Thẻ thụ động không có nguồn năng lượng đi kèm. Nếu thẻ ở trong vùng hoạt động thì một điện áp cảm ứng U0 xuất hiện trên anten của thẻ bởi điện trường E tại khoảng cách r. Một phần điện áp cảm ứng UTở đầu cuối của anten.
Chỉ có phần điện áp này được chỉnh lưu và cung cấp cho hoạt động của anten.
Trong trưòng hợp năng lượng trở kháng bức xạ Rr và trở kháng vào ZT của anten tương đương nhau thì ta có: P2 Pe
Hình 1.13: Mô hình năng lượng của anten.
Để sử dụng nguồn năng lượng thấp này ta sử dụng điốt tách sóng Schottky với trở kháng phù hợp để chỉnh lưu.
Điốt Schottky có mạch tương đương như sau: (Hình 1.14).
Hình 1.14: Cấu trúc và mạch tương đương của điốt Schottky.
j
C là dung kháng lớp tiếp giáp ký sinh của chip và RS là điện trở mất mát của các cực điốt. Rj là điện trở tiếp giáp của điốt và được tính như sau:
b s j I I T n R 8.33 105
trong đó, n là yếu tố lý tưởng, T là nhiệt độ Kelvin, Is là dòng bão hoà và Iblà dòng điện dịch qua điốt.
Cấu tạo của điốt Schottky cho phép chúng hoạt động trong một phạm vi rộng. Trong thẻ của hệ thống RFID lớp p chính đã được sử dụng. Do đó độ dịch không của tín hiệu là nhỏ. Nếu dòng điều khiển trên -10dB (0.1 mW) đường đặc trưng của điốt nằm trong vùng tuyến tính.
Lúc đó, giá trị đỉnh của chỉnh lưu là Uchip ~Uin Uchip~ Pin
Trong trường hợp năng lượng hoạt động dưới -20dB (10W) ta có:
in chip in
chip U U P
U ~ 2 ~
Hình 1.15: Sự phụ thuộc của năng lượng vào và điện áp ra trên anten.