6. Cấu trúc của luận văn
2.2.2.2.Phân tích nhiễu xạ tia X (XRD)
Nguyên tắc cơ bản của phương pháp nhiễu xạ tia X là dựa vào ñịnh luật Bragg. Với mỗi nguồn tia X ta có bước sóng λ xác ñịnh, khi thay ñổi góc tới θ, mỗi vật liệu có giá trị khoảng cách giữa các mặt mạng (d) ñặc trưng. So sánh d với giá trị d chuẩn sẽ xác ñịnh ñược cấu trúc mạng tinh thể của chất cần nghiên cứu. Khi chiếu một chùm tia X tới nguyên tử thì các electron trong nguyên tử sẽ dao ñộng quanh vị trí cân bằng của nó. Ta nhận thấy một photon tia X bị hấp thụ bởi nguyên tử thì có một photon khác phát ra với cùng mức năng lượng. Khi không có sự thay ñổi năng lượng giữa photon tới và photon
phát ra, ta nói bức xạ là tán xạ ñàn hồi. Nếu photon bị mất năng lượng thì tán xạ không ñàn hồi.
Chùm tia X có bước sóng λ chiếu tới một tinh thể chất rắn dưới góc tới là θ. Do tinh thể có tính chất tuần hoàn tịnh tiến của các mạng tinh thể, các mặt tinh thể sẽ cách nhau những khoảng ñều ñặn d, ñóng vai trò giống như các cách tử nhiễu xạ và tạo ra hiện tượng nhiễu xạ của các tia X.
Phân tích nhiễu xạ tia X (XRD) ñể xác ñịnh thành phần pha của nguyên liệu và sản phẩm tạo ra, xác ñịnh cấu trúc tinh thể của vật liệu. Kết quả phân tích trong ñề tài này ñược thực hiện nhờ thiết bị X’Pert Pro của hãng Panalytical, Hà Lan.
Phép ño nhiễu xạ tia X ñược thực hiện trên các mẫu dạng bột, ghi lại trong khoảng 2θ từ 10 ñến 800, sử dụng tia phát xạ Cu-Kα (λ=1.5405980 Ǻ) là nguồn phát xạ tia X với dòng ñiện 40mA.