- Phiến silic loại p+ có điện trở suất ρ= 0,0 1 0,1 Ωcm được bốc bay Al ở mặt sau để tạo tiếp xúc.
2.2.4.2.Kính hiển vi điện tử phân giải cao FESEM S-
+ Tính năng thiết bị :
Hitachi S-4800 là kính hiển vi điện tử quét sử dụng sung điện tử kiểu phát xạ cathode trường lạnh FESEM và hệ thấu kính điện tử tiên tiến nên có độ phân giải cao , thường được dùng để đo các đặc trưng của các vật liệu cấu trúc nano.
+ Đặc trưng kỹ thuật của thiết bị :
- Độ phân giải ảnh điển tử thứ cấp ; 1,0 nm (15kV, WD= 4 nm); 1,4nm (1 kV, WD= 1,5nm, kiểu giảm thế gia tốc); 2,0 nm (1kV, WD = 1,5nm, kiểu thơng thường)
Hình 2.10. FE- SEM S-4800
- Độ phóng đại : Kiểu phóng đại thấp LM 20-2000 lần; kiểu phóng đại cao HM 100- 800000. Đầu dị điện tử truyền qua cho phép nhận ảnh theo kiểu STEM, hệ EMAX ENERGY(EDX) cho phép phân tích ngun tố trong vùng có kích thước µm.
- Khả năng đo : có thể đo và phân tích các mẫu dưới dạng khối, màng mỏng, bột
Kết luận chương 2
1.Trong chương này chúng ta đã tìm hiểu về phương pháp chế tạo buồng vi cộng hưởng trên đế silic bằng phương pháp điện hóa.
2.Sau đó chúng ta cũng đã nêu ra một số phương pháp đo cấu trúc và đặc trưng của silic xốp. Bằng các phương pháp này chúng ta có thể xác định được chiết suất, độ dày và hình thái của silic xốp. Các phương pháp đã được nêu ra là :
- Nguyên lý hoạt động của kính hiển vi điện tử FESEM –S 4800, cho ta kết quả của phép đo đặc trưng cấu trúc cũng như hình thái học(kích thước, mật độ lỗ xốp).
- Ngun lý phép đo ghép lăng kính m- line, dùng để đo dùng để đo chiết suất cũng như độ dày vật lý của màng silic.
- Nguyên lý đo phổ phản xạ bằng máy CARRY 5000, cho ta phổ quang học của một buồng vi cộng hưởng.
CHƯƠNG 3: