X là đại lượng khôngđiện cần đo ( đại lượng chủ đạo ).
F là độ rộng dải tần(Hz)
Ở nhiệt độ phòng nhiễu do điện trở tạo nên có thể tính bằng e=0.13 R.
Nguồn nhiễu dòng điện xoay chiều biểu diễn tạp xoay chiều tạo nên do dòng điện một chiều trong tạp chất bán dẫn. Khi dòng điện phân cực tăng nhiễu này sẽ tăng vì thế chất bán dẫn FET và CMOS có dòng điện nhiễu rất nhỏ. Nguồn nhiễu điện áp và dòng điện có mật độ phổ thấp hơn và tỉ lệ với 1/ f, do đó gọi là tạp hồng giống như phía màu đỏ của phổ ánh sáng nhìn thấy có bước sóng thấp hơn.
Nhiễu 1/ f phát sinh trong mọi vật dẫn. Ở tần số thấp không thể tác nhiễu 1/ f với ảnh hưởng của sự trôi điện áp một chiều. Đôi khi còn gọi nhiẽu 1/ f là nhiễu thăng giáng, xảy ra ở tần số dưới 100 Hz là vùng hoạt động của các bộ cảm biến. Do sự tiến bộ trong công nghệ chế tạo vật liệu bán
Giáo Trình Đo Lường Khơng Điện
dẫn người ta đã giảm nhiễu 1/ f đáng kể nhưng khi chế tạo mạch phải sử dụng màng kim loại và điện trở dây cuốn, do đó vấn đề này vẫn gây nhiễu đáng kể.
Đây là thuộc tính cơ bản của các thiết bị tách sóng, các bộ dò hay các bộ khuếch đại điện tử Nhiễu nội tại không thể khắc phục nhưng có thể giảm xuống mức tối thiểu
1.7.2. Nhiễu do truyền dẫn :
Hình1.9- Sơ đồ khối của nguồn nhiễu và mạch phối hợp với máy thu.
Để chống nhiễu ta dùng kỹ thuật vi sai phối hợp bộ chuyển đổitừng đôi, trong đó tín hiệu ra là hiệu của hai tín hiệu ra của từng bộ. Một bộ chuyển đổigọi là chuyển đổichính và bộ kia là chuyển đổichuẩn được đặt trong màn chắn.
Hình 1.10-Kỹ thuật vi sai
Để giảm nhiễu đường truyền ta có thể sử dụng các biện pháp được trình bày trong bảng sau:
Bảng 1.3 Các biện pháp giảm nhiễu
Nguồn nhiễu Độ lớn Biện pháp khắc phục
Nguồn 50Hz Nguồn 100Hz