Lắng đọng lớp phủ phản xạ khuếch tỏn

Một phần của tài liệu nghiên cứu, phát triển phương pháp đo quang thông hpcobled (high power chip on board light emitting diode) và ứng dụng trong điều kiện thực (Trang 62)

Cú thể thấy rằng, lớp phản xạ khuếch tỏn bờn trong quả cầu tớch phõn cú vai trũ đặc biệt quan trọng và đõy là một trong cỏc nguyờn nhõn gõy ra sai số kết quả của cỏc phộp đo quang thụng và cỏc thụng số màu sau này.

Như nhiều tỏc giả đó thụng bỏo [12, 20, 52, 57, 60, 74], cỏc yờu cầu đặt ra khi lắng đọng lớp phủ phản xạ khuếch tỏn bờn trong quả cầu tớch phõn là:

63

2) Độ thăng giỏng độ phản xạ ΔR < 1,5% trong khoảng bước súng λ = (380 ữ 780) nm Với bề mặt lớp phủ phản xạ khuếch tỏn đạt cỏc thụng số kỹ thuật trờn, chựm ỏnh sỏng bờn trong quả cầu tớch phõn sẽ cú phõn bố đồng đều trong khoảng bước súng λ = (380 ữ 780) nm và đõy chớnh là một trong những yếu tố ảnh hưởng lớn nhất đến độ chớnh xỏc của cỏc phộp đo trắc quang.

Cỏc vật liệu để lắng đọng lớp phủ phản xạ khuếch tỏn được đặc trưng bởi sự phản xạ khuếch tỏn, tức là ỏnh sỏng phản xạ đồng nhất theo tất cả cỏc hướng. Bề mặt phản xạ khuếch tỏn lý tưởng là bề mặt Lambertian, cú phản xạ hoàn toàn (độ phản xạ R=100%) [2, 20].

Hiện nay, cú rất nhiều vật liệu cú thể sử dụng làm vật liệu phản xạ khuếch tỏn. Những vật liệu cú thể sử dụng như PTFE (polytetraflouroethylene), TiO2 (sơn trắng) hay BaSO4

(bari sunfat) [2, 60, 74]. Tựy theo yờu cầu kỹ thuật trong cỏc ứng dụng mà người ta lựa chọn loại vật liệu phản xạ khuếch tỏn phự hợp.

Trong cỏc vật liệu kể trờn, BaSO4 là vật liệu phản xạ khuếch tỏn thụng dụng nhất. Đõy là loại vật liệu cú thể lắng đọng trờn cỏc bề mặt khỏc nhau (thủy tinh, nhựa, kim loại, gỗ,...), cỏc hỡnh dạng khỏc nhau (mặt phẳng, mặt cầu, ...) với độ phản xạ cao.

Độ phản xạ khuếch tỏn khi sử dụng vật liệu BaSO4 cú thể đạt được R ~ 98% trong khoảng bước súng λ = (250 ữ 2500) nm và chất lượng của lớp này phụ thuộc rất lớn vào cụng nghệ lắng đọng [43, 50].

Trong phần này, chỳng tụi đó nghiờn cứu để đưa ra quy trỡnh thực nghiệm lắng đọng lớp phủ bề mặt phản xạ khuếch tỏn từ vật liệu BaSO4 bờn trong quả cầu tớch phõn sử dụng phương phỏp phun phủ cú sử dụng sỳng phun được thiết kế và chế tạo tại phũng Đo lường quang, Viện Đo lường Việt Nam.

Một phần của tài liệu nghiên cứu, phát triển phương pháp đo quang thông hpcobled (high power chip on board light emitting diode) và ứng dụng trong điều kiện thực (Trang 62)

Tải bản đầy đủ (PDF)

(114 trang)