Trong đề tài này chúng tôi tiến hành chế tạo ZnO nanorod ứng dụng được trong pin mặt trời lai hóa. Vì vậy, cấu trúc này phải đủ điều kiện để cho các electron đi qua. Nếu không sẽ xảy ra sự tái hợp của electron ngay bên trong vật liệu bán dẫn và sẽ không có dòng điện. Quãng đường điện tử chạy vào khoảng ≤ 10nm, vì vậy khoảng cách giữa các thanh nano phải vào khoảng 20nm. Với bề dày của lớp quang hoạt vào khoảng 200nm thì ánh sáng mặt trời sẽ bị hấp thụ hết vì vậy thanh nano quá dài sẽ lãng phí nên chỉ cần có chiều dài 200nm là lý tưởng. Với chiều dài và khoảng cách giữa các thanh nano như vậy thì bán kính của thanh nano vào khoảng 50nm.
4.1 THỰC NGHIỆM
4.1.1 Chuẩn bị hóa chất thiết bịHóa chất: Hóa chất:
a) Hóa chất làm làm thí nghiệm
o Zinc nitrate Zn (NO3)2. 6H2O, M = 297, 49
Xuất xứ: Công ty Chemical reagent – Trung Quốc. Độ tinh khiết > 99.1% o Hexamethylene tetramine C6H12N4, pH (100g/l, 25C) = 8.5-9.5
Xuất xứ: Công ty Chemical reagent –Trung Quốc. Độ tinh khiết > 99.1%
Nước cất hai lần
b) Dung dịch tẩy rửa o Axit clohydric HCl.
o Nước cất, acetol, ethanol, NaOH.
Dụng cụ thí nghiệm:
Cân điện tử Sartorius TE 214S dùng để cân hóa chất
Hình 4.1: Cân điện tử.
Hình 4.2: Máy khuấy từ và gia nhiệt
Máy sấy: dùng để sấy khô các dụng cụ thí nghiệm và đế trước khi đem chụp mẫuthiết bị
Hình 4.3: Máy sấy
Pipet 5ml va 10ml, lọ thủy tinh trung tính 80ml và 100ml, cá từ, quả bóp cao su, bông gòn, đũa khuấy tinh, muỗng thủy tinh.
Hình 4.4: Các dụng cụ thí nghiệm.
Hệ điện hóa gồm các bộ phận sau.