Nguyờn lý của phương phỏp ISSPM

Một phần của tài liệu nghiên cứu, phát triển phương pháp đo quang thông hpcobled (high power chip on board light emitting diode) và ứng dụng trong điều kiện thực (Trang 54)

Phương phỏp ISSPM được xõy dựng trờn nguyờn lớ sử dụng quả cầu tớch phõn kết hợp thiết bị đo phổ bức xạ và quang kế chuẩn.

Trong phương phỏp này, quang thụng của HPCOBLED được xỏc định bằng cỏch so sỏnh với tổng thụng lượng phổ bức xạ của đốn chuẩn phổ thụng qua thiết bị đo phổ bức xạ đồng thời trong kết quả xỏc định quang thụng HPCOBLED cú tớnh đến hệ số hiệu chớnh hấp thụ ỏnh sỏng và hệ số này được xỏc định chớnh xỏc bằng quang kế chuẩn.

Như vậy, quang thụng của HPCOBLED cú thể xỏc định theo biểu thức sau đõy:

( ) ( ) ( )

( ) (3.1) với kabs là hệ số hiệu chớnh hấp thụ ỏnh sỏng gõy ra từ đốn chuẩn phổ và HPCOBLED và được xỏc định bằng quang kế chuẩn theo biểu thức sau [1, 80]:

( ( ) ( )

) ( ) (3.2) trong đú,

là dũng tối đo được khi đốn phụ khụng sỏng và đốn chuẩn phổ được lắp đặt bờn trong quả cầu tớch phõn ở dạng hỡnh học đo 4π khụng sỏng;

là dũng quang đo được khi đốn phụ sỏng và đốn chuẩn phổ được lắp đặt bờn trong quả cầu tớch phõn ở dạng hỡnh học đo 4π khụng sỏng;

là dũng quang đo được khi đốn phụ sỏng và đốn chuẩn phổ được thỏo ra khỏi bờn trong qủa cầu tớch phõn;

là dũng tối đo được khi đốn phụ khụng sỏng và HPCOBLED được lắp đặt bờn trong quả cầu tớch phõn ở dạng hỡnh học đo 2π khụng sỏng;

55

là dũng quang đo được khi đốn phụ sỏng và HPCOBLED được lắp đặt bờn trong quả cầu tớch phõn ở dạng hỡnh học đo 2π khụng sỏng;

là dũng quang đo được khi đốn phụ sỏng và HPCOBLED được thỏo ra khỏi bờn trong qủa cầu tớch phõn.

Một phần của tài liệu nghiên cứu, phát triển phương pháp đo quang thông hpcobled (high power chip on board light emitting diode) và ứng dụng trong điều kiện thực (Trang 54)