TRANZITO MỘT LỚP CHUYỂN TIẾP P-N

Một phần của tài liệu Lý thuyết linh kiện điện tử (Trang 91 - 94)

CÁC LINH KIỆN NHIỂU CHUYỂN TIẾP P-N

6.5. TRANZITO MỘT LỚP CHUYỂN TIẾP P-N

Tranzito một lớp chuyển tiếp (unijunction tranzito UJT) hay còn được gọi là điốt 2 đáy là một linh kiện có ba cực. Đặc trưng điện của nó cùng họ với thyristor. Nó có những ưu điểm sau đây:

* Thế khởi phát ổn định.

* Dòng đỉnh có giá trị rất thấp.

* Đặc trưng ĩfw có đoạn trở âm.

* Có khả năng cung cấp một xung dòng lớn.

92

6.5.1. Câu tạo và cách thức hoạt động

Hình 6.10 minh họa cấu tạo của tranzito một lớp chuyển tiếp được tạo thành nhờ một chuyển tiêp em itơ (bán dẫn loại P) - bazơ (bán dẫn loại N) và hai tiếp xúc ôm - mic B| và Bị.

o E OB

OB2

Hình 6.10. Cấu tạo của tranzito một chuyển tiếp.

* Nếu I[; = 0 (mạch em itơ hở), điện trở của thanh bán dẫn cỡ hàng nghìn ôm, vì vậy dòng Iq2 rất nhỏ.

* K h i tác động thế VgB giữa B| và 6 2- Nếu emitơ được nối trực tiếp với B|, thì chuyển tiếp E/B, phân cực ngược, vì vậy khi thế giữa B| và B2 tăng từ 0 đến Vrb thì cũng chỉ có dòng rất nhỏ đ i qua mạch.

* Bây giờ ta tăng thế V|3| và theo dõi thế ngược của chuyển tiếp, thấy thế ngược giảm từ từ đến điểm Q, tại đó dòng bằng không (Ie = 0 ), nên lớp chuyển tiếp được phân cực thuận và dòng thuận của em itơ xuất hiện. Vggi đạt giá trị cực đại (thế đỉnh Vp), sau đó giảm xuống thế đáy (VJ. ở thế đỉnh, dòng Ie tăng, trong khi thế Vị^Bi lại giảm đến đáy. Điện trở động giữa đỉnh và đáy là điện trở âm. K h i thế lớn hơn thế đáy, dòng tăng rất nhanh, vì vậy phải có mạch để hạn chế dòng ở một giá trị chấp nhận được. Hình 6.11 mô tả các đặc trưng này.

Hình 6.11. Đặc trưng của tranzito m ột lớp chuyển tiếp.

93

Các quá trình khởi phát của ƯJT có thể coi như một miạch điốt nối với hai điện trở đóng vai trò một bộ chia thế (hình 6 .1 la). Nếu mạch emitơ hở (Ie = 0), ta có:

B!

R B

RB2

E O > h - i A BB

Hình 6.1 la . Sơ dồ tương dương của tranzito một lớp chuyển tiếp.

Bi ^ B 2

Đ iố t đóng khi VgBi < + Vp (Vp : thế ngưỡng của điốt).

Còn kh i Vebi > + Vp thì điốt phân cực thuận, hạt tải điện được phun vào bazơ. Các lỗ trống này được gia tốc bởi Vgị kéo theo tãng độ dẫn điện của Rb; làm cho giảm xuống, do đó có hiệu ứng trở âm (giá trị từ 1 đến 2 kQ ).

V ớ i m ỗi UJT, thế đỉnh Vp được xác định bằng hệ thức:

Vp = TlV,, + Vo

Ĩ1 ít phụ thuộc nhiệt độ; V[3 giảm khi nhiệt độ tăng.

Người-ta ổn định điểm khởi động của UJT bằng cách mắc một điện trở nối tiếp với đáy 8 2- K h i I > Iv, UJT có điện trớ dương nhỏ ( < 10fì ).

Tất cả các thông số của UJT có độ ổn định khá cao trong một khoảng nhiệt độ khá rộng ( -70"C ^ 150"C).

6.5.2. Tranzito m ột lốp chuyển tiếp có thể lập trình PNPN

Thực chất, đây là một thyristor có cửa kép. Nhưng nó được gọi như vậy vì đặc trưng vôn - ampe của nó có dạng giống như của tranzito một lớp chuyển tiếp và có thể điều chỉnh được dòng đỉnh Ip và dòng đáy Iv

Hình 6.12 cho biết cách thức lập trình của linh kiện này nhờ cửa về phía anôt, cửa ở phía catôt bỏ trống, cửa về phía anôt (G^) này được phân cực nhờ thế Vg, do vậy điốt được tạo thành bởi anôt và cửã bị phân cực ngược, vì thế chỉ có dòng điện rất nhỏ, bằng dòng điện ngược của điốt là đứọc phép cho qua (khoảng 10 nA).

Hình 6.12. Đặc trưng của tranzito một lớp chuyển tiếp có thể lập trình.

94

K h i thế anôt Vg lớn hơn Vs, điốt sẽ phân cực thuận, do vậy dòng điện chạy giữa anôt và cửa sẽ khởi phát thyristor. Dòng anốt lúc này bằng dòng đỉnh Ip ; giá trị của nó càng nhỏ nếu điện trở Rc có giá trị càng cao (hình 6.12b). K h i thyristor dẫn, thế cửa về phía anôt vào khoảng 0,5 V. M áy phát thế Vs cung cấp một dòng điện qua Rq là:

V. - V, I = ^

*GA GA

R,

Dòng điện này có chiều ngược với chiều của dòng điện kh ở i phát.

Nếu dòng điện chính Ie quá lớn so với Iqa- thì dòng này không đủ khả năng để khoá trở lại thyristor; Nhưng nếu Iẹ giảm và đi qua giá trị đáy l y mà đối với giá trị này thì Iga cho phép m ở thyristor. Giá trị đó của ly càng lớn khi Rq càng bé.

Do vậy giá trị của Rq phải được chọn lựa một cách đồng bộ và phù hợp. Hiện nay, người ta đã chế tạo được các loại tranzito một lớp chuyển tiếp có thể lập trình với các đặc trưng như sau: Thế cửa anôt cực đại 70V. Dòng anôt trung bình: 175mA. Công suất tổng cộng: 300mW. Dòng đủih (khi Vs = lOV, Rq = lO kQ ): 5 |iA ; dòng đáy (khi Vs = lOV, Rq = lOkQ): 50|aA. Vận tốc tăng của dòng anôt d l/d t = 20A/f^s. V ì vậy tranzito này cho phép lập chương trình rất chính xác các trạng thái dẫn và khoá của thyristor hay của triac.

Một phần của tài liệu Lý thuyết linh kiện điện tử (Trang 91 - 94)

Tải bản đầy đủ (PDF)

(226 trang)