. Cấu trúc cơ bản của Photodiode PIN gồm các vùng P và N đặt cách nhau bằng một lớp tự dẫn I rất mỏng. Để thiết bị hoạt động thì cần phải cấp một thiên áp ngược để vùng bên trong rút hết các loại hạt mang. Khi có ánh sáng đi vào Photodiode PIN thì sẽ xảy ra quá trình như sau. Nếu một photon trong chùm ánh sáng tới mang một năng lượng hv lớn hơn hoặc ngang bằng với năng lượng dải cấm của lớp vật liệu bán dẫn trong Photodiode thì photon có thể kích thích điện tử từ vùng hoá trị sang vùng dẫn, quá trình này sẽ phát ra các cặp điện tử, lỗ trống. Thông thường, bộ tách sóng quang được thiết kế sao cho các hạt mang này chủ yếu được phát ra tại vùng nghèo là nơi mà hầu hết các ánh sáng tới bị hấp thụ (hình 2.13). Sự có mặt của trường điện cao trong vùng nghèo làm cho các hạt mang tách nhau ra và thu nhận qua tiếp giáp có thiên áp ngược. Điều này làm tăng luồng dòng ở mạch ngoài, với một luồng dòng điện sẽ ứng với nhiều cặp mang được phát ra và dòng này gọi là dòng photon.
Trong trường hợp lý tưởng, mỗi photon chiếu vào phái sinh ra một xung điện ở mạch ngoài và giá trị trung bình của dòng điện sinh ra phải tỷ lệ với công suất của ánh sáng chiếu vào nhưng trong thực tế, không đạt được như vậy mà một phần ánh sáng bị tổn hao do phản xạ.
Hình 2.13 Sơ đồ vùng năng lượng của Photodiode PIN