III a/b a/b
nhiễm bẩn
Các thông tin d−ới đây từ độ nhiễm bẩn đ−ợc trích từ IEC 60664-1.
Nhiễm bẩn
Môi tr−ờng hẹp quyết định ảnh h−ởng của nhiễm bẩn trên cách điện. Tuy nhiên, môi tr−ờng rộng có thể đ−ợc tính đến khi xem xét môi tr−ờng hẹp.
Có thể có các ph−ơng thức để giảm nhiễm bẩn trên cách điện đang xem xét bằng cách sử dụng có hiệu quả vỏ bọc, đóng gói hoặc gắn kín. Các ph−ơng thức này nhằm giảm độ nhiễm bẩn có thể không có hiệu quả khi thiết bị phải chịu lắng đọng tích tụ hoặc nếu trong sử dụng bình th−ờng có thể tự sinh ra nhiễm bẩn.
Khe hở không khí nhỏ có thể bị bắc cầu hoàn toàn do vật thể rắn, bụi và n−ớc và vì thế khe hở không khí nhỏ nhất cần đ−ợc qui định trong tr−ờng hợp nhiễm bẩn có thể xuất hiện trong môi tr−ờng hẹp.
Chú thích 1: Nhiễm bẩn sẽ trở nên dẫn điện khi ẩm. Nhiễm bẩn tạo ra do n−ớc nhiễm bẩn, muội, bụi kim loại bụi cácbon vốn đã là vật liệu dẫn.
Chú thích 2: Nhiễm bẩn do các khí bị ion hoá và kim loại lắng động chỉ xuất hiện trong tr−ờng hợp đặc biệt ví dụ trong buồng dập hồ quang của thiết bị đóng cắt hoặc thiết bị điều khiển và không đ−ợc đề cập trong IEC 60664-1.
Độ nhiễm bẩn trong môi tr−ờng hẹp
Để đánh giá chiều dài đ−ờng rò, bốn độ nhiễm bẩn d−ới đây đ−ợc thiết lập trong môi tr−ờng hẹp.
− nhiễm bẩn độ 1: không nhiễm bẩn hoặc chỉ xuất hiện nhiễm bẩn khô, không dẫn. Nhiễm bẩn này không gây ảnh h−ởng;
− nhiễm bẩn độ 2: chỉ xuất hiện nhiễm bẩn không dẫn, ngoại trừ đôi khi có nhiễm bẩn dẫn tạm thời do lắng đọng;
− nhiễm bẩn độ 3: xuất hiện nhiễm bẩn dẫn hoặc nhiễm bẩn khô không dẫn nh−ng trở nên dẫn do lắng đọng tích tụ;
− nhiễm bẩn độ 4: nhiễm bẩn sinh ra dẫn liên tục do bụi dẫn hoặc do m−a hoặc tuyết. Chú thích 3: Không áp dụng nhiễm bẩn độ 4 cho thiết bị.