Cấu trúc bộ nhớ:

Một phần của tài liệu đồ án tốt nghiệp đề tài soạn đề cương thực tập điện-khí nén cho sinh viên ngành điện và thi công mô hình tay máy (Trang 81 - 82)

IV. MẠCH ĐIỀU KHIỂN ĐIỆ N KHÍ NÉN V ỨNG DỤNG PLC TRONG ĐIỀU KHIỂN

b) Cấu trúc bộ nhớ:

Bộ nhớ của S7-200 được chia làm 4 vùng: _ Vùng chương trình.

_ Vùng tham số. _ Vùng dữ liệu.

Trong đĩ hai vùng nhớ dữ liệu và đối tượng cĩ vai trị quan trọng trong việc thực hiện một chương trình.

Vùng dữ liệu:

. V - Variable memory : Vùng nhớ biến. . I - Input image register : Vùng đệm ngõ vào. . Q - Output image register : Vùng đệm ngõ ra. . M – Internal memory bits : Vùng nhớ trong. . SM – Special memory bits : Vùng nhớ đặc biệt.

- Các vùng nhớ này đều cĩ thể truy cập được theo bit, byte, word hay double word:

+ Truy suất theo bit: Một lần một bit.

Cú pháp: Tên vùng nhớ (+) địa chỉ byte (+) . (+) địa chỉ bit. Ví dụ: I0.0 : chỉ bit 0 của byte 0 của vùng I.

+Truy suất theo byte: mỗi lần 1 byte.

Cú pháp: Tên vùng nhớ (+) B (+) địa chỉ byte. Ví dụ: VB1 : chỉ byte 1 của vùng V.

+Truy suất theo word:

Cú pháp: tên vùng nhớ (+) W (+) địa chỉ byte cao.

Ví dụ: VW100: chỉ word 100 gồm 2 byte 100 và 101 thuộc vùng V. +Truy suất theo Double word:

Cú pháp: Tên vùng nhớ (+) D (+) địa chỉ byte cao.

Ví dụ: VD150 : chỉ double word gồm 4 byte: 150, 151, 152, 153.  Vùng đối tượng: Được phân chia như sau:

-Timer: từ T0 đến T127. -Bộ đếm: từ C0 đến C127.

-Bộ đệm cổng vào tương tự: từ AW0 đến AW30. -Bộ đệm cổng ra tương tự: từ AQW0 đến AQW30.

-Thanh ghi Acumulator: từ AC0 đến AC3, trong đĩ thanh ghi AC) khơng cĩ khả năng làm con trỏ.

Một phần của tài liệu đồ án tốt nghiệp đề tài soạn đề cương thực tập điện-khí nén cho sinh viên ngành điện và thi công mô hình tay máy (Trang 81 - 82)

Tải bản đầy đủ (DOC)

(180 trang)
w